JPS641878B2 - - Google Patents

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JPS641878B2
JPS641878B2 JP59037695A JP3769584A JPS641878B2 JP S641878 B2 JPS641878 B2 JP S641878B2 JP 59037695 A JP59037695 A JP 59037695A JP 3769584 A JP3769584 A JP 3769584A JP S641878 B2 JPS641878 B2 JP S641878B2
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JP
Japan
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data transfer
magnetic bubble
storage device
signal
input
Prior art date
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JP59037695A
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Japanese (ja)
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JPS60182589A (en
Inventor
Katsunori Tanaka
Takenori Iida
Toshimitsu Minemura
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、磁気バブル記憶装置とRAMなどの
外部記憶装置との間のデータ転送を有効に制御す
る方式に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a method for effectively controlling data transfer between a magnetic bubble storage device and an external storage device such as a RAM.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

磁気バブル記憶装置とRAMなどの外部記憶素
子との間のデータ転送を行う場合、ホストCPU
の有効利用と転送効率向上のために、ホスト
CPUの関与を軽減し、データ転送制御専用の
DMAコントローラを用いるDMA(Direct
Memory Access)方式が知られている。
When transferring data between a magnetic bubble storage device and an external storage element such as RAM, the host CPU
In order to make effective use of data and improve transfer efficiency,
Reduces CPU involvement and dedicates data transfer control
DMA (Direct) using a DMA controller
Memory Access) method is known.

第1図はこのDMA方式による転送制御方式を
示すブロツク図である。この図で、1が磁気バブ
ル記憶装置、2がRAMなどの外部記憶素子、3
はホストCPU、4がDMAコントローラ、5はア
ドレスデコーダである。磁気バブル記憶装置1側
からRAM2にデータを転送する場合は、ホスト
CPU3からリードコマンドを発生し、磁気バブ
ル記憶装置1とDMAコントローラ4に入力し、
その結果磁気バブル記憶装置1からDMAコント
ローラ4に、転送要求信号TXRQが入力する。
そしてホストCPU3から指定されたアドレスを
アドレスデコーダ5でデコードし、RAM2に設
定すると共にDMAコントローラ4を介して磁気
バブル記憶装置1に通知することで、DMAコン
トローラ4は、バス6をホストCPU3から切り
離し、バス7でRAM2に接続し、RAM2に直
接転送する。転送が終了すると、DMAコントロ
ーラ4から転送終了信号TXAKを磁気バブル記
憶装置1に返送する。
FIG. 1 is a block diagram showing a transfer control method using this DMA method. In this figure, 1 is a magnetic bubble storage device, 2 is an external storage element such as RAM, and 3 is a magnetic bubble storage device.
is a host CPU, 4 is a DMA controller, and 5 is an address decoder. When transferring data from the magnetic bubble storage device 1 side to RAM 2, the host
Generates a read command from the CPU 3 and inputs it to the magnetic bubble storage device 1 and DMA controller 4,
As a result, a transfer request signal TXRQ is input from the magnetic bubble storage device 1 to the DMA controller 4.
Then, the address decoder 5 decodes the address specified by the host CPU 3, sets it in the RAM 2, and notifies the magnetic bubble storage device 1 via the DMA controller 4, so that the DMA controller 4 disconnects the bus 6 from the host CPU 3. , connected to RAM2 via bus 7, and transferred directly to RAM2. When the transfer is completed, the DMA controller 4 sends a transfer end signal TXAK back to the magnetic bubble storage device 1.

磁気バブル記憶装置1にデータを書込む場合
は、ホストCPU3からリードコマンドが発生し、
磁気バブル記憶装置1とDMAコントローラ4に
入力し、その結果磁気バブル記憶装置1から
DMAコントローラ4に、転送要求信号TXRQが
入力する。そしてRAM2の指定されたアドレス
のデータが磁気バブル記憶装置1に転送され、転
送が終了すると転送終了信号TXAKが磁気バブ
ル記憶装置1に返送される。
When writing data to the magnetic bubble storage device 1, a read command is generated from the host CPU 3,
input to the magnetic bubble storage device 1 and the DMA controller 4, and as a result from the magnetic bubble storage device 1
A transfer request signal TXRQ is input to the DMA controller 4. The data at the designated address in RAM 2 is then transferred to magnetic bubble storage device 1, and when the transfer is completed, a transfer end signal TXAK is sent back to magnetic bubble storage device 1.

またホストCPU3で、RAM2中のデータを読
み出して使用する場合は、バス6を磁気バブル記
憶装置1から切り離すことで、RAM2とホスト
CPU3との間でデータの転送が行われる。
In addition, when the host CPU 3 reads and uses the data in the RAM 2, by disconnecting the bus 6 from the magnetic bubble storage device 1, the RAM 2 and the host
Data is transferred to and from the CPU 3.

このようにホストCPUの使用効率および転送
効率を上げるには、DMAコントローラが必要に
なる。ところがDMAコントローラによるデータ
転送を行う場合、DMAコントローラ自体の構成
が複雑で、付加回路の量と価額がかさむ傾向にあ
る。この事情は、RAMのアドレスが固定されて
いても変わらない。
In order to improve host CPU usage efficiency and transfer efficiency in this way, a DMA controller is required. However, when data is transferred using a DMA controller, the configuration of the DMA controller itself is complex, and the amount and cost of additional circuits tends to increase. This situation does not change even if the RAM address is fixed.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、従来の磁気バブル記憶装置の
データ転送方式におけるこのような問題を解消
し、DMAコントローラのような複雑高価な制御
回路を要することなしに、かつDMA方式と同様
にホストCPUの必要最小限の関与で、磁気バブ
ル記憶装置と外部記憶素子との間のデータ転送
を、直接かつ効率的に行えるようにすることにあ
る。
The purpose of the present invention is to solve these problems in the conventional data transfer method of magnetic bubble storage devices, and to eliminate the need for complex and expensive control circuits such as DMA controllers, and to utilize the host CPU's power in the same way as the DMA method. The object of the present invention is to enable direct and efficient data transfer between a magnetic bubble storage device and an external storage element with minimal involvement.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

この発明を達成するために講じた本発明による
技術的手段は、磁気バブル記憶素子と、該磁気バ
ブル記憶素子の書込み手段および読み出し手段
と、前記書込み手段および読み出し手段と外部装
置とのデータの授受の制御を行なうデータ転送制
御手段を備えたものにおいて、データ転送要求信
号が入力されると第1および第2のパルス信号を
出力するパルス信号発生手段を有し、前記データ
転送制御手段がデータ転送要求信号を出力した時
は、前記第1のパルス信号をデータ転送応答信号
として前記データ転送制御手段に入力し、かつ前
記データ転送方向表示手段が第1の状態を示す場
合は、前記第2のパルス信号をデータ書込み信号
として前記データ転送制御手段に入力し、前記デ
ータ転送方向表示手段が第2の状態を示す場合
は、前記第2のパルス信号をデータ読み出し信号
として前記データ転送制御手段に入力する方式を
採つている。
The technical means according to the present invention taken to achieve the present invention includes a magnetic bubble memory element, a writing means and a reading means for the magnetic bubble memory element, and data exchange between the writing means and reading means and an external device. The device is equipped with a data transfer control means for controlling the data transfer, and the data transfer control means includes a pulse signal generation means for outputting first and second pulse signals when a data transfer request signal is input, and the data transfer control means controls the data transfer. When the request signal is output, the first pulse signal is input to the data transfer control means as a data transfer response signal, and when the data transfer direction display means indicates the first state, the second pulse signal is inputted to the data transfer control means as a data transfer response signal. A pulse signal is input to the data transfer control means as a data write signal, and when the data transfer direction display means indicates a second state, the second pulse signal is input to the data transfer control means as a data read signal. We are adopting a method to do so.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に本発明による磁気バブル記憶装置のデータ
転送方式が実際上どのように具体化されるかを実
施例で説明する。第2図は本発明による磁気バブ
ル記憶装置のデータ転送方式の実施例を示すブロ
ツク図である。この図でも第1図の場合と同様
に、1は磁気バブル記憶装置、2はRAMなどの
外部記憶素子、3はホストCPU、5はアドレス
デコーダである。そして本発明では、第1図の
DMAコントローラ4に代わつて、R/W(リー
ド・ライト)パルスコントローラ9をデータ転送
制御手段として設けている。また従来は、ホスト
CPU3からDMAコントローラ4を介して転送先
のRAM2のアドレスを任意に設定できたが、本
発明では、RAM2のアドレスが固定しており、
RAM2のアドレスが機械的に一定の順序で決定
され、書込みが行われる。そのため、従来の
DMAコントローラ4へのバス8は不必要とな
り、バス6はRAM2へのバス7とのみ接続され
ている。
Next, how the data transfer method of the magnetic bubble storage device according to the present invention is actually implemented will be explained using an example. FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of a data transfer system for a magnetic bubble storage device according to the present invention. In this figure, as in the case of FIG. 1, 1 is a magnetic bubble storage device, 2 is an external storage element such as a RAM, 3 is a host CPU, and 5 is an address decoder. In the present invention, as shown in FIG.
In place of the DMA controller 4, an R/W (read/write) pulse controller 9 is provided as data transfer control means. Also, traditionally, the host
Although it was possible to arbitrarily set the address of RAM 2 as the transfer destination from the CPU 3 via the DMA controller 4, in the present invention, the address of RAM 2 is fixed.
Addresses of RAM2 are determined mechanically in a fixed order, and writing is performed. Therefore, the conventional
The bus 8 to the DMA controller 4 is no longer needed, and the bus 6 is only connected to the bus 7 to the RAM 2.

また従来、ホストCPU3と磁気バブル記憶装
置1、RAM2およびDMAコントローラ4を接
続しているリード信号線10およびライト信号線
11を排除して、ホストCPU3をリード信号線
10aおよびライト信号線11bでR/Wパルス
コントローラ9とのみ記憶している。そしてR/
Wパルスコントローラ9と磁気バブル記憶装置1
との間のリード信号線12およびライト信号線1
3を、RAM2にも接続している。また磁気バブ
ル記憶装置1から、リードおよびライトの方向を
指示する転送方向信号DIRを送るための信号線1
4で、磁気バブル記憶装置1とR/Wパルスコン
トローラ9を接続している。
Furthermore, conventionally, the read signal line 10 and write signal line 11 that connect the host CPU 3 to the magnetic bubble storage device 1, RAM 2, and DMA controller 4 are eliminated, and the host CPU 3 is connected to the read signal line 10a and the write signal line 11b. /W pulse controller 9 only is stored. And R/
W pulse controller 9 and magnetic bubble storage device 1
Read signal line 12 and write signal line 1 between
3 is also connected to RAM2. Also, a signal line 1 for transmitting a transfer direction signal DIR indicating the direction of read and write from the magnetic bubble storage device 1.
4, the magnetic bubble storage device 1 and the R/W pulse controller 9 are connected.

この構成で、ホストCPU3からリードまたは
ライトのコマンドが発生すると、磁気バブル記憶
装置1から入力する転送要求信号TXRQおよび
磁気バブル記憶装置1から発生する転送方向信号
DIRに基づいて、R/Wパルスコントローラ9
で、リードパルスまたはライトパルスが作られ、
RAM2に入力される。したがつて磁気バブル記
憶装置1から、転送方向信号DIRをR/Wパルス
コントローラ9に入力するのみで、RAM2に転
送方向を指示してデータ転送を行うことができ、
従来のようにアドレス設定を行なつたりする必要
がない。
In this configuration, when a read or write command is generated from the host CPU 3, a transfer request signal TXRQ is input from the magnetic bubble storage device 1 and a transfer direction signal is generated from the magnetic bubble storage device 1.
Based on DIR, R/W pulse controller 9
, a read or write pulse is created,
Input to RAM2. Therefore, by simply inputting the transfer direction signal DIR from the magnetic bubble storage device 1 to the R/W pulse controller 9, it is possible to instruct the RAM 2 in the transfer direction and perform data transfer.
There is no need to set addresses as in the past.

即ち従来は、磁気バブル記憶装置1からRAM
2にデータを転送するのか、逆にRAM2から磁
気バブル記憶装置1にデータ転送するのかを識別
するために、ホストCPU3からのコマンドに基
づいて、DMAコントローラ4で転送方向を設定
している。ところが本発明では、ホストCPU3
からリード・ライトのコマンドが発生すると、そ
れに基づいて磁気バブル記憶装置1で発生する転
送方向信号DIRによつて、R/Wパルスコントロ
ーラ9でリード・ライトパルスを作り、RAM2
に入力する。その結果、RAM2では、受にリー
ド命令か、ライト命令かを認識できる。
That is, conventionally, from the magnetic bubble storage device 1 to the RAM
In order to identify whether data is to be transferred to the magnetic bubble storage device 1 from the RAM 2 or vice versa, the DMA controller 4 sets the transfer direction based on a command from the host CPU 3. However, in the present invention, the host CPU3
When a read/write command is generated from the RAM 2, the R/W pulse controller 9 generates a read/write pulse based on the transfer direction signal DIR generated by the magnetic bubble storage device 1.
Enter. As a result, the RAM 2 can immediately recognize whether the command is a read command or a write command.

第1図においては、DMAコントローラ4で
RAM2のアドレスを任意に設定したが、本発明
では、R/Wパルスコントローラ9中で、パルス
をカウンタで計数することで、RAM2のアドレ
スを一定の順序で進めることにより、データを書
込むことができる。またRAM2からホストCPU
3にデータを転送して使用する場合は、バス6を
磁気バブル記憶装置1から切り離してホスト
CPU3と接続される。
In Figure 1, DMA controller 4
Although the address of RAM2 is arbitrarily set, in the present invention, data can be written by counting pulses with a counter in the R/W pulse controller 9 and advancing the address of RAM2 in a fixed order. can. Also, from RAM2 to the host CPU
3, disconnect the bus 6 from the magnetic bubble storage device 1 and connect it to the host.
Connected to CPU3.

第3図はこのような制御を行うR/Wパルスコ
ントローラ9の具体例を示すブロツク図である。
15はR/Wパルスコントローラ9中の1シヨツ
トマルチバイブレータで、磁気バブル記憶装置1
からの転送要求信号TXRQを受け、転送が終了
すると転送終了信号TXAKを磁気バブル記憶装
置1に返送する。また転送要求信号TXRQが入
力すると、信号線16でオアゲート17,18を
介して、アンドゲート19,20および21,2
2にデータ要求パルスを入力する。ホストCPU
3からのコマンドに基づいて転送方向を指示する
転送方向信号DIRは、直接前記オアゲート17を
介して、アンドゲート19と22に入力し、一方
インバータ23およびオアゲート18を介して、
アンドゲート20,21に入力する。
FIG. 3 is a block diagram showing a specific example of the R/W pulse controller 9 that performs such control.
15 is a one-shot multivibrator in the R/W pulse controller 9, and a magnetic bubble storage device 1
It receives the transfer request signal TXRQ from the magnetic bubble storage device 1, and when the transfer is completed, it returns the transfer end signal TXAK to the magnetic bubble storage device 1. Furthermore, when the transfer request signal TXRQ is input, it is transmitted through the AND gates 19, 20 and 21, 2 via the OR gates 17, 18 on the signal line 16.
Input the data request pulse to 2. host CPU
The transfer direction signal DIR indicating the transfer direction based on the command from 3 is input directly to the AND gates 19 and 22 via the OR gate 17, while via the inverter 23 and the OR gate 18.
Input to AND gates 20 and 21.

いまRAM2へのライトコマンドが発生したと
すると、磁気バブル記憶装置1から、RAM2へ
の転送を示す転送方向信号DIRがHレベルとな
り、インバータ23で反転したLレベルのパルス
が、オアゲート18を介してアンドゲート20と
21に入力する。またホストCPU3からは、信
号線11aを介してライトパルスがオアゲート2
4を介してアンドゲート21に入力する。その結
果アンドゲート21のアンド論理が成立して、
RAM2にライトパルスが入力する。一方転送終
了信号TXAKがインバータ26で反転されLレ
ベルとなり、オアゲート25を介してアンドゲー
ト20に入力するので、このアンドゲート20も
アンド論理が成立し、磁気バブル記憶装置1側に
は、リードパルスが入力する。即ち転送方向信号
DIRにより、磁気バブル記憶装置1からデータを
読み出してRAM2に入力し書込むことが指示さ
れる。
Assuming that a write command to RAM2 is now generated, the transfer direction signal DIR indicating transfer from the magnetic bubble storage device 1 to RAM2 becomes H level, and the L level pulse inverted by the inverter 23 is sent via the OR gate 18. Input to AND gates 20 and 21. Also, a write pulse is sent from the host CPU 3 to the OR gate 2 via the signal line 11a.
4 to the AND gate 21. As a result, the AND logic of the AND gate 21 is established,
A write pulse is input to RAM2. On the other hand, the transfer end signal TXAK is inverted by the inverter 26 and becomes L level, and is input to the AND gate 20 via the OR gate 25, so AND logic is also established in this AND gate 20, and the read pulse is sent to the magnetic bubble storage device 1 side. enters. i.e. transfer direction signal
DIR instructs to read data from the magnetic bubble storage device 1, input it to the RAM 2, and write it.

逆にRAM2から磁気バブル記憶装置1にデー
タ転送して書込むときは、転送方向信号DIRがL
レベルとなり、オアゲート17を介してアンドゲ
ート19と22に入力する。またホストCPU3
からは、信号線10aを介してリードパルスがオ
アゲート25を介してアンドゲート22に入力す
る。その結果該アンドゲート22のアンド論理が
成立して、RAM2にリードパルスが入力する。
一方転送終了信号TXAKがインバータ26で反
転されLレベルとなつて、オアゲート24を介し
てアンドゲート19に入力するので、このアンド
ゲート19もアンド論理が成立し、磁気バブル記
憶装置1側には、書込みパルスが入力する。即ち
転送方向信号DIRに基づいて、RAM2からデー
タを読み出して磁気バブル記憶装置1に転送し書
込むことが指示される。
Conversely, when transferring and writing data from RAM2 to magnetic bubble storage device 1, the transfer direction signal DIR is L.
level, and is input to AND gates 19 and 22 via OR gate 17. Also host CPU3
From there, a read pulse is input to the AND gate 22 via the OR gate 25 via the signal line 10a. As a result, the AND logic of the AND gate 22 is established, and a read pulse is input to the RAM 2.
On the other hand, the transfer end signal TXAK is inverted by the inverter 26, becomes L level, and is input to the AND gate 19 via the OR gate 24, so AND logic is also established in this AND gate 19, and the magnetic bubble storage device 1 receives the following information. Write pulse is input. That is, based on the transfer direction signal DIR, it is instructed to read data from the RAM 2, transfer it to the magnetic bubble storage device 1, and write it.

転送が終了すると転送終了信号TXAKがLレ
ベルとなり、インバータ26でHレベルに反転さ
れ、オアゲート24,25を介して各アンドゲー
ト19,20,21,22に入力し、ゲートを閉
じる。
When the transfer is completed, the transfer end signal TXAK goes to L level, is inverted to H level by inverter 26, and is inputted to each AND gate 19, 20, 21, 22 via OR gates 24, 25, and the gates are closed.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように本発明によれば、磁気バブル記憶
装置と外部装置間のデータの転送方向を示す信号
を磁気バブル記憶装置側に設け、この信号をR/
Wパルスコントローラに入力する構成になつてい
る。この信号が無い場合、DMAコントローラ
等、データの転送方向を設定できる回路を使用し
ないと、DMA動作はできないが、本発明による
信号を使用することによつて、簡単安価な付加回
路を設けるのみで、実質的なDMA動作が実現で
きる。
As described above, according to the present invention, a signal indicating the direction of data transfer between the magnetic bubble storage device and an external device is provided on the magnetic bubble storage device side, and this signal is sent to the R/
The configuration is such that it is input to the W pulse controller. Without this signal, DMA operation cannot be performed without using a circuit that can set the data transfer direction, such as a DMA controller. However, by using the signal according to the present invention, it is possible to simply install an additional circuit at low cost. , substantial DMA operation can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の磁気バブル記憶装置のデータ転
送方式を示すブロツク図、第2図は本発明による
磁気バブル記憶装置のデータ転送方式の実施例を
示すブロツク図、第3図はリード・ライトパルス
コントローラの実施例を示すブロツク図である。 図において、1は磁気バブル記憶装置、2は
RAM、3はホストCPU、9はR/Wパルスコン
トローラ、DIRは転送方向信号をそれぞれ示す。
FIG. 1 is a block diagram showing a data transfer method of a conventional magnetic bubble storage device, FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of a data transfer method of a magnetic bubble storage device according to the present invention, and FIG. 3 is a read/write pulse. FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of a controller. In the figure, 1 is a magnetic bubble storage device, 2 is a magnetic bubble storage device, and 2 is a magnetic bubble storage device.
RAM, 3 is a host CPU, 9 is an R/W pulse controller, and DIR is a transfer direction signal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 磁気バブル記憶素子と、該磁気バブル記憶素
子の書込み手段および読み出し手段と、前記書込
み手段および読み出し手段と外部装置とのデータ
の授受の制御を行なうデータ転送制御手段を備え
たものにおいて、 データ転送要求信号が入力されると第1および
第2のパルス信号を出力するパルス信号発生手段
を有し、前記データ転送制御手段がデータ転送要
求信号を出力した時は、前記第1のパルス信号を
データ転送応答信号として前記データ転送制御手
段に入力し、かつ前記データ転送方向表示手段が
第1の状態を示す場合は、前記第2のパルス信号
をデータ書込み信号として前記データ転送制御手
段に入力し、前記データ転送方向表示手段が第2
の状態を示す場合は、前記第2のパルス信号をデ
ータ読み出し信号として前記データ転送制御手段
に入力することを特徴とする磁気バブル記憶装置
のデータ転送方式。
[Scope of Claims] 1. A magnetic bubble memory element, a writing means and a reading means for the magnetic bubble memory element, and a data transfer control means for controlling data transfer between the writing means and reading means and an external device. The apparatus further comprises a pulse signal generating means that outputs first and second pulse signals when a data transfer request signal is input, and when the data transfer control means outputs the data transfer request signal, the pulse signal generating means outputs the first and second pulse signals. 1 pulse signal is input to the data transfer control means as a data transfer response signal, and when the data transfer direction display means indicates the first state, the second pulse signal is input as a data write signal to the data transfer control means. input to the control means, and the data transfer direction display means indicates the second direction.
2. A data transfer method for a magnetic bubble storage device, wherein the second pulse signal is input to the data transfer control means as a data read signal when the state is indicated.
JP59037695A 1984-02-29 1984-02-29 Data transfer system of magnetic bubble memory device Granted JPS60182589A (en)

Priority Applications (1)

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JPS60182589A JPS60182589A (en) 1985-09-18
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5855587B2 (en) * 1979-05-09 1983-12-10 株式会社日立製作所 Data transfer method of magnetic bubble storage device
JPS592111B2 (en) * 1979-06-18 1984-01-17 株式会社日立製作所 Magnetic bubble memory control method
JPS592110B2 (en) * 1979-06-18 1984-01-17 株式会社日立製作所 Magnetic bubble memory control method

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