JPWO2005098911A1 - 移動体の駆動方法、ステージ装置及び露光装置 - Google Patents

移動体の駆動方法、ステージ装置及び露光装置 Download PDF

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Abstract

X軸方向に移動するステージ(28)と、ステージを駆動するX軸リニアモータ(80)と、該モータ(80)によるX軸方向に関するステージの駆動力の反力の作用によりステージと反対方向に移動するカウンタマス(30)と、カウンタマスをX軸方向に駆動するX軸トリムモータ(26A、26B)と、モータ(80)を介してステージを例えば+X方向に移動する際に、トリムモータを制御して、カウンタマスに+X方向の初速を与える制御装置と、を備えている。これにより、カウンタマスを大型化することなく、カウンタマスの移動に必要なストロークを短くすることができる。

Description

本発明は、移動体の駆動方法、ステージ装置及び露光装置に係り、さらに詳しくは、第1の移動体と該第1の移動体の駆動力の反力を受けて第1の移動体と反対方向に移動する第2の移動体とを駆動する移動体の駆動方法、該移動体の駆動方法が適用されるステージ装置及び該ステージ装置を備える露光装置に関する。
従来より、半導体素子、液晶表示素子等の製造におけるリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)やステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが比較的多く用いられている。
この種の露光装置では、ウエハ上の複数のショット領域にマスクとしてのレチクルのパターンを転写するために、ウエハステージはXY2次元方向に例えばリニアモータ等を含む駆動装置により駆動される。このウエハステージの駆動によって生じる反力は、ステージと振動絶縁された基準(例えば床面又は装置の基準となるベースプレートなど)に設けられたフレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がすことで処理していた(例えば、特許文献1参照)。この他、スキャニング・ステッパのレチクルステージの駆動によって生じる反力の吸収のために、主として運動量保存の法則を利用した走査方向一軸に関するカウンタマス機構を採用することもあった(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、基準に逃がされたステージの反力は、微細加工において求められているレベルからみると、少なからず投影光学系や、ステージに振動を与え、特にステージ(ひいては、ウエハ又はレチクル)を走査しつつ露光を行うスキャニング・ステッパにおいてはその反力に起因する振動が、露光精度を低下させる要因となっていた。
また、カウンタマス機構を用いて反力吸収を行う場合には反力の伝達をほぼ完全に防止することができるのであるが、従来のカウンタマス機構では、ステージの駆動方向と反対の方向にステージの駆動距離に比例した距離だけ移動するカウンタマスが用いられていたため、ステージの全ストロークに応じたストロークをカウンタマスについても用意しなければならず、露光装置の大型化を招く傾向があった。
このような事情の下、出願人は、精度良く露光を行えるとともに、装置の大型化を抑制することを目的として、「物体を保持するステージの移動に応じて、前記ステージとは反対方向に移動するカウンタステージと、少なくとも一部が前記カウンタステージに接続され、露光ビームが照射されていないときに、前記カウンタステージの位置を補正する補正装置とを備える露光装置」を先に提案した(特許文献3参照)。
しかるに、上記特許文献3に開示される露光装置では、ステージの移動に応じて運動量保存則に従ってカウンタステージが自由運動をするのを許容し、その移動後の適当なタイミングで補正装置によりカウンタステージの位置を補正するものであったことから、カウンタステージの移動ストローク範囲が不要に拡大しないようにするために、カウンタステージとしてステージに比べて質量の大きなステージを採用する必要があった。特に、特許文献3の図2などに開示されるようなH型の2軸ステージの場合、ウエハステージ側の可動子とともにリニアモータを構成する固定子(カウンタステージ)のストローク範囲は小さい方が望ましく、そのためにはその固定子(カウンタステージ)の質量をある程度大きくする必要があった。従って、装置の小型化を十分なレベルで達成できているとは必ずしも言えないのが現状である。
米国特許第5,528,118号明細書 米国特許第6,255,796号明細書 米国特許出願公開第2004/0012768号明細書
本発明は、上述の事情の下でなされたもので、第1の観点からすると、少なくとも第1軸方向に移動する第1の移動体と、該第1の移動体の前記第1軸方向の駆動力の反力を受けて前記第1の移動体と反対方向に移動する第2の移動体とを駆動する移動体の駆動方法において、前記第1の移動体が前記第1軸方向の2方向のうちの第1方向に移動する際に、前記第2の移動体に前記第1方向の初速を与えることを特徴とする第1の駆動方法である。
ここで、「第1軸方向の2方向」とは、第1軸方向の一側から他側へ向かう方向と、第1軸方向の他側から一側へ向かう方向とを意味する。従って、「第1方向」は、その2方向のいずれかであるが、いずれであっても良い。
また、第1の移動体の第1方向への移動は、加減速を伴う移動、例えばステップ移動などをも含む。
これによれば、第1の移動体が第1方向に移動する際に、第2の移動体に前記第1方向の初速を与えることから、第1の移動体と第2の移動体とを含む系が運動量保存の法則に従う場合、第1の移動体が第1方向に移動するとき、その駆動力の反力を受けて第2の移動体が第1方向と反対方向に移動するが、そのとき前記初速に起因する第1方向への移動も同時に行われているので、結果的に、第1の移動体の第1方向への駆動力の反力の作用による自由運動の際の移動距離から前記初速に起因する第1方向への移動距離分を差し引いた距離だけ、第1方向と反対方向に第2の移動体が移動し、その移動距離が短くなる。特に、第1の移動体が加減速を伴って第1方向に移動する場合、第1の移動体の減速時間中は、第2の移動体は第1方向に移動するので、第1の移動体の第1方向への駆動力の反力を受けた第2の移動体の第1方向と反対方向への移動距離をさらに短くすることができる。従って、本発明の第1の駆動方法によると、第2の移動体を必ずしも大型化することなく、第2の移動体の移動に必要なストロークを短くすることができる。特に、第1の移動体が第1方向へステップ移動を含む動作を行う場合には、第1の移動体は第1方向に関する加速と減速とを交互に繰り返すので、第2の移動体の移動に必要な第1軸方向(第1方向及びその反対方向)に関するストロークを最も短くすることができる。
本発明は、第2の観点からすると、少なくとも第1軸方向に移動する第1の移動体と、該第1の移動体の前記第1軸方向の駆動力の反力を受けて前記第1の移動体と反対方向に移動する第2の移動体とを駆動する移動体の駆動方法において、前記第1の移動体が前記第1軸方向の2方向のうちの第1方向に移動する際に、前記第2の移動体を前記第1方向に沿ってオフセットして位置決めしておくことを特徴とする第2の駆動方法である。
これによれば、第1の移動体が第1方向に移動する際に、第2の移動体を前記第1方向に沿ってオフセットして位置決めしておくことから、第1の移動体と第2の移動体とが運動量保存の法則に従う場合、第1の移動体が第1方向に移動するとき、その駆動力の反力を受けて第2の移動体が第1方向と反対方向に移動するが、その移動距離が前記オフセット量分だけ相殺され、オフセット量分だけ第2の移動体の移動距離が短くなる。従って、本発明の第2の駆動方法によると、第2の移動体を必ずしも大型化することなく、第2の移動体の移動に必要なストロークを短くすることができる。
本発明は、第3の観点からすると、少なくとも第1軸方向に移動するステージと;前記ステージを駆動する第1駆動装置と;前記第1駆動装置による前記第1軸方向に関する前記ステージの駆動力の反力の作用により前記ステージと反対方向に移動するカウンタマスと;前記カウンタマスを前記第1軸方向に駆動する第2駆動装置と;前記第1駆動装置を介して前記ステージを前記第1軸方向の2方向のうちの第1方向に移動する際に、前記第2駆動装置を制御して、前記カウンタマスに前記第1方向の初速を与える制御装置と;を備えることを特徴とする第1のステージ装置である。
ここで、「カウンタマス」とは、ステージの移動に応じて移動する質量体であって、ステージ及びカウンタマスを含む力学系における重心点の移動をなくし、偏荷重の発生を防止することを目的として設けられるものである。カウンタマスには、移動対象の物体を保持するステージと異なるステージであり、双方のステージの運動量合計が一定に維持されるように駆動されるものが含まれる。また、カウンタマスには、例えば、移動対象の物体を保持するステージと一体的に移動する駆動装置の可動子と協働してステージの駆動力を発生するとともに、ステージに対する駆動力の反力により自由に移動するように構成された駆動装置の固定子等も含まれる。
これによれば、制御装置は、ステージが第1方向に移動する際に、カウンタマスに前記第1方向の初速を与えることから、第1駆動装置により駆動されてステージが第1方向に移動するとき、その駆動力の反力を受けてカウンタマスが運動量保存の法則に従い第1方向と反対方向に移動するが、そのとき前記初速に起因する第1方向への移動も同時に行われているので、結果的に、ステージの第1方向への駆動力の反力の作用による自由運動の際のカウンタマスの移動距離から前記初速に起因する第1方向への移動距離分を差し引いた距離だけ、第1方向と反対方向にカウンタマスが移動し、その移動距離が短くなる。特に、ステージが加減速を伴って第1方向に移動する場合、ステージの減速時間中は、カウンタマスは第1方向に加速されるので、ステージの第1方向への駆動力の反力を受けたカウンタマスの第1方向と反対方向への移動距離をさらに短くすることができる。従って、本発明の第1のステージ装置によると、カウンタマスを必ずしも大型化することなく、カウンタマスの移動に必要なストロークを短くすることができる。特に、ステージが第1方向へステップ移動を含む動作を行う場合には、ステージは第1方向に関する加速と減速とを交互に繰り返すので、カウンタマスの移動に必要な第1軸方向(第1方向及びその反対方向)に関するストロークを最も短くすることができる。
本発明は、第4の観点からすると、少なくとも第1軸方向に移動するステージと;前記ステージを駆動する第1駆動装置と;前記駆動装置による前記第1軸方向に関する前記ステージの駆動力の反力の作用により前記ステージと反対方向に移動するカウンタマスと;前記カウンタマスを前記第1軸方向に駆動する第2駆動装置と;前記第1駆動装置を介して前記ステージを前記第1軸方向の2方向のうちの第1方向に移動する際に、前記第2駆動装置を制御して、前記カウンタマスを前記第1方向に沿ってオフセットして位置決めする制御装置と;を備えることを特徴とする第2のステージ装置である。
これによれば、制御装置は、ステージが第1方向に移動する際に、カウンタマスを前記第1方向に沿ってオフセットして位置決めしておくことから、ステージとカウンタマスとが運動量保存の法則に従う場合、ステージが第1方向に移動するとき、その駆動力の反力を受けてカウンタマスが第1方向と反対方向に移動するが、その移動距離が前記オフセット量分だけ相殺され、オフセット量分だけカウンタマスの第1方向と反対方向への移動距離が短くなり、カウンタマスのストロークを短く設定することができる。
本発明は、第5の観点からすると、パターンを物体に転写する露光装置であって、前記物体が前記ステージに保持される本発明の第1、第2のステージ装置のいずれかを、前記物体の駆動装置として用いることを特徴とする露光装置である。
これによれば、カウンタマスを必ずしも大型化することなく、カウンタマスの移動に必要なストロークを短くすることができる本発明の第1、第2のステージ装置のいずれかが、物体の駆動装置として用いられるので、そのステージ装置の小型化による装置全体の小型化が可能であるとともに、ステージ駆動時の反力に起因する振動の影響を殆ど解消して、ステージひいては物体の位置制御性の向上によるパターンの転写精度(露光精度)の向上が可能となる。
本発明は、第6の観点からすると、少なくとも第1軸方向に移動する第1の移動体と、該第1の移動体に用力を供給するとともに、前記第1の移動体と同じ方向に移動する第2移動体とを駆動する駆動方法において、前記第1の移動体が前記第1軸方向の第1方向に移動する際に、前記第2の移動体に前記第1方向の初速を与えることを特徴とする第3の駆動方法である。
本発明の一実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。 図1のウエハステージ装置を示す斜視図である。 図1のウエハステージを示す斜視図である。 ウエハテーブルを取り外したウエハステージ装置を示す平面図である。 ステージ制御に関連する制御系の構成を示すブロック図である。 1ロットのウエハに対する一連の露光工程の処理に関する主制御装置20内のCPUの処理アルゴリズムを示すフローチャートである。 ウエハ上のショット領域の配置の一例を、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作中のウエハ上の照明光の照射領域の中心の軌跡とともに示す図である。 図7のショット領域S1,2の露光のための両ステージの走査終了時点から、ショット領域S1,Jの露光のための両ステージの走査開始時点までの、ウエハステージ本体(ウエハステージ)及びカウンタマスの状態遷移の様子を模式的に示す図である。 図8に対応する、ウエハステージ及びカウンタマスのX軸方向に関する速度の時間変化曲線を示す図である。 図9(A)に対応するウエハステージ及びカウンタマスのX軸方向に関する位置の時間変化曲線を示す図である。 第1の変形例に係るステージ装置を示す斜視図である。 ウエハステージWST及びY軸用の固定子86,87のX軸方向に関する速度の時間変化曲線を示す図である。 図11(A)に対応するウエハステージWST及びY軸用の固定子86,87のX軸方向に関する位置の時間変化曲線を示す図である。 第2の変形例に係るステージ装置を示す斜視図である。 第2の変形例に係るウエハステージを示す斜視図である。 図13(A)のウエハステージが固定子と係合した状態を示す斜視図である。
以下、本発明の一実施形態を図1〜図9(B)に基づいて説明する。
図1には、一実施形態に係る露光装置100の概略構成が示されている。この露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわち、いわゆるスキャニング・ステッパである。後述するように本実施形態では、投影光学系PLが設けられており、以下においては、この投影光学系PLの光軸AX方向をZ軸方向、これに直交する面内でマスクとしてのレチクルRと物体としてのウエハWとが相対走査される方向をY軸方向、これらZ軸及びY軸に直交する方向をX軸方向として説明を行う。
この露光装置100は、光源及び照明光学系を含み、エネルギビームとしての照明光(露光光)ILによりマスクとしてのレチクルRを照明する照明系10、レチクルRを保持するレチクルステージRST、投影ユニットPU、物体としてのウエハWが載置されるステージ(及び第1の移動体)としてのウエハステージWSTを含むウエハステージ装置12、前記レチクルステージRST及び前記投影ユニットPUなどが搭載されたボディBD、及びこれらの制御系等を備えている。
前記照明系10は、不図示のレチクルブラインドで規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域を照明光ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。
前記レチクルステージRSTは、後述する第2コラム34の天板を構成するレチクルベース36上に、その底面に設けられた不図示のエアベアリングなどによって例えば数μm程度のクリアランスを介して浮上支持されている。このレチクルステージRST上には、レチクルRが、例えば真空吸着(又は静電吸着)により固定されている。レチクルステージRSTは、ここでは、リニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部11により、後述する投影光学系PLの光軸AXに垂直なXY平面内で2次元的に(X軸方向、Y軸方向及びXY平面に直交するZ軸回りの回転方向(θz方向)に)微少駆動可能であるとともに、レチクルベース36上を所定の走査方向(ここでは、図1における紙面左右方向であるY軸方向とする)に指定された走査速度で駆動可能となっている。なお、レチクルステージRSTは、周知の粗微動構造としても良い。
本実施形態の場合、レチクルステージRSTの駆動時(特に走査駆動時)のリニアモータの固定子に作用する反力に起因する振動の影響を極力低減するための対策が講じられている。具体的には、前述のリニアモータの固定子は、例えば特開平8−330224号公報及びこれに対応する米国特許第5,874,820号などに開示されるように、ボディBDとは別に設けられた不図示の支持部材(リアクションフレーム)によってそれぞれ支持され、レチクルステージRSTの駆動の際にリニアモータの固定子に作用する反力は、それらのリアクションフレームを介してクリーンルームの床面Fに伝達される(逃がされる)ようになっている。この他、例えば、特開平8−63231号公報及びこれに対応する米国特許第6,246,204号などに開示される運動量保存則を利用した反力キャンセル機構をレチクルステージRSTの反力キャンセル機構として採用しても良い。本国際出願で指定した指定国(又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報及び対応する上記各米国特許における開示を援用して本願明細書の記載の一部とする。
レチクルステージRSTのステージ移動面内の位置は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)16によって、移動鏡15を介して、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出されている。この場合、投影ユニットPUを構成する鏡筒40の側面に固定された固定鏡14を基準として位置計測が行われる。ここで、実際には、レチクルステージRST上にはY軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられ、これらの移動鏡に対応してレチクルY干渉計とレチクルX干渉計とが設けられ、更に、これに対応して、X軸方向位置計測用の固定鏡と、Y軸方向位置計測用の固定鏡とが設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡15、レチクル干渉計16、固定鏡14として示されている。なお、例えば、レチクルステージRSTの端面を鏡面加工して反射面(移動鏡15の反射面に相当)を形成しても良い。また、レチクルステージRSTの走査方向(本実施形態ではY軸方向)の位置検出に用いられるX軸方向に伸びた反射面の代わりに、少なくとも1つのコーナーキューブ型ミラー(例えばレトロリフレクタ)を用いても良い。ここで、レチクルY干渉計とレチクルX干渉計の一方、例えばレチクルY干渉計は、測長軸を2軸有する2軸干渉計であり、このレチクルY干渉計の計測値に基づきレチクルステージRSTのY位置に加え、θz方向の回転も計測できるようになっている。
レチクル干渉計16の計測値は、主制御装置20に送られている。主制御装置20では、レチクル干渉計16の計測値に基づいてレチクルステージ駆動部11を介してレチクルステージRSTを駆動制御する。
レチクルRの上方には、投影光学系PLを介してウエハステージWST上の一対の基準マークとこれに対応するレチクルR上の一対のレチクルマークとを同時に観察するための露光波長の光を用いたTTR(Through The Reticle)アライメント系から成る一対のレチクルアライメント系13A、13B(図1では不図示、図5参照)がX軸方向に所定距離隔てて設けられている。この一対のレチクルアライメント系13A、13Bとしては、例えば特開平7−176468号公報及びこれに対応する米国特許第5,646,413号などに開示されるものと同様の構成のものを用いることができる。本国際出願で指定した指定国(又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及び対応する上記米国特許における開示を援用して本願明細書の記載の一部とする。
前記投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方でボディBDの一部に保持されている。このボディBDは、クリーンルームの床面F上に設置されたフレームキャスタFC上に設けられた第1コラム32と、この第1コラム32の上に固定された第2コラム34とを備えている。
前記フレームキャスタFCは、床面F上に水平に置かれたベースプレートBSと、該ベースプレートBS上に固定された複数本、例えば3本(又は4本)の脚部39(但し、図1における紙面奥側の脚部は図示省略)とを備えている。
前記第1コラム32は、上記フレームキャスタFCを構成する複数本の脚部39それぞれの上端に個別に固定された複数、例えば3つ(又は4つ)の第1の防振機構56によって、ほぼ水平に支持された鏡筒定盤(メインフレーム)38を備えている。
前記鏡筒定盤38には、そのほぼ中央部に不図示の円形開口が形成され、この円形開口内に投影ユニットPUが上方から挿入され、その外周部に設けられたフランジFLGを介して保持されている。鏡筒定盤38の上面には、投影ユニットPUを取り囲む位置に、複数本、例えば3本の脚41(但し、図1における紙面奥側の脚は図示省略)の一端(下端)が固定されている。これらの脚41それぞれの他端(上端)面は、ほぼ同一の水平面上にあり、これらの脚41それぞれの上端面に前述のレチクルベース36の下面が固定されている。このようにして、複数本の脚41によってレチクルベース36が水平に支持されている。すなわち、レチクルベース36とこれを支持する3本の脚41とによって第2コラム34が構成されている。レチクルベース36には、その中央部に照明光ILの通路となる開口36aが形成されている。
前記投影ユニットPUは、円筒状でその外周部の下端部近傍にフランジFLGが設けられた鏡筒40と、該鏡筒40に保持された複数の光学素子から成る投影光学系PLとによって構成されている。
前記投影光学系PLとしては、例えばZ軸方向の共通の光軸AXを有する複数のレンズ(レンズエレメント)から成る屈折光学系が用いられている。この投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率(例えば1/4倍又は1/5倍)を有する。このため、照明系10からの照明光ILによってレチクルRの照明領域が照明されると、このレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PLを介してその照明領域内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が表面にレジスト(感光剤)が塗布されたウエハW上に形成される。ここで、ウエハWは、例えば半導体(シリコンなど)又はSOI(Silicon Insulator)などの円板状の基板であり、その上にレジストが塗布されている。
前記ウエハステージ装置12は、前記ベースプレートBS上に配置された複数(例えば3つ)の第2の防振機構(図示省略)によってほぼ水平に支持されたステージベース71、該ステージベース71の上面の上方に配置されたウエハステージWST、該ウエハステージWST等を駆動するステージ駆動部27等を備えている。
前記ベースプレートBSは、ウエハステージ装置12を斜視図にて示す図2から分かるように、そのX軸方向一側と他側の端部近傍にY軸方向を長手方向とし上方に突出した凸部BSa,BSbが一体的に形成された概略平板状の部材から成る。
前記ステージベース71は、定盤とも呼ばれる板状部材からなり、ベースプレートBSの前記凸部BSa,BSbに挟まれた領域上に配置されている。ステージベース71の上面は平坦度が非常に高く仕上げられ、ウエハステージWSTの移動の際のガイド面とされている。
前記ウエハステージWSTは、図3に示されるように、箱型のウエハステージ本体28と、該ウエハステージ本体28上にZ・チルト駆動機構81(図3では不図示、図5参照)を介して搭載されたウエハテーブルWTBとを備えている。Z・チルト駆動機構81は、実際には、ウエハステージ本体28上でウエハテーブルWTBを3点で支持する3つのアクチュエータ(例えば、ボイスコイルモータ又は電磁石)等を含んで構成され、ウエハテーブルWTBをZ軸方向、θx方向(X軸回りの回転方向)、θy方向(Y軸回りの回転方向)の3自由度方向に微小駆動する。
ウエハステージ本体28には、図3に示されるように、X軸方向に細長く伸びる矩形の開口28aが形成されている。この開口28aの内側の上下の対向面に、一対の磁極ユニット22A,22Bがそれぞれ固定されている。これらの磁極ユニット22A,22Bは、板状の磁性体部材と、該磁性体部材の下面又は上面にX軸方向に沿って所定間隔でかつ交互に配置されたN極永久磁石とS極永久磁石の複数の組から成る永久磁石群とを有している。この場合、磁極ユニット22Aと磁極ユニット22Bとでは、対向する永久磁石同士の極性が相互に逆極性とされている。従って、開口28aの内部には、X軸方向に沿って交番磁界が形成されている。
前記ウエハステージWSTは、ウエハステージ本体28が、図2及びこの図2の状態のウエハステージWSTからウエハテーブルWTBを取り外した状態のウエハステージ装置12の平面図である図4に示されるような、平面視(上方から見て)矩形枠状の形状を有する第2の移動体としてのカウンタマス30の内部に組み込まれた状態で、カウンタマス30に対してX軸方向の相対移動が可能となるように取り付けられている。これを更に詳述すると、カウンタマス30の+X側の側壁と−X側の側壁には、Y軸方向に細長いH字状の開口30aがそれぞれ形成されている(但し、図2では紙面奥側の開口は不図示)。そして、カウンタマス30の+X側の側壁と−X側の側壁との間に架設された電機子ユニット80が、カウンタマス30の中央の空間内部に配置されたウエハステージ本体28の開口28aの内部に挿入された状態となっている。ウエハステージ本体28(ウエハステージWST)は、図4からわかるように、電機子ユニット80に沿ってX軸方向に所定範囲で移動可能になっている。
前記電機子ユニット80は、カウンタマス30の+X側の側壁と−X側の側壁にそれぞれ設けられた開口30aの内部に、その長手方向の一端と他端がそれぞれ挿入された状態で、カウンタマス30に固定されている。
前記ウエハステージ本体28の下面には、複数、例えば4つの不図示の気体静圧軸受、例えばエアベアリングが設けられ、図2の状態では、複数のエアベアリングを介してウエハステージWSTが前述のガイド面の上方に所定のクリアランスを介して非接触で浮上支持されている。
本実施形態では、電機子ユニット80と一対の磁極ユニット22A,22Bとによって、ウエハステージWSTを、カウンタマス30の内部でX軸方向に駆動するムービングマグネット型のX軸リニアモータが構成されている。以下の説明では、便宜上、このX軸リニアモータを、その固定子である電機子ユニット80と同一の符号を用いてX軸リニアモータ80と記述するものとする。本実施形態では、X軸リニアモータ80によって、ウエハステージWSTをX軸方向に駆動する第1駆動装置が構成されている。
前記カウンタマス30には、図2に示されるように、Y軸方向の一側と他側に、X軸方向に伸びる磁極ユニットを有するX軸用の移動子24A、24Bが一体的に組み込まれている。X軸用の移動子24A、24Bそれぞれの内部空間には、X軸方向に沿って交番磁界がそれぞれ形成され、それぞれの内部にX軸方向に伸びる電機子ユニットから成るX軸用の固定子26A、26Bが挿入されている。これらのX軸用の固定子26A、26Bの長手方向の一端(+X側端)は、YZ面に平行な板状のスライダ44の−X側の端面にそれぞれ固定されている。また、X軸用の固定子26A、26Bの長手方向の他端(−X側端)は、YZ面に平行な板状のスライダ46の+X側の端面にそれぞれ固定されている。
前記X軸用の固定子26A、26Bには、それぞれの内部にX軸方向に沿って所定間隔で複数の電機子コイルが配置されている。X軸用の固定子26A、26Bそれぞれの上面に対向するカウンタマス30の部分には、不図示の気体静圧軸受(例えばエアベアリング)が設けられており、その気体静圧軸受によって、カウンタマス30がX軸用の固定子26A、26Bに対して非接触で支持されている。
前記スライダ44の+X側の端面及び前記スライダ46の−X側の端面には、図4に示されるように、XY面に平行な長方形板状の電機子コイルを備えたY軸用の移動子48A、48B(図2では不図示、図4参照)が固定されている。これらのY軸用の移動子48A、48Bは、図2に示されるように、+Y方向から見て略U字状でY軸方向に伸びるY軸用の固定子86、87の内部空間に挿入されている。これらのY軸用の固定子86、87は、それぞれの下面に設けられた不図示の気体静圧軸受、例えばエアベアリングによって前述の凸部BSa,BSbの上面に対して所定のクリアランスを介して浮上支持されている。但し、この場合、Y軸用の固定子86、87は、凸部BSa,BSbに設けられた不図示のストッパによってX軸方向の移動が阻止されるようになっており、Y軸方向への移動が許容されているのみである。また、図2では、図示が省略されているが、Y軸用の固定子86、87をY軸方向にそれぞれ駆動するY軸トリムモータ92A、92Bが設けられている(図5参照)。
前記スライダ44、46それぞれの底面には、不図示のエアベアリングがそれぞれ複数設けられ、図2の状態では、その複数のエアベアリングを介してスライダ44、46が、ステージベース71の上面(前述のガイド面)の上方に数μm程度のクリアランスを介して非接触で浮上支持されている。
一方のスライダ44の+X側の面には、不図示の真空予圧型の気体静圧軸受が設けられ、また、他方のスライダ46の−X側の面には、不図示の真空予圧型の気体静圧軸受が設けられている。この場合、各気体静圧軸受から噴出される加圧空気の静圧及び真空予圧力のバランス、及び両方の気体静圧軸受による、それら静圧及び真空予圧力のバランスによりスライダ44、46とY軸用の固定子86、87との間隔が常に所望の状態に維持できるようになっている。
前記Y軸用の固定子86、87のそれぞれは、XZ断面U字状(コ字状)の固定子ヨーク88A、88Bと、該固定子ヨーク88A、88Bの内側の対向面(上下面)にそれぞれY軸方向に沿って所定間隔でかつ交互に配置されたN極永久磁石とS極永久磁石の複数の組から成る永久磁石群90とを備えている。この場合、相互に対向する永久磁石同士の極性は逆極性となっている。従って、固定子ヨーク88A、88Bの内部空間には、Y軸方向に沿って交番磁界が形成されている。
本実施形態では、前述のX軸用の固定子26A、26BとX軸用の移動子24A、24Bとによってカウンタマス30をX軸方向に駆動する一対のムービングマグネット型のリニアモータから成るX軸トリムモータが構成されている。以下においては、便宜上、上記一対のX軸トリムモータのそれぞれを、X軸用の固定子26A、26Bと同一の符号を用いて、X軸トリムモータ26A、26Bと記述するものとする。
また、前述のY軸用の移動子48A、48BとY軸用の固定子86,87とによって、ウエハステージWST、カウンタマス30、X軸トリムモータ26A、26B及びスライダ44、46を含むステージユニットを、Y軸方向に駆動する一対のムービングコイル型のY軸リニアモータが構成されている。以下においては、これら一対のY軸リニアモータのそれぞれを、Y軸用の固定子86、87と同一の符号を用いて、Y軸リニアモータ86、87と記述するものとする。Y軸リニアモータ86,87が発生するY軸方向の駆動力を僅かに異ならせることにより、ウエハステージWSTをθz方向に回転させることもできる。なお、一対のY軸リニアモータは、ムービングマグネット型として構成しても良い。
本実施形態では、上述のX軸トリムモータ26A、26Bによって、カウンタマス30を、X軸方向に駆動する第2駆動装置が構成され、Y軸リニアモータ86、87によって、ウエハステージWSTをカウンタマス30とともにY軸方向に駆動する第3駆動装置が構成されている。
本実施形態では、上述した第1、第2、第3駆動装置及びZ・チルト駆動機構81の各アクチュエータを含んで、図1のステージ駆動部27が構成され、該ステージ駆動部27を構成する各モータ、各アクチュエータは、主制御装置20によって制御される(図5参照)。
なお、前述のスライダ44の+X側面及びスライダ46の−X側面に、それぞれ気体静圧軸受を設ける代わりに、Y軸リニアモータ86、87が、X軸方向の駆動力を発生する構成を採用しても良い。かかる場合には、Y軸リニアモータ86、87が常時X軸方向の力を発生することで、スライダ44、46とY軸用の固定子86、87との間隔を常に所望の状態に維持することとすれば良い。
前記ウエハテーブルWTB上に、不図示のウエハホルダを介してウエハWが真空吸着(又は静電吸着)によって固定されている。また、ウエハテーブルWTB上には、不図示の基準マーク板が、その表面がウエハWと同一高さとなる状態で固定されている。この基準マーク板の表面には、少なくとも一対のレチクルアライメント用の第1基準マークと、これらの第1基準マークに対して既知の位置関係にあるオフアクシスアライメント系のベースライン計測用の第2基準マークなどが形成されている。
前記ウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)のXY面内の位置情報は、その上部に固定された移動鏡17(図1参照)に測長ビームを照射するウエハレーザ干渉計(以下、「ウエハ干渉計」という)18によって、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出されている。このウエハ干渉計18は、鏡筒定盤38に吊り下げ状態で固定され、投影ユニットPUを構成する鏡筒40の側面に固定された固定鏡57の反射面を基準とする移動鏡17の反射面の位置情報をウエハステージWSTの位置情報として計測する。
ここで、ウエハテーブルWTB上には、実際には、図3に示されるように、走査方向であるY軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡17Yと非走査方向であるX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡17Xとが設けられ、これに対応してレーザ干渉計及び固定鏡も、X軸方向位置計測用とY軸方向位置計測用のものがそれぞれ設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡17、ウエハ干渉計18、固定鏡57として図示されている。なお、例えば、ウエハテーブルWTBの端面を鏡面加工して反射面(移動鏡17の反射面に相当)を形成しても良い。また、X軸方向位置計測用のレーザ干渉計及びY軸方向位置計測用のレーザ干渉計は、ともに測長軸を複数有する多軸干渉計であり、ウエハテーブルWTBのX、Y位置の他、回転(ヨーイング(θz方向の回転)、ピッチング(θx方向の回転)、ローリング(θy方向の回転))も計測可能となっている。従って、以下の説明ではウエハ干渉計18によって、ウエハテーブルWTBのX、Y、θz、θy、θxの5自由度方向の位置が計測されるものとする。また、多軸干渉計は45°傾いてウエハステージWSTに設置される反射面を介して、投影ユニットPUが保持される鏡筒定盤38に設けられる不図示の反射面にレーザビームを照射し、投影光学系PLの光軸AX方向(Z軸方向)に関する相対位置情報を検出するようにしても良い。
ウエハステージWSTの位置情報(又は速度情報)は、主制御装置20に送られ、主制御装置20では、ウエハステージWSTの位置情報(又は速度情報)に基づいて、ステージ駆動部27を構成するX軸リニアモータ80、Y軸リニアモータ86、87を介してウエハステージWSTのXY面内の位置を制御する。
本実施形態の露光装置100では、図1では図示が省略されているが、例えば特開平6−283403号公報及びこれに対応する米国特許第5,448,332号等に開示されるものと同様の照射系42aと受光系42b(図5参照)とから成る斜入射方式の多点焦点位置検出系が設けられている。本国際出願で指定した指定国(又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及びこれに対応する上記米国特許における開示を援用して本願明細書の記載の一部とする。
本実施形態の露光装置100では、同様に図1では図示が省略されているが、投影ユニットPUの近傍に、オフアクシスアライメント系ALGが設けられている(図5参照)。このオフアクシスアライメント系ALGとしては、例えば、ウエハ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子(CCD)等を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系のアライメントセンサが用いられている。このオフアクシスアライメント系ALGは、指標中心を基準とするマークの位置情報を主制御装置20に供給する。主制御装置20は、この供給された情報と、ウエハ干渉計18の計測値とに基づいて、検出対象のマーク、具体的には基準マーク板上の第2基準マーク又はウエハ上のアライメントマークのウエハ干渉計18の測長軸で規定されるステージ座標系上における位置情報を計測するようになっている。
図5には、本実施形態の露光装置100のステージ制御に関連する制御系が一部省略してブロック図にて示されている。この図5の制御系は、CPU(中央演算処理装置)、ROM(リード・オンリ・メモリ)、RAM(ランダム・アクセス・メモリ)等から成るいわゆるマイクロコンピュータ(又はワークステーション)を含んで構成され、装置全体を統括して制御する制御装置としての主制御装置20を中心として構成されている。
次に、本実施形態の露光装置で行われる1ロット(1ロットは、例えば25枚又は50枚)のウエハに対する一連の露光工程の処理動作について、主制御装置20内のCPUの処理アルゴリズムを示す図6のフローチャートに沿って、かつ適宜他の図面を参照しつつ説明する。
なお、以下では、図7に示されるような、ウエハW上のI行J列(I,Jはともに奇数とする)に、レチクルRのパターンを転写する場合について説明する。なお、図7に示される実線の軌跡は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作中の前述の照明領域に共役なウエハ上の照明光の照射領域の中心の軌跡を示す。なお、実際には、ウエハ上の照明光の照射領域が固定で、ウエハW(ウエハステージWST)が、実線の軌跡とは反対向きに移動するのであるが、図7では、露光順序など説明をわかり易くするために、ウエハ上の照明光の照射領域が移動するかのような表現を採用している。
まず、図6のステップ102において、露光対象ロット内のウエハ番号を示すカウンタのカウント値nを「1」に初期化する(n←1)。
次のステップ104では、不図示のレチクルローダを用いて、レチクルステージRST上に載置されている使用済みのレチクルを、次の露光に使用されるレチクルRに交換する。
次のステップ106では、通常のスキャニング・ステッパと同様に、レチクルアライメント及びアライメント系ALGのベースライン計測を実行する。
次のステップ108では、不図示のウエハローダを用いて、ウエハステージWST上に載置されている露光済みのウエハを、次に露光が行われる未露光のウエハWに交換する。
次のステップ110では、ウエハステージWST上にロードされているウエハWに対し、アライメント系ALGを用いたウエハアライメント、例えば特開昭61−44429号公報及びこれに対応する米国特許第4,780,617号などに開示されるEGA(エンハンスト・グローバル・アライメント)を実行し、ウエハW上の各ショット領域の配列座標、すなわちウエハステージ座標系上における各ショット領域の中心の位置座標を算出し、不図示のRAMなどのメモリに記憶する。本国際出願で指定した指定国(又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及びこれに対応する上記米国特許における開示を援用して本願明細書の記載の一部とする。
次のステップ112では、ウエハW上のショット領域の行番号を示すカウンタのカウント値i及び列番号を示すカウンタのカウント値jを、それぞれ1に初期化する(i←1、j←1)とともに、X軸トリムモータ26A、26Bを介してカウンタマス30に力積Ft1を与える。
ここで、ウエハステージWSTの質量をm、カウンタマス30の質量をM、ステッピング方向(X軸方向)に関する隣接するショット領域の中心同士の間隔(すなわち、後述するステップ移動動作時のステップ距離)をSD(図7参照)、あるショットの露光のためのウエハステージWSTの走査終了時点からX軸方向に隣接する次のショット領域の露光のためのウエハステージWSTの走査終了時点までの時間をTとして、Ft1=(M+m)・SD/Tとして定められている。
この力積Ft1の作用により、カウンタマス30には、初速v0=(M+m)・SD/T/Mが付与される。本実施形態の場合、ウエハステージWSTとカウンタマス30とを含む系の運動量はほぼ保存されると考えて差し支えないので、これ以後、カウンタマス30は、外力の作用に起因する運動量に比べて、v0・M=Ft1だけ大きな運動量を持つことになる。なお、初速の向きは、ウエハW(ウエハステージWST)のステッピング方向(図7のショット領域S1,1の露光開始直前の場合は+X方向)である。
次のステップ114では、上記ステップ110におけるウエハアライメントの結果及び前述のベースラインの計測結果に基づいて、ウエハ干渉計18の計測値をモニタしつつ、ウエハW上のショット領域Si,j(この場合ショット領域S1,1)の露光のための加速開始位置にウエハステージWST(ウエハW)を移動させる。
上記の加速開始位置へのウエハステージWST(ウエハW)の移動が終了すると、ステップ116において、以下のa.〜d.の流れで、ショット領域Si,j(この場合ショット領域S1,1)に対する走査露光を行う。
a. レチクルステージRSTとウエハステージWSTとのY軸方向の相対走査のための加速を開始する。ここで、本実施形態では、ウエハステージWSTの走査方向は、図7からもわかるように、奇数行目の奇数列のショット領域及び偶数行目の偶数列のショット領域の露光の際には−Y方向に、奇数行目の偶数列のショット領域及び偶数行目の奇数列のショット領域の露光の際には+Y方向にそれぞれ設定されている。レチクルステージRSTの走査方向は、常にウエハステージWSTと反対向きになり、ショット領域毎に+Y方向と−Y方向とが交互に走査方向として設定される。
b. そして、上記の加速開始から所定の加速時間(T1とする)が経過すると、両ステージRST、WSTがそれぞれの目標走査速度にほぼ達し、さらに整定時間(T2とする)が経過すると、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとが等速同期状態に達し、照明光ILによってレチクルRのパターン領域が照明され始め、走査露光が開始される。
c. そして、レチクルRのパターン領域の異なる領域が照明光ILで逐次照明され、上記の露光開始から所定の露光時間(T3とする)が経過すると、パターン領域全面に対する照明が完了し、これにより、ウエハW上のショット領域Si,j(この場合ショット領域S1,1)に対する走査露光が終了し、レチクルRのパターンが投影光学系PLを介してウエハW上のショット領域Si,j(この場合ショット領域S1,1)に縮小転写される。
d. 上記のショット領域Si,jの走査露光が終了した時点から所定の等速オーバースキャン時間(T4=T2とする)の間、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとは、走査露光時と同一の速度を維持したままオーバースキャンを行った後、減速を開始し、その減速開始から減速時間(T5=T1とする)が経過した時点で両ステージRST、WSTは停止する。これにより、ウエハW上のショット領域Si,j(この場合ショット領域S1,1)の露光のための両ステージRST、WSTの相対走査が終了する。
すなわち、本実施形態では、走査時間Tscan=2×T1+2×T2+T3の間、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとはY軸方向に関して相互に逆向きに相対走査される。
なお、上記の走査露光中には、ウエハW上の照明領域が投影光学系PLの結像面に極力一致した状態で露光が行われる必要があるため、前述した多点焦点位置検出系(42a,42b)の出力に基づくオートフォーカス、オートレベリングが、主制御装置20によって実行される。
上述のようにして、ステップ116におけるウエハW上のショット領域Si,jに対する走査露光が終了すると、ステップ118に進んでカウント値j=Jであるか否かを判断する。この場合、j=1であるからここでの判断は否定され、ステップ120に移行する。
ステップ120では、カウント値iが偶数であるか否かを判断する。ここでは、i=1であり、奇数であるから、ここでの判断は否定され、ステップ122に移行して、カウント値jを1インクリメントする(j←j+1)。その後、ステップ114に戻る。
このステップ114では、前述したようにして、ウエハW上のショット領域Si,j(この場合ショット領域S1,2)の露光のための加速開始位置にウエハステージWST(ウエハW)を移動させる。すなわち、ここでは、前ショット領域の露光の際の走査終了位置からウエハステージWSTを予め定められたステッピング方向にステッピング距離SDだけ移動する。本実施形態では、図7からもわかるように、偶数行のショット領域間では、ステッピング方向は+X方向に設定され、奇数行のショット領域間ではステッピング方向は−X方向に設定されている。
上記の加速開始位置へのウエハステージWST(ウエハW)の移動、すなわちステッピングが終了すると、ステップ116において、ショット領域Si,j(この場合ショット領域S1,2)に対する走査露光を行う。本実施形態の場合、いわゆる交互スキャン方式が採用されているため、このときのレチクルステージRSTとウエハステージWSTの移動方向は前ショット領域の露光時とは逆向きになる。
以後、ステップ118における判断が肯定されるまで、ステップ118→120→122→114→116のループの処理が繰り返され、ウエハステージWSTのステッピング動作と、ウエハ上のショット領域に対する走査露光動作とが、交互に繰り返し行われる。
これにより、ウエハW上のショット領域S1,3、S1,4、…S1,Jに対する走査露光が行われる。
図8には、図7のショット領域S1,2の露光のための両ステージRST、WSTの走査終了時点から、ショット領域S1,5の露光のための両ステージRST、WSTの走査開始時点までの、ウエハステージ本体28(ウエハステージWST)及びカウンタマス30の状態遷移の様子が、点線矢印に沿って模式的に示されている。
図9(A)には、図8に対応する、ウエハステージWST及びカウンタマス30のX軸方向に関する速度の時間変化曲線が示され、図9(B)には、図9(A)に対応するウエハステージWST及びカウンタマス30のX軸方向に関する位置の時間変化曲線が示されている。
図9(A)において、符号VxmはウエハステージWSTのX軸方向に関する速度の時間変化曲線を示し、符号VxMはカウンタマス30のX軸方向に関する速度の時間変化曲線を示し、符号VxGは、ウエハステージWST及びカウンタマス30を含む系の重心の速度の時間変化曲線を示す。この図9(A)には、ウエハステージWSTのX軸方向に関する駆動力の反力のみが作用した場合のカウンタマス30のX軸方向に関する速度の時間変化曲線VxRも併せて示されている。
図9(B)において、符号PxmはウエハステージWSTのX軸方向に関する位置の時間変化曲線を示し、符号PxMはカウンタマス30のX軸方向に関する位置の時間変化曲線を示し、符号PxGは、ウエハステージWST及びカウンタマス30を含む系の重心の位置の時間変化曲線を示す。なお、図9(B)は、図8中の右端に示されるウエハステージ本体28の位置(ウエハステージWSTの位置)を0としている。
これら図8、図9(A)及び図9(B)を総合するとわかるように、ウエハステージ本体28(及びウエハステージWST)が、ステッピング動作(ステップ移動動作)と前記走査動作とから成る繰り返し運動の1回分の運動を行う間(時間Tstep+Tscan)、例えば図9(B)の時点t0〜時点t2の間、あるいは時点t1〜時点t3の間などに、カウンタマス30は、ウエハステージWSTに対してX軸方向に所定ストローク2Δxで相対的に一往復している。
また、図9(A)の曲線VxMと曲線VxRとを比較するとわかるように、カウンタマス30のX軸方向(+X方向)の速度(vxMとする)は、初速v0分だけ、時間変化曲線VxRに対応する速度vxR(ウエハステージWSTのX軸方向に関する駆動力の反力のみが作用した場合のカウンタマス30のX軸方向に関する速度)より常に大きくなっている。これにより、時間変化曲線VxG(直線VxG)で示されるように、ウエハステージWST及びカウンタマス30を含む系の重心が一定速度で等速運動をする。すなわち、本実施形態では、初速v0は、前記系の重心を等速運動させるような初速であり、ウエハステージWSTの質量mとカウンタマス30の質量Mとに基づいて、前述の値に定められており、この初速v0をカウンタマス30に与えるべく、前述の力積Ft1が設定されている。
なお、時刻t0において、ウエハステージWSTは0点にあり、このときカウンタマス30は、Δxの点にある。両者の差Δxは、時間t0に先立ってカウンタマス30に初速v0が与えられたことに起因していることは明らかであろう。従って、時間t0(又はウエハステージWSTのX軸方向に関するステッピング開始時点)に、カウンタマス30をウエハステージWSTに対してX軸方向(この場合+X方向)にΔxだけオフセットして位置決めしておく場合には、時間t0(又はウエハステージWSTのX軸方向に関するステッピング開始時点)で、初速v0をカウンタマス30に与えるようにしても、図9(A)、図9(B)で示されるような、ウエハステージWST及びカウンタマス30、並びにこれらを含む系の重心の状態遷移を行わせることができる。換言すれば、図9(A)及び図9(B)中の各時間変化曲線は、ウエハステージWSTのX軸方向に関するステッピング開始時点で、カウンタマス30をウエハステージWSTに対してX軸方向にΔxだけオフセットして位置決めすると同時に、カウンタマス30に初速v0を与えた場合に得られるものであるとも言える。
図6のフローチャートの説明に戻り、上述のようにして、ウエハW上のショット領域S1,Jに対する走査露光が終了すると、ステップ118における判断が肯定され、ステップ124に移行して、カウント値iが奇数であるか否かを判断する。ここでは、カウント値i=1であるから、このステップ124における判断は肯定され、ステップ130に移行する。
ステップ130では、カウント値iがIであるか否かを判断する。ここでは、カウント値i=1であるから、この判断は否定され、ステップ132に移行して、カウント値iを1インクリメントする(i←i+1)とともに、X軸トリムモータ26A、26Bを介してカウンタマス30に力積Ft(i)を与える。
ここで、この力積Ft(i)は、カウンタマス30にそれまでの速度と逆向き(この場合(i=2の場合)は−X方向)の初速v0を与えるための力積であり、Ft(i)=(−1)i-1・2・Ft1=(−1)i-1・2・(M+m)・SD/Tである。このとき、i=2であるから、カウンタマス30には、
Ft1+Ft(i)=Ft1+Ft(2)
=(M+m)・SD/T−2・(M+m)・SD/T
=−(M+m)・SD/T
の力積が付与され、これにより、カウンタマス30には、−(M+m)・SD/T/M=−v0が、初速として与えられる。これ以後、カウンタマス30は、外力の作用に起因する運動量に比べて、−v0・M=Ft1+Ft(2)だけ大きな運動量を持つことになる。
次にステップ114においてウエハW上のショット領域Si,j(この場合ショット領域S2,J)の露光のための加速開始位置にウエハステージWST(ウエハW)を移動させる。ここでは、前ショット領域の露光の際の走査終了位置からウエハステージWSTを所定距離(ショット領域の走査方向長さにほぼ一致)だけ+Y方向に移動させる。
上記の加速開始位置へのウエハステージWST(ウエハW)の移動、すなわちステッピングが終了すると、ステップ116において、ショット領域Si,j(この場合ショット領域S2,J)に対する走査露光を行う。
次いで、ステップ118では、カウント値jがJであるか否かを判断するが、j=Jであるから、ここでの判断は肯定され、ステップ124に進んでカウント値iは奇数であるか否かを判断する。この場合、i=2であるから、ここでの判断は否定され、ステップ126に移行して、カウント値jが1であるか否かを判断する。この場合j=Jであるから、ここでの判断は否定され、ステップ128に移行する。
ステップ128では、カウント値jを1デクリメントし(j←j−1)、ステップ114に戻る。ステップ114では、ウエハW上のショット領域Si,j(この場合ショット領域S2,J-1)の露光のための加速開始位置にウエハステージWST(ウエハW)を移動させる。ここでは、前ショット領域の露光の際の走査終了位置からウエハステージWSTを距離SDだけ−X方向に移動させる。
上記の加速開始位置へのウエハステージWST(ウエハW)の移動、すなわちステッピングが終了すると、ステップ116において、ショット領域Si,j(この場合ショット領域S2,J-1)に対する走査露光を行う。
次いで、ステップ118では、カウント値jがJであるか否かを判断するが、j=J−1であるから、ここでの判断は否定され、ステップ120に進んでカウント値iは偶数であるか否かを判断する。この場合、i=2であるから、ここでの判断は肯定され、ステップ126に移行して、カウント値jが1であるか否かを判断する。この場合j=J−1であるから、ここでの判断は否定され、ステップ128に移行する。以後、ステップ126における判断が肯定されるまで、ステップ114→116→118→120→126→128のループの処理を繰り返し、ウエハステージWSTのステッピング動作と、ウエハ上のショット領域に対する走査露光動作とを、交互に繰り返し行う。
これにより、ウエハW上のショット領域S2,J-2、S2,J-3、……S2,1に対する走査露光が行われる。このウエハW上の第2行目のショット領域に対する走査露光を行う際にも、ウエハステージWST及びカウンタマス30、並びにこれらを含む系の重心は、X軸方向に関して、向きは反対ではあるが、図9(A)及び図9(B)と同様の速度の時間変化、位置の時間変化曲線にそれぞれ従って運動する。
上述のようにして、ウエハW上のショット領域S2,1に対する走査露光が終了すると、ステップ126における判断が肯定され、ステップ132に移行して、カウント値iを1インクリメントする(i←i+1)とともに、X軸トリムモータ26A、26Bを介してカウンタマス30に力積Ft(i)を与える。
このとき、i=3であるから、カウンタマス30には、
Ft1+Ft(2)+Ft(3)=−(M+m)・SD/T+2・(M+m)・SD/T
=(M+m)・SD/T
の力積が付与され、これにより、カウンタマス30には、(M+m)・SD/T/M=v0が、初速として与えられる。これ以後、カウンタマス30は、外力の作用に起因する運動量に比べて、v0・M=Ft1+Ft(2)+Ft(3)だけ大きな運動量を持つことになる。
なお、ステップ132における力積Ft(i)の付与の結果、カウンタマス30には、次式で表される力積FTが付与される。
Figure 2005098911
以後、ステップ114以下の処理が、ステップ130における判断が肯定されるまで、繰り返し行われ、これにより、ウエハW上の第3行目のショット領域S3,1、S3,2、…、S3,J、第4行目のショット領域S4,J、S4,J-1、…、S4,1、第5行目のショット領域S5,1、S5,2、…、S5,J、……、第I行のショット領域SI,1、SI,2、…、SI,Jに対するステップ・アンド・スキャン方式の露光が順次行われる。
このようにして、ウエハW上の最後のショット領域SI,Jに対する走査露光が終了し、ウエハW上のI×J個のショット領域のそれぞれにレチクルRのパターンが転写されると、ステップ130における判断が肯定され、ステップ134に移行する。
ステップ134では、前述したカウンタのカウント値nが、N(Nは、1ロットのウエハの総枚数)であるか否かを判断することで、ロット内の全てのウエハの露光が終了したか否かを判断する。そして、この判断が否定された場合には、ステップ136に進んで、カウント値nを1インクリメント(n←n+1)した後、ステップ108に戻る。
以後、ステップ134における判断が肯定されるまで、ステップ108以下の処理を繰り返し行う。これにより、ロット内の第2枚目以降のウエハに対する一連の露光処理が、順次行われる。
そして、ロット内の最終のウエハに対する一連の露光処理が終了すると、ステップ134における判断が肯定され、本ルーチンの一連の処理を終了する。
これまでの説明から明らかなように、本実施形態では、前述のウエハステージ装置12を構成する各部とステージ制御装置として機能する主制御装置20とを含んでステージ装置が構成されている。
以上詳細に説明したように、本実施形態に係るステージ装置によると、主制御装置20(制御装置)は、ウエハステージWSTが第1方向(例えば、+X方向)に移動する際に、カウンタマス30に第1方向(例えば、+X方向)の初速v0を与えることから、X軸リニアモータ80により駆動されてウエハステージWSTが第1方向に移動するとき、その駆動力の反力を受けてカウンタマス30が運動量保存の法則に従い第1方向と反対方向に移動するが、そのとき前記初速に起因する第1方向への移動も同時に行われているので、結果的に、ウエハステージWSTの第1方向への駆動力の反力の作用による運動量保存の法則に従った自由運動の際のカウンタマス30の移動距離から前記初速に起因する第1方向への移動距離分を差し引いた距離だけ、第1方向と反対方向にカウンタマス30が移動し、その移動距離が短くなる。
また、本実施形態では、ウエハステージWSTが加減速を伴って第1方向(例えば+X方向)に移動するので、ウエハステージWSTの減速時間中は、カウンタマス30は第1方向に加速され(図9(A)参照)、これによりウエハステージWSTの第1方向への駆動力の反力を受けたカウンタマス30の第1方向と反対方向への移動距離をさらに短くすることができる。
従って、本実施形態に係るステージ装置によると、カウンタマス30(第2の移動体)を必ずしも大型化することなく、カウンタマス30の移動に必要なストロークを短くすることができる。特に、ウエハステージWST(第1の移動体)が第1方向へステップ移動を含む動作を行う、すなわち、ウエハステージWSTが、第1方向(例えば+X方向)に関する加速と減速とを交互に繰り返すので、カウンタマス30の移動に必要なX軸方向(第1軸方向)に関するストロークを最も短くすることができる。
さらに、本実施形態に係るステージ装置では、主制御装置20(制御装置)は、ウエハステージWSTとカウンタマス30とを含む系の重心がX軸方向に関する等速移動を行うように、カウンタマス30に前記初速を与える。この結果、ウエハW上の同一行の複数のショット領域に対する露光動作が行われる間、カウンタマス30は、図8、図9(A)及び図9(B)からもわかるように、ステッピング、停止、を交互に繰り返しながら+X方向(又は−X方向)に徐々に移動するウエハステージWSTに対して、該ウエハステージWSTの位置を基準として±Δxの範囲内で往復運動をする。従って、カウンタマス30のストロークとして、2Δxに幾分のマージンを加えた距離を用意しておけば足りる。
また、前述のごとく、本実施形態に係るステージ装置では、図9(B)からもわかるように、ステージが第1方向に移動する際、例えばウエハステージWSTのステッピングの開始時点で、主制御装置20は、カウンタマス30を第1方向(例えば+X方向)に沿ってΔxだけオフセットして位置決めし、初速v0をカウンタマス30に与えることによっても、初速v0を予めカウンタマス30に与えた場合と、同様の作用、効果を得ることができる。
さらに、本実施形態の露光装置100によると、カウンタマス30を必ずしも大型化することなく、カウンタマス30の移動に必要なストロークを短くすることができるステージ装置が、ウエハステージ装置12(ウエハWの駆動装置)として用いられるので、そのウエハステージ装置12の小型化による装置全体の小型化が可能である。また、本実施形態の露光装置100によると、ウエハステージWSTの駆動時の反力がカウンタマス30の運動量保存の法則に従った移動により吸収されるので、ウエハステージWSTの駆動に起因する振動の影響を殆ど解消して、ウエハステージひいてはウエハの位置制御性の向上によるパターンの転写精度(露光精度)の向上が可能となる。
なお、上記実施形態では、例えばウエハステージWSTのステッピング開始時にカウンタマス30をオフセットして位置決めするとともに、初速を与える場合について説明したが、これに限らず、主制御装置20は、初速を与えることなく、カウンタマス30を第1方向(例えば+X方向)に沿ってΔxだけオフセットして位置決めするのみであっても良い。かかる場合であっても、ウエハステージWSTが第1方向(例えば+X方向)に移動するとき、その駆動力の反力を受けてカウンタマス30が第1方向と反対方向に移動するが、その移動距離が前記オフセット量分だけ相殺され、オフセット量分だけカウンタマスの第1方向と反対方向への移動距離が短くなり、カウンタマスのストロークを短く設定することができる。
なお、上記実施形態では、説明の簡略化のため、ウエハ上にマトリクス状に配置された複数(I×J個)のショット領域Si,j(図7参照)に対する露光を行う場合について説明したが、本発明がこれに限定されないことは勿論である。通常、ウエハ上にはマトリクスの一部が欠けたような配置でショット領域が形成され、ある行の最終ショット領域の露光終了後、次の行の最初のショット領域の露光開始前のショット領域間におけるウエハステージの移動動作の際に、X軸方向への2列分の折り返し移動とY軸方への移動とを伴うショット間移動動作(以下、「改行時2列飛び移動動作」と呼ぶ)を行う必要がある場合がある。このような場合には、ある行の最終ショット領域の露光中からXトリムモータによりカウンタマス30にX軸方向への2列分の折り返し移動のための推力の付与を開始し、露光終了後直ちにウエハステージWSTのX軸方向への移動を開始するようにすることが望ましい。また、EGAにおけるサンプルショット領域のマーク検出のためのサンプルショット領域間の移動も、上記の改行時2列飛び移動動作と同様のカウンタマス30等の制御を行うこととしても良い。
図10には、図2のウエハステージ装置12の第1の変形例に係るステージ装置12’が斜視図にて示されている。このステージ装置12’は、前述のウエハステージ装置12からカウンタマス30及び該カウンタマスに設けられたX軸用の移動子24A,24B、並びに該移動子24A,24Bに対応するX軸用の固定子26A,26Bなどを取り去り、Y軸用の固定子86,87にカウンタマスの機能を持たせたものである。この場合、前述の電機子ユニット80に代えて、前述のX軸用の固定子26A,26Bと同様に長手方向の一端と他端にスライダ44、46が固定された電機子ユニット80’(X軸用の固定子)が設けられ、この電機子ユニット80’と前述の一対の磁極ユニット22A,22Bとによって、ウエハステージWSTをX軸方向に駆動するX軸リニアモータが構成されている。また、この変形例に係るステージ装置12’では、前述の凸部BSa,BSbにはY軸用の固定子86,87のX軸方向の移動を阻止する前述のストッパは設けられていない。
図11(A)には、ウエハステージWST及びY軸用の固定子86,87のX軸方向に関する速度の時間変化曲線が示されている。この図11(A)中のウエハステージWSTの速度の時間変化曲線は、図9(A)のものと同様の時間変化曲線であり、Y軸用の固定子86,87の速度の時間変化曲線は、図9(A)のカウンタマス30のX軸方向に関する速度の時間変化曲線と同様になっている。
図11(B)には、図11(A)に対応するウエハステージWST及びY軸用の固定子86,87のX軸方向に関する位置の時間曲線を示されている。これら図11(A)、図11(B)から、ウエハステージWSTがステッピング動作と走査動作を行なう間に、Y軸用の固定子86,87がX軸方向に所定のストローク2ΔXで一往復した後、X軸方向の位置が元に戻っていることがわかる。
図12、図13(A)及び図13(B)には、図2のウエハステージ装置12の第2の変形例に係るステージ装置12”が示されている。このステージ装置12”は、図10に示されている第1の変形例に係るステージ装置12’と同様に、図2のウエハステージ装置12に設けられていたカウンタマス30が設けられていない。以下、このステージ装置12”について説明するが、図2のウエハステージ装置12の構成と同一若しくは同等の構成部分には同一の符号(若しくは同一符号に「’」を付したもの)を付してその説明を省略するものとする。なお、図12、図13(A)及び図13(B)のステージ装置12”には、図2のウエハステージ装置12では図示を省略したウエハホルダ25が図示されている。
ステージ装置12”では、主として、ウエハステージWSTを駆動する駆動構造、スライダ46,44を駆動する駆動構造、並びにスライダ46,44をカウンタマスとしてX軸方向の反力を処理する反力処理機構、及びウエハステージWSTに圧縮空気や真空などの用力を供給するためのチューブキャリア構造が図2のウエハステージ装置12と異なっている(追加されている)。
ウエハステージ本体28には、図13(A)に示されるように、X軸方向に貫通する3つの開口28a,28b,28cが形成されている。
開口28aにはY軸用の移動子として一対の永久磁石222A,222Bが設けられており、開口28b,28cにはX軸用の移動子として前述の移動子24A,24Bと同様の構成の各一対の磁極ユニット23A、23B及び23C、23Dがそれぞれ設けられている。
一方、図13(B)及び図12を総合すると分かるように、スライダ46とスライダ44の間には、一対の永久磁石222A,222Bと協働してウエハステージWSTをY軸方向に微小駆動するY軸用固定子187と、一対の磁極ユニット23A,23B及び23C,23Dとそれぞれ協働してウエハステージWSTをX軸方向に長ストロークで駆動するX軸用固定子61A,61Bが設けられている。
また、一対の磁極ユニット23A,23BとX軸用固定子61Aとにより発生するローレンツ力と、一対の磁極ユニット23C,23DとX軸用固定子61Bとにより発生するローレンツ力とを異ならせることにより、ウエハステージWSTをθz方向に回転することができる。
更に、ウエハステージ本体28の下方には、図13(A)に示されるように、Z軸用の移動子として4つの永久磁石29A,29B,29C,29D(但し、図13(A)における紙面奥側に位置する永久磁石29Dは不図示)が設けられている。一方、図13(B)及び図12を総合すると分かるように、スライダ46とスライダ44との間には、永久磁石29A,29Bとそれぞれ協働してZ軸方向への駆動力を発生するZ軸固定子(コイル)89Bと、永久磁石29C,29Dとそれぞれ協働してZ軸方向への駆動力を発生するZ軸固定子(コイル)89Aとが設けられている。すなわち、Z軸固定子89A,89Bを構成するコイルに与える電流を制御することにより、ウエハステージWSTをZ軸方向、θx、θy方向に駆動することができる。
図12に戻り、本第2の変形例に係るY軸リニアモータ86’,87’は、電機子コイルを備えた移動子48A’,48B’と、磁極ユニットから成る固定子とからそれぞれ構成されている。Y軸リニアモータ86’の固定子は、固定子ヨーク88Aと、該固定子ヨークの内側の上下の対向面にそれぞれ設けられたX軸方向に細長い複数の永久磁石90及びY軸方向に伸びる複数、例えば2つの永久磁石95とを有している。Y軸リニアモータ87’の固定子は、固定子ヨーク88B、永久磁石90及び永久磁石95と含んで、Y軸リニアモータ86’と同様に構成されている。
移動子48B’(又は移動子48A’)は、不図示ではあるが、X軸方向に伸びる第1コイルと、Y軸方向に伸びる第2コイルとを有している。前記第1コイルに電流が供給されると、永久磁石90との電磁相互作用によりスライダ46(又はスライダ44)をY軸方向に沿って駆動するローレンツ力が発生する。また、前記第2コイルに電流が供給されると、永久磁石95との電磁相互作用によりスライダ46(又はスライダ44)をX軸方向に沿って駆動するローレンツ力が発生する。
本第2の変形例では、スライダ46,44(及び各固定子(187,61A,61B,89A,89B))が不図示のエアベアリングによりステージベース71上をX軸方向に移動可能に支持されており、Xカウンタマスとして機能している。すなわち、スライダ46、44等はウエハステージWSTのX軸方向の移動時の反力によりウエハステージWSTとは逆方向に移動する。
更に、本第2の変形例では、スライダ46,44等のX軸方向の移動ストロークを小さくするために、ウエハステージWSTのX軸方向の移動時に前述の第2コイルと永久磁石95とによりスライダ46をウエハステージWSTと同じ方向に移動するような初速を与えている。
なお、必要に応じて、第2コイルと永久磁石95とを用いて、スライダ46、44のX軸方向の位置を調整することもできる。
また、スライダ46、44の重量制限のため、スライダ46、44ではウエハステージWSTのX軸方向の反力を全て相殺できない場合には、ウエハステージWSTの反力によりY軸リニアモータ86’、87’の少なくとも一方の固定子をX軸方向に移動させて反力を相殺しても良い。
本第2の変形例では、図12及び図13(B)に示されるように、ウエハステージWSTの近傍には、チューブキャリアTCが設けられている。チューブキャリアTCは、圧縮空気や真空などの用力をウエハステージWSTに供給するものであり、給気管203と排気管204とが接続されている。
また、チューブキャリアTCは、ウエハステージWSTに外乱を与えることを避けるため、チューブキャリアTC内部に設けられた永久磁石とスライダ46,44に支持された固定子161(コイル)とによりX軸方向に駆動することができる。なお、チューブキャリアTCのX軸方向への駆動は、ウエハステージWSTのX軸方向の駆動に厳密に追従する必要はなく、ある許容範囲内で追従していれば良い。
このため、本第2の変形例においては、主制御装置20は、チューブキャリアTCの駆動により発生する反力がウエハステージWSTに及ぼす影響を少なくするため、チューブキャリアTCを等速移動させるように制御している。
また、主制御装置20は、チューブキャリアTCが+X方向の端や−X方向の端にいる際に、ウエハステージWSTの移動方向と同じ方向に沿ってチューブキャリアTCに初速を与えても良い。
なお、上記実施形態や変形例で示したウエハステージWST及びその駆動装置の概念を適宜改良してレチクルステージRSTに適用しても良い。
なお、上記実施形態では、本発明が、スキャニング・ステッパに適用された場合について例示したが、本発明の適用範囲がこれに限定されるものではなく、本発明は、マスクと基板とを静止した状態で露光を行うステッパ等の静止型の露光装置にも好適に適用できるものである。ステッパの場合、ステップ・アンド・リピート方式で露光が行われるので、例えばX軸方向に注目した場合、図9(A)、図9(B)と、同様の各時間変化曲線を、上記実施形態と同様にして得ることができるので、本発明を好適に適用できる。また、同様の趣旨からステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも本発明は好適に適用できる。
また、露光装置の露光対象である物体は、上記の実施形態のように半導体製造用のウエハに限定されることなく、例えば、液晶表示素子、プラズマディスプレイや有機ELなどのディスプレイ装置の製造用の角型のガラスプレートや、薄膜磁気へッド、撮像素子(CCDなど)、マスク又はレチクルなどを製造するための基板であっても良い。
また、上記実施形態の露光装置における投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。
また、照明光ILは、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)や、F2レーザ光(波長157nm)などであっても良い。投影光学系としては、KrFエキシマレーザ光、ArFエキシマレーザ光などの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英やホタル石などの遠紫外線を透過する材料を用い、F2レーザ光などを用いる場合はホタル石その他のフッ化物結晶を用いる必要がある。
また、例えば真空紫外光としては、ArFエキシマレーザ光やF2レーザ光などが用いられるが、これに限らず、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近年、70nm以下のパターンを露光するために、SORやプラズマレーザを光源として、軟X線領域(例えば5〜15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を発生させるとともに、その露光波長(例えば13.5nm)の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたEUV露光装置の開発が行われている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられるので、かかる装置も本発明の転写特性計測方法により、パターンの転写特性を計測することができる。さらに、例えば国際公開WO99/49504号パンプレットなどに開示される、投影光学系PLとウエハとの間に液体(例えば純水など)が満たされる液浸型露光装置などにも本発明を適用することができる。
また、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置も、本発明は適用できる。なお、電子線露光装置は、ペンシルビーム方式、可変成形ビーム方式、セルプロジェクション方式、ブランキング・アパーチャ・アレイ方式、及びマスク投影方式のいずれであっても良い。
なお、本発明に係るステージ装置は、露光装置に限らず、その他の基板の処理装置(例えば、レーザリペア装置、基板検査装置その他)、あるいはその他の精密機械における試料の位置決め装置、ワイヤーボンディング装置等にも広く適用できる。
なお、複数のレンズ等から構成される照明ユニット、投影光学系などを露光装置本体に組み込み、光学調整をする。そして、上記のX軸固定子、X軸可動子、Y軸固定子、ウエハステージ、レチクルステージ、並びにその他の様々な部品を機械的及び電気的に組み合わせて調整し、更に総合調整(電気調整、動作確認等)をすることにより、上記実施形態の露光装置100等の本発明に係る露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
なお、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した調整方法によりパターンの転写特性が調整される上記実施形態の露光装置で、マスクに形成されたパターンを感光物体上に転写するリソグラフィステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置が用いられるので、高集積度のデバイスを歩留り良く製造することができる。
本発明の移動体の駆動方法は、第1の移動体と、該第1の移動体の駆動力の反力を受けて第1の移動体と反対方向に移動する第2の移動体とを駆動するのに適している。本発明のステージ装置は、露光装置その他の基板の処理装置、あるいはその他の精密機械における試料(又は基板)の駆動装置に適している。また、本発明の露光装置は、マイクロデバイスの製造に適している。

Claims (21)

  1. 少なくとも第1軸方向に移動する第1の移動体と、該第1の移動体の前記第1軸方向の駆動力の反力を受けて前記第1の移動体と反対方向に移動する第2の移動体とを駆動する移動体の駆動方法において、
    前記第1の移動体が前記第1軸方向の2方向のうちの第1方向に移動する際に、前記第2の移動体に前記第1方向の初速を与えることを特徴とする移動体の駆動方法。
  2. 請求項1に記載の移動体の駆動方法において、
    前記第1の移動体の移動開始よりも前のタイミングで、前記第2の移動体に前記初速を与えることを特徴とする移動体の駆動方法。
  3. 請求項1に記載の移動体の駆動方法において、
    前記第1の移動体の移動開始とほぼ同じタイミングで、前記第2の移動体に前記初速を与えることを特徴とする移動体の駆動方法。
  4. 請求項1に記載の移動体の駆動方法において、
    前記第2の移動体に与える初速は、前記第1の移動体の質量と前記第2の移動体の質量とに基づいて決定されることを特徴とする移動体の駆動方法。
  5. 請求項1に記載の移動体の駆動方法において、
    前記第1の移動体と前記第2の移動体とを含む系の重心が前記第1軸方向に関する等速移動を行うように、前記第2の移動体に与える初速を設定することを特徴とする移動体の駆動方法。
  6. 請求項1に記載の移動体の駆動方法において、
    前記第1の移動体は前記第1軸方向に直交する第2軸方向にも移動可能であり、
    前記第1の移動体が前記第1方向と前記第2軸方向の2方向のうちの一方の第2方向とに移動している間に、前記第2の移動体が前記第1軸方向に沿って往復移動することを特徴とする移動体の駆動方法。
  7. 少なくとも第1軸方向に移動する第1の移動体と、該第1の移動体の前記第1軸方向の駆動力の反力を受けて前記第1の移動体と反対方向に移動する第2の移動体とを駆動する移動体の駆動方法において、
    前記第1の移動体が前記第1軸方向の2方向のうちの第1方向に移動する際に、前記第2の移動体を前記第1方向に沿ってオフセットして位置決めしておくことを特徴とする移動体の駆動方法。
  8. 請求項7に記載の移動体の駆動方法において、
    前記オフセットの量は、前記第1の移動体の質量と前記第2の移動体の質量とに基づいて決定されることを特徴とする移動体の駆動方法。
  9. 請求項7に記載の移動体の駆動方法において、
    前記第1の移動体が前記第1方向に移動する際に、前記第2の移動体に前記第1方向の初速を与えることを特徴とする移動体の駆動方法。
  10. 少なくとも第1軸方向に移動するステージと;
    前記ステージを駆動する第1駆動装置と;
    前記第1駆動装置による前記第1軸方向に関する前記ステージの駆動力の反力の作用により前記ステージと反対方向に移動するカウンタマスと;
    前記カウンタマスを前記第1軸方向に駆動する第2駆動装置と;
    前記第1駆動装置を介して前記ステージを前記第1軸方向の2方向のうちの第1方向に移動する際に、前記第2駆動装置を制御して、前記カウンタマスに前記第1方向の初速を与える制御装置と;を備えることを特徴とするステージ装置。
  11. 請求項10に記載のステージ装置において、
    前記制御装置は、前記ステージの移動開始よりも前に前記カウンタマスに前記初速を与えることを特徴とするステージ装置。
  12. 請求項10に記載のステージ装置において、
    前記制御装置は、前記ステージの移動開始とほぼ同時に前記カウンタマスに前記初速を与えることを特徴とするステージ装置。
  13. 請求項10に記載のステージ装置において、
    前記制御装置は、前記ステージの質量と前記カウンタマスの質量とに基づいて、前記カウンタマスに前記初速を与えることを特徴とするステージ装置。
  14. 請求項10に記載のステージ装置において、
    前記制御装置は、前記ステージと前記カウンタマスとを含む系の重心が前記第1軸方向に関する等速移動を行うように、前記カウンタマスに前記初速を与えることを特徴とするステージ装置。
  15. 請求項10に記載のステージ装置において、
    前記ステージは前記第1軸方向に直交する第2軸方向にも駆動可能であり、
    前記制御装置は、前記ステージが前記第1方向と前記第2軸方向の2方向のうちの一方の第2方向とに移動している間に、前記カウンタマスを前記第1軸方向に沿って往復移動させることを特徴とするステージ装置。
  16. 少なくとも第1軸方向に移動するステージと;
    前記ステージを駆動する第1駆動装置と;
    前記第1駆動装置による前記第1軸方向に関する前記ステージの駆動力の反力の作用により前記ステージと反対方向に移動するカウンタマスと;
    前記カウンタマスを前記第1軸方向に駆動する第2駆動装置と;
    前記第1駆動装置を介して前記ステージを前記第1軸方向の2方向のうちの第1方向に移動する際に、前記第2駆動装置を制御して、前記カウンタマスを前記第1方向に沿ってオフセットして位置決めする制御装置と;を備えることを特徴とするステージ装置。
  17. 請求項16に記載のステージ装置において、
    前記制御装置は、前記オフセットの量を前記ステージの質量と前記カウンタマスの質量とに基づいて決定することを特徴とするステージ装置。
  18. 請求項16に記載のステージ装置において、
    前記制御装置は、前記ステージが前記第1方向に移動する際に、前記カウンタマスに前記第1方向の初速を与えることを特徴とするステージ装置。
  19. パターンを物体に転写する露光装置であって、
    前記物体が前記ステージに保持される請求項10〜18のいずれか一項に記載のステージ装置を、前記物体の駆動装置として具備することを特徴とする露光装置。
  20. 少なくとも第1軸方向に移動する第1の移動体と、該第1の移動体に用力を供給するとともに、前記第1の移動体と同じ方向に移動する第2移動体とを駆動する駆動方法において、
    前記第1の移動体が前記第1軸方向の第1方向に移動する際に、前記第2の移動体に前記第1方向の初速を与えることを特徴とする駆動方法。
  21. 前記第2の移動体に初速を与えた後に前記第2の移動体を等速移動させることを特徴とする請求項20に記載の駆動方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012094557A (ja) * 2010-10-22 2012-05-17 Topcon Corp 載置ステージ

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101119814B1 (ko) 2004-06-07 2012-03-06 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치 및 노광 방법
US7442476B2 (en) * 2004-12-27 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Method and system for 3D alignment in wafer scale integration
US8325325B2 (en) * 2008-09-22 2012-12-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8994923B2 (en) * 2008-09-22 2015-03-31 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8120304B2 (en) * 2008-12-12 2012-02-21 Formfactor, Inc. Method for improving motion times of a stage
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8446569B2 (en) 2009-06-19 2013-05-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US20110008734A1 (en) 2009-06-19 2011-01-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8355114B2 (en) 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8355116B2 (en) * 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8294878B2 (en) 2009-06-19 2012-10-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8472008B2 (en) * 2009-06-19 2013-06-25 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US20110075120A1 (en) 2009-09-30 2011-03-31 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110086315A1 (en) 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110085150A1 (en) 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110102762A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8598538B2 (en) * 2010-09-07 2013-12-03 Nikon Corporation Movable body apparatus, object processing device, exposure apparatus, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method
CN106933051B (zh) * 2015-12-31 2019-04-12 上海微电子装备(集团)股份有限公司 运动台装置、曝光装置及光刻机
US10192773B2 (en) * 2016-06-20 2019-01-29 Nexperia B.V. Semiconductor device positioning system and method for semiconductor device positioning
NL2019331A (en) * 2016-08-04 2018-02-09 Asml Netherlands Bv Positioning system, control system, method to position, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP7433181B2 (ja) 2020-09-23 2024-02-19 株式会社Screenホールディングス 描画装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000206279A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Canon Inc 位置決め装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2002208562A (ja) * 2000-12-20 2002-07-26 Nikon Corp 露光装置及び露光方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
US6989647B1 (en) 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
GB2290568B (en) 1994-06-25 1997-09-03 Phi Design Ltd A ventilated tile
US6246204B1 (en) 1994-06-27 2001-06-12 Nikon Corporation Electromagnetic alignment and scanning apparatus
JP3800616B2 (ja) 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
AU1554901A (en) 1999-12-16 2001-06-25 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US6885430B2 (en) 2000-11-16 2005-04-26 Nikon Corporation System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly
US6958808B2 (en) 2000-11-16 2005-10-25 Nikon Corporation System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP2003243279A (ja) * 2002-02-13 2003-08-29 Nikon Corp 駆動装置、ステージ装置、露光方法、及び露光装置
JP2004140145A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置
US20040119436A1 (en) 2002-12-23 2004-06-24 Michael Binnard Method and apparatus for reducing countermass stroke with initial velocity
US6963821B2 (en) 2003-02-11 2005-11-08 Nikon Corporation Stage counter mass system
KR101119814B1 (ko) * 2004-06-07 2012-03-06 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치 및 노광 방법
US8994923B2 (en) * 2008-09-22 2015-03-31 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000206279A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Canon Inc 位置決め装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2002208562A (ja) * 2000-12-20 2002-07-26 Nikon Corp 露光装置及び露光方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012094557A (ja) * 2010-10-22 2012-05-17 Topcon Corp 載置ステージ

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