JPWO2005070994A1 - 有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子及びチアゾール化合物 - Google Patents
有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子及びチアゾール化合物 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2005070994A1 JPWO2005070994A1 JP2005517227A JP2005517227A JPWO2005070994A1 JP WO2005070994 A1 JPWO2005070994 A1 JP WO2005070994A1 JP 2005517227 A JP2005517227 A JP 2005517227A JP 2005517227 A JP2005517227 A JP 2005517227A JP WO2005070994 A1 JPWO2005070994 A1 JP WO2005070994A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integer
- substituent
- group
- formula
- hydrogen atom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 title 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 101
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 43
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 41
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims abstract description 35
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 47
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 25
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 20
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 20
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 claims description 12
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- -1 polythiophene Chemical class 0.000 description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 description 41
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 30
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 5
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 5
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N Carbon disulfide Chemical compound S=C=S QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 2
- PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N N-bromosuccinimide Chemical compound BrN1C(=O)CCC1=O PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- CBHOOMGKXCMKIR-UHFFFAOYSA-N azane;methanol Chemical compound N.OC CBHOOMGKXCMKIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- FUKUFMFMCZIRNT-UHFFFAOYSA-N hydron;methanol;chloride Chemical compound Cl.OC FUKUFMFMCZIRNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005412 pyrazyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005495 pyridazyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-2-yl-5-[5-[5-(5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC(=CC=2)C=2SC=CC=2)=C1 KUJYDIFFRDAYDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000944 Soxhlet extraction Methods 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005115 alkyl carbamoyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N allene Chemical group C=C=C IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQHJESKHUUVSIC-UHFFFAOYSA-N antimony lead Chemical compound [Sb].[Pb] QQHJESKHUUVSIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005872 benzooxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006309 butyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004744 butyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 125000006297 carbonyl amino group Chemical group [H]N([*:2])C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005366 cycloalkylthio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006639 cyclohexyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000006312 cyclopentyl amino group Chemical group [H]N(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 125000006263 dimethyl aminosulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])N(C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000000031 ethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N([H])[*] 0.000 description 1
- 125000004672 ethylcarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000006125 ethylsulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000005567 fluorenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001502 gel electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- COQAIRYMVBNUKQ-UHFFFAOYSA-J magnesium;barium(2+);tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Mg+2].[Ba+2] COQAIRYMVBNUKQ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000006261 methyl amino sulfonyl group Chemical group [H]N(C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 125000004458 methylaminocarbonyl group Chemical group [H]N(C(*)=O)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 125000006216 methylsulfinyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)=O 0.000 description 1
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000005185 naphthylcarbonyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C(=O)* 0.000 description 1
- 125000005186 naphthyloxy group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)O* 0.000 description 1
- 125000005146 naphthylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)S(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 125000005029 naphthylthio group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)S* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000004675 pentylcarbonyl group Chemical group C(CCCC)C(=O)* 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005560 phenanthrenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003170 phenylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC=C1)S(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 125000005542 phthalazyl group Chemical group 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000004673 propylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 125000005400 pyridylcarbonyl group Chemical group N1=C(C=CC=C1)C(=O)* 0.000 description 1
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000000025 triisopropylsilyl group Chemical group C(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)* 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
- C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
下記一般式で表される部分構造を持つ化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料、それを用いた有機トランジスタ及び電界効果トランジスタ、及び該有機トランジスタまたは該電界効果トランジスタを用いるスイッチング素子。（式中、Ｂはチアゾール環をもつユニットを表し、Ａ１，Ａ２はそれぞれ独立にアルキルを置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎｂは１〜２０の整数を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表す。）
Description
本発明は有機半導体材料、それを用いた有機トランジスタ及び電界効果トランジスタ、及び該有機トランジスタまたは該電界効果トランジスタを用いるスイッチング素子に関する。
情報端末の普及に伴い、コンピュータ用のディスプレイとしてフラットパネルディスプレイに対するニーズが高まっている。また、更に情報化の進展に伴い、従来紙媒体で提供されていた情報が電子化されて提供される機会が増え、薄くて軽い、手軽に持ち運びが可能なモバイル用表示媒体として、電子ペーパーあるいはデジタルペーパーへのニーズも高まりつつある。
一般に平板型のディスプレイ装置においては液晶、有機ＥＬ、電気泳動などを利用した素子を用いて表示媒体を形成している。またこうした表示媒体では画面輝度の均一性や画面書き換え速度などを確保するために、画像駆動素子としてアクティブ駆動素子（ＴＦＴ素子）を用いる技術が主流になっている。例えば、通常のコンピュータディスプレイではガラス基板上にこれらＴＦＴ素子を形成し、液晶、有機ＥＬ素子等が封止されている。
ここでＴＦＴ素子には主にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）などの半導体を用いることができ、これらのＳｉ半導体（必要に応じて金属膜も）を多層化し、ソース、ドレイン、ゲート電極を基板上に順次形成していくことでＴＦＴ素子が製造される。こうしたＴＦＴ素子の製造には通常、スパッタリング、その他の真空系の製造プロセスが必要とされる。
しかしながら、このようなＴＦＴ素子の製造では真空チャンバーを含む真空系の製造プロセスを何度も繰り返して各層を形成せざるを得ず、装置コスト、ランニングコストが非常に膨大なものとなっていた。例えば、ＴＦＴ素子では通常、それぞれの層の形成のために、スパッタ、ＣＶＤ、フォトリソグラフ、エッチング、洗浄等の工程を何度も繰り返す必要があり、何十もの工程を経て素子を基板上に形成している。こうした従来のＳｉ半導体による製造方法ではディスプレイ画面の大型化のニーズに対し、真空チャンバー等の製造装置の大幅な設計変更が必要とされるなど、設備の変更が容易ではない。
また、このような従来からのＳｉ材料を用いたＴＦＴ素子の形成には高い温度の工程が含まれるため、基板材料には工程温度に耐える材料であるという制限が加わることになる。このため実際上はガラスを用いざるをえず、先に述べた電子ペーパーあるいはデジタルペーパーといった薄型ディスプレイを、こうした従来知られたＴＦＴ素子を利用して構成した場合、そのディスプレイは重く、柔軟性に欠け、落下の衝撃で割れる可能性のある製品となってしまう。ガラス基板上にＴＦＴ素子を形成することに起因するこれらの特徴は、情報化の進展に伴う手軽な携行用薄型ディスプレイへのニーズを満たすにあたり望ましくないものである。
一方、近年において高い電荷輸送性を有する有機化合物として、有機半導体材料の研究が精力的に進められている。これらの化合物は有機ＥＬ素子用の電荷輸送性材料のほか、例えば、非特許文献１等において論じられているような有機レーザー発振素子や、例えば非特許文献２等、多数の論文にて報告されている有機薄膜トランジスタへの応用が期待されている。これら有機半導体デバイスを実現できれば、比較的低い温度での真空ないし低圧蒸着による製造プロセスの簡易化や、更にはその分子構造を適切に改良することによって、溶液化できる半導体を得る可能性があると考えられ、有機半導体溶液をインク化することによりインクジェット方式を含む印刷法による製造も考えられる。これらの低温プロセスによる製造は、従来のＳｉ系半導体材料については不可能と考えられてきたが、有機半導体を用いたデバイスにはその可能性があり、従って前述の基板耐熱性に関する制限が緩和され、透明樹脂基板上にも、例えば、ＴＦＴ素子を形成できる可能性がある。透明樹脂基板上にＴＦＴ素子を形成し、そのＴＦＴ素子により表示材料を駆動させることができれば、ディスプレイを従来のものよりも軽く、柔軟性に富み、落としても割れない（もしくは非常に割れにくい）ディスプレイとすることができるであろう。
しかしながら、こうしたＴＦＴ素子を実現するための有機半導体としてこれまでに検討されてきたのは、ペンタセンやテトラセンといったアセン類（例えば、特許文献１参照。）、鉛フタロシアニンを含むフタロシアニン類、ペリレンやそのテトラカルボン酸誘導体といった低分子化合物（例えば、特許文献２参照。）や、α−チエニールもしくはセクシチオフェンと呼ばれるチオフェン６量体を代表例とする芳香族オリゴマー（例えば、特許文献３参照。）、更にはポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリ−ｐ−フェニレンビニレンといった共役高分子など限られた種類の化合物（例えば、非特許文献１〜３参照。）でしかなく、高いキャリア移動度を示す新規な電荷輸送性材料を用いた半導体性組成物の開発が待望されていた。
また、特開２００３−２９２５８８号公報、米国特許出願公開第２００３／１３６９５８号明細書、同２００３／１６０２３０号明細書、同２００３／１６４４９５号明細書では「マイクロエレクトロニクス用の集積回路論理素子にポリマーＴＦＴを用いると、その機械的耐久性が大きく向上し、その使用可能寿命が長くなる。しかし半導体ポリチオフェン類の多くは、周囲の酸素によって酸化的にドープされ、導電率が増大してしまうため空気に触れると安定ではないと考えられる。この結果、これらの材料から製造したデバイスのオフ電流は大きくなり、そのため電流オン／オフ比は小さくなる。従ってこれらの材料の多くは、材料加工とデバイス製造の間に環境酸素を排除して酸化的ドーピングを起こさない、あるいは最小とするよう厳重に注意しなければならない。この予防措置は製造コストを押し上げるため、特に大面積デバイスのための、シリコンＴＦＴ技術に代わる経済的な技術としてのある種のポリマーＴＦＴの魅力が削がれてしまう。これら及びその他の欠点は、本発明の実施の形態において回避され、あるいは最小となる。従って、酸素に対して強い対抗性を有し、比較的高い電流オン／オフ比を示すエレクトロニックデバイスが望まれている」との記載があり、その解決手段が提案されているが、改善のレベルは満足できるものではなく、更なる改良が望まれている。
更に、硫黄とともに５員環を完成する構造の繰り返し単位を有する導電性有機化合物が上記目的に対して適用可能なことが記載されている（例えば、特許文献４参照。）が、硫黄とともに５員環を完成するものの具体例としては、チオフェン環以外に記載されておらず、その他の構造を示唆するような記載はない。従って、本発明のチアゾール骨格を有する化合物を上記目的のために利用した場合の特性の予測は全く困難であった。
特許文献５に、チアゾール環を有する化合物を含有する有機半導体材料が開示されているが、部分的に連続したチアゾール構造を有する化合物についての記載はなされておらず、また分子量についての記載も曖昧であり、有機半導体材料としての特性を向上させる為には、本発明で示すようなチアゾール環を含有した特定構造が必要であることを示唆する記載はない。
特開平５−５５５６８号公報
特開平５−１９０８７７号公報
特開平８−２６４８０５号公報
特開２００３−１１９２５５号公報
特開２００４−２８２０３９号公報
『サイエンス』（Ｓｃｉｅｎｃｅ）誌２８９巻、５９９ページ（２０００）
『ネイチャー』（Ｎａｔｕｒｅ）誌４０３巻、５２１ページ（２０００）
『アドバンスド・マテリアル』（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ）誌、２００２年、第２号、９９ページ
本発明の目的は、キャリア移動度が高く、保存性の優れた有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供することである。
上記目的を達成するための、本発明の一つの態様は、下記一般式で表される部分構造を持つ化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料にある。
（式中、Ｂはチアゾール環をもつユニットを表し、Ａ１，Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎｂは１〜２０の整数を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表す。）
本発明の上記目的は、以下の構成によって達成される。
（１） 下記一般式（１０）で表される部分構造を持つ化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
（１） 下記一般式（１０）で表される部分構造を持つ化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
一般式（１０）
（式中、Ｂはチアゾール環をもつユニットを表し、Ａ１，Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎｂは１〜２０の整数を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表す。）
（２） 一般式（１０）に於いて、Ｂが一般式（１１）で表されることを特徴とする前記（１）に記載の有機半導体材料。
（２） 一般式（１０）に於いて、Ｂが一般式（１１）で表されることを特徴とする前記（１）に記載の有機半導体材料。
一般式（１１）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。）
（３） 一般式（１０）に於いて、Ｂが一般式（１２）で表されることを特徴とする前記（１）に記載の有機半導体材料。
（３） 一般式（１０）に於いて、Ｂが一般式（１２）で表されることを特徴とする前記（１）に記載の有機半導体材料。
一般式（１２）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。）
（４） 一般式（１０）に於いて、Ｂが一般式（１３）で表されることを特徴とする前記（１）に記載の有機半導体材料。
（４） 一般式（１０）に於いて、Ｂが一般式（１３）で表されることを特徴とする前記（１）に記載の有機半導体材料。
一般式（１３）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。）
（５） 一般式（１０）に於いて、Ｂが連続するチアゾール環を持つユニットであり、ｎ１またはｎ２またはｎ３の少なくとも一つが１以上の整数であることを特徴とする前記（１）に記載の有機半導体材料。
（６） 前記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の有機半導体を活性層に用いることを特徴とする有機トランジスタ。
（７） 有機電荷輸送性材料と該有機電荷輸送性材料に直接または関接に接するゲート電極から構成され、該ゲート電極及び該有機電荷輸送性材料間に電圧を印加することで、該有機電荷輸送性材料中の電流を制御する電界効果トランジスタに於て、該有機電荷輸送性材料が前記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の有機半導体材料であることを特徴とする電解効果トランジスタ。
（８） 前記（７）に記載の電界効果トランジスタを用いることを特徴とするスイッチング素子。
（９） 下記一般式（１）、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（２）、（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）、（３）、（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）、（４）、（４−１）、（４−２）、（４−３）、または、（４−４）で表されるチアゾール骨格を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
（５） 一般式（１０）に於いて、Ｂが連続するチアゾール環を持つユニットであり、ｎ１またはｎ２またはｎ３の少なくとも一つが１以上の整数であることを特徴とする前記（１）に記載の有機半導体材料。
（６） 前記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の有機半導体を活性層に用いることを特徴とする有機トランジスタ。
（７） 有機電荷輸送性材料と該有機電荷輸送性材料に直接または関接に接するゲート電極から構成され、該ゲート電極及び該有機電荷輸送性材料間に電圧を印加することで、該有機電荷輸送性材料中の電流を制御する電界効果トランジスタに於て、該有機電荷輸送性材料が前記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の有機半導体材料であることを特徴とする電解効果トランジスタ。
（８） 前記（７）に記載の電界効果トランジスタを用いることを特徴とするスイッチング素子。
（９） 下記一般式（１）、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（２）、（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）、（３）、（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）、（４）、（４−１）、（４−２）、（４−３）、または、（４−４）で表されるチアゾール骨格を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１、Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ３は１〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ２はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ２は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ１は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１、Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ３は１〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ２はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ２は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１、Ａ３はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ１は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１、Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ３は１〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ２はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ２は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ１は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１、Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ３は１〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ２はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ２は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ１は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（１０） 前記チアゾール骨格を有する化合物がポリマーであることを特徴とする前記（９）に記載の有機半導体材料。
（１１） 前記チアゾール骨格を有する化合物がアルキル基またはアルコキシ基を置換基として持つことを特徴とする前記（９）に記載の有機半導体材料。
（１２） 前記アルキル基が炭素原子数２〜２０の直鎖アルキル基であることを特徴とする前記（１１）に記載の有機半導体材料。
（１３）
前記チアゾール骨格を有する化合物の平均分子量が１０００〜２０万であることを特徴とする前記（９）〜（１２）のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
（１０） 前記チアゾール骨格を有する化合物がポリマーであることを特徴とする前記（９）に記載の有機半導体材料。
（１１） 前記チアゾール骨格を有する化合物がアルキル基またはアルコキシ基を置換基として持つことを特徴とする前記（９）に記載の有機半導体材料。
（１２） 前記アルキル基が炭素原子数２〜２０の直鎖アルキル基であることを特徴とする前記（１１）に記載の有機半導体材料。
（１３）
前記チアゾール骨格を有する化合物の平均分子量が１０００〜２０万であることを特徴とする前記（９）〜（１２）のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
以下、本発明を更に詳しく説明する。
前記一般式（１）、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（２）、（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）、（３）、（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）、（４）、（４−１）、（４−２）、（４−３）、（４−４）、（１０）、（１１）、（１２）、（１３）において、Ｒは水素原子または置換基を表す。
好ましい置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、ヘテロアリール基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キナゾリル基、フタラジル基等）、ヘテロ環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）等が挙げられ、これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていても、複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
好ましい置換基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシアルキル基、アルキル基で置換されたアミノ基、アルキルカルバモイル基、アルコキシカルボニル基が挙げられ、特に好ましくは炭素数５以上、２０以下のアルキル基、もしくは同じ範囲の原子数を有する直鎖状アルコキシ基であり、更に好ましくは炭素数５以上、１０以下の直鎖アルキル基である。
前記一般式（１）、（１−３）、（１−４）、（２）、（２−３）、（２−４）、（３）、（３−３）、（３−４）、（４）、（４−３）、（４−４）、（１０）におけるＡ1、Ａ2はそれぞれ独立にアルキル基が置換したユニットを表し、このユニットには、更に上記Ｒが置換していてもよい。Ａ3は二価の連結基を表し、好ましくは、例えば、アルキレン（メチレン、エチレン、ジアルキルメチレン、プロピレン、等）、アリーレン（フェニレン、ビフェニレン、フェナントレニレン、ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニレン、オリゴアリーレン、等）、ジオキシアルキレン、ジオキシアリーレン、オリゴエチレンオキシド等を好ましい例として挙げることができる。
前記一般式（１）、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（２）、（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）におけるＡ4、Ａ5としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、ヘテロアリール基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キナゾリル基、フタラジル基等）が挙げられ、アリール基、ヘテロアリール基は、更に上記Ｒが置換していてもよい。
以下に、前記一般式（１）、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（２）、（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）、（３）、（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）、（４）、（４−１）、（４−２）、（４−３）、（４−４）、（１０）の具体的化合物例を示すが、本発明における化合物がこれらに限定されるものではない。また、本発明のポリマーについては、その平均分子量をＭとして構造式に併記した。平均分子量の測定にはゲル泳動クロマトグラフィーを用い、ポリスチレンを基準に用いた。
以下、具体的化合物例のいくつかについて合成例を示すが、他も同様に合成することができる。
合成例１（化合物（７）の合成）
（７）ｂの合成
２００ｍｌ、３つ口フラスコにマグネシウム０．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加え系内を窒素置換した。更にテトラヒドロフラン４０ｍｌを添加し、撹拌下、（７）ａ（ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３７，１０，１９９６，１６１７−１６２０記載化合物）４．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌをゆっくり滴下した。得られた混合物を室温で２時間撹拌し、次に３０分間還流した。その後反応液を−７０℃以下まで冷却し、トリメチルボロン酸エステル２．１ｇ（２０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液をゆっくり滴下し、滴下終了後同温度で２時間、室温で１時間撹拌した後、濃塩酸５．０ｍｌを加え３０分間撹拌した。撹拌終了後、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。残留物をヘキサン５０ｍｌで分散洗浄し、送風乾燥し、白色結晶３．０ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ及びｍａｓｓスペクトルで目的物と矛盾しないことを確認した。
２００ｍｌ、３つ口フラスコにマグネシウム０．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加え系内を窒素置換した。更にテトラヒドロフラン４０ｍｌを添加し、撹拌下、（７）ａ（ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３７，１０，１９９６，１６１７−１６２０記載化合物）４．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌをゆっくり滴下した。得られた混合物を室温で２時間撹拌し、次に３０分間還流した。その後反応液を−７０℃以下まで冷却し、トリメチルボロン酸エステル２．１ｇ（２０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液をゆっくり滴下し、滴下終了後同温度で２時間、室温で１時間撹拌した後、濃塩酸５．０ｍｌを加え３０分間撹拌した。撹拌終了後、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。残留物をヘキサン５０ｍｌで分散洗浄し、送風乾燥し、白色結晶３．０ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ及びｍａｓｓスペクトルで目的物と矛盾しないことを確認した。
（７）の合成
１００ｍｌ、３つ口フラスコにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ及び（７）ｂ、３．０ｇ（７．９ｍｍｏｌ）を加え系内を窒素置換した。更にテトラヒドロフラン３０ｍｌを添加し、撹拌下、（７）ｃ（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，１１，５，２００１，１３５７−１３６３記載化合物）１．１ｇ（３．３ｍｍｏｌ）ｇのテトラヒドロフラン溶液１０ｍｌ及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液１０ｍｌを添加し１０時間加熱還流した。反応終了後、室温にてケイソウ土ろ過を行い、ろ液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、黄色結晶２．２ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ及びｍａｓｓスペクトルで目的物と矛盾しないことを確認した。
１００ｍｌ、３つ口フラスコにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ及び（７）ｂ、３．０ｇ（７．９ｍｍｏｌ）を加え系内を窒素置換した。更にテトラヒドロフラン３０ｍｌを添加し、撹拌下、（７）ｃ（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，１１，５，２００１，１３５７−１３６３記載化合物）１．１ｇ（３．３ｍｍｏｌ）ｇのテトラヒドロフラン溶液１０ｍｌ及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液１０ｍｌを添加し１０時間加熱還流した。反応終了後、室温にてケイソウ土ろ過を行い、ろ液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、黄色結晶２．２ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ及びｍａｓｓスペクトルで目的物と矛盾しないことを確認した。
合成例２（化合物（２３）の合成）
（２３）ｂの合成
２００ｍｌ、３つ口フラスコに（２３）ａ（Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ．，２７，１９４４，６２４参照）３．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）及びクロロホルム５０ｍｌを添加し、反応系を５℃以下まで冷却し、臭素３．２ｇ（２０ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。滴下終了後、室温で１時間撹拌した後、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、黄色固体４．０ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ及びｍａｓｓスペクトルで目的物と矛盾しないことを確認した。
２００ｍｌ、３つ口フラスコに（２３）ａ（Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ．，２７，１９４４，６２４参照）３．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）及びクロロホルム５０ｍｌを添加し、反応系を５℃以下まで冷却し、臭素３．２ｇ（２０ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。滴下終了後、室温で１時間撹拌した後、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、黄色固体４．０ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ及びｍａｓｓスペクトルで目的物と矛盾しないことを確認した。
（２３）の合成
窒素雰囲気下、Ｒｉｅｋｅ Ｚｉｎｃ（アルドリッチ社製、５ｇ／１００ｍｌ）のテトラヒドロフラン溶液１１．６ｍｌ（８．８ｍｍｏｌ）に、撹拌下に（２３）ｂ、４．０ｇ（８．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを滴下し、室温で１時間撹拌した。次に塩化１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタンニッケル（II）０．０５ｇ（０．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン懸濁液３０ｍｌをゆっくりと添加し、反応混合物を６０℃で３時間過熱後、２ｍｏｌ／Ｌの塩酸−メタノール溶液中に注いだ。沈殿物をろ過し、加温したテトラヒドロフランに再溶解し、２ｍｏｌ／Ｌのアンモニア−メタノール溶液に注ぎ再沈殿させた。この操作を２回繰り返し、真空中、室温で一晩乾燥した。得られた沈殿物のＧＰＣ測定による分子量は４２０００であり、スペクトル特性、目的物の構造と矛盾しなかった。
窒素雰囲気下、Ｒｉｅｋｅ Ｚｉｎｃ（アルドリッチ社製、５ｇ／１００ｍｌ）のテトラヒドロフラン溶液１１．６ｍｌ（８．８ｍｍｏｌ）に、撹拌下に（２３）ｂ、４．０ｇ（８．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを滴下し、室温で１時間撹拌した。次に塩化１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタンニッケル（II）０．０５ｇ（０．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン懸濁液３０ｍｌをゆっくりと添加し、反応混合物を６０℃で３時間過熱後、２ｍｏｌ／Ｌの塩酸−メタノール溶液中に注いだ。沈殿物をろ過し、加温したテトラヒドロフランに再溶解し、２ｍｏｌ／Ｌのアンモニア−メタノール溶液に注ぎ再沈殿させた。この操作を２回繰り返し、真空中、室温で一晩乾燥した。得られた沈殿物のＧＰＣ測定による分子量は４２０００であり、スペクトル特性、目的物の構造と矛盾しなかった。
合成例３（化合物（２４）の合成）
（２４）の合成
窒素雰囲気下、Ｒｉｅｋｅ Ｚｉｎｃ（アルドリッチ社製、５ｇ／１００ｍｌ）のテトラヒドロフラン溶液１４ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）を加え、撹拌下に（２４）ａ（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ １，１９８１，２３３５−２３３９参照）３．３ｇ（１０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを滴下し、室温で１時間撹拌した。次に塩化１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタンニッケル（II）０．０５ｇ（０．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン懸濁液３０ｍｌをゆっくりと添加し、反応混合物を６０℃で３時間過熱後、２ｍｏｌ／Ｌの塩酸−メタノール溶液中に注いだ。沈殿物をろ過し、加温したテトラヒドロフランに再溶解し、２ｍｏｌ／Ｌのアンモニア−メタノール溶液に注ぎ再沈殿させた。この操作を２回繰り返し、真空中、室温で一晩乾燥した。得られた沈殿物のＧＰＣ測定による分子量は８００００であり、スペクトル特性は目的物の構造と矛盾しなかった。
窒素雰囲気下、Ｒｉｅｋｅ Ｚｉｎｃ（アルドリッチ社製、５ｇ／１００ｍｌ）のテトラヒドロフラン溶液１４ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）を加え、撹拌下に（２４）ａ（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ １，１９８１，２３３５−２３３９参照）３．３ｇ（１０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを滴下し、室温で１時間撹拌した。次に塩化１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタンニッケル（II）０．０５ｇ（０．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン懸濁液３０ｍｌをゆっくりと添加し、反応混合物を６０℃で３時間過熱後、２ｍｏｌ／Ｌの塩酸−メタノール溶液中に注いだ。沈殿物をろ過し、加温したテトラヒドロフランに再溶解し、２ｍｏｌ／Ｌのアンモニア−メタノール溶液に注ぎ再沈殿させた。この操作を２回繰り返し、真空中、室温で一晩乾燥した。得られた沈殿物のＧＰＣ測定による分子量は８００００であり、スペクトル特性は目的物の構造と矛盾しなかった。
合成例４（化合物（４０）の合成）
（４０）ｃの合成
２００ｍｌ、３つ口フラスコにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．５ｇ及び（４０）ａ（Ｍａｇｎ．Ｒｅｓｏｎ．Ｃｈｅｍ．，３９，２，２００１，５７−６７記載化合物）５．３ｇ（２２ｍｍｏｌ）を加え、系内を窒素置換した。更にテトラヒドロフラン５０ｍｌを添加し、撹拌下、（４０）ｂ（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，１１，５，２００１，１３５７−１３６３記載化合物）３．３ｇ（１０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを添加し１０時間加熱還流した。反応終了後、室温にてケイソウ土ろ過を行い、ろ液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、黄色結晶４．３ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ及びｍａｓｓスペクトルで目的物と矛盾しないことを確認した。
２００ｍｌ、３つ口フラスコにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．５ｇ及び（４０）ａ（Ｍａｇｎ．Ｒｅｓｏｎ．Ｃｈｅｍ．，３９，２，２００１，５７−６７記載化合物）５．３ｇ（２２ｍｍｏｌ）を加え、系内を窒素置換した。更にテトラヒドロフラン５０ｍｌを添加し、撹拌下、（４０）ｂ（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，１１，５，２００１，１３５７−１３６３記載化合物）３．３ｇ（１０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液２０ｍｌを添加し１０時間加熱還流した。反応終了後、室温にてケイソウ土ろ過を行い、ろ液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、黄色結晶４．３ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ及びｍａｓｓスペクトルで目的物と矛盾しないことを確認した。
（４０）ｄの合成
２００ｍｌ、３つ口フラスコに（４０）ｃ、４．３ｇ（７．７ｍｍｏｌ）及びクロロホルム５０ｍｌを添加し、反応系を５℃以下まで冷却し、Ｎ−ブロモスクシンイミド３．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加した。添加終了後、室温で１時間撹拌し、続いて飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、黄色固体４．５ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ及びｍａｓｓスペクトルで目的物と矛盾しないことを確認した。
２００ｍｌ、３つ口フラスコに（４０）ｃ、４．３ｇ（７．７ｍｍｏｌ）及びクロロホルム５０ｍｌを添加し、反応系を５℃以下まで冷却し、Ｎ−ブロモスクシンイミド３．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加した。添加終了後、室温で１時間撹拌し、続いて飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、黄色固体４．５ｇを得た。１Ｈ−ＮＭＲ及びｍａｓｓスペクトルで目的物と矛盾しないことを確認した。
（４０）の合成
（４０）ｄ、４．５ｇ（６．３ｍｍｏｌ）及び（４０）ｅ、２．１ｇ（６．３ｍｍｏｌ）をトルエン（５０ｍｌ）に溶解し、窒素下においてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．１４ｇ）、Ａｌｉｑａｒｔ３３６（アルドリッチ）２．０ｇのトルエン溶液２０ｍｌ、及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）を加えた。この混合液を激しく撹拌し、４８時間過熱還流した。粘稠な反応液をメタノール（５００ｍｌ）に注ぎ沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、トルエンを用いたソックスレー抽出で精製し、メタノールから再沈殿させ、真空オーブンにて６０℃で一晩乾燥させた。得られた沈殿物のＧＰＣ測定による分子量は７８０００であり、スペクトル特性は目的物の構造と矛盾しなかった。
（４０）ｄ、４．５ｇ（６．３ｍｍｏｌ）及び（４０）ｅ、２．１ｇ（６．３ｍｍｏｌ）をトルエン（５０ｍｌ）に溶解し、窒素下においてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．１４ｇ）、Ａｌｉｑａｒｔ３３６（アルドリッチ）２．０ｇのトルエン溶液２０ｍｌ、及び２ｍｏｌ／Ｌの炭酸ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）を加えた。この混合液を激しく撹拌し、４８時間過熱還流した。粘稠な反応液をメタノール（５００ｍｌ）に注ぎ沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、トルエンを用いたソックスレー抽出で精製し、メタノールから再沈殿させ、真空オーブンにて６０℃で一晩乾燥させた。得られた沈殿物のＧＰＣ測定による分子量は７８０００であり、スペクトル特性は目的物の構造と矛盾しなかった。
その他の化合物も同様な方法あるいは公知の方法によって製造することが可能である。
本発明の有機半導体は有機薄膜トランジスタ素子の活性層に設置することにより、良好に駆動するトランジスタ装置を提供することができる。
有機薄膜トランジスタは、支持体上に有機半導体チャネル（活性層）で連結されたソース電極とドレイン電極を有し、その上にゲート絶縁層を介してゲート電極を有するトップゲート型と、支持体上にまずゲート電極を有し、ゲート絶縁層を介して有機半導体チャネルで連結されたソース電極とドレイン電極を有するボトムゲート型に大別される。
本発明の化合物を有機薄膜トランジスタ素子の活性層に設置するには、真空蒸着により基板上に設置することもできるが、適切な溶剤に溶解し必要に応じ添加剤を加えて調製した溶液をキャストコート、スピンコート、印刷、インクジェット法、アブレーション法等によって基板上に設置するのが好ましい。この場合、本発明の有機半導体を溶解する溶剤は、該有機半導体を溶解して適切な濃度の溶液が調製できるものであれば格別の制限はないが、具体的にはジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル等の鎖状エーテル系溶媒、テトラヒドロフランやジオキサンなどの環状エーテル系溶媒、アセトンやメチルエチルケトン等のケトン系溶媒、クロロホルムや１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒、トルエン、ｏ−ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、ｍ−クレゾール等の芳香族系溶媒、Ｎ−メチルピロリドン、２硫化炭素等を挙げることができる。
本発明おいて、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成する材料は導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ＩＴＯおよび炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。更に導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
ゲート絶縁層としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。
ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えば、アルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。これらのうち好ましいのは、大気圧プラズマ法とゾルゲル法である。
大気圧下でのプラズマ製膜処理による絶縁膜の形成方法は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプラズマ励起し、基材上に薄膜を形成する処理で、その方法については特開平１１−６１４０６号、同１１−１３３２０５号、特開２０００−１２１８０４号、同２０００−１４７２０９号、同２０００−１８５３６２号の各公報等に記載されている（以下、大気圧プラズマ法とも称する）。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く形成することができる。
また有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることもできる。有機化合物皮膜の形成法としては、前記ウェットプロセスが好ましい。無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して併用することができる。またこれら絶縁膜の膜厚としては、一般に５０ｎｍ〜３μｍ、好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
また支持体はガラスやフレキシブルな樹脂製シートで構成され、例えば、プラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
以下に、本発明に係る有機半導体材料からなる有機薄膜を用いた電界効果トランジスタについて説明する。
図１（ａ）〜図１（ｆ）は、本発明の有機半導体材料を用いた電界効果トランジスタの概略構成例を示す。図１（ａ）は、支持体６上に金属箔等によりソース電極２、ドレイン電極３を形成し、両電極間に本発明の半導体材料からなる有機半導体層１を形成し、その上に絶縁層５を形成し、更にその上にゲート電極４を形成して電界効果トランジスタを形成したものである。図１（ｂ）は、有機半導体層１を、図１（ａ）では電極間に形成したものを、コート法等を用いて電極及び支持体表面全体を覆うように形成したものを表す。図１（ｃ）は、支持体６上に先ずコート法等を用いて、有機半導体層１を形成し、その後ソース電極２、ドレイン電極３、絶縁層５、ゲート電極４を形成したものを表す。
図１（ｄ）は、支持体６上にゲート電極４を金属箔等で形成した後、絶縁層５を形成し、その上に金属箔等で、ソース電極２及びドレイン電極３を形成し、該電極間に本発明の半導体材料により形成された有機半導体層１を形成する。その他図１（ｅ）、図１（ｆ）に示すような構成を取ることもできる。
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
実施例１
ゲート電極としての比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＳｉウェハーに、厚さ２０００Åの熱酸化膜を形成してゲート絶縁層とした後、オクタデシルトリクロロシランによる表面処理を行った。比較化合物（１）（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（ｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ、アルドリッチ社製、平均分子量８９０００、ＰＨＴ））のクロロホルム溶液をアプリケーターを用いて塗布し、自然乾燥することによりキャスト膜（厚さ５０ｎｍ）を形成して、窒素雰囲気下で５０℃、３０分間の熱処理を施した。更に、この膜の表面にマスクを用いて金を蒸着してソースおよびドレイン電極を形成した。ソースおよびドレイン電極は幅１００μｍ、厚さ２００ｎｍで、チャネル幅Ｗ＝３ｍｍ、チャネル長Ｌ＝２０μｍの有機薄膜トランジスタ素子１を作製した。
ゲート電極としての比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＳｉウェハーに、厚さ２０００Åの熱酸化膜を形成してゲート絶縁層とした後、オクタデシルトリクロロシランによる表面処理を行った。比較化合物（１）（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（ｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ、アルドリッチ社製、平均分子量８９０００、ＰＨＴ））のクロロホルム溶液をアプリケーターを用いて塗布し、自然乾燥することによりキャスト膜（厚さ５０ｎｍ）を形成して、窒素雰囲気下で５０℃、３０分間の熱処理を施した。更に、この膜の表面にマスクを用いて金を蒸着してソースおよびドレイン電極を形成した。ソースおよびドレイン電極は幅１００μｍ、厚さ２００ｎｍで、チャネル幅Ｗ＝３ｍｍ、チャネル長Ｌ＝２０μｍの有機薄膜トランジスタ素子１を作製した。
比較化合物（１）を比較化合物（２）（ペンタセン、アルドリッチ社製市販試薬を昇華精製して用いた）に代えた他は、有機薄膜トランジスタ素子１と同様の方法で、有機薄膜トランジスタ素子２を作製した。
更に、比較化合物（１）を表１に示した本発明の具体的化合物に代えた他は、有機薄膜トランジスタ素子１と同様の方法で有機薄膜トランジスタ素子３〜８を作製した。
以上のように作製した有機薄膜トランジスタ素子１及び３〜８は、ｐチャネルのエンハンスメント型ＦＥＴの良好な動作特性を示した。更に、有機薄膜トランジスタ素子１〜８について、Ｉ−Ｖ特性の飽和領域から、キャリア移動度とＯＮ／ＯＦＦ比（ドレインバイアス−５０Ｖとし、ゲートバイアス−５０Ｖおよび０Ｖにしたときのドレイン電流値の比率）を求めた。また得られた素子を大気中で１ヶ月放置し、再度キャリア移動度とＯＮ／ＯＦＦ比を求めた。結果を表１に示す。
表１より、本発明の有機薄膜トランジスタ素子は、トランジスタとしての特性が良好であり、更に経時劣化が抑えられていることが分かった。また、比較化合物（２）（ペンタセン）を用いた有機トランジスタ素子２の結果は、塗布による薄膜形成によっては活性層として機能するペンタセン薄膜を得がたいことが明確に示されているが、本発明の有機薄膜トランジスタ素子は、塗布による薄膜形成で良好なトランジスタとしての特性を示すことが分かった。
実施例２
実施例１の比較化合物（２）を比較化合物（３）（米国特許出願公開第２００３／１６４４９５号明細書、例示化合物（３））に代えた他は、実施例１の有機薄膜トランジスタ素子１と同様の方法で、有機薄膜トランジスタ素子１１を作製した。
実施例１の比較化合物（２）を比較化合物（３）（米国特許出願公開第２００３／１６４４９５号明細書、例示化合物（３））に代えた他は、実施例１の有機薄膜トランジスタ素子１と同様の方法で、有機薄膜トランジスタ素子１１を作製した。
更に、比較化合物（１）を表２に示した本発明の具体的化合物に代えた他は、有機薄膜トランジスタ素子１と同様の方法で、有機薄膜トランジスタ素子１２〜１７を作製した。
以上のように作製した有機薄膜トランジスタ素子１１〜１７は、ｐチャネルのエンハンスメント型ＦＥＴの良好な動作特性を示した。更に、有機薄膜トランジスタ素子１１〜１７について、Ｉ−Ｖ特性の飽和領域から、キャリア移動度とＯＮ／ＯＦＦ比（ドレインバイアス−５０Ｖとし、ゲートバイアス−５０Ｖおよび０Ｖにしたときのドレイン電流値の比率）を求めた。また得られた素子を大気中で１ヶ月放置し、再度キャリア移動度とＯＮ／ＯＦＦ比を求めた。結果を表２に示す。
表２より、本発明の有機薄膜トランジスタ素子はトランジスタとしての特性が良好であり、更に経時劣化が抑えられていることが分かった。
実施例３
実施例１の比較化合物（１）を表３に示した本発明の具体的化合物に代えた他は、実施例１の有機薄膜トランジスタ素子１と同様の方法で有機薄膜トランジスタ素子２１〜２５を作成した。実施例１と同様の評価を行った結果を表３に示す。
実施例１の比較化合物（１）を表３に示した本発明の具体的化合物に代えた他は、実施例１の有機薄膜トランジスタ素子１と同様の方法で有機薄膜トランジスタ素子２１〜２５を作成した。実施例１と同様の評価を行った結果を表３に示す。
表３により本発明の有機薄膜トランジスタ素子は、トランジスタとしての特性が良好であることがわかった。
本発明により、キャリア移動度が高く、保存性の優れた有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供することができた。また、本発明の有機トランジスタはゲート電圧を変化させた際の最大電流値と最小電流値の比、即ちＯＮ／ＯＦＦ比を大きくすることができた。
Claims (13)
- 下記一般式（１０）で表される部分構造を持つ化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
一般式（１０）
（式中、Ｂはチアゾール環をもつユニットを表し、Ａ１，Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎｂは１〜２０の整数を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表す。） - 一般式（１０）に於いて、Ｂが一般式（１１）で表されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の有機半導体材料。
一般式（１１）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。） - 一般式（１０）に於いて、Ｂが一般式（１２）で表されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の有機半導体材料。
一般式（１２）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。） - 一般式（１０）に於いて、Ｂが一般式（１３）で表されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の有機半導体材料。
一般式（１３）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表す。） - 一般式（１０）に於いて、Ｂが連続するチアゾール環を持つユニットであり、ｎ１またはｎ２またはｎ３の少なくとも一つが１以上の整数であることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体材料。
- 請求の範囲第１項に記載の有機半導体を活性層に用いることを特徴とする有機トランジスタ。
- 有機電荷輸送性材料と該有機電荷輸送性材料に直接または関接に接するゲート電極から構成され、該ゲート電極及び該有機電荷輸送性材料間に電圧を印加することで、該有機電荷輸送性材料中の電流を制御する電界効果トランジスタに於て、該有機電荷輸送性材料が請求の範囲第１項に記載の有機半導体材料であることを特徴とする電解効果トランジスタ。
- 請求の範囲第７項に記載の電界効果トランジスタを用いることを特徴とするスイッチング素子。
- 下記一般式（１）、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（２）、（２−１）、（２−２）、（２−３）、（２−４）、（３）、（３−１）、（３−２）、（３−３）、（３−４）、（４）、（４−１）、（４−２）、（４−３）、または、（４−４）で表されるチアゾール骨格を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１、Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ３は１〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ２はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ２は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ１は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１、Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ３は１〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ２はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ２は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１、Ａ３はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ４、Ａ５は置換基を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｎ１は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１、Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ３は１〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ２はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ２は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ１は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ４は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１、Ａ２はそれぞれ独立にアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ３は１〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ２はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ２は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。）
（式中、Ｒは水素原子または置換基を表し、Ａ１はアルキル基を置換基として持つユニットを表し、Ａ３は二価の連結基を表し、ｎ１は１〜２０の整数を表し、ｎ３は０〜１０の整数を表し、ｎ５は１〜２０の整数を表し、ｎはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表す。 - 前記チアゾール骨格を有する化合物がポリマーであることを特徴とする請求の範囲第９項に記載の有機半導体材料。
- 前記チアゾール骨格を有する化合物がアルキル基またはアルコキシ基を置換基として持つことを特徴とする請求の範囲第９項に記載の有機半導体材料。
- 前記アルキル基が炭素原子数２〜２０の直鎖アルキル基であることを特徴とする請求の範囲第１１項に記載の有機半導体材料。
- 前記チアゾール骨格を有する化合物の平均分子量が１０００〜２０万であることを特徴とする請求の範囲第９項に記載の有機半導体材料。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004016905 | 2004-01-26 | ||
| JP2004016905 | 2004-01-26 | ||
| PCT/JP2005/000371 WO2005070994A1 (ja) | 2004-01-26 | 2005-01-14 | 有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子及びチアゾール化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2005070994A1 true JPWO2005070994A1 (ja) | 2007-12-27 |
Family
ID=34805514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005517227A Pending JPWO2005070994A1 (ja) | 2004-01-26 | 2005-01-14 | 有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子及びチアゾール化合物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7709829B2 (ja) |
| EP (1) | EP1710266B1 (ja) |
| JP (1) | JPWO2005070994A1 (ja) |
| WO (1) | WO2005070994A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060081441A (ko) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | 삼성전자주식회사 | 신규한 티오펜-티아졸 유도체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 |
| JP2007059683A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ |
| JP2007059685A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ |
| JP5637650B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2014-12-10 | 住友化学株式会社 | 複素環化合物 |
| KR101430260B1 (ko) | 2007-01-24 | 2014-08-14 | 삼성전자주식회사 | 티아졸 함유 유기반도체 고분자, 이의 제조방법 및 이를이용한 유기박막트랜지스터 |
| JP5325393B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-10-23 | ケミプロ化成株式会社 | 多環式複素環化合物、該化合物よりなるホール輸送材料、ホール発光材料、該化合物を用いた電界効果トランジスタ及び有機ｅｌ素子 |
| JP5338121B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2013-11-13 | 住友化学株式会社 | 複素環高分子化合物 |
| KR100934534B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2009-12-29 | 광주과학기술원 | 티아졸계 유기 반도체 화합물 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 |
| KR101450137B1 (ko) | 2008-01-25 | 2014-10-13 | 삼성전자주식회사 | 유기반도체용 공중합체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 및 유기 전자소자 |
| CN102460758B (zh) | 2009-04-06 | 2015-04-01 | 肯塔基州研究基金会大学 | 半导体化合物和包含该半导体化合物的设备 |
| JP2011136921A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Jnc Corp | 有機トランジスタ材料およびこれを用いた有機トランジスタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0977854A (ja) * | 1995-09-13 | 1997-03-25 | Tokyo Inst Of Technol | 長鎖アルキル基を有するポリ（２，２′−ビチアゾール−５，５′−ジイル）重合体、その製造法及び利用法 |
| JP2004211091A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 新規有機半導体高分子およびこれを利用した有機薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077671A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Canon Inc | 有機発光素子 |
| WO2003020847A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device |
| JP2004282039A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-10-07 | Tokyo Inst Of Technol | 電子デバイス |
-
2005
- 2005-01-14 JP JP2005517227A patent/JPWO2005070994A1/ja active Pending
- 2005-01-14 EP EP05703610.5A patent/EP1710266B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-14 US US10/586,793 patent/US7709829B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-14 WO PCT/JP2005/000371 patent/WO2005070994A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0977854A (ja) * | 1995-09-13 | 1997-03-25 | Tokyo Inst Of Technol | 長鎖アルキル基を有するポリ（２，２′−ビチアゾール−５，５′−ジイル）重合体、その製造法及び利用法 |
| JP2004211091A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 新規有機半導体高分子およびこれを利用した有機薄膜トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080251784A1 (en) | 2008-10-16 |
| WO2005070994A1 (ja) | 2005-08-04 |
| EP1710266A1 (en) | 2006-10-11 |
| US7709829B2 (en) | 2010-05-04 |
| EP1710266A4 (en) | 2007-01-10 |
| EP1710266B1 (en) | 2018-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007019294A (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体素子及び有機薄膜トランジスタ | |
| JPWO2006059486A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子、有機半導体材料及び有機半導体膜 | |
| JP2005206750A (ja) | 有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子及び５員複素環化合物 | |
| JP2007067263A (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ | |
| EP1710266B1 (en) | Organic semiconductor material, organic transistor, field effect transistor, switching device and thiazole compound | |
| JP2006216814A (ja) | 有機半導体材料、有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
| JP2007067262A (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ | |
| JP2006339577A (ja) | 有機半導体薄膜及び有機薄膜トランジスタ | |
| JP2007088224A (ja) | 有機半導体材料、該有機半導体材料を用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ | |
| JP5228907B2 (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ | |
| JP2005260212A (ja) | 有機半導体材料及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ、電界効果有機薄膜トランジスタ並びにそれらを用いたスイッチング素子 | |
| JPWO2006038459A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
| JP2006222251A (ja) | 有機半導体材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
| JP2007311609A (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ | |
| JP2005236096A (ja) | 有機半導体材料及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ、電界効果有機薄膜トランジスタ並びにそれらを用いたスイッチング素子 | |
| JP2005223238A (ja) | 有機半導体材料及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ、電界効果有機薄膜トランジスタ並びにそれらを用いたスイッチング素子 | |
| JP2008078279A (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ | |
| JPWO2006098121A1 (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの形成方法 | |
| JP2006060116A (ja) | 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
| JP2006140180A (ja) | 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
| JP2006028054A (ja) | 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
| JP2006128601A (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ | |
| JP2006165015A (ja) | 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
| JP2007081288A (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ | |
| JP2006219550A (ja) | 有機半導体材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071219 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110818 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120117 |