JP2004282039A - 電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、一般式(1):
【化1】
[式中、Dは電子供与性を有する芳香族基を示し、Aは電子受容性を有する芳香族基を示し、D及びAはそれぞれ芳香環上に置換基を有していても良く、D及びAを構成する全ての原子の中心が、D及びA各々のπ共役平面まで2Å以内に配置された分子構造を有し、Xは3以上の整数を示す]で表される構造を有し、且つ、主鎖骨格において炭素−炭素またはヘテロ原子を含む二重結合が単結合と交互に連なった構造を有するπ共役交互共重合体を用いることを特徴とする電子デバイスを提供することにより上記目的を達成するものである。
【選択図】 無し
Description
本発明の電子デバイスは、一般式(1):
本発明に用いるπ共役交互共重合体は、上記一般式(1)で表される様に電子供与性を有する2価の芳香族基と電子受容性を有する2価の芳香族基とが交互に結合した構造を有しており、且つ、主鎖骨格において炭素−炭素またはヘテロ原子を含む二重結合が単結合と交互に連なった構造を有する。
本発明に用いるπ共役交互共重合体の有すべき好ましい特性について説明する。
本発明に用いるπ共役交互共重合体においては、該π電子供与性芳香族基Dから該π電子受容性芳香族基Aへπ電子が移動することにより形成される該π電子供与性芳香族基D上の正電荷と該π電子受容性芳香族基A上の負電荷のために、隣接主鎖間に静電的引力が働くような相互作用が可能となり一般的導電性高分子の主鎖間の相互作用よりも強くすることが可能である。例えば前記一般式(7)で表される結合に関して立体規則性の存在しないポリ(アルキルチアゾール−alt−チオフェン)においては前述したポリ(3−アルキルチオフェン)と同様なラメラ構造を形成するが、主鎖繰り返し単位内でπ電子供与性芳香族基であるチオフェンからπ電子受容性芳香族基であるアルキル置換チアゾール環にπ電子が移動しπ電子の偏りが起こり、隣接主鎖間において正に帯電したチオフェン環と負に帯電したアルキル置換チアゾール環が静電的に引き合うことによりラメラ構造内の主鎖間距離は約3.6Åを示し、ポリ(3−アルキルチオフェン)の場合よりも短くなっている(荒井 穣 東京工業大学修士論文 1998年など参照)。
本発明において電子デバイスとは、電子の働きを利用した能動素子を総称したものであり、具体的には、2個以上の電極を有し、その電極間に流れる電流や生じる電圧を、電気、光、磁気または化学物質等により、好ましくは光以外のものにより、制御するデバイスである。
電界効果トランジスタは、半導体材料からなる層にソース電極とドレイン電極を設け、絶縁体層を介してゲート電極を設けた構造を有する。基本的には、p型半導体あるいはn型半導体の一方のキャリア(正孔あるいは電子)が電荷を輸送する、モノポーラ素子の代表的なものである。
FETはソース電極とドレイン電極が基板上に並べて配置され、電流の流れる方向が、ゲートにより誘起される電場に垂直方向であるのに対し、SITではソースとドレインの間の適当な位置に、ゲート電極がグリッド上に配置され、電流の方向が、ゲートにより誘起される電場に平行方向である点を特徴とする。
そのほかの例として、ダイオード素子が挙げられる。これは、非対称な構造をした2端子素子である。図4のE,Fはダイオード素子の模式図である。これらは図示しない基板上に設けられる。
また、他の応用例として抵抗素子が挙げられる。これは、基板上に設けられた半導体層を2つの電極で挟んだ、対称な構造をもつ2端子素子である。抵抗素子は、電極間の抵抗を調整するための抵抗器として用いたり、抵抗を大きくして電極間の電気容量を調整するためのコンデンサとして用いることができる。
本発明の電子デバイスは、ディスプレーのアクティブマトリクスのスイッチング素子として利用することができる。これは、ゲートに印加される電圧でソースとドレイン間の電流をスイッチングできることを利用して、ある表示素子に電圧を印加あるいは電流を供給する時のみスイッチを入れ、その他の時間は回路を切断する事により、高速、高コントラストな表示を行うものである。
本発明の電子デバイスの好ましい製造方法について、図1の構造例Aに示す電界効果トランジスタ(FET)を例として、以下に説明するが、これらは他の電子デバイスにも同様に適用しうる。
下記一般式(7)に示されるような構造を有する立体規則性のないポリ(ペンチルチアゾール−alt−チオフェン)を窒素雰囲気下、室温において、トリフルオロ酢酸に、1wt%となるように溶解した。
下記一般式(9)に示されるような構造を有するポリ(チオフェン−alt−オクチルオキシフェニルキノキサリン)を窒素雰囲気下、室温において、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)に1wt%になるように溶解した。
下記一般式(12)に示されるような構造を有するポリ(チオフェン−alt−ドデシルイミダゾール)及びポリ(チオフェン−alt−オクタデシルイミダゾール)を、各々窒素雰囲気下、室温において、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)に0.5wt%になるように溶解した。
立体規則性のないポリ(3−ヘキシルチオフェン)を空気中、室温において、クロロホルムに、15mg/mlとなるように溶解した。
下記一般式(10)に示されるポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−alt−ビチオフェン)(F8T2)を窒素雰囲気下、室温において、キシレンに0.5wt%になるように溶解した。
2 … 絶縁体層
3 … ソース電極
4 … ドレイン電極
5 … ゲート電極
6 … 基板
7 … 絶縁体被覆
11 … 金属電極
12 … 金属電極
13 … 半導体層
14 … 電極
15 … 電極
16 … 半導体層
17 … 半導体層
Claims (4)
- 前記A又はDが硫黄原子を一つ以上含む芳香族基であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記π共役交互共重合体が半導体的性質を有し、且つ、前記電子デバイスが電界効果トランジスタの機能を有することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載の電子デバイス。
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