JPS641846B2 - - Google Patents
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- JPS641846B2 JPS641846B2 JP58109446A JP10944683A JPS641846B2 JP S641846 B2 JPS641846 B2 JP S641846B2 JP 58109446 A JP58109446 A JP 58109446A JP 10944683 A JP10944683 A JP 10944683A JP S641846 B2 JPS641846 B2 JP S641846B2
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- Japan
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- magnetic
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜導誘電性込み素子及び磁気抵抗読
取り素子を有する集積読取り/書込みヘツド組立
体に関する。
取り素子を有する集積読取り/書込みヘツド組立
体に関する。
周知の如くデータ記録の分野では、データ・ビ
ツト密度及びトラツク密度を増大させる努力が続
けられている。この目的のために、磁気ヘツド及
び特に書込みのために使用される変換ギヤツプは
短かい波長のデータ即ち高周波データを処理する
ために長さ及び幅がより小さく形成されている。
従つて、米国特許第4190872号に開示されている
如き薄膜ヘツドが例えば高データ密度デイスク・
フアイルに使用されている。この様な型のヘツド
においては、多層の薄膜が基板上に付着される
が、完全に平行な層としては形成されてない。薄
膜は相継ぐ層として付着されるが、或る層の端部
に隣接して屈曲部もしくは傾斜部が現われる。こ
れ等の屈曲部は層の連続性を破り、導電性素子が
電気的短絡にさらされる。
ツト密度及びトラツク密度を増大させる努力が続
けられている。この目的のために、磁気ヘツド及
び特に書込みのために使用される変換ギヤツプは
短かい波長のデータ即ち高周波データを処理する
ために長さ及び幅がより小さく形成されている。
従つて、米国特許第4190872号に開示されている
如き薄膜ヘツドが例えば高データ密度デイスク・
フアイルに使用されている。この様な型のヘツド
においては、多層の薄膜が基板上に付着される
が、完全に平行な層としては形成されてない。薄
膜は相継ぐ層として付着されるが、或る層の端部
に隣接して屈曲部もしくは傾斜部が現われる。こ
れ等の屈曲部は層の連続性を破り、導電性素子が
電気的短絡にさらされる。
読取り/書込みヘツドの性能を改善する努力が
続けられるにつれて、集積構造体中に薄膜導電性
書込みヘツド及び磁気抵抗(MR)感知読取りヘ
ツドを組合せる事が提案されてきた。読取り素子
としてMR感知素子を使用する集積読取り/書込
み組立体の或る型においては、MR素子は第1の
薄膜極片P1の上と極片P1及び第2の薄膜極片P2
間に形成された変換ギヤツプ層の1部の上に付着
される。これ等の組立体においてはMR感知素子
は例えば金から形成される高度に導電性の連続的
非磁性薄膜と接触させる必要がある。これ等の導
体はP1極片から電気的コンタクトもしくは端子
に延びている。しかしながらこの様な従来の組立
体においては、導体はP1層及びギヤツプ層上に
付着されており、連続性を破る様な曲線部分で特
徴付けられ、ヘツド組立体の故障の原因となつて
いる。
続けられるにつれて、集積構造体中に薄膜導電性
書込みヘツド及び磁気抵抗(MR)感知読取りヘ
ツドを組合せる事が提案されてきた。読取り素子
としてMR感知素子を使用する集積読取り/書込
み組立体の或る型においては、MR素子は第1の
薄膜極片P1の上と極片P1及び第2の薄膜極片P2
間に形成された変換ギヤツプ層の1部の上に付着
される。これ等の組立体においてはMR感知素子
は例えば金から形成される高度に導電性の連続的
非磁性薄膜と接触させる必要がある。これ等の導
体はP1極片から電気的コンタクトもしくは端子
に延びている。しかしながらこの様な従来の組立
体においては、導体はP1層及びギヤツプ層上に
付着されており、連続性を破る様な曲線部分で特
徴付けられ、ヘツド組立体の故障の原因となつて
いる。
この型の読取り/書込みヘツド組立体が遭遇す
る第2の問題はP1層と接触する2つの導体の短
絡を含む。薄膜ギヤツプ層の製造中、ギヤツプ層
の絶縁が失われる事によつて生ずる被覆の問題の
結果として、P1極片層が露出される。その後MR
感知素子及び導体を付着する時にP1層及びこれ
等の導体間に短絡状態が生ずる。この結果、MR
感知素子は重畳領域でP1層によつて電気的にバ
イパスされ、従つて装置は動作可能でなくなる。
る第2の問題はP1層と接触する2つの導体の短
絡を含む。薄膜ギヤツプ層の製造中、ギヤツプ層
の絶縁が失われる事によつて生ずる被覆の問題の
結果として、P1極片層が露出される。その後MR
感知素子及び導体を付着する時にP1層及びこれ
等の導体間に短絡状態が生ずる。この結果、MR
感知素子は重畳領域でP1層によつて電気的にバ
イパスされ、従つて装置は動作可能でなくなる。
MR感知装置を有する磁気ヘツド組立体に生ず
る他の問題は導体及びMR感知装置間の接触抵抗
によるものである。導体がMR感知装置のトラツ
ク幅を画定する。ギヤツプ表面に接する導体の真
下の領域が接触領域である。MR感知装置は条片
の1辺を定義するP1層の端における連続性を破
り、他方導体幅及び任意の不整値が他の辺で接触
を保つている。制限された接触領域は磁気ヘツド
組立体の性能を劣化させ、故障の原因となる変動
及び抵抗の増大を生ずる。
る他の問題は導体及びMR感知装置間の接触抵抗
によるものである。導体がMR感知装置のトラツ
ク幅を画定する。ギヤツプ表面に接する導体の真
下の領域が接触領域である。MR感知装置は条片
の1辺を定義するP1層の端における連続性を破
り、他方導体幅及び任意の不整値が他の辺で接触
を保つている。制限された接触領域は磁気ヘツド
組立体の性能を劣化させ、故障の原因となる変動
及び抵抗の増大を生ずる。
本発明の好ましい実施例においては、集積薄膜
誘導性書込及びMR読取りヘツド組立体10及び
11は第1図に示された如く空気ベアリングスラ
イダ12の尾部に位置付けられている。なお、第
1図乃至第3図は、最終仕上げ前のヘツド組立体
10及び11の形態を示すものである。即ち、こ
れらのヘツド組立体の磁極先端部分は、最終的に
は、スライダ12の空気ベアリング面(ABS)
から突き出ている部分の切除により短くされるの
である。結局、ヘツド組立体の磁極先端は、第4
図以降に示されているように、空気ベアリング面
と一致する。各ヘツド組立体の誘導性書込み副組
立体は参照番号14及び16によつて示されたパ
ーマロイ極片P114及びP216(夫々第4図及
び第5図参照)並びに数回巻かれた楕円状の巻線
より形成された電気コイル18より成る。薄膜書
込み素子の変換ギヤツプは極片14及び16間に
配向された2つの隣接絶縁ギヤツプ層20及び2
2より形成される(第5図参照)。例えばアルミ
ナより形成され得る2つのギヤツプ層20及び2
2間には集積組立体の読取り素子としてMR感知
装置条片24を含む読取り副組立体が存在する
(第2、第4、第5、第6図参照)。
誘導性書込及びMR読取りヘツド組立体10及び
11は第1図に示された如く空気ベアリングスラ
イダ12の尾部に位置付けられている。なお、第
1図乃至第3図は、最終仕上げ前のヘツド組立体
10及び11の形態を示すものである。即ち、こ
れらのヘツド組立体の磁極先端部分は、最終的に
は、スライダ12の空気ベアリング面(ABS)
から突き出ている部分の切除により短くされるの
である。結局、ヘツド組立体の磁極先端は、第4
図以降に示されているように、空気ベアリング面
と一致する。各ヘツド組立体の誘導性書込み副組
立体は参照番号14及び16によつて示されたパ
ーマロイ極片P114及びP216(夫々第4図及
び第5図参照)並びに数回巻かれた楕円状の巻線
より形成された電気コイル18より成る。薄膜書
込み素子の変換ギヤツプは極片14及び16間に
配向された2つの隣接絶縁ギヤツプ層20及び2
2より形成される(第5図参照)。例えばアルミ
ナより形成され得る2つのギヤツプ層20及び2
2間には集積組立体の読取り素子としてMR感知
装置条片24を含む読取り副組立体が存在する
(第2、第4、第5、第6図参照)。
さらにヘツド組立体はギヤツプ層22上に形成
された絶縁層26を含む(第2、第4、第7図参
照)。コイル18は該コイル上に付着された絶縁
層28及び絶縁層26によつて包囲されている
(第7図)。追加の絶縁層30がコイル18および
層28の上部に与えられる。層30上に形成され
たP2極片16が書込み副組立体の磁気回路を完
成する。導体32及び34が書込み回路からの入
力書込み信号を書込み副組立体のコイル18に与
えるのに使用される。
された絶縁層26を含む(第2、第4、第7図参
照)。コイル18は該コイル上に付着された絶縁
層28及び絶縁層26によつて包囲されている
(第7図)。追加の絶縁層30がコイル18および
層28の上部に与えられる。層30上に形成され
たP2極片16が書込み副組立体の磁気回路を完
成する。導体32及び34が書込み回路からの入
力書込み信号を書込み副組立体のコイル18に与
えるのに使用される。
極片14及び16間に形成された書込み変換ギ
ヤツプ並びに読取り感知素子24は磁性媒体上に
効果的に記録及び読取りを行なうためにスライダ
の空気ベアリング(ABS)上に存在する。
ヤツプ並びに読取り感知素子24は磁性媒体上に
効果的に記録及び読取りを行なうためにスライダ
の空気ベアリング(ABS)上に存在する。
本発明に従つてP1極片構造体14はV字状の
形で基材上に配置され、その上にギヤツプ層20
が被着される。この上に第2図及び第3図に示さ
れた如くMR感知素子24及び導体36,38が
付着されこれら導体の一端が夫々MR感知素子2
4に接続される。これらの上にギヤツプ層22が
付着され、このギヤツプ層22は導体36,38
の他端の所において接続開孔40を設けられる。
この上に更に絶縁層26が付着されてその上にコ
イル18が付着される。導体37,39は開孔4
0を介して導体36,38に接続され記録データ
の読出し信号の取出しを可能にする。
形で基材上に配置され、その上にギヤツプ層20
が被着される。この上に第2図及び第3図に示さ
れた如くMR感知素子24及び導体36,38が
付着されこれら導体の一端が夫々MR感知素子2
4に接続される。これらの上にギヤツプ層22が
付着され、このギヤツプ層22は導体36,38
の他端の所において接続開孔40を設けられる。
この上に更に絶縁層26が付着されてその上にコ
イル18が付着される。導体37,39は開孔4
0を介して導体36,38に接続され記録データ
の読出し信号の取出しを可能にする。
MR感知素子24と導体36及び38間の接触
が可能にされている。
が可能にされている。
MR副組立体は同様に例えばチタンで形成され
得るバイアス層44を含む。バイアス層44はパ
ーマロイMR感知素子の上部に配置されている
(第6図参照)。チタンの接着層46がMR副組立
体を最初に付着されたギヤツプ層20に接続する
のに使用され得る。バイアス層44はこの分野で
周知の如く、MR感知装置条片の高さ及び厚さに
関連して電流の条件を決定する。
得るバイアス層44を含む。バイアス層44はパ
ーマロイMR感知素子の上部に配置されている
(第6図参照)。チタンの接着層46がMR副組立
体を最初に付着されたギヤツプ層20に接続する
のに使用され得る。バイアス層44はこの分野で
周知の如く、MR感知装置条片の高さ及び厚さに
関連して電流の条件を決定する。
本発明はP1極片構造体の延出部を含み、その
上にMR感知装置の副組立体が付着される一様な
表面が形成される如くMR感知装置24から端子
40への平面状の導電性経路が実現される。この
様な設計によつて導体の不連続性及びP1層14
の短絡の問題が効果的に除去される。P1極片構
造体14の幾何学形状はV字形であるが、V字の
先端は極片ギヤツプ閉成部42からP1及びP2極
片チツプへ至る磁束経路の外にあるので、このV
字形状は書込みパフオーマンスに影響しない。
上にMR感知装置の副組立体が付着される一様な
表面が形成される如くMR感知装置24から端子
40への平面状の導電性経路が実現される。この
様な設計によつて導体の不連続性及びP1層14
の短絡の問題が効果的に除去される。P1極片構
造体14の幾何学形状はV字形であるが、V字の
先端は極片ギヤツプ閉成部42からP1及びP2極
片チツプへ至る磁束経路の外にあるので、このV
字形状は書込みパフオーマンスに影響しない。
本発明の実施例においては、書込みギヤツプの
長さは2ミクロン以下に形成され、P1及びP2極
片構造体14及び16の各々は夫々約2.5ミクロ
ンの厚さを有する。MR感知装置材料のすべては
ギヤツプ層20及び22によつて形成される書込
み変換ギヤツプ内に存在する。従つてP1極片構
造体14とMR感知装置24間には短絡の問題は
生じない。さらにP1極片14及びP2極片16は
MR読取感知装置のためのシールドとして働く。
長さは2ミクロン以下に形成され、P1及びP2極
片構造体14及び16の各々は夫々約2.5ミクロ
ンの厚さを有する。MR感知装置材料のすべては
ギヤツプ層20及び22によつて形成される書込
み変換ギヤツプ内に存在する。従つてP1極片構
造体14とMR感知装置24間には短絡の問題は
生じない。さらにP1極片14及びP2極片16は
MR読取感知装置のためのシールドとして働く。
上述の如く、ヘツド組立体の寸法は極めて小さ
く、素子が2−3ミクロンの程度であるから、上
述の通常生ずる様な問題が改善される。従来の薄
膜ヘツド組立体で使用された如く、変換ギヤツプ
がかなり大きく、絶縁層が比較的厚い場合には、
これ等の問題は一般に生じないものである。
く、素子が2−3ミクロンの程度であるから、上
述の通常生ずる様な問題が改善される。従来の薄
膜ヘツド組立体で使用された如く、変換ギヤツプ
がかなり大きく、絶縁層が比較的厚い場合には、
これ等の問題は一般に生じないものである。
本明細書で説明された設計によつて、MR感知
装置及びMR導体間に一様な面積のコンタクトが
達成される。この様にして、平坦でない表面上に
付着された層によつて生じ得る開放回路及び短絡
回路が除去される。同様に本発明の設計の両側の
対称性によつて2つの導体のインピーダンスの平
衡が得られる。さらに高密度データ処理システム
によつての製造能力及び生産の収率が高められ
る。
装置及びMR導体間に一様な面積のコンタクトが
達成される。この様にして、平坦でない表面上に
付着された層によつて生じ得る開放回路及び短絡
回路が除去される。同様に本発明の設計の両側の
対称性によつて2つの導体のインピーダンスの平
衡が得られる。さらに高密度データ処理システム
によつての製造能力及び生産の収率が高められ
る。
第1図は本発明に従い、集積ヘツド組立体とし
て形成された空気ベアリング・ヘツド・スライダ
の背面の立面図である。第2図は本発明に従う薄
膜誘導性書込み素子及びMR感知装置読取り素子
を組込んだ集積ヘツド組立体の平断面図である。
第3図は本発明を明確に説明するための第2図の
集積ヘツド組立体の1部である。第4図は第2図
の線A−Aに沿つて見た断面図(但し、空気ベア
リング面から突き出ている部分を切除した後の状
態)である。第5図は第4図の線5−5の部分の
拡大図である。第6図は第5図の線6−6の部分
の拡大図である。第7図は第2図の線B−Bに沿
つて見た断面図である。第8図は第7図の線8−
8の部分の拡大図である。 10,11……集積薄膜誘導性書込み及びMR
読取りヘツド組立体、12……空気ベアリング・
スライダ、14,16……パーマロイ極片、18
……コイル、20,22……ギヤツプ層、24…
…MR感知装置条片。
て形成された空気ベアリング・ヘツド・スライダ
の背面の立面図である。第2図は本発明に従う薄
膜誘導性書込み素子及びMR感知装置読取り素子
を組込んだ集積ヘツド組立体の平断面図である。
第3図は本発明を明確に説明するための第2図の
集積ヘツド組立体の1部である。第4図は第2図
の線A−Aに沿つて見た断面図(但し、空気ベア
リング面から突き出ている部分を切除した後の状
態)である。第5図は第4図の線5−5の部分の
拡大図である。第6図は第5図の線6−6の部分
の拡大図である。第7図は第2図の線B−Bに沿
つて見た断面図である。第8図は第7図の線8−
8の部分の拡大図である。 10,11……集積薄膜誘導性書込み及びMR
読取りヘツド組立体、12……空気ベアリング・
スライダ、14,16……パーマロイ極片、18
……コイル、20,22……ギヤツプ層、24…
…MR感知装置条片。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ほぼ一定の幅を有する先端部分及び該先端部
分から後方に向けて次第に幅が広くなつている後
側部分を両方とも有している第1及び第2の磁気
薄膜極片、両磁気薄膜極片間に設けられて両方の
先端部分間に変換ギヤツプを形成している非磁性
且つ絶縁性のギヤツプ層、及び両磁気薄膜極片の
後側部分間を複数回通る渦巻き状に形成されたコ
イル導体を有する誘導性書込み副組立体であつ
て、上記第1の磁気薄膜極片が上記コイル導体の
外周を越えたところまで延長している一対の延長
部を有し全体的にV字状で平坦に形成されている
ものと、 上記変換ギヤツプにおいて上記ギヤツプ層内に
設けられた導電性の平坦な磁気抵抗素子、及び上
記ギヤツプ層内に設けられて上記磁気抵抗素子に
それぞれ接続され且つ上記第1の磁気薄膜極片の
一対の延長部に沿つて外部接続点まで延長してい
る一対の平坦な導電性素子を有する読取り副組立
体と を有し、上記第1の磁気薄膜極片側でスライダに
装着されるようになつている集積磁気ヘツド組立
体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US407007 | 1982-08-09 | ||
US06/407,007 US4504880A (en) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | Integrated magnetic recording head assembly including an inductive write subassembly and a magnetoresistive read subassembly |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5930223A JPS5930223A (ja) | 1984-02-17 |
JPS641846B2 true JPS641846B2 (ja) | 1989-01-12 |
Family
ID=23610223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58109446A Granted JPS5930223A (ja) | 1982-08-09 | 1983-06-20 | 集積磁気ヘツド組立体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4504880A (ja) |
EP (1) | EP0100841B1 (ja) |
JP (1) | JPS5930223A (ja) |
CA (1) | CA1191947A (ja) |
DE (1) | DE3373582D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101298284B1 (ko) * | 2005-01-11 | 2013-08-20 | 인벤티오 아게 | 샤프트의 공기 유동에 적합한 변위 커브를 이용하는 승강도어용 구동장치 |
Families Citing this family (36)
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