JPS643310B2 - - Google Patents
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- JPS643310B2 JPS643310B2 JP16547181A JP16547181A JPS643310B2 JP S643310 B2 JPS643310 B2 JP S643310B2 JP 16547181 A JP16547181 A JP 16547181A JP 16547181 A JP16547181 A JP 16547181A JP S643310 B2 JPS643310 B2 JP S643310B2
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- JP
- Japan
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- phosphor
- thin film
- fluorescent surface
- phosphor layer
- forming
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Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 6
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2271—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines by photographic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、螢光表示管における螢光面の形成方
法、特に、陽極電極からはみ出した螢光体を除去
する方法に関するものである。
法、特に、陽極電極からはみ出した螢光体を除去
する方法に関するものである。
従来螢光表示管において、陽極電極上に螢光面
を形成する方法としては、電着法や印刷法等が用
いられているが、配線パターンおよびピツチの寸
法の微細化が進むにつれて、上記方法によつて螢
光体を被着形成した場合の陽極電極からのはみ出
しが無視できないものとなつて来ている。
を形成する方法としては、電着法や印刷法等が用
いられているが、配線パターンおよびピツチの寸
法の微細化が進むにつれて、上記方法によつて螢
光体を被着形成した場合の陽極電極からのはみ出
しが無視できないものとなつて来ている。
第１図に、この種の螢光面を示す。同図ａは平
面図、ｂは断面図である。第１図において、ガラ
ス基板１の表面上に形成した陽極電極としての
Al薄膜２の上に被着した螢光体３が、当該Al薄
膜２の周辺部に不規則にはみ出している。今、例
えば50μｍピツチ、30μｍ幅のAl薄膜パターンに
螢光体を電着した場合、螢光体の陽極電極からの
はみ出しは片側で20μｍ以上にもなり、螢光面の
幅は70μｍとなつて隣接螢光面と完全に接触して
しまう。
面図、ｂは断面図である。第１図において、ガラ
ス基板１の表面上に形成した陽極電極としての
Al薄膜２の上に被着した螢光体３が、当該Al薄
膜２の周辺部に不規則にはみ出している。今、例
えば50μｍピツチ、30μｍ幅のAl薄膜パターンに
螢光体を電着した場合、螢光体の陽極電極からの
はみ出しは片側で20μｍ以上にもなり、螢光面の
幅は70μｍとなつて隣接螢光面と完全に接触して
しまう。
本発明は、以上のような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、陽極電極からはみ出し
た螢光体を除去して螢光面の形状を整形し、微細
な螢光面の形成を可能にする螢光面の形成方法を
提供することにある。
ものであり、その目的は、陽極電極からはみ出し
た螢光体を除去して螢光面の形状を整形し、微細
な螢光面の形成を可能にする螢光面の形成方法を
提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、
陽極電極上に形成した螢光体にポジ型レジストを
含浸させ、陽極電極をフオトマスクとして基板裏
面から露光するフオトリソグラフイの手法を用い
て前記陽極電極からはみ出した螢光体を除去し、
当該陽極電極通りの形状の螢光面を得るものであ
る。従つて、この場合、陽極電極の螢光面部位は
不透光性であること、また基板は透光性であるこ
とが前提である。以下、実施例を用いて本発明を
詳細に説明する。
陽極電極上に形成した螢光体にポジ型レジストを
含浸させ、陽極電極をフオトマスクとして基板裏
面から露光するフオトリソグラフイの手法を用い
て前記陽極電極からはみ出した螢光体を除去し、
当該陽極電極通りの形状の螢光面を得るものであ
る。従つて、この場合、陽極電極の螢光面部位は
不透光性であること、また基板は透光性であるこ
とが前提である。以下、実施例を用いて本発明を
詳細に説明する。
第２図は、本発明の一実施例により形成した螢
光面を示す。同図においてａは平面図、ｂは断面
図である。
光面を示す。同図においてａは平面図、ｂは断面
図である。
このような螢光面を形成する場合、先ず、ガラ
ス基板１の表面上にスパツタ法もしくは蒸着法に
より１〜2μｍの厚みのAl薄膜を形成し、フオト
エツチング法により例えば線幅20〜50μｍ、ピツ
チ30〜100μｍの微細な短冊状のAl薄膜２からな
る陽極パターンを形成する。次いで、この基板に
通常の電着法により20〜40μｍ厚の螢光体層を被
着形成する。この時、螢光体層は、その下のAl
薄膜２の周囲より20〜40μｍ程度不規則な形状に
はみ出している。
ス基板１の表面上にスパツタ法もしくは蒸着法に
より１〜2μｍの厚みのAl薄膜を形成し、フオト
エツチング法により例えば線幅20〜50μｍ、ピツ
チ30〜100μｍの微細な短冊状のAl薄膜２からな
る陽極パターンを形成する。次いで、この基板に
通常の電着法により20〜40μｍ厚の螢光体層を被
着形成する。この時、螢光体層は、その下のAl
薄膜２の周囲より20〜40μｍ程度不規則な形状に
はみ出している。
次に、この螢光体層を電着した基板にポジ型レ
ジストをスピンナ法を用いて塗布し、所定の時間
プリベーキングを行なう。この結果、レジストは
螢光体層に含浸し、螢光体層はレジストにより基
板に固着された状態となる。
ジストをスピンナ法を用いて塗布し、所定の時間
プリベーキングを行なう。この結果、レジストは
螢光体層に含浸し、螢光体層はレジストにより基
板に固着された状態となる。
次いで、基板の裏側から露光を行ない、引続
き、現像、リンスを行なつた後に乾燥すれば、
Al薄膜２の周囲からはみ出した螢光体層はレジ
ストと共に溶解除去されて、Al薄膜２の形状の
通りの螢光体３のみが残つた状態となる。この場
合、螢光体層上に付着したレジストは、露光され
ず、従つて現像液にも溶解しないが、ガラス基板
１との境界部分は露光されて現像液に溶解するた
め、この部分のレジストと共に剥れ落ちて除去さ
れる。なお、裏面からの露光のみでは、特に上層
部のレジストを除去するのに十分な露光量が得ら
れない場合には、基板表面側からの露光を併せて
行なつて露光不足を補つてもよい。その場合表面
側からの露光に際しては、Al薄膜２に対応した
透孔を有するフオトマスクを使用する。また、裏
面からの露光と補助的な表面からの露光は同時に
行なつてもよいし別々に行なつてもよい。
き、現像、リンスを行なつた後に乾燥すれば、
Al薄膜２の周囲からはみ出した螢光体層はレジ
ストと共に溶解除去されて、Al薄膜２の形状の
通りの螢光体３のみが残つた状態となる。この場
合、螢光体層上に付着したレジストは、露光され
ず、従つて現像液にも溶解しないが、ガラス基板
１との境界部分は露光されて現像液に溶解するた
め、この部分のレジストと共に剥れ落ちて除去さ
れる。なお、裏面からの露光のみでは、特に上層
部のレジストを除去するのに十分な露光量が得ら
れない場合には、基板表面側からの露光を併せて
行なつて露光不足を補つてもよい。その場合表面
側からの露光に際しては、Al薄膜２に対応した
透孔を有するフオトマスクを使用する。また、裏
面からの露光と補助的な表面からの露光は同時に
行なつてもよいし別々に行なつてもよい。
次に、580℃、30分程度の焼成を行なつて不用
となつたレジストを除去することにより、螢光体
のはみ出しのない良好な螢光面が形成できる。
となつたレジストを除去することにより、螢光体
のはみ出しのない良好な螢光面が形成できる。
ドツト状の螢光面を形成する場合には、陽極電
極のドツト部分を例えばAlなどからなる不透明
薄膜で形成し、その他の部分は例えばIn2O3など
からなる透明薄膜で形成することにより、上記不
透明薄膜からなるドツト部分の形状通りの螢光面
を容易に形成することができる。
極のドツト部分を例えばAlなどからなる不透明
薄膜で形成し、その他の部分は例えばIn2O3など
からなる透明薄膜で形成することにより、上記不
透明薄膜からなるドツト部分の形状通りの螢光面
を容易に形成することができる。
次に、普通紙にプリントできるオプチカル・プ
リンタ用の発光素子アレイとして用いる螢光表示
管の螢光面を形成する場合について、より具体的
に説明する。
リンタ用の発光素子アレイとして用いる螢光表示
管の螢光面を形成する場合について、より具体的
に説明する。
具体例 １
第３図に示すように、所定の寸法に切断し洗浄
したガラス基板１の上に、蒸着法により0.2μｍ厚
の透明薄膜を全面に形成し、次いで、短冊状にパ
ターニングして線幅50μｍ、ピツチ100μｍの透明
薄膜４からなる陽極パターンを2048本形成した。
次に、螢光体を形成すべき部分、即ち短冊状の各
透明薄膜４の先端部に、通常のフオトエツチング
法を用いて50μｍ×50μｍの寸法で1.5μｍ厚のAl
薄膜２を形成した。次いで、この基板に、電着法
により螢光体層を形成した。電着条件は、
DC150V、３分間印加であり、これにより、
ZnO：Zn螢光体が25μｍ厚に形成できた。次に、
原液５部に対して１部のシンナーを加えて希釈し
たAZ1350ポジレジスト（シプレイ社製）を回転
数1200rpm、１分間の条件で回転塗布した後、70
℃、10分間のプリベーキングを行なつた。次い
で、基板裏面から、露光強度1100ｍＷ／cm2の水銀
ランプで２分間露光した後、専用の現像液（１：
１希釈液）により１分間現像し、流水でリンスし
た後乾燥した。乾燥後、基板を電気炉に入れ、
580℃、35分間の焼成を行なつてレジストを除去
し、螢光面の形成を完了した。
したガラス基板１の上に、蒸着法により0.2μｍ厚
の透明薄膜を全面に形成し、次いで、短冊状にパ
ターニングして線幅50μｍ、ピツチ100μｍの透明
薄膜４からなる陽極パターンを2048本形成した。
次に、螢光体を形成すべき部分、即ち短冊状の各
透明薄膜４の先端部に、通常のフオトエツチング
法を用いて50μｍ×50μｍの寸法で1.5μｍ厚のAl
薄膜２を形成した。次いで、この基板に、電着法
により螢光体層を形成した。電着条件は、
DC150V、３分間印加であり、これにより、
ZnO：Zn螢光体が25μｍ厚に形成できた。次に、
原液５部に対して１部のシンナーを加えて希釈し
たAZ1350ポジレジスト（シプレイ社製）を回転
数1200rpm、１分間の条件で回転塗布した後、70
℃、10分間のプリベーキングを行なつた。次い
で、基板裏面から、露光強度1100ｍＷ／cm2の水銀
ランプで２分間露光した後、専用の現像液（１：
１希釈液）により１分間現像し、流水でリンスし
た後乾燥した。乾燥後、基板を電気炉に入れ、
580℃、35分間の焼成を行なつてレジストを除去
し、螢光面の形成を完了した。
このようにして形成された螢光体３は、顕微鏡
により側定した結果、その寸法が平均51μｍ×
50μｍで、その形状はAl薄膜２の形状と殆んど同
一であり、Al薄膜２の周囲への不規則なはみ出
しは全く観察できなかつた。
により側定した結果、その寸法が平均51μｍ×
50μｍで、その形状はAl薄膜２の形状と殆んど同
一であり、Al薄膜２の周囲への不規則なはみ出
しは全く観察できなかつた。
なお、上述したと同様の方法により線幅15μ
ｍ、ピツチ30μｍの陽極パターンについても螢光
面の形成を行なつたが、上述したと同様に精度の
高い良好な螢光面を形成することができた。
ｍ、ピツチ30μｍの陽極パターンについても螢光
面の形成を行なつたが、上述したと同様に精度の
高い良好な螢光面を形成することができた。
具体例 ２
所定の寸法に切断し、洗浄したガラス基板上
に、プレーナマグネトロンスパツタ法により1.5μ
ｍ厚のAl薄膜を全面に形成し、次いでこれをパ
ターニングして、線幅50μｍ、ピツチ100μｍの短
冊型の陽極パターンを2048本形成した。次に、バ
インダーを混練した螢光体ペーストを、上記短冊
型陽極パターンの先端部を連ねるように100μｍ
幅の帯状に25μｍ厚に印刷し、乾燥後、560℃、
35分間の焼成を行なつてバインダを除去した。次
いで、このように螢光体を被着した基板上に、具
体例１に述べたと同様の方法によりAZ1350レジ
ストを塗布し、露光、現像、リンス、乾燥後、不
用となつたレジストを焼成して螢光面の形成を完
了した。
に、プレーナマグネトロンスパツタ法により1.5μ
ｍ厚のAl薄膜を全面に形成し、次いでこれをパ
ターニングして、線幅50μｍ、ピツチ100μｍの短
冊型の陽極パターンを2048本形成した。次に、バ
インダーを混練した螢光体ペーストを、上記短冊
型陽極パターンの先端部を連ねるように100μｍ
幅の帯状に25μｍ厚に印刷し、乾燥後、560℃、
35分間の焼成を行なつてバインダを除去した。次
いで、このように螢光体を被着した基板上に、具
体例１に述べたと同様の方法によりAZ1350レジ
ストを塗布し、露光、現像、リンス、乾燥後、不
用となつたレジストを焼成して螢光面の形成を完
了した。
このようにして形成された螢光体の寸法は平均
52μｍ×118μｍであり、陽極パターンの周囲への
不規則なはみ出しは全く見られなかつた。
52μｍ×118μｍであり、陽極パターンの周囲への
不規則なはみ出しは全く見られなかつた。
以上説明したように、本発明によれば、微細な
陽極パターンからの螢光体のはみ出しを完全に取
除き、鮮明な螢光体パターンを形成することがで
きる。また、陽極パターンをフオトマスクとして
用いるために、螢光面形成のための専用のフオト
マスクが不要であると共に、マスク合せ工程も不
要となり、工程が簡略化され、経済性も高い等の
種々優れた効果を有する。
陽極パターンからの螢光体のはみ出しを完全に取
除き、鮮明な螢光体パターンを形成することがで
きる。また、陽極パターンをフオトマスクとして
用いるために、螢光面形成のための専用のフオト
マスクが不要であると共に、マスク合せ工程も不
要となり、工程が簡略化され、経済性も高い等の
種々優れた効果を有する。
第１図ａおよびｂは従来方法により形成したけ
い光面を示す平面図および断面図、第２図ａおよ
びｂは本発明の一実施例により形成したけい光面
を示す平面図および断面図、第３図ａおよびｂは
本発明の他の実施例により形成したけい光面を示
す平面図および断面図である。 １……ガラス基板、２……Al薄膜、３……螢
光体、４……透明薄膜。
い光面を示す平面図および断面図、第２図ａおよ
びｂは本発明の一実施例により形成したけい光面
を示す平面図および断面図、第３図ａおよびｂは
本発明の他の実施例により形成したけい光面を示
す平面図および断面図である。 １……ガラス基板、２……Al薄膜、３……螢
光体、４……透明薄膜。
Claims (1)
- １ 透光性を有するガラス基板上に、螢光性を形
成する部分が不透光性の電極パターンを形成する
工程と、この電極パターン上に螢光体層を被着形
成する工程と、この螢光体層上にポジ型フオトレ
ジストを含浸させた後、前記ガラス基板の裏面か
ら露光する工程と、現像により被露光部のポジ型
フオトレジストおよび螢光体層を剥離除去する工
程とを含むことを特徴とする螢光面の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16547181A JPS5866236A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 螢光面の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16547181A JPS5866236A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 螢光面の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866236A JPS5866236A (ja) | 1983-04-20 |
| JPS643310B2 true JPS643310B2 (ja) | 1989-01-20 |
Family
ID=15813037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16547181A Granted JPS5866236A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 螢光面の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866236A (ja) |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP16547181A patent/JPS5866236A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5866236A (ja) | 1983-04-20 |
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