JPS643239B2 - - Google Patents
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- JPS643239B2 JPS643239B2 JP18677680A JP18677680A JPS643239B2 JP S643239 B2 JPS643239 B2 JP S643239B2 JP 18677680 A JP18677680 A JP 18677680A JP 18677680 A JP18677680 A JP 18677680A JP S643239 B2 JPS643239 B2 JP S643239B2
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- liquid crystal
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、二色性色素を含有した誘電異方性が
負のネマチツク液晶を用いたゲスト―ホスト液晶
表示装置の改良に関する。 電界印加時に着色する、いわゆるポジ型表示の
ゲスト―ホスト液晶表示装置として、遷移モーメ
ントの方向が分子軸と直交する色素を用いる方法
（特開昭54−111847号），パネル構造を工夫する方
法等があるが、数多く製作されているのは、負の
誘電異方性を持つネマチツク液晶と分子軸に平行
な遷移モーメントを持つ二色性色素の組み合わせ
である。 しかるに、誘電異方性が負のネマチツク液晶だ
けでは誘電異方性の絶対値が小さく、10V以上の
高い駆動電圧を必要とする。駆動電圧を下げる方
法として、公開特許報，昭54−67578号，昭55−
72156号に示されるような、負の誘電異方性が大
きな添加物を混入させる方法が考えられている。
これらの添加物に要求されるのは、大きな負の誘
電異方性，被添加液晶の応答性，液晶性を損なわ
ないこと、被添加液晶の安定性を害さないことで
ある。これらを完全に満足する物質は現在のとこ
ろ得られていないが、使用に耐えうるものは、前
述の公開特許公報の中に数種類見られるだけであ
る。 このように優れた添加物質の開発が、鋭意なさ
れているが、添加される液晶，基板の界面処理に
ついても、同様に検討がなされなければならな
い。 本発明の目的は、安定かつ低電圧で、十分な応
答性を有するポジ型ゲスト―ホスト液晶表示装置
を提供することにある。 本発明は、上述の目的を達成するために、一般
式が で与えられる新規な化合物（式中、R3，R4は炭
素数が５又は７の直鎖アルキル基）を、一般式が で与えられるフエニルシクロヘキシルカーボネー
ト系液晶（式中、R1は炭素数が３〜５の直鎖ア
ルキル基、R2は炭素数が１，２のアルキル基又
は４の直鎖アルキル基）に添加した液晶組成物を
用いたものである。 以下、実施例に基づき、本発明の詳細な説明を
する。 第１図に、対向する２枚の電極にクロム錯対等
の垂直配向処理を施したパネルに於ける、二色性
色素を液晶分子の配向状態を示す。電界が印
加されていない状態ａでは、液晶分子，二色性色
素共に基板に対し垂直に配向する。この状態は、
着色の薄いOFF状態である。このパネルに電圧
を印加すると、液晶は負の誘電異方性を持つた
め、第１図ｂに示すように、基板に対し平行に配
向する。この状態は着色したON状態である。 第２図に、このようなパネルに電圧を印加した
際の透過率Ｔと印加電圧Ｖとの関係を示す。透過
率は電圧の増加と共に減少している。透過率変化
のうち、10％まで変化した時の電圧をVth，90％
まで変化した時の電圧をVsatとすれば、ON時の
駆動電圧はVsatより大きいことが望ましい。 従来の誘電異方性が負の液晶はVsatが高く、フ
エニルシクロヘキシルカーボネート系液晶でも
7V（パネル間ギヤツプ8μ）程度である。 第１表に、本発明に基づく代表的液晶組成物の
組成を示す。
負のネマチツク液晶を用いたゲスト―ホスト液晶
表示装置の改良に関する。 電界印加時に着色する、いわゆるポジ型表示の
ゲスト―ホスト液晶表示装置として、遷移モーメ
ントの方向が分子軸と直交する色素を用いる方法
（特開昭54−111847号），パネル構造を工夫する方
法等があるが、数多く製作されているのは、負の
誘電異方性を持つネマチツク液晶と分子軸に平行
な遷移モーメントを持つ二色性色素の組み合わせ
である。 しかるに、誘電異方性が負のネマチツク液晶だ
けでは誘電異方性の絶対値が小さく、10V以上の
高い駆動電圧を必要とする。駆動電圧を下げる方
法として、公開特許報，昭54−67578号，昭55−
72156号に示されるような、負の誘電異方性が大
きな添加物を混入させる方法が考えられている。
これらの添加物に要求されるのは、大きな負の誘
電異方性，被添加液晶の応答性，液晶性を損なわ
ないこと、被添加液晶の安定性を害さないことで
ある。これらを完全に満足する物質は現在のとこ
ろ得られていないが、使用に耐えうるものは、前
述の公開特許公報の中に数種類見られるだけであ
る。 このように優れた添加物質の開発が、鋭意なさ
れているが、添加される液晶，基板の界面処理に
ついても、同様に検討がなされなければならな
い。 本発明の目的は、安定かつ低電圧で、十分な応
答性を有するポジ型ゲスト―ホスト液晶表示装置
を提供することにある。 本発明は、上述の目的を達成するために、一般
式が で与えられる新規な化合物（式中、R3，R4は炭
素数が５又は７の直鎖アルキル基）を、一般式が で与えられるフエニルシクロヘキシルカーボネー
ト系液晶（式中、R1は炭素数が３〜５の直鎖ア
ルキル基、R2は炭素数が１，２のアルキル基又
は４の直鎖アルキル基）に添加した液晶組成物を
用いたものである。 以下、実施例に基づき、本発明の詳細な説明を
する。 第１図に、対向する２枚の電極にクロム錯対等
の垂直配向処理を施したパネルに於ける、二色性
色素を液晶分子の配向状態を示す。電界が印
加されていない状態ａでは、液晶分子，二色性色
素共に基板に対し垂直に配向する。この状態は、
着色の薄いOFF状態である。このパネルに電圧
を印加すると、液晶は負の誘電異方性を持つた
め、第１図ｂに示すように、基板に対し平行に配
向する。この状態は着色したON状態である。 第２図に、このようなパネルに電圧を印加した
際の透過率Ｔと印加電圧Ｖとの関係を示す。透過
率は電圧の増加と共に減少している。透過率変化
のうち、10％まで変化した時の電圧をVth，90％
まで変化した時の電圧をVsatとすれば、ON時の
駆動電圧はVsatより大きいことが望ましい。 従来の誘電異方性が負の液晶はVsatが高く、フ
エニルシクロヘキシルカーボネート系液晶でも
7V（パネル間ギヤツプ8μ）程度である。 第１表に、本発明に基づく代表的液晶組成物の
組成を示す。
【表】
【表】
第１表の組成物の電圧―透過率特性は、第２図
に実線で示したものである。砕線のフエニルシク
ロヘキシルカーボネート系液晶に比べ、Vth，
Vsat共に著しい低下が見られる。 第２表に、該液晶組成物に含有される液晶及び
化合物の融点Tn.p，液晶相から等方性液体に転移
する転移温度Tcを示す。
に実線で示したものである。砕線のフエニルシク
ロヘキシルカーボネート系液晶に比べ、Vth，
Vsat共に著しい低下が見られる。 第２表に、該液晶組成物に含有される液晶及び
化合物の融点Tn.p，液晶相から等方性液体に転移
する転移温度Tcを示す。
【表】
第３図に、
の添加濃度を変えた時のVth，Vsatの変化を示す。
被添加液晶は、第３表に示すフエニルシクロヘキ
シルカーボネート系液晶である。
被添加液晶は、第３表に示すフエニルシクロヘキ
シルカーボネート系液晶である。
【表】
アルキル基の炭素数を変えた場合も、第３図に
示した。 の場合とほぼ同一の特性を得た。 また、100wt％添加時の誘電異方性から外挿し
た添加物単体の誘電異方性は、いずれの炭素数の
場合もΔε＝ε―ε⊥15程度であつた。 第４表に、第１表の組成物の20℃と０℃に於け
る応答速度を示す。印加電圧は、第２図に於ける
Vsat，パネルのギヤツプはいずれも8μである。比
較に示したのは、第３表のフエニルシクロヘキシ
ルカーボネート系液晶と低電圧駆動用のフエニル
エステル系液晶である。本発明で用いた液晶組成
物は、フエニルシクロヘキシルカーボネート系液
晶の応答性を凌ぐことはできないまでも、十分実
用可能な値である。
示した。 の場合とほぼ同一の特性を得た。 また、100wt％添加時の誘電異方性から外挿し
た添加物単体の誘電異方性は、いずれの炭素数の
場合もΔε＝ε―ε⊥15程度であつた。 第４表に、第１表の組成物の20℃と０℃に於け
る応答速度を示す。印加電圧は、第２図に於ける
Vsat，パネルのギヤツプはいずれも8μである。比
較に示したのは、第３表のフエニルシクロヘキシ
ルカーボネート系液晶と低電圧駆動用のフエニル
エステル系液晶である。本発明で用いた液晶組成
物は、フエニルシクロヘキシルカーボネート系液
晶の応答性を凌ぐことはできないまでも、十分実
用可能な値である。
【表】
また、ピツチｐをパネルギヤツプｄを、ｄ＜ｐ
とするように光学活性物質、コレステリツク液晶
を添加することによつて、ントラストの向上、
Vth，Vsatの低下が可能である。第１表の組成物
に、光学活性物質としてB.D.H.社製CB―15を添
加した場合のVth，Vsatの低下の様子を第４図に
示す。図中のパラメータは、CB―15の添加重量
％である。 このような優れた特性を有する液晶組成物は、
新規な化合物
とするように光学活性物質、コレステリツク液晶
を添加することによつて、ントラストの向上、
Vth，Vsatの低下が可能である。第１表の組成物
に、光学活性物質としてB.D.H.社製CB―15を添
加した場合のVth，Vsatの低下の様子を第４図に
示す。図中のパラメータは、CB―15の添加重量
％である。 このような優れた特性を有する液晶組成物は、
新規な化合物
【式】も
しくは、光学活性物質と
【式】によつて実現さ
れた。（R3，R4は炭素数５又は７の直鎖アルキル
基） 本発明によるゲスト―ホスト液晶表示装置は、
それぞれが所定のアルキル基を有する、
基） 本発明によるゲスト―ホスト液晶表示装置は、
それぞれが所定のアルキル基を有する、
【式】と、
【式】とを主成分とす
ことにより、
例えば、Vthは、
【式】のみのもの
では約4Vであつたものが、
【式】を添加すること
により、約2Vと極端に低下させることができる。
同様にVsatにおいても約6Vを約4Vと下げるこ
とができ、低電圧駆動に対して有効であり、特に
低電圧駆動が要求される腕時計、電卓等のゲスト
―ホスト液晶表示装置に適している。
とができ、低電圧駆動に対して有効であり、特に
低電圧駆動が要求される腕時計、電卓等のゲスト
―ホスト液晶表示装置に適している。
第１図は、パネルとパネル内の液晶分子、二色
性色素の配向状態を示す図である。ａは無電界状
態、ｂは十分な電圧が印加された状態である。 １，２……垂直配向処理された透明電極付ガラ
ス基板、３……二色性色素分子、４……液晶分
子、５……入射光、６……透過光。 第２図は、印加電圧を透過率との関係を示す図
である。実線は第１表，破線は第３表の組成物の
ものである。尚、温度は20℃である。 第３図は、フエニルシクロヘキシルカーボネー
ト系液晶に を添加した際のVth，Vsatの変化を示す図。縦軸
は電圧、横軸は添加重量％である。 第４図は、第１表の液晶組成物にCB―１５を
添加していつた場合の印加電圧―透過率特性の変
化を示した図である。尚、矢印は、電圧の掃引方
向を表わしている。
性色素の配向状態を示す図である。ａは無電界状
態、ｂは十分な電圧が印加された状態である。 １，２……垂直配向処理された透明電極付ガラ
ス基板、３……二色性色素分子、４……液晶分
子、５……入射光、６……透過光。 第２図は、印加電圧を透過率との関係を示す図
である。実線は第１表，破線は第３表の組成物の
ものである。尚、温度は20℃である。 第３図は、フエニルシクロヘキシルカーボネー
ト系液晶に を添加した際のVth，Vsatの変化を示す図。縦軸
は電圧、横軸は添加重量％である。 第４図は、第１表の液晶組成物にCB―１５を
添加していつた場合の印加電圧―透過率特性の変
化を示した図である。尚、矢印は、電圧の掃引方
向を表わしている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 二色性色素を液晶組成物に溶解させて色調の
濃淡又は変化によつて表示を行うゲスト―ホスト
液晶表示装置において、前記ゲスト―ホスト液晶
表示装置に用いる液晶組成物は 一般式が （但しR1は炭素数が３〜５の直鎖アルキル基
を示し、R2は炭素数１，２のアルキル基又は４
の直鎖アルキル基を示す。） で表わされる化合物と、 一般式が （但しR3R4は炭素数５又は７の直鎖アルキル
基を示す。） とで表わされる化合物とからなることを特徴とす
るゲスト―ホスト液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18677680A JPS57109884A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Device for liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18677680A JPS57109884A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Device for liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57109884A JPS57109884A (en) | 1982-07-08 |
| JPS643239B2 true JPS643239B2 (ja) | 1989-01-20 |
Family
ID=16194407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18677680A Granted JPS57109884A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Device for liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57109884A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817414A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Seiko Epson Corp | 液晶光学装置 |
| GB2114994B (en) * | 1982-02-18 | 1984-10-10 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal compositions |
| JPS5914471U (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | 日本ビクター株式会社 | カラ−映像信号の画質改善回路 |
-
1980
- 1980-12-26 JP JP18677680A patent/JPS57109884A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57109884A (en) | 1982-07-08 |
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