JPWO2002097821A1 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、一般に不揮発性半導体記憶装置に関し、詳しくは窒化膜に電荷を蓄える不揮発性半導体記憶装置に関する。
背景技術
不揮発性半導体記憶装置には、バーチャルグランドアレイ構造において電荷捕獲層として窒化膜を使用し、物理的に1つのメモリセルトランジスタに2ビットの情報を格納可能とするものがある。このような不揮発性半導体記憶装置では、ビットライン間に存在する単一の窒化膜の両端を、2つの独立したメモリセルとして取り扱い、それぞれにホットエレクトロンを注入するか否かに応じて、合計2ビットのデータを格納することが出来る。これは、この場合の電荷捕獲層である窒化膜内では、電荷が移動しないという特性により可能となる。
一般に従来の不揮発性半導体記憶装置では、ホットエレクトロンを注入する書き込み動作において、ドレイン端に印加する書き込み電圧は全ビット共通である。また書き込みベリファイ動作時とデータの読み出し動作時において、ドレイン端に印加する電圧は同電圧である。
しかし上記のような単一の電荷捕獲層に2ビットの情報を格納する方式では、一方のセルの閾値は、他方のセル閾値の影響を受けてしまう。即ち、一方のセルが書き込まれている状態であるか消去されている状態であるかに応じて、他方のセルの閾値が変化することになる。従って、従来のように固定の書き込み電圧を用いたのでは、書き込み後の閾値が他方のセルの状態によって異なることになる。例えば、一方のセルが消去されている状態よりも書き込まれている状態の方が、他方のセルの書き込み後の閾値が高くなってしまう。
この結果、書き込み動作終了後、セクタ内の各メモリセル間で閾値のばらつきが生じてしまう。このように閾値にばらつきがあると、消去時のバンド間トンネル電流が異なることになり、消去後においてまた閾値ばらつきが大きくなり、消去時間の遅延や書き換え特性の劣化につながる。
以上を鑑みて、本発明は、書き込み後の閾値のばらつきを低減する不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。
発明の開示
本発明による不揮発性半導体記憶装置は、電荷捕獲層の両端に第1のビット及び第2のビットを2ビット格納可能なメモリセルトランジスタと、第1のビットのデータを読み出してデータ状態を判定する比較器と、データ状態が0か1かに応じて第2のビットに対する書き込み動作の電圧条件を変化させる電圧切り換え回路を含む。
上記発明においては、あるメモリセルトランジスタの電荷捕獲層の一端のメモリセルに書き込みをする場合、そのメモリセルトランジスタの電荷捕獲層の他端のメモリセルのデータに応じて、書き込み動作の電圧条件(書き込み電圧、ベリファイ電圧、リファレンスセル閾値電圧等)を変化させる。これによって、データ書き込み後の閾値にばらつきが生じるのを防ぐことが可能となる。
具体的には、セルBが消去状態(データ“1”)であるときには、セルAの書き込み後の閾値が相対的に低くなる傾向にあるので、相対的に高い書き込み電圧及びベリファイ電圧を用いることで、注入電荷量を大きくして、書き込み後の閾値を所望の値とする。またセルBが書き込み状態(データ“0”)であるときには、セルAの書き込み後の閾値が相対的に高くなる傾向にあるので、相対的に低い書き込み電圧及びベリファイ電圧を用いることで、注入電荷量を小さくして、書き込み後の閾値を所望の値とする。
本発明の別の側面によれば、不揮発性半導体記憶装置は、電荷捕獲層の両端に2ビット格納可能なメモリセルトランジスタと、メモリセルトランジスタに対して読み出し動作時に第1のドレイン電圧を供給すると共に書き込みベリファイ動作時に第1のドレイン電圧より高い第2のドレイン電圧を供給する電圧切り換え回路を含むことを特徴とする。
上記発明においては、書き込みベリファイ時のドレイン電圧を読み出し動作時のドレイン電圧よりも高くすることで、電荷捕獲層の他方のメモリセルからの影響を少なくし、書き込み後の閾値がばらつかないようにする。
発明を実施するための最良の形態
図1は、本発明による不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。
図1の不揮発性半導体記憶装置10は、制御回路11、入出力バッファ12、アドレスラッチ13、Xデコーダ14、Yデコーダ15、セルアレイ16、データラッチ(比較器)17、電圧切り換え回路18、消去回路19、チップイネーブル/出力イネーブル回路20、及び参照セル21を含む。
制御回路11は、制御信号を外部から受け取り、制御信号に基づいてステートマシンとして動作して、不揮発性半導体記憶装置10の各部の動作を制御する。
入出力バッファ12は、外部からデータを受け取り、このデータをデータラッチ17に供給する。アドレスラッチ13は、外部から供給されるアドレス信号を受け取りラッチすると共に、このアドレス信号をXデコーダ14及びYデコーダ15に供給する。Xデコーダ14は、アドレスラッチ13から供給されたアドレスをデコードして、セルアレイ16に設けられたワード線をデコード結果に応じて活性化させる。Yデコーダ15は、アドレスラッチ13から供給されたアドレスをデコードして、デコードアドレス信号に基づいて、セルアレイ16のビット線のデータを選択的に読み出してデータラッチ17に供給する。
セルアレイ16は、メモリセルトランジスタの配列、ワード線、ビット線等を含み、各メモリセルトランジスタに2ビットの情報を記憶する。データ読み出し時には、活性化ワード線で指定されるメモリセルからのデータが、ビット線に読み出される。プログラム或いはイレーズ時には、ワード線及びビット線をそれぞれの動作に応じた適当な電位に設定することで、メモリセルに対する電荷注入或いは電荷抜き取りの動作を実行する。
データラッチ(比較器)17は、Yデコーダ15を介してセルアレイ16から供給されたデータのレベルを、参照セル21の示す基準レベルと比較することで、データが0であるか1であるかの判定を行う。判定結果は読み出しデータとして、入出力バッファ12に供給される。またプログラム動作及びイレーズ動作に伴うベリファイ動作も、Yデコーダ15を介してセルアレイ16から供給されたデータのレベルを、参照セル21の示す基準レベルと比較することで行われる。
電圧切り換え回路18は、書き込み動作時(プログラム動作時)にワード線及びビット線に印加する電位、及び読み出し動作時にワード線及びビット線に印加する電位を生成して、Xデコーダ14に供給する。消去回路19は、イレーズ動作時にワード線及びビット線に印加する電位を生成して、セルアレイ16に対するセクタ単位の消去動作を実行する。
チップイネーブル/出力イネーブル回路20は、装置外部から制御信号としてチップイネーブル信号/CE及びアウトプットイネーブル信号/OEを受け取り、入出力バッファ12及びセルアレイ16の動作/非動作を制御する。
本発明の第1実施形態においては、あるメモリセルトランジスタの電荷捕獲層の一端のメモリセルに書き込みをする場合、そのメモリセルトランジスタの電荷捕獲層の他端のメモリセルのデータをまずデータラッチ17に読み出して、読み出されたデータ内容に応じて、電圧切り換え回路18が書き込み動作に関して生成する電圧を変化させる。
図2は、セルアレイ16の一部を示す図である。
図2に示されるように、セルアレイ16には、複数のワード線WL1乃至WL3及び複数のビット線B1乃至B6が配置される。また隣接する2本のビット線をドレイン及びソースとし、且つワード線をゲートとするように、複数のメモリセルトランジスタ22が縦横に配置される。
図3は、セルアレイ16の一部の断面図である。
図3の構成は、埋め込み拡散層110、ワード線111、電荷捕獲層112、ビットラインオキサイド113を含む。電荷捕獲層112は、電荷蓄積膜である窒化膜114及び酸化膜115を含むONO(Oxide Nitride Oxide)構成となっている。これによって、電荷捕獲層112にホットエレクトロンを格納可能なメモリセルトランジスタが形成される。ワード線111がメモリセルトランジスタのゲートに対応し、埋め込み拡散層110がメモリセルトランジスタのソース及びドレインに対応することになる。
本発明の理解を容易にするために、まず従来のデータ書き込み及びデータ読み出し動作に関して説明する。
あるメモリセルトランジスタに対応する2つの埋め込み拡散層110のうち、一方をドレインとして高電圧(例えば5V)を印加して、他方をソースとして基準電位(例えば電源グランドVSS)に接続する。更にこのメモリセルトランジスタに対応するワード線111に高電圧(例えば9V)を印加すると、ドレイン側(高電圧が印加されている側)の埋め込み拡散層110の付近にホットエレクトロンが発生し、電荷eが電荷捕獲蓄積膜114に注入される。この際、電荷捕獲蓄積膜114内で電荷eが蓄えられる位置は、ドレインとして高電圧が印加されている埋め込み拡散層110に近い側である。
次に、上記のドレイン側を今回はソース側として基準電位に接続し、上記のソース側を今回はドレイン側として高電圧を印加することで、電荷捕獲蓄積膜114の逆側の位置に電荷eを格納することが出来る。このようにして、電荷捕獲層112の両端にそれぞれ電荷eを注入することで、1つのメモリセルトランジスタに対して2ビットを格納することが可能になる。これは、電荷捕獲蓄積膜114の電荷捕獲材料である窒化膜114内では、電荷が移動しないという特性による。
注入された電荷(電子)の情報を読み出す場合には、書き込み時にドレイン側であった埋め込み拡散層110を基準電位とし、書き込み時にソース側であった埋め込み拡散層110に読み出し電圧(例えば1.5V)を印加する。また更に、ワード線111に対して読み出しゲート電圧(例えば5V)を印加する。このようにして、読み出し動作が実行される。
なお、注入された電荷(電子)を消去する際には、書き込み時にドレイン側であった埋め込み拡散層110に高電圧(例えば5V)を印加すると共に、書き込み時にソース側であった埋め込み拡散層110をフローティング状態とする。この状態で、ワード線111に負の高電圧(例えば−5V)を印加することで、高電圧が印加された拡散層110から基板へ流れるバンド間トンネル電流により発生したホールを電荷蓄積膜114に注入し、捕獲されている電子を中和することが出来る。これによって、消去動作が実行される。
上述のように、従来のデータ書き込みにおいては、ビット線の一方をドレインとして高電圧(例えば5V)を印加して、他方をソースとして基準電位(例えば電源グランドVSS)に接続し、更にこのメモリセルトランジスタに対応するワード線に高電圧(例えば9V)を印加する。しかし前述のように、電荷捕獲層の一端に存在するメモリセルの閾値は、他端に存在するメモリセルのデータの状態によって影響を受けてしまう。従って、このように択一的に書き込み電圧を印加したのでは、データ書き込み後の閾値にばらつきが生じる。
本発明の第1実施形態においては、あるメモリセルトランジスタの電荷捕獲層の一端のメモリセルに書き込みをする場合、そのメモリセルトランジスタの電荷捕獲層の他端のメモリセルのデータに応じて、書き込み電圧、ベリファイ電圧、及びリファレンスセル閾値電圧を変化させる。これによって、データ書き込み後の閾値にばらつきが生じるのを防ぐことが可能となる。
図4は、本発明の第1実施形態によるデータ書き込み動作を示すフローチャートである。このフローチャートは、あるメモリセルトランジスタの電荷捕獲層の一端のメモリセルをセルAとし、他端のメモリセルをセルBとし、セルAに対して書き込みをする場合を説明するためのものである。
まずステップS1において、セルBに対するベリファイ動作を実行する。図1を参照して説明すると、セルBのデータをセルアレイ16からYデコーダ15を介してデータラッチ17に読み出して、データレベルを参照セル21の基準レベルと比較することでデータ確認を行う。データが“1”であればステップS2に進み、“0”であればステップS3に進む。
ステップS2において、プログラムレベル1に設定する。またステップS3においては、プログラムレベル2に設定する。図1を参照して説明すると、データラッチ17から電圧切り換え回路18に供給されるデータ確認結果に基づいて、セルBのデータが“1”であれば、電圧切り換え回路18はセルAの書き込み用及びベリファイ用に生成する電圧をプログラムレベル1に設定する。またセルBのデータが“0”であれば、電圧切り換え回路18はセルAの書き込み用及びベリファイ用に生成する電圧をプログラムレベル2に設定する。
ステップS4において、設定されたプログラムレベルに従って、セルAのベリファイ動作を実行する。ベリファイ動作がパスの場合には、処理を終了する。フェイルの場合にはステップS5に進み、設定されたプログラムレベルに従って、セルAに対する書き込み動作を実行する。その後、ステップS4に戻って再度ベリファイ動作を実行する。
ここでステップS2及びステップS3で設定するプログラムレベルとは、書き込み動作時及びベリファイ動作時のドレイン電圧及びゲート電圧、更にベリファイ用参照セルの閾値電圧の各レベルを定めるものであり、一例としては、以下のようになる。
プログラムレベル1
セル書き込み電圧:Vg=9.0V,Vd=5.0V
セル書き込みベリファイ電圧:Vg=5.0V,Vd=1.0V
セル書き込みベリファイ参照セル閾値電圧:Vth=4.5V
プログラムレベル2
セル書き込み電圧:Vg=8.5V,Vd=4.5V
セル書き込みベリファイ電圧:Vg=4.5V,Vd=1.0V
セル書き込みベリファイ参照セル閾値電圧:Vth=4.0V
(但しVgはゲート電圧、Vdはドレイン電圧)
このようにセルBのデータ内容に応じて、セルAに対する書き込み及びベリファイ動作の電圧を制御することで、データ書き込み後の閾値のばらつきが生じないようにする。具体的には、セルBが消去状態(データ“1”)であるときには、セルAの書き込み後の閾値が相対的に低くなる傾向にあるので、プログラムレベル1のように相対的に高い書き込み電圧及びベリファイ電圧を用いることで、注入電荷量を大きくして、書き込み後の閾値を所望の値とする。またセルBが書き込み状態(データ“0”)であるときには、セルAの書き込み後の閾値が相対的に高くなる傾向にあるので、プログラムレベル2のように相対的に低い書き込み電圧及びベリファイ電圧を用いることで、注入電荷量を小さくして、書き込み後の閾値を所望の値とする。
以下に本発明の第2実施形態について説明する。
本発明の第2実施形態では、書き込みベリファイ時のドレイン電圧を読み出し時のドレイン電圧よりも高くすることで、電荷捕獲層の他方のメモリセルからの影響を少なくし、書き込み後の閾値がばらつかないようにする。
一般に、ドレイン電圧を高くすることによって、電荷捕獲層の他方のメモリセルからの影響を少なくすることが可能である。データ読み出し時のドレイン電圧を高くすることは、読み出し・ディスターブによるチャージゲインが起こるので好ましくない。しかしながら書き込みベリファイ動作において、ベリファイ電圧がメモリセルトランジスタに印加される時間は、読み出し動作において読み出し電圧が印加される時間よりも格段に短い。従って、書き込みベリファイ動作時には、ある程度高いベリファイ電圧を用いても問題は生じない。
図5は、ドレイン電圧とメモリセル間の閾値依存性を示す図である。
図5において、ドレイン電圧を横軸に示し、セルAの閾値を縦軸の一方に示し、セルAへの読み出しのストレスによるセルBの閾値シフト量を縦軸の他方に示す。折れ線C1は、セルAの読み出し或いはベリファイにおいてドレイン電圧を印加する際に、セルAの閾値がセルBの電荷の影響を受けてどのくらい上昇するかを示す。折れ線C1が示すように、ドレイン電圧が高い場合には、セルAの閾値に対するセルBの影響は殆ど存在しない。しかしドレイン電圧が低くなる程、セルAの閾値に対するセルBの影響は大きくなる。一般にデータ読み出しに用いられるドレイン電圧は1.5Vであり、図5に示されるように、1.5Vのドレイン電圧では、セルAの閾値はセルBの電荷の影響を受けて少なからず上昇してしまう。
図5において、折れ線C2は、セルAの読み出し動作においてドレイン電圧を印加すると、セルBの閾値がどれだけシフトするかを示す。折れ線C2が示すように、ドレイン電圧が低い場合には、セルAの読み出しストレスによるセルBへの読み出しディスターブは殆ど存在しない。しかしドレイン電圧が高くなる程、セルBへの読み出しディスターブの影響は大きくなる。一般にデータ読み出しに用いられるドレイン電圧は1.5Vであり、読み出しディスターブによるデータ化けがおこらない電圧に設定されている。
上述したように、書き込みベリファイ動作において、ベリファイ電圧がメモリセルトランジスタに印加される時間は、読み出し動作において読み出し電圧が印加される時間よりも格段に短い。従って、書き込みベリファイ動作時にある程度高いベリファイ電圧を用いても、セルAの読み出しストレスによるセルBへのディスターブが問題となることはない。
本発明では、セルAに対する書き込みベリファイ動作時のドレイン電圧を、セルBからの影響を受けない例えば約2.5Vとする。またこのドレイン電圧は、書き込みベリファイ動作によって、セルBに誤書き込みが生じない程度の電圧である。図5から分かるように、書き込みベリファイ動作時のドレイン電圧は、読み出し動作時のドレイン電圧より高い電圧に設定されることになる。
図1を参照して説明すれば、電圧切り換え回路18が、書き込み動作時にワード線及びビット線に印加する電位、及び読み出し動作時にワード線及びビット線に印加する電位を生成する。例えば第1実施形態では、読み出し動作時にドレイン端のビット線に印加する電位1.5Vを、書き込みベリファイ時にもドレイン端に印加する構成でよい。この第2実施形態では、電圧切り換え回路18は、更に書き込みベリファイ用のドレイン端電位として例えば2.5Vを生成して、これをXデコーダ14に供給する。
図6は、読み出し動作時と書き込みベリファイ動作時との電圧設定の違いを示す図である。
図6(a)は、読み出し動作時に、メモリセルトランジスタ22のゲート、ドレイン、及びソース端にそれぞれ印加される電圧を示す。ゲートにはVg=5Vが印加され、ドレイン及びソースにはそれぞれVd=1.5V及びVs=0Vが供給される。なおここに示されるのは、セルAに対する読み出し動作であり、セルBには電荷eが注入されている状態である。
図6(b)は、書き込みベリファイ動作時に、メモリセルトランジスタ22のゲート、ドレイン、及びソース端にそれぞれ印加される電圧を示す。ゲートにはVg=5Vが印加され、ドレイン及びソースにはそれぞれVd=2.5V及びVs=0Vが供給される。
このように本発明の第2実施形態では、誤書き込みが生じない程度に、書き込みベリファイ時のドレイン電圧を読み出し時のドレイン電圧より高くすることで、電荷捕獲層の他方のメモリセルからの影響を少なくし、書き込み後の閾値がばらつかないようにする。
なお上記第1実施形態と第2実施形態は、独立して実施可能であるが、両方を同時に実施するように構成してもよい。
以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明による不揮発性半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。
図2は、セルアレイの一部を示す図である。
図3は、セルアレイの一部の断面図である。
図4は、本発明の第1実施形態によるデータ書き込み動作を示すフローチャートである。
図5は、ドレイン電圧とメモリセル間の閾値依存性を示す図である。
図6は、読み出し動作時と書き込みベリファイ動作時との電圧設定の違いを示す図である。
Claims (8)
- 電荷捕獲層の両端に第1のビット及び第2のビットを2ビット格納可能なメモリセルトランジスタと、
該第1のビットのデータを読み出してデータ状態を判定する比較器と、
該データ状態が0か1かに応じて該第2のビットに対する書き込み動作の電圧条件を変化させる電圧切り換え回路
を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 該電圧切り換え回路は、該第2のビットに対する書き込み電圧を該データ状態が0か1かに応じて変化させることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該電圧切り換え回路は、該第2のビットに対する書き込みベリファイ電圧を該データ状態が0か1かに応じて変化させることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該データ状態が0か1かに応じて書き込みベリファイ時の閾値電圧が変化する参照セルを更に含むことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 電荷捕獲層の両端に2ビット格納可能なメモリセルトランジスタと、
該メモリセルトランジスタに対して読み出し動作時に第1のドレイン電圧を供給すると共に書き込みベリファイ動作時に該第1のドレイン電圧より高い第2のドレイン電圧を供給する電圧切り換え回路
を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 該第2のドレイン電圧は、該2ビットの一方のビットを書き込みベリファイする際に他方のビットの影響を受けない程度高い電圧であり、且つ該他方のビットに誤書き込みをしない程度に低い電圧であることを特徴とする請求項5記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 電荷捕獲層の両端に第1のビット及び第2のビットを2ビット格納可能なメモリセルトランジスタから該第1のビットのデータを読み出してデータ状態を判定し、
該データ状態が0か1かに応じて該第2のビットに対する書き込み動作の電圧条件を決定し、
該決定された電圧条件で該第2のビットに対する書き込み動作を実行する
各段階を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。 - 電荷捕獲層の両端に2ビット格納可能なメモリセルトランジスタにデータを書き込む際に、書き込みベリファイ時には該メモリセルトランジスタに読み出し動作時に印加する第1のドレイン電圧より高い第2のドレイン電圧を印加してデータを読み出す段階を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2001/004408 WO2002097821A1 (fr) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | Dispositif de stockage non volatile a semi-conducteur |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2002097821A1 true JPWO2002097821A1 (ja) | 2004-09-16 |
JP4674042B2 JP4674042B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=11737353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003500918A Expired - Fee Related JP4674042B2 (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6950343B2 (ja) |
JP (1) | JP4674042B2 (ja) |
KR (1) | KR100629193B1 (ja) |
WO (1) | WO2002097821A1 (ja) |
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2001
- 2001-05-25 KR KR1020037015332A patent/KR100629193B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-05-25 JP JP2003500918A patent/JP4674042B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-25 WO PCT/JP2001/004408 patent/WO2002097821A1/ja active IP Right Grant
-
2003
- 2003-11-21 US US10/717,622 patent/US6950343B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040012856A (ko) | 2004-02-11 |
JP4674042B2 (ja) | 2011-04-20 |
US20040100825A1 (en) | 2004-05-27 |
US6950343B2 (en) | 2005-09-27 |
KR100629193B1 (ko) | 2006-09-28 |
WO2002097821A1 (fr) | 2002-12-05 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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