JPWO2004062868A1 - 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法並びに自動分断ライン - Google Patents

脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法並びに自動分断ライン Download PDF

Info

Publication number
JPWO2004062868A1
JPWO2004062868A1 JP2005507979A JP2005507979A JPWO2004062868A1 JP WO2004062868 A1 JPWO2004062868 A1 JP WO2004062868A1 JP 2005507979 A JP2005507979 A JP 2005507979A JP 2005507979 A JP2005507979 A JP 2005507979A JP WO2004062868 A1 JPWO2004062868 A1 JP WO2004062868A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
brittle material
material substrate
scribing
blind crack
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005507979A
Other languages
English (en)
Inventor
昌宏 藤井
昌宏 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd filed Critical Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Publication of JPWO2004062868A1 publication Critical patent/JPWO2004062868A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/09Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

ガラス基板50の表面におけるスクライブラインが形成される領域に沿って、ガラス基板50の軟化点よりも低い温度でレーザスポットを連続して照射して加熱し、その近傍の領域を冷却する。これによりスクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラックを形成する。検出ユニット40は光ファイバ41を介して光を冷却スポット近傍で形成された直後のブラインドクラックに向けて照射する。ブラインドクラックが形成されていれば、乱反射により一部の光が光ファイバ41に得られる。従ってこの反射光のレベルを検出することによってブラインドクラックが正常に検出されているかどうかを確認する。

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ(以下、FPDという)に使用されるガラス基板、半導体ウェハ等の脆性材料にスクライブラインを形成する際に使用されるスクライブ装置とスクライブ方法、及びこれを用いた自動分断ラインに関するものである。
一対のガラス基板を貼り合わせたFPDは、夫々が大寸法のマザーガラス同士を相互に貼り合わせた後に、所定の大きさになるように分断されて製造される。貼り合わされたマザーガラスを分断する際には、まずスクライブ装置を備えたスクライブ工程において、夫々のマザーガラスにあらかじめカッターによってスクライブラインが形成され、次に、そのスクライブラインが形成されたマザーガラスをブレイク工程へ搬送して、スクライブライン直下の垂直クラックをマザーガラスの厚み方向へ浸透させる(ブレイクさせる)。すなわち、ガラス基板の分断工程は、スクライブ工程とそのスクライブ工程の後に設けられるブレイク工程で構成される。
近年、スクライブ工程において、日本特許第3027768号にも示されているように、スクライブラインを形成するためにレーザビームを使用する方法が実用化されている。レーザビームを使用してガラス基板にスクライブラインを形成する方法では、第1図に示すように、ガラス基板111に対してレーザ発振装置112からレーザビームが照射される。レーザ発振装置112から照射されるレーザビームは、スクライブ予定ラインに沿って楕円形状のレーザスポットLSをガラス基板111上に形成する。ガラス基板111とレーザ発振装置112から照射されるレーザビームは、レーザスポットの長手方向に沿って相対的に移動させられる。
また、ガラス基板111の表面におけるレーザビームの照射領域の近傍には、スクライブラインが形成されるように、冷却ノズル113から冷却水等の冷却媒体が吹き付けられるようになっている。レーザビームが照射されるガラス基板111の表面には、レーザビームによる加熱によって圧縮応力が生じた後に、冷却媒体が吹き付けされることにより引っ張り応力が生じる。このように圧縮応力が生じた領域に近接した領域に引っ張り応力が生じるために、両領域間に夫々の応力に応じた応力勾配が発生し、ガラス基板111には、ガラス基板111の端部に形成されたブラインドクラック(垂直クラック)を生成させるため、切り目(トリガー)からスクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラック(垂直クラック)が形成されていく。
このようにしてレーザビームでガラス基板111の表面に形成される垂直クラックは微小なため、通常、肉眼では目視することができないので、ブラインドクラックBCといわれている。
スクライブラインとしてのブラインドクラック(垂直クラック)BCをガラス基板111に形成すると、ガラス基板111を次のブレイク工程に搬送させて、ブラインドクラックBCの幅方向に曲げモーメントが作用するようにガラス基板に力を加え、垂直クラックをガラス基板の厚み方向に浸透させることにより、ガラス基板111はスクライブラインであるブラインドクラックBCに沿って分断される。
このようなスクライブ装置では、レーザビームによる単位面積当りの照射エネルギーによる加熱、冷却媒体による冷却、レーザビームとガラス基板との相対的な移動速度等の条件設定が適切でない場合には、ブラインドクラックBCが正常に形成されない場合がある。ガラス基板にブラインドクラックBCが正常に形成されずにガラス基板が次のブレイク工程に供給されると、ガラス基板はブラインドクラックBCに沿って分断されず、ガラス基板が破損してしまう。このように、ブレイク工程においてガラス基板が破損すると、FPDの部品として使用することができず、経済性が損なわれると共に、FPDの生産効率も低下することになる。又ガラス基板の破損によって、ガラス基板を分断するための装置自体が破損する恐れもある。
このために、スクライブ装置において、ガラス基板にブラインドクラックBCが確実に形成されていることを確認することが望ましい。しかしながら、ガラス基板内に形成されるブラインドクラックBCは微小であって、通常、目視すること及びCCDカメラにより直接的に観察することができない。そのためスクライブ装置において、ブラインドクラック(垂直クラック)BCが正常に形成されていることを確認することは容易でないという問題があった。
又レーザから照射されるレーザビームの影響を目に受ける危険性があるので、スクライブ途中のレーザビームの照射中に目視でブラインドクラックの形成を確認するには安全面上の問題もあった。
本発明はこのような問題を解決するものであり、ガラス基板等の脆性材料基板の表面に形成されるブラインドクラックの形成状況を確実に確認して、脆性材料基板のブレイク工程において脆性材料基板を確実に分断することができる脆性材料基板のスクライブ装置とスクライブ方法、及びこれを用いた自動分断ラインを提供することを目的とする。
本発明の脆性材料基板のスクライブ装置は、脆性材料基板の表面におけるスクライブ予定ラインに沿って、該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で連続して加熱しつつ、その加熱領域の近傍の領域を連続して冷却することにより、前記スクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラックを形成する脆性材料基板のスクライブ装置であって、前記脆性材料基板の表面における冷却領域に近接したブラインドクラックの形成領域との間で光が伝播されるように配置された導光路と、前記導光路を介して光を出射する投光部と、前記投光部から前記導光路を介して出射されブラインドクラックによって反射された光を前記導光路を介して受光する受光部と、前記受光部より得られた受光レベルを判別する判別部と、を具備することを特徴とするものである。
又このような少なくとも1台の脆性材料基板のスクライブ装置と、少なくとも1台のブレイク装置を備えて脆性材料基板の自動分断ラインを構成する。
本発明の脆性材料基板のスクライブ装置は、脆性材料基板の表面におけるスクライブ予定ラインに沿って、該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で連続して加熱しつつ、その加熱領域の近傍の領域を連続して冷却することにより、前記スクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラックを形成する脆性材料基板のスクライブ装置であって、前記脆性材料基板の表面における冷却領域に近接したブラインドクラックの形成領域との間で光が伝播されるように配置された第1,第2の導光路と、前記第1の導光路を介して光を出射する投光部と、前記投光部から前記導光路を介して出射されブラインドクラックを透過した光を前記第2の導光路を介して受光する受光部と、前記受光部より得られた受光レベルを判別する判別部と、を具備することを特徴とするものである。
又このような少なくとも1台の脆性材料基板のスクライブ装置と、少なくとも1台のブレイク装置を備えて脆性材料基板の自動分断ラインを構成する。
本発明の脆性材料基板のスクライブ方法は、脆性材料基板の表面におけるスクライブ予定ラインに沿って、該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で連続して加熱しつつ、その加熱領域の近傍の領域を連続して冷却することにより、前記スクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラックを形成する脆性材料基板のスクライブ方法であって、前記脆性材料基板の表面における冷却領域に近接したブラインドクラックの形成領域に向けて導光路を介して光を出射し、ブラインドクラックから得られる反射光を前記導光路を介して受光し、その受光レベルに基づいてブラインドクラックの形成状態を確認しつつスクライブすることを特徴とするものである。
本発明の脆性材料基板のスクライブ方法は、脆性材料基板の表面におけるスクライブ予定ラインに沿って、該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で連続して加熱しつつ、その加熱領域の近傍の領域を連続して冷却することにより、前記スクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラックを形成する脆性材料基板のスクライブ方法であって、前記脆性材料基板の表面における冷却領域に近接したブラインドクラックの形成領域に向けて第1の導光路を介して光を出射し、ブラインドクラックを透過した光を第2の導光路を介して受光し、その受光レベルに基づいてブラインドクラックの形成状態を確認しつつスクライブすることを特徴とするものである。
第1図はレーザビームによるスクライブラインの形成方法を説明するための模式図である。
第2図は本発明の実施の形態による脆性材料基板のスクライブ装置の概略構成図である。
第3図は本実施の形態によるスクライブ装置によるスクライブライン形成中のガラス基板上のレーザビーム照射位置を模式的に示す斜視図である。
第4図はガラス基板上の物理的変化状態を模式的に示す平面図である。
第5図は本実施の形態の光ファイバセンサからガラス基板に投光された光の反射状態を示す側面図である。
第6図は本実施の形態によるスクライブ装置の検出ユニットのガラス基板の位置に対する受光光量の変化を示すグラフである。
第7図はスクライブライン形成加工中に発生する制御不能なクラックの例を示す図である。
第8図は本発明の第2の実施の形態によるスクライブ装置の検出ユニットの検出状態を示す概略図である。
第9図は本発明の第3の実施の形態によるスクライブ装置の概略構成図である。
第10図は本発明の実施の形態によるスクライブ装置の検出ユニットの他の例の構成を示す図である。
第11図はスクライブ装置に続けてブレイク装置を組み込んだガラス基板の分断ラインの一例を示すガラス基板自動分断ラインの概略図である。
以下、本発明の実施の形態による脆性材料基板のスクライブ装置を図面に基づいて説明する。このスクライブ装置は、例えばFPDに使用されるガラス基板を分断するためのスクライブ工程の一つとして使用される。第2図は本発明の実施の形態を示す概略構成図である。このスクライブ装置は、水平な架台11上に所定の水平方向(Y方向)に沿って往復運動するスライドテーブル12を有している。
スライドテーブル12は、架台11の上面に沿って平行に配置された一対のガイドレール14及び15に、水平な状態で各ガイドレール14及び15に沿ってスライド可能に支持されている。両ガイドレール14及び15の中間部には、各ガイドレール14及び15と平行にボールネジ13がモータ(図示せず)によって回転するように設けられている。ボールネジ13はモータ(図示せず)によって正転及び逆転可能になっており、このボールネジ13にボールナット16が螺合する状態で取付けられている。ボールナット16は、スライドテーブル12に回転しない状態で一体的に取付けられており、ボールネジ13の正転及び逆転によってボールネジ13に沿って両方向にスライドする。これにより、ボールナット16と一体的に取付けられたスライドテーブル12が各ガイドレール14及び15に沿ってY方向にスライドする。
スライドテーブル12上には、台座19が水平な状態で配置されている。台座19は、スライドテーブル12上に平行に配置された一対のガイドレール21にスライド可能に支持されている。各ガイドレール21は、スライドテーブル12のスライド方向であるY方向と直交するX方向に沿って配置されている。又、各ガイドレール21間の中央部には、各ガイドレール21と平行にボールネジ22が配置されており、ボールネジ22がモータ23によって正転及び逆転されるようになっている。
ボールネジ22には、ボールナット24が螺合する状態で取付けられている。ボールナット24は台座19に回転しない状態で一体的に取付けられており、ボールネジ22の正転及び逆転によって、ボールネジ22に沿って両方向に移動する。これにより、台座19が各ガイドレール21に沿ったX方向にスライドする。
台座19上には回転機構25が設けられており、この回転機構25上に回転テーブル26が水平な状態で設けられている。回転テーブル26上にはスクライブ加工の対象であるガラス基板50が載置される。回転機構25は回転テーブル26を垂直方向に沿った中心軸の周りに回転させるようになっており、基準位置に対して任意の回転角度になるように、回転テーブル26を回転させることができる。回転テーブル26上には、ガラス基板50が、例えば吸引チャックによって固定される。
回転テーブル26の上方には、回転テーブル26とは適当な間隔をあけて支持台31が配置されている。支持台31は垂直状態で配置された光学ホルダ33の下端部に水平な状態で支持されている。光学ホルダ33の上端部は、架台11上に設けられた取付台32の下面に取付けられている。取付台32上にはレーザビームを発振するレーザ発振器34が設けられており、レーザ発振器34から発振されるレーザビームが光学ホルダ33内に保持された光学系に照射される。
光学ホルダ33内に照射されるレーザビームは、光学ホルダ33の下端面から回転テーブル26上に載置されたガラス基板50に照射される。このとき光学ホルダ33内に保持された光学系によって、所定方向に沿って長く延びる楕円形状のレーザスポットとしてガラス基板50に照射される。
支持台31の下方には、ガラス基板50の表面に切れ目(トリガー)を形成するカッターホイールチップ35が設けられている。このカッターホイールチップ35は、ガラス基板50の端部に照射されるレーザビームの長手方向に沿ってブラインドクラック(垂直クラック)の形成のきっかけとなる切れ目(トリガー)を形成するために用いられ、チップホルダ36によって昇降可能に保持されている。
又支持台31には、光学ホルダ33に近接して、取付位置可変に冷却ノズル37が設けられている。この冷却ノズル37からは、冷却水、Heガス、Nガス、COガス等の冷却媒体がガラス基板50に噴射されるようになっている。冷却ノズル37から噴射される冷却媒体は、光学ホルダ33からガラス基板50に照射されるレーザスポットの長手方向の端部に近接した位置に吹き付けられる。
又スクライブ装置には、ガラス基板50にあらかじめパターニングされたアライメントマークを撮像する一対のCCDカメラ38及び39が設けられており、各CCDカメラ38及び39にて撮像された画像を表示するモニタ28及び29が取付台32上に夫々設けられている。
支持台31には冷却ノズル37に近接して検出ユニット40が設けられる。検出ユニット40は冷却ノズル37からガラス基板に吹き付けられる冷却媒体の近接した領域においてブラインドクラック(垂直クラック)が正常に形成されているか否かを検出するものである。例えば検出ユニット40には、光電センサが使用され、光電センサは光ファイバ41及び投受光部42、判別部43を含んで構成される。
このようなスクライブ装置によってガラス基板50をスクライブする場合には、まず所定の大きさに分断されるガラス基板50をスクライブ装置の回転テーブル26上に載置し、吸引手段によって固定する。そしてCCDカメラ38及び39によって、ガラス基板50に設けられたアライメントマークを撮像する。撮像されたアライメントマークは、モニタ28及び29によって表示され、テーブル位置決め用の画像処理装置(図示せず)でアライメントマークの位置情報が処理される。その後、支持台31に対して、ガラス基板50を載置した回転テーブル26を所定の位置に位置決めし、ガラス基板50にレーザビームによりスクライブを実施する。ガラス基板50をスクライブする際には、光学ホルダ33からガラス基板50の表面に照射する楕円形状のレーザスポットの長手方向が、ガラス基板50に形成されるスクライブラインに沿ったX方向となる。回転テーブル26の位置決めは、スライドテーブル12上の台座19のスライド、及び回転機構25による回転テーブル26の回転によって行われる。
第3図はスクライブ装置によってスクライブされるガラス基板50上のレーザビーム照射状態を示す模式的斜視図で、第4図はそのガラス基板50上の物理変化状態を模式的に示す平面図である。
回転テーブル26が支持台31に対して位置決めされると、回転テーブル26がX軸方向に沿ってスライドされて、ガラス基板50の端部が、カッターホイールチップ35に対向される。そしてカッターホイールチップ35が下降して、ガラス基板50の端部に切れ目(トリガー)TRを形成する。
その後、回転テーブル26をスクライブ予定ラインに沿ってX方向にスライドしつつ、レーザ発振器34からレーザビームを照射する。そして同時に冷却ノズル37から冷却媒体、例えば冷却水を圧縮エアーと共に噴射する。
レーザ発振器34から発振されたレーザビームは、ガラス基板50の表面に、楕円形状のレーザスポットLSを形成する。レーザスポットLSは、例えば長径bが30.0mm、短径aが1.0mmの楕円形状になっており、長軸が形成すべきスクライブライン方向に一致するように照射される。この場合、レーザスポットLSによる加熱温度は、ガラス基板50が溶融される温度より低い、即ちガラス基板の軟化点よりも低い温度とされる。これにより、レーザスポットLSが照射されたガラス基板50の表面は、溶融されることなく加熱される。
冷却ノズル37からは、レーザスポットLSが照射される領域に対して、レーザスポットLSの長軸方向に例えば2.5mmの間隔をあけたスクライブ予定ライン上である冷却ポイントCPに、冷却水が吹き付けられる。これにより、ガラス基板50の表面の冷却ポイントCPが冷却される。その結果、レーザスポットLSと冷却ポイントCPとの間の領域に温度勾配が生じる。
レーザスポットLSによって加熱されたガラス基板50の表面の領域には、圧縮応力が発生し、又冷却水が吹き付けられた冷却ポイントCPには、引っ張り応力が発生する。このようにレーザスポットLSによる加熱領域に圧縮応力が発生し、冷却水による冷却ポイントCPに引っ張り応力が発生すると、レーザスポットLSと冷却ポイントCPとの間の熱拡散領域HDに発生している圧縮応力により、冷却ポイントCPに対してレーザスポットLSとは反対側の領域に大きな引っ張り応力が生じる。そしてこの引っ張り応力を利用して、回転テーブル26がスクライブ予定ラインに沿ってX方向にスライドするに伴い、ガラス基板50端部にカッターホイールチップ35により形成された切れ目(トリガー)TRからブラインドクラックBCが、スクライブ予定ラインに沿って形成される。ブラインドクラックが生じた直後には目視が可能であるが、数秒後には観察不能となる。
ブラインドクラックBCの深さ(深度)δは、レーザスポットLSの大きさ、熱拡散領域HDの大きさ、レーザスポットLS及び冷却ポイントCPとガラス基板50との移動速度Vに依存しており、次の(1)式で表される。但し、aはレーザスポットLSの短径、bはレーザスポットLSの長径、Lは熱拡散領域HDのスクライブラインに沿った長さ(レーザスポットLSと冷却ポイントCPとの間隔)であり、kはスクライブの対象である材料(ガラス基板)の熱物性、加熱ビーム照射密度等に依存した係数である。
V=k・a(b+L)/δ ・・・(1)
前述したように、一例としてレーザスポットLSの短径aが1.0mm、レーザスポットLSの長径bが30.0mm、熱拡散領域HDのスクライブラインに沿った長さLが2.5mmであって、ガラス基板50の移動速度が300mm/sec、レーザビームのパワーが80Wの場合には、ブラインドクラックBCの深度は120μmになる。これらの数値は、各種加工条件により最適な数値の組み合わせとなるように選択されてスクライブ加工に用いられる。
さて第3図に示すように、レーザスポットLSの直後に冷却ポイントCPがあり、その直後に前述したように垂直クラックが生じる。この垂直クラックはすぐにブラインドクラックBCとなるために、検出可能な冷却ポイントCPの直後の検出ポイントDPに向けて光電センサの投受光部42より投光する。そして投光された光は第3図、第5図に示すように、ガラス基板50の下面で一旦反射し、その反射光がブラインドクラックに照射され、ブラインドクラックで光が乱反射され、乱反射した反射光の一部が光電センサの投受光部42に得られる。光電センサの判別部のフォトダイオードがこの反射光の光量レベルを電気信号に変換し増幅する。そして所定の閾値で弁別することによってスクライブライン(ブラインドクラックBCのライン)の状態を検出する。また、光電センサの投受光部42より検出ポイントDPに向けての投光、ブラインドクラックで乱反射した反射光の受光に導光路が用いられる。導光路には光ファイバや光導波路フィルムが用いられるが、本願では導光路の一例として光ファイバを用いて説明する。
第6図(a)はガラス基板50のX方向に沿ったスクライブライン上の位置Pに対する光ファイバ41に得られるセンサ帰還光量Iの変化を示す図である。正常なスクライブが形成された場合は、ガラス基板50のスクライブを開始したスクライブ開始点付近P1及びスクライブ終了点付近P2のガラス基板端部では、センサ光量が図6のI1,I2のように増大するが、その間ではセンサ光量I3はほぼ一定であり、スクライブが正常に形成されていることが確認される。又第7図(a)に示すように、スクライブ予定ラインに沿ってガラス基板の側縁部においてレーザスポットLSの端部によって急激に加熱されると、ガラス基板にはレーザスポットLSの前方に制御不能なクラックが形成されることがある。このような制御不能なクラックは先走りクラックCR1といい、この先走りクラックCR1が生じた場合には、第6図(b)に示すように、その先走り部分で光量レベルI4が高くなる。又第6図(c)に示すように、スクライブラインが形成できなかった場合には反射光が得られないため、センサで検出する光量レベルが零レベルとなる。従ってガラス基板に形成されたブラインドクラックの不良状態を検出することができる。
又第7図(b)に示すように、スクライブの予定ラインに沿ってブラインドクラックBCを形成し、スクライブ加工終点付近のレーザスポットLSによって加熱が終了するガラス基板の側縁部においても、レーザスポットLSの端部によって急激に加熱されると、ガラス基板50にはその側縁からレーザスポットLSの移動方向とは反対方向に向かって制御不能なクラックCR2が形成されることがある。このようなクラックCR2も制御不能であり、このクラックCR2が生じても反射光のレベルが高くなる。従って正常な反射光レベルの上下に所定の閾値レベルVref1,Vref2を設定しておく。反射光のレベルがガラス基板50の端部以外でこの閾値Vref1を超え、又は反射光のレベルがこの閾値Vref2以下となる場合は、光電センサの判別部43は不良状態と識別する。検出ユニット40の一例である光電センサの判別部43からOK信号が出力された場合には、ガラス基板50に対するスクライブライン(ブラインドクラックBCのライン)の形成作業が継続して行われる。これに対して検出ユニット40の判別部43からNG信号が出力された場合には、ガラス基板50に対するスクライブライン(ブラインドクラックBCのライン)の形成作業を中断すると共に、後工程にガラス基板50を送ることを中断するように、作業者に異常発生を知らせる警報を発する。
このように、スクライブ加工中において、ガラス基板50にブラインドクラックBCが良好に形成されない場合には、スクライブ加工が中断されると共に、警報が発せられる。従ってオペレータは、スクライブの形成加工中のガラス基板50にブラインドクラックBCが正常に形成されていないことを認識することができる。これによりオペレータは、スクライブ装置の回転テーブル26上のガラス基板50を不良品として取り除く。従ってブラインドクラックBCが正常に形成されていない不良品であるガラス基板50は、次のブレイク工程に供給される恐れがない。
尚第5図ではブラインドクラックBCの左方から光ファイバ41、投受光部42を設けて検出するようにしているが、ブラインドクラックの右方から光ファイバ41と投受光部を用いて光を投光してもよく、ブラインドクラックの形成予定ラインによって使い分けるものとする。又ガラス基板50の下面に一旦光を反射させてブラインドクラックに入射させずに直接光をブラインドクラックの形成されている位置に入射するようにしてもよい。
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。第1の実施の形態では1本の光ファイバ41を用いて投受光用としているが、投光用の光ファイバと受光用の光ファイバを分離し、及び投光部と受光部とを分離するようにしてもよい。第8図はこの透過型の検出ユニットの概略構成を示す図である。光ファイバ71を投光用の第1の光ファイバとする。光ファイバ71の位置は第5図の光ファイバ41と同様とし、その先端には投光部72を設ける。又ブラインドクラックの位置を透過した光を受光するための受光部73、受光用の第2の光ファイバ74を設ける。その他の構成は前述した実施の形態と同様である。このように投光部と受光部とを分離すれば、投光した光のうちブラインドクラックが形成される位置を透過した光の光量を直接検出して、ブラインドクラックが正常に形成されているかどうかを検出できる。この場合にはブラインドクラックが形成されていなければ透過量が多くなり、ブラインドクラックが形成されている部分では透過量が減少する。又先走り現象等の発生によりガラス基板50の端部に第7図(a),(b)に示すようなスクライブライン形成における異常が発生した場合には、制御不能な異常なクラックの発生箇所での光乱反射のレベルが高く、透過光として得られる受光レベルが大幅に低くなる。従って正常な透過光レベルの上下に閾値を設定しておくことによって、ブラインドクラック(垂直クラック)が形成されたときの正常な状態と上記の異常状態とを区別して認識することができる。
次に本発明の第3の実施の形態について説明する。第9図に示すように、レーザ発振器と冷却ノズルと共に、検出ユニットを設けた支持台31をテーブルの下方に配置し、下方からブラインドクラックを形成するようにしてもよい。この場合であっても検出ユニットが小型であるため容易に下側に配置することができ、ガラス基板50の下側から第1の実施の形態を実施することで、ガラス基板50の下側からブラインドクラックBCが正確に形成されているかどうかを検出することができる。又第2の実施の形態に示すように検出ユニットの投光部と受光部を分離してもよい。
次に検出ユニット40の別の例について説明する。検出ユニット40は第10図に示すように、光源としてレーザダイオード61を使用したものであってもよい。その出射光軸にレンズ62、偏光フィルタ63を介して偏光ビームスプリッタ64が配置される。偏光フィルタ63は特定の偏光方向の光のみを照射光とするためのものであり、偏光ビームスプリッタ64は偏光フィルタ63で選択された偏光方向のレーザ光をそのまま透過させ、これと垂直方向のレーザ光を反射させるものである。偏光ビームスプリッタ64の出射端側には前述した光ファイバ41が設けられている。又光ファイバ41から得られる反射光は偏光方向がランダムであるため、その反射光の一部は偏光ビームスプリッタ64で分離される。偏光ビームスプリッタ64で分離された光はミラー65、レンズ66を介して受光素子であるフォトダイオード67に入射されるように構成されている。又フォトダイオード67に得られる信号はアンプ68により増幅され、判別部(DET)69に与えられる。判別部69はウィンドウコンパレータを含んで構成され、ウィンドウコンパレータに設定される閾値Vref1,Vref2の中間のレベルかどうかによって、ブラインドクラックの形成状況の良否を判別するものである。ここでレーザダイオード61、レンズ62、偏光フィルタ63、偏光ビームスプリッタ64はセンサ用の光ファイバに光を入射する投光部を構成しており、偏光ビームスプリッタ64、ミラー65、レンズ66、フォトダイオード67は反射された光を光ファイバを介して受光する受光部を構成している。
第11図は、スクライブ装置に続けて、ブレイク装置を組み込んだガラス基板50の分断自動化ラインの一例を示した単板のガラス基板の自動分断ライン100の概略模式図である。
このガラス基板自動分断ライン100は、ガラス基板50を収納したカセットを装着したカセットローダー101と、カセットローダー101から引き出されたガラス基板50を載置した後、載置されたガラス基板50を位置決めするコンベア102と、ガラス基板50をスクライブする本発明のスクライブ装置103と、スクライブラインが形成されたガラス基板50を載置した後、位置決めするコンベア104と、2分化したテーブルにより構成され、そのうちの少なくとも1つのテーブルを下方に回転移動させることによりガラス基板50を撓ませてガラス基板50をスクライブラインに沿って分断するブレイク装置105と、分断されたガラス基板(以下、複数枚に分断された各ガラス基板を、ガラス基板50Bという)をガラス基板自動分断ライン100外に搬出する搬出コンベア106とを備えている。又ガラス基板自動分断ライン100の各所には、各状態のガラス基板50を供給し搬送するための給材ロボットR1、搬送ロボットR2〜R5が設けられている。
次いでこのガラス基板自動分断ライン100の動作について説明する。カセットローダー101のカセット内に収納されたガラス基板50が、給材ロボットR1により取り出され、取り出されたガラス基板50がコンベア102上に位置決めされる、その後、ガラス基板50は、搬送ロボットR2によって保持され、スクライブ装置103内に搬送される。
搬送されたガラス基板50は、スクライブ装置103内のテーブル上に載置される。スクライブ装置103では、上述したように、ガラス基板50に対してあらかじめ設計されたラインに沿ったブラインドクラックBCが形成される。このスクライブ装置103において、ガラス基板50の表面に、所定のブラインドクラックBCが良好に形成されなかった場合には、検出ユニット40からNG信号が出され、スクライブ装置103の動作が停止されると共に、異常発生を知らせる警報が発せられる。
一方スクライブ装置103において、ガラス基板50の表面上にブラインドクラックBCが良好に形成された場合には、ガラス基板50は搬送ロボットR3によって保持されて、コンベア104上に載置される。
コンベア104上に載置されたガラス基板50は、コンベア104の前方側において位置決めされ、搬送ロボットR4が、ガラス基板50のブラインドクラックBCが2分化したテーブル間の中央に位置するようにブレイク装置105内に搬送する。ブレイク装置105では、ブラインドクラックが形成されるガラス基板50をブラインドクラックに沿って分断する。ブレイク装置105で複数枚に分断されたガラス基板50Bは搬送ロボットR5によって搬出コンベア106上に載置される。
尚、別のライン構成として、検出ユニット40からNG信号が発生された場合には、所定のブラインドクラックBCが形成されなかったガラス基板50をライン100から自動搬出させる機器構成を採用することも可能である。これにより全自動運転が可能となる。
尚、実施の形態では、脆性材料基板としてガラス基板について説明してきたが、脆性材料基板としては単板のガラス基板だけでなく、半導体ウェハ、液晶パネルとされる貼り合わせガラス基板やセラミック基板等が含まれる。又貼り合わせ基板としてのマザー液晶パネル基板、PDP(プラズマディスプレイパネル)、LCOS、プロジェクタ基板等が含まれ、これらの種々の脆性材料基板の加工に本発明を適用することができる。また、導光路として光ファイバを用いて説明してきたが、これに限らず、光導波路フィルム等を用いることができる。
産業上の利用の可能性
本発明では、ブラインドクラックを光学的に検出しているため、検出ユニットを小型化することができ、ブラインドクラックが正常に形成されたかどうかを容易に識別することができる。本発明によるスクライブ装置とスクライブ方法は、フラットパネルディスプレイ(以下、FPDという)に使用されるガラス基板、半導体ウェハ等の脆性材料基板をスクライブする際に使用することができる。このスクライブ装置及びスクライブ方法を自動分断ラインに適用することによって、ブラインドクラック(垂直クラック)のライン(スクライブライン)が正常に形成された脆性材料基板のみを次のブレイク工程へ搬送し、分断することができる。

Claims (16)

  1. 脆性材料基板の表面におけるスクライブ予定ラインに沿って、該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で連続して加熱しつつ、その加熱領域の近傍の領域を連続して冷却することにより、前記スクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラックを形成する脆性材料基板のスクライブ装置であって、
    前記脆性材料基板の表面における冷却領域に近接したブラインドクラックの形成領域との間で光が伝播されるように配置された導光路と、
    前記導光路を介して光を出射する投光部と、
    前記投光部から前記導光路を介して出射されブラインドクラックによって反射された光を前記導光路を介して受光する受光部と、
    前記受光部より得られた受光レベルを判別する判別部と、を具備することを特徴とする脆性材料基板のスクライブ装置。
  2. 前記導光路が光ファイバであることを特徴とする請求項1記載の脆性材料基板のスクライブ装置。
  3. 前記投光部の前記導光路は、出射光が前記脆性材料基板の下面で一度反射してからブラインドクラックに入射するように配置されていることを特徴とする請求項1記載の脆性材料基板のスクライブ装置。
  4. 前記判別部は、所定の反射光量レベルの上下に閾値を設け、その閾値を逸脱するか否かによってブラインドクラックの形成状態の良否を判別することを特徴とする請求項1記載の脆性材料基板のスクライブ装置。
  5. 脆性材料基板の表面におけるスクライブ予定ラインに沿って、該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で連続して加熱しつつ、その加熱領域の近傍の領域を連続して冷却することにより、前記スクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラックを形成する脆性材料基板のスクライブ装置であって、
    前記脆性材料基板の表面における冷却領域に近接したブラインドクラックの形成領域との間で光が伝播されるように配置された第1,第2の導光路と、
    前記第1の導光路を介して光を出射する投光部と、
    前記投光部から前記導光路を介して出射されブラインドクラックを透過した光を前記第2の導光路を介して受光する受光部と、
    前記受光部より得られた受光レベルを判別する判別部と、を具備することを特徴とする脆性材料基板のスクライブ装置。
  6. 前記導光路が光ファイバであることを特徴とする請求項5記載の脆性材料基板のスクライブ装置。
  7. 前記投光部の前記導光路は、出射光が前記脆性材料基板の下面で一度反射してからブラインドクラックに入射するように配置されていることを特徴とする請求項5記載の脆性材料基板のスクライブ装置。
  8. 前記判別部は、所定の反射光量レベルの上下に閾値を設け、その閾値を逸脱するか否かによってブラインドクラックの形成状態の良否を判別することを特徴とする請求項5記載の脆性材料基板のスクライブ装置。
  9. 脆性材料基板の表面におけるスクライブ予定ラインに沿って、該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で連続して加熱しつつ、その加熱領域の近傍の領域を連続して冷却することにより、前記スクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラックを形成する脆性材料基板のスクライブ方法であって、
    前記脆性材料基板の表面における冷却領域に近接したブラインドクラックの形成領域に向けて導光路を介して光を出射し、
    ブラインドクラックから得られる反射光を前記導光路を介して受光し、
    その受光レベルに基づいてブラインドクラックの形成状態を確認しつつスクライブすることを特徴とする脆性材料基板のスクライブ方法。
  10. 前記導光路に光ファイバを用いることを特徴とする請求項9記載の脆性材料基板のスクライブ方法。
  11. 前記ブラインドクラックの形成領域に向けて導光路を介して光を出射するに際し、出射光が前記脆性材料基板の下面で一度反射してからブラインドクラックに入射することを特徴とする請求項9記載の脆性材料基板のスクライブ方法。
  12. 脆性材料基板の表面におけるスクライブ予定ラインに沿って、該脆性材料基板の軟化点よりも低い温度で連続して加熱しつつ、その加熱領域の近傍の領域を連続して冷却することにより、前記スクライブ予定ラインに沿ってブラインドクラックを形成する脆性材料基板のスクライブ方法であって、
    前記脆性材料基板の表面における冷却領域に近接したブラインドクラックの形成領域に向けて第1の導光路を介して光を出射し、
    ブラインドクラックを透過した光を第2の導光路を介して受光し、
    その受光レベルに基づいてブラインドクラックの形成状態を確認しつつスクライブすることを特徴とする脆性材料基板のスクライブ方法。
  13. 前記導光路に光ファイバを用いることを特徴とする請求項12記載の脆性材料基板のスクライブ方法。
  14. 前記ブラインドクラックの形成領域に向けて導光路を介して光を出射するに際し、出射光が前記脆性材料基板の下面で一度反射してからブラインドクラックに入射することを特徴とする請求項12記載の脆性材料基板のスクライブ方法。
  15. 請求項1に記載の少なくとも1台の脆性材料基板のスクライブ装置と、少なくとも1台のブレイク装置を備えたことを特徴とする脆性材料基板の自動分断ライン。
  16. 請求項5に記載の少なくとも1台の脆性材料基板のスクライブ装置と、少なくとも1台のブレイク装置を備えたことを特徴とする脆性材料基板の自動分断ライン。
JP2005507979A 2003-01-10 2004-01-08 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法並びに自動分断ライン Pending JPWO2004062868A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003004282 2003-01-10
JP2003004282 2003-01-10
PCT/JP2004/000084 WO2004062868A1 (ja) 2003-01-10 2004-01-08 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法並びに自動分断ライン

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2004062868A1 true JPWO2004062868A1 (ja) 2006-05-18

Family

ID=32708944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005507979A Pending JPWO2004062868A1 (ja) 2003-01-10 2004-01-08 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法並びに自動分断ライン

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7723641B2 (ja)
EP (1) EP1595668B1 (ja)
JP (1) JPWO2004062868A1 (ja)
KR (1) KR20050091069A (ja)
CN (1) CN100506500C (ja)
AT (1) ATE524285T1 (ja)
TW (1) TW200510152A (ja)
WO (1) WO2004062868A1 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100497820B1 (ko) * 2003-01-06 2005-07-01 로체 시스템즈(주) 유리판절단장치
US7820941B2 (en) * 2004-07-30 2010-10-26 Corning Incorporated Process and apparatus for scoring a brittle material
DE102006024825A1 (de) * 2006-05-23 2007-11-29 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Randbeschneiden eines Floatglasbandes
JP5029804B2 (ja) * 2006-11-02 2012-09-19 澁谷工業株式会社 脆性材料の割断方法
US7982162B2 (en) * 2007-05-15 2011-07-19 Corning Incorporated Method and apparatus for scoring and separating a brittle material with a single beam of radiation
JP5328209B2 (ja) * 2007-06-15 2013-10-30 三菱電機株式会社 基板加工方法
JP5027606B2 (ja) * 2007-09-26 2012-09-19 株式会社キーエンス レーザ加工装置、加工データ生成方法及びコンピュータプログラム
KR20120004456A (ko) * 2009-03-20 2012-01-12 코닝 인코포레이티드 정밀 레이저 스코어링
CN102470549A (zh) * 2009-07-03 2012-05-23 旭硝子株式会社 脆性材料基板的切割方法、切割装置以及通过该切割方法获得的车辆用窗玻璃
US8932510B2 (en) * 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
US8426767B2 (en) * 2009-08-31 2013-04-23 Corning Incorporated Methods for laser scribing and breaking thin glass
CN102030468B (zh) * 2009-09-30 2013-05-08 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 激光切割装置及激光切割方法
US8946590B2 (en) * 2009-11-30 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
JP5877166B2 (ja) 2010-03-05 2016-03-02 セイジ・エレクトロクロミクス,インコーポレイテッド ガラス基板へのエレクトロクロミックデバイスの積層
FR2962682B1 (fr) 2010-07-16 2015-02-27 Saint Gobain Vitrage electrochimique a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables
US8720228B2 (en) * 2010-08-31 2014-05-13 Corning Incorporated Methods of separating strengthened glass substrates
JP2013071335A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd マザー基板の分断方法
US8677783B2 (en) * 2011-11-28 2014-03-25 Corning Incorporated Method for low energy separation of a glass ribbon
IN2014DN08858A (ja) * 2012-04-05 2015-05-22 Sage Electrochromics Inc
US9938180B2 (en) 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
US9610653B2 (en) 2012-09-21 2017-04-04 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby
EP3174169B1 (en) * 2014-07-25 2019-04-24 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Optical fiber cooling device and laser oscillator
JP6555002B2 (ja) * 2015-08-19 2019-08-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブラインの検査方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6039054A (ja) * 1984-04-25 1985-02-28 Hitachi Ltd ダイシング装置
JPH10156668A (ja) * 1996-12-03 1998-06-16 Seiko Seiki Co Ltd ダイシング装置の加工状態表示装置
JP2000281375A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Nec Corp ガラス基板の割断方法及び割断装置
JP2001130921A (ja) * 1999-10-29 2001-05-15 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性基板の加工方法及び装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4229865A (en) * 1978-12-28 1980-10-28 Western Electric Company, Incorporated Machine for laser scribing and winding metallized film capacitor blanks
DE3041342A1 (de) 1980-11-03 1982-06-09 Fichtel & Sachs Ag, 8720 Schweinfurt Mehrscheiben-kupplung mit zwangsabhub und vereinfachter montage
US5120927A (en) * 1988-06-03 1992-06-09 Insite Peripherals, Inc. High track density media with optical servo tracks and method and apparatus for inscribing the tracks on the media
JPH0750987B2 (ja) 1989-06-23 1995-05-31 オリジン電気株式会社 共振形dc―dcコンバータの制御方法
JPH052152A (ja) * 1990-12-19 1993-01-08 Hitachi Ltd 光ビーム作成方法、装置、それを用いた寸法測定方法、外観検査方法、高さ測定方法、露光方法および半導体集積回路装置の製造方法
US5759428A (en) * 1996-03-15 1998-06-02 International Business Machines Corporation Method of laser cutting a metal line on an MR head
US5952058A (en) * 1997-01-15 1999-09-14 Seagate Technology, Inc. Laser texturing magnetic recording medium using fiber optics
US5951891A (en) * 1997-03-24 1999-09-14 International Business Machines Corporation Optical apparatus for monitoring profiles of textured spots during a disk texturing process
US6407360B1 (en) * 1998-08-26 2002-06-18 Samsung Electronics, Co., Ltd. Laser cutting apparatus and method
US6211488B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6795274B1 (en) * 1999-09-07 2004-09-21 Asahi Glass Company, Ltd. Method for manufacturing a substantially circular substrate by utilizing scribing
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6039054A (ja) * 1984-04-25 1985-02-28 Hitachi Ltd ダイシング装置
JPH10156668A (ja) * 1996-12-03 1998-06-16 Seiko Seiki Co Ltd ダイシング装置の加工状態表示装置
JP2000281375A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Nec Corp ガラス基板の割断方法及び割断装置
JP2001130921A (ja) * 1999-10-29 2001-05-15 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性基板の加工方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200510152A (en) 2005-03-16
US7723641B2 (en) 2010-05-25
EP1595668A4 (en) 2008-09-17
EP1595668B1 (en) 2011-09-14
US20060101858A1 (en) 2006-05-18
CN1747820A (zh) 2006-03-15
KR20050091069A (ko) 2005-09-14
ATE524285T1 (de) 2011-09-15
TWI319744B (ja) 2010-01-21
CN100506500C (zh) 2009-07-01
WO2004062868A1 (ja) 2004-07-29
EP1595668A1 (en) 2005-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2004062868A1 (ja) 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法並びに自動分断ライン
US7211526B2 (en) Laser based splitting method, object to be split, and semiconductor element chip
JP4408607B2 (ja) スクライブ方法及びスクライブ装置
KR100582506B1 (ko) 취성재료기판의 스크라이브 방법 및 스크라이브 장치
US8040520B2 (en) Device for detecting the edges of a workpiece, and a laser beam processing machine
US20060258047A1 (en) Method for laser cutting and method of producing function elements
EP1422750B1 (en) Method and apparatus for splitting semiconducor wafer
JP2006150385A (ja) レーザ割断方法
JP2014014841A (ja) 基板加工方法及び装置
CN100498305C (zh) 检查激光加工的受损层的方法
KR100551526B1 (ko) 취성재료 기판의 스크라이브 장치 및 스크라이브 방법
JP4776911B2 (ja) レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2006145810A (ja) 自動焦点装置、レーザ加工装置およびレーザ割断装置
JP2014015352A (ja) 基板加工方法及び装置
JP2009172668A (ja) レーザスクライブ装置及びレーザスクライブ方法
JP2014014840A (ja) 基板加工方法及び装置
JP2013107090A (ja) 脆性基板加工装置
TW201916139A (zh) 晶圓加工方法
TW592867B (en) An apparatus and a method for scribing brittle substrates
JP7417411B2 (ja) 確認方法
JP4161298B2 (ja) レーザーダイシング装置
JP2014014842A (ja) 基板加工方法及び装置
JP2008222517A (ja) 割断装置、およびフラットパネルディスプレイの製造方法
CN117300376A (zh) 激光加工装置
JPH0691384A (ja) レーザ加工機

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061218

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100617

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101214