JPS644642B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS644642B2 JPS644642B2 JP57175716A JP17571682A JPS644642B2 JP S644642 B2 JPS644642 B2 JP S644642B2 JP 57175716 A JP57175716 A JP 57175716A JP 17571682 A JP17571682 A JP 17571682A JP S644642 B2 JPS644642 B2 JP S644642B2
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- Japan
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- resistor
- printed resistor
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- Expired
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアルミナ等のセラミツク基板に互に対
向する導体層を形成し、これらの導体層間に抵抗
ペーストを用いて印刷抵抗体を形成したいわゆる
厚膜の抵抗器に関する。
向する導体層を形成し、これらの導体層間に抵抗
ペーストを用いて印刷抵抗体を形成したいわゆる
厚膜の抵抗器に関する。
従来例の構成とその問題点
一般に厚膜抵抗器は第１図に示すようにアルミ
ナ等のセラミツク基板１に互に対向するように導
体層２を形成し、これらの導体層２，２間に所要
の印刷抵抗体３を形成することによつて構成され
ている。そして、印刷抵抗体３の抵抗値を正確に
規定の値に調整する場合には、第１図、第２図に
示すように印刷抵抗体３の側方から印刷抵抗体３
の中央部までレーザ光線を当てここに切欠４を形
成するようにしている。ところでこの種のもので
はレーザ光線を当てるスタートポイントが直接ア
ルミナ等の基板１上になり、したがつて、レーザ
光線のポンピング効果により、第２図に示すよう
に上記スタートポイントが異常に深く切削加工さ
れ、セラミツク基板１そのものの強度が低下した
り、印刷抵抗体そのものの耐湿性が低下したりす
るなど余り好ましいものではなかつた。
ナ等のセラミツク基板１に互に対向するように導
体層２を形成し、これらの導体層２，２間に所要
の印刷抵抗体３を形成することによつて構成され
ている。そして、印刷抵抗体３の抵抗値を正確に
規定の値に調整する場合には、第１図、第２図に
示すように印刷抵抗体３の側方から印刷抵抗体３
の中央部までレーザ光線を当てここに切欠４を形
成するようにしている。ところでこの種のもので
はレーザ光線を当てるスタートポイントが直接ア
ルミナ等の基板１上になり、したがつて、レーザ
光線のポンピング効果により、第２図に示すよう
に上記スタートポイントが異常に深く切削加工さ
れ、セラミツク基板１そのものの強度が低下した
り、印刷抵抗体そのものの耐湿性が低下したりす
るなど余り好ましいものではなかつた。
発明の目的
本発明は以上のような従来の欠点を除去するも
のであり、簡単な構成で容易に優れた厚膜抵抗器
を提供するものである。
のであり、簡単な構成で容易に優れた厚膜抵抗器
を提供するものである。
発明の構成
本発明は印刷抵抗体の側方に別の層を設け、こ
の層から印刷抵抗体に向けてレーザ光線による切
欠を形成するように構成したものであり、レーザ
光線のポンピング効果による異常な加工深さを上
記層によつて効果的に阻止するものである。
の層から印刷抵抗体に向けてレーザ光線による切
欠を形成するように構成したものであり、レーザ
光線のポンピング効果による異常な加工深さを上
記層によつて効果的に阻止するものである。
実施例の説明
第３図、第４図は本発明の厚膜抵抗器における
一実施例を示すものであり、図中第１図、第２図
と同一付号を付したものは第１図、第２図に示す
ものと同一のものを示している。そして、５は印
刷抵抗体３を形成する前に上記印刷抵抗体３を印
刷する部分を含めて上記印刷抵抗体３の側方に突
出するように上記セラミツク基板１上に印刷、乾
燥、焼成して形成された低誘電率のガラス層であ
り、レーザ光線による切欠４は上記印刷抵抗体３
の側方に位置する上記ガラス層５から上記印刷抵
抗体３に向けて形成するようにしている。
一実施例を示すものであり、図中第１図、第２図
と同一付号を付したものは第１図、第２図に示す
ものと同一のものを示している。そして、５は印
刷抵抗体３を形成する前に上記印刷抵抗体３を印
刷する部分を含めて上記印刷抵抗体３の側方に突
出するように上記セラミツク基板１上に印刷、乾
燥、焼成して形成された低誘電率のガラス層であ
り、レーザ光線による切欠４は上記印刷抵抗体３
の側方に位置する上記ガラス層５から上記印刷抵
抗体３に向けて形成するようにしている。
したがつて、上記実施例によれば、第４図に示
すようにレーザ光線による切欠４をスタートポイ
ントから印刷抵抗体３の中央部までほゞ均一に形
成することができ、セラミツク基板そのものの切
削がきわめて少なくなるという利点を有する。す
なわち、上記実施例によればレーザ光線の切欠４
のスタートポイントにガラス層５が別に形成され
ているため、仮にここでレーザ光線のポンピング
効果による異常な加工深さが生じたとしても上記
層５によつてこれを吸収することができ、セラミ
ツク基板１そのものの切欠はきわめて浅いものに
なり、その強度が極端に低下したり、印刷抵抗体
の耐湿性を悪化させたりするということがほとん
どないという利点を有する。
すようにレーザ光線による切欠４をスタートポイ
ントから印刷抵抗体３の中央部までほゞ均一に形
成することができ、セラミツク基板そのものの切
削がきわめて少なくなるという利点を有する。す
なわち、上記実施例によればレーザ光線の切欠４
のスタートポイントにガラス層５が別に形成され
ているため、仮にここでレーザ光線のポンピング
効果による異常な加工深さが生じたとしても上記
層５によつてこれを吸収することができ、セラミ
ツク基板１そのものの切欠はきわめて浅いものに
なり、その強度が極端に低下したり、印刷抵抗体
の耐湿性を悪化させたりするということがほとん
どないという利点を有する。
尚、第３図、第４図に示す実施例では印刷抵抗
体３の下面と側方に一体にレーザ光線のポンピン
グ効果による異常な加工深さの影響を小さくする
ガラス層５を形成しているが、ガラス層５は印刷
抵抗体３の側方にのみ形成するようにしても良
い。
体３の下面と側方に一体にレーザ光線のポンピン
グ効果による異常な加工深さの影響を小さくする
ガラス層５を形成しているが、ガラス層５は印刷
抵抗体３の側方にのみ形成するようにしても良
い。
また、第５図〜第７図に示すようにガラス層５
に代えて印刷抵抗体３の側方にこの印刷抵抗体３
と一体に突出部６を形成し、この突出部６によつ
てレーザ光線のポンピング効果による異常な加工
深さの影響を小さくするようにしても良い。この
ようにした場合には突出部６を印刷抵抗体３と同
時に一体に印刷し、乾燥、焼成することができ、
その製造がより簡単になるという利点を有する。
尚、第５図〜第７図に示すように突出部６を形成
した場合には切欠４を突出部６から一旦外に出
し、再び突出部６に入れて印刷抵抗体３の中央部
に至るようにほゞＬ字状に形成する必要がある。
に代えて印刷抵抗体３の側方にこの印刷抵抗体３
と一体に突出部６を形成し、この突出部６によつ
てレーザ光線のポンピング効果による異常な加工
深さの影響を小さくするようにしても良い。この
ようにした場合には突出部６を印刷抵抗体３と同
時に一体に印刷し、乾燥、焼成することができ、
その製造がより簡単になるという利点を有する。
尚、第５図〜第７図に示すように突出部６を形成
した場合には切欠４を突出部６から一旦外に出
し、再び突出部６に入れて印刷抵抗体３の中央部
に至るようにほゞＬ字状に形成する必要がある。
このようにすると切欠４のそれぞれの断面が第
６図、第７図に示すようにほゞ全体に亘つて均一
になり、第３図、第４図に示す実施例と同様の効
果を得ることができる。
６図、第７図に示すようにほゞ全体に亘つて均一
になり、第３図、第４図に示す実施例と同様の効
果を得ることができる。
発明の効果
本発明は上記実施例より明らかなように基板上
に形成された互に対向する導体層間に印刷抵抗体
を形成すると共にこの印刷抵抗体の側方にレーザ
光線のポンピング効果による異常な加工深さの影
響を小さくする層を形成し、この層をスタートポ
イントとして上記印刷抵抗体に抵抗値を調整する
レーザ光線による切欠を形成したものであり、し
たがつて、本発明によればレーザ光線のポンピン
グ効果による基板の異常な加工深さによる影響を
効果的に阻止することができ、実用上きわめて有
利なものである。
に形成された互に対向する導体層間に印刷抵抗体
を形成すると共にこの印刷抵抗体の側方にレーザ
光線のポンピング効果による異常な加工深さの影
響を小さくする層を形成し、この層をスタートポ
イントとして上記印刷抵抗体に抵抗値を調整する
レーザ光線による切欠を形成したものであり、し
たがつて、本発明によればレーザ光線のポンピン
グ効果による基板の異常な加工深さによる影響を
効果的に阻止することができ、実用上きわめて有
利なものである。
第１図は従来の厚膜抵抗器の概略正面図、第２
図は同抵抗器のＡ−A′断面図、第３図は本発明
の厚膜抵抗器における一実施例の概略正面図、第
４図は同実施例のＢ−B′断面図、第５図は他の
実施例の概略正面図、第６図、第７図は同実施例
のＣ−C′断面図及びＤ−D′断面図である。 １……基板、２……導体層、３……印刷抵抗
体、４……切欠、５……ガラス層、６……突出
部。
図は同抵抗器のＡ−A′断面図、第３図は本発明
の厚膜抵抗器における一実施例の概略正面図、第
４図は同実施例のＢ−B′断面図、第５図は他の
実施例の概略正面図、第６図、第７図は同実施例
のＣ−C′断面図及びＤ−D′断面図である。 １……基板、２……導体層、３……印刷抵抗
体、４……切欠、５……ガラス層、６……突出
部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に形成された互に対向する導体層間に
印刷抵抗体を形成すると共にこの印刷抵抗体の側
方にレーザ光線のポンピング効果による影響を小
さくする層を形成し、この層から上記印刷抵抗体
に向けて上記印刷抵抗体の抵抗値を調整するため
のレーザ光線による切欠を形成して成る厚膜抵抗
器。 ２ レーザ光線のポンピング効果による影響を小
さくする層を低誘電率のガラス層によつて形成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
厚膜抵抗器。 ３ レーザ光線のポンピング効果による影響を小
さくする層を互に対向する導体層間に形成された
印刷抵抗体と同一材料で一体に形成して成る特許
請求の範囲第１項記載の厚膜抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175716A JPS5965403A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 厚膜抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175716A JPS5965403A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 厚膜抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965403A JPS5965403A (ja) | 1984-04-13 |
| JPS644642B2 true JPS644642B2 (ja) | 1989-01-26 |
Family
ID=16000982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57175716A Granted JPS5965403A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 厚膜抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965403A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4522109A (en) * | 1983-11-21 | 1985-06-11 | J. I. Case Company | Leak-detecting hydraulic system |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57175716A patent/JPS5965403A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5965403A (ja) | 1984-04-13 |
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