JPS5930223A - 集積磁気ヘツド組立体 - Google Patents
集積磁気ヘツド組立体Info
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- JPS5930223A JPS5930223A JP58109446A JP10944683A JPS5930223A JP S5930223 A JPS5930223 A JP S5930223A JP 58109446 A JP58109446 A JP 58109446A JP 10944683 A JP10944683 A JP 10944683A JP S5930223 A JPS5930223 A JP S5930223A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- gap
- head assembly
- pole piece
- layer
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜誘導性書込み素子及び磁気抵抗読取り素子
を有する集積読取り/書込みヘッド組立体に関する。
を有する集積読取り/書込みヘッド組立体に関する。
周知の如くデータ記録の分野では、データ・ビット密度
及びトラック密度を増大させる努力が続けられている。
及びトラック密度を増大させる努力が続けられている。
この目的のために、磁気ヘッド及び特に曹込みのために
使用される変換ギャップは短かい波長のデータ即ち高周
波データを処理するために長さ及び幅がよシ小さく形成
されている。
使用される変換ギャップは短かい波長のデータ即ち高周
波データを処理するために長さ及び幅がよシ小さく形成
されている。
従って、米国特許第4190872号に開示されている
如き薄膜ヘッドが例えば高データ密度ディスク・ファイ
ルに使用されている。この様な型のヘッドにおいては、
多層の薄膜が基板上に付着されるが、完全に平行な層と
しては形成されてない。
如き薄膜ヘッドが例えば高データ密度ディスク・ファイ
ルに使用されている。この様な型のヘッドにおいては、
多層の薄膜が基板上に付着されるが、完全に平行な層と
しては形成されてない。
薄膜は相継ぐ層として付着されるが、成る層の端部に隣
接して屈曲部もしくは傾斜部が現われる。
接して屈曲部もしくは傾斜部が現われる。
これ等の屈曲部は層の連続性を破り、導電性素子が電気
的短絡にさらされる。
的短絡にさらされる。
読取り/書込みヘッドの性能を改善する努力が続けられ
るにつれて、集積構造体中に薄膜誘導性書込みヘッド及
び磁気抵抗(MR)感知読取シヘッドを組合せる事が提
案されてきた。読取9素子としてMR感知素子を使用す
る集楕読取り/書込み組立体の成る型においては、MR
素子は第1の薄膜極片P1の上と極片P1及び第2の薄
膜極片22間に形成された変換ギャップ層の1部の上に
付着される。これ等の組立体においてはMR感知素子は
例えid金から形成される高度に導電性の連続的非磁性
薄膜と接触させる必要がある。これ等の導体はP11部
から電気的コンタクトもしくは端子に延びている。しか
しながらこの様な従来の組立体においては、導体は21
層及びギャップ層上に付着されており、連続性を破る様
な曲線部分で特徴付けられ、ヘッド組立体の故障の原因
となっている。
るにつれて、集積構造体中に薄膜誘導性書込みヘッド及
び磁気抵抗(MR)感知読取シヘッドを組合せる事が提
案されてきた。読取9素子としてMR感知素子を使用す
る集楕読取り/書込み組立体の成る型においては、MR
素子は第1の薄膜極片P1の上と極片P1及び第2の薄
膜極片22間に形成された変換ギャップ層の1部の上に
付着される。これ等の組立体においてはMR感知素子は
例えid金から形成される高度に導電性の連続的非磁性
薄膜と接触させる必要がある。これ等の導体はP11部
から電気的コンタクトもしくは端子に延びている。しか
しながらこの様な従来の組立体においては、導体は21
層及びギャップ層上に付着されており、連続性を破る様
な曲線部分で特徴付けられ、ヘッド組立体の故障の原因
となっている。
この型の読取り/書込みヘッド組立体が遭遇する第2の
問題は21層と接触する2つの導体の短絡を含む。薄膜
ギャップ層の製造中、ギャップ層の絶縁が失われる事に
よって生ずる被覆の間層の結果として、P11部層が露
出される。その後MR感知素子及び導体を付着する時に
21層及びこれ等の導体間に短絡状態が生ずる。この結
果、MR感知素子は重畳領域で21層によって電気的に
バイパスされ、従って装置は動作可能でなくなる。
問題は21層と接触する2つの導体の短絡を含む。薄膜
ギャップ層の製造中、ギャップ層の絶縁が失われる事に
よって生ずる被覆の間層の結果として、P11部層が露
出される。その後MR感知素子及び導体を付着する時に
21層及びこれ等の導体間に短絡状態が生ずる。この結
果、MR感知素子は重畳領域で21層によって電気的に
バイパスされ、従って装置は動作可能でなくなる。
MR感知装置を有する磁気ヘッド組立体に生ずる他の問
題は導体及びMR感知装置間の接触抵抗によるものであ
る。導体がMR感知装置のトラック幅を画定する。ギャ
ップ表面に接する導体の真下の領域が接触領域である。
題は導体及びMR感知装置間の接触抵抗によるものであ
る。導体がMR感知装置のトラック幅を画定する。ギャ
ップ表面に接する導体の真下の領域が接触領域である。
MR感知装置は条片の1辺を定義する21層の端におけ
る連続性を破り、他方導体幅及び任意の不整値が他の辺
−で接触を保っている。制限された接触領域は磁気ヘッ
ド組立体の性能を劣化させ、故障の原因となる変動及び
抵抗の増大を生ずる。
る連続性を破り、他方導体幅及び任意の不整値が他の辺
−で接触を保っている。制限された接触領域は磁気ヘッ
ド組立体の性能を劣化させ、故障の原因となる変動及び
抵抗の増大を生ずる。
本発明の好ましい実施例においては、集積薄膜誘導性書
込及びMR読取りヘッド組立体10及び11は第1図に
示された如く空気支持スライダ12の尾部に位置付けら
れている。各ヘッド組立体の誘導性書込み副組立体は参
照番号14及び16によって示されたパーマロイ極片P
1(14)及びP2(16)(夫々第4図及び第5図参
照)並びに数回巻かれた楕円状の巻線より形成された電
気コイル18より成る。薄膜書込み素子の変換ギャップ
は極片14及び16間に配向された2つの隣接絶縁ギャ
ップ層20及び22よシ形成される(第5図参照)。例
えばアルミナより形成され得る2つのギャップ層20及
び22間には集積組立体の読取シ素子としてMR感知装
置条片24を含む読取り副組立体が存在する(第2、第
4、第5、第6図等参照)。
込及びMR読取りヘッド組立体10及び11は第1図に
示された如く空気支持スライダ12の尾部に位置付けら
れている。各ヘッド組立体の誘導性書込み副組立体は参
照番号14及び16によって示されたパーマロイ極片P
1(14)及びP2(16)(夫々第4図及び第5図参
照)並びに数回巻かれた楕円状の巻線より形成された電
気コイル18より成る。薄膜書込み素子の変換ギャップ
は極片14及び16間に配向された2つの隣接絶縁ギャ
ップ層20及び22よシ形成される(第5図参照)。例
えばアルミナより形成され得る2つのギャップ層20及
び22間には集積組立体の読取シ素子としてMR感知装
置条片24を含む読取り副組立体が存在する(第2、第
4、第5、第6図等参照)。
さらにヘッド組立体はギャップ層22上に形成された絶
縁層26を含む(第2、第4、第7図参照)。コイル1
8は該コイル上に付着された絶縁層28及び絶縁層26
によって包囲されている(第7図)。追加の絶縁層60
がコイル18および1偕28の上部に与えられる。層3
0上に形成されたP22部16が書込み副組立体の磁気
回路を完成する。導体62及び34が書込み回路からの
入力書込み信号を書込み副組立体のコイル18に与える
のに使用される。
縁層26を含む(第2、第4、第7図参照)。コイル1
8は該コイル上に付着された絶縁層28及び絶縁層26
によって包囲されている(第7図)。追加の絶縁層60
がコイル18および1偕28の上部に与えられる。層3
0上に形成されたP22部16が書込み副組立体の磁気
回路を完成する。導体62及び34が書込み回路からの
入力書込み信号を書込み副組立体のコイル18に与える
のに使用される。
極片14及び16間に形成された書込み変換ギャップ並
びに読取り感知素子24は磁性媒体上に効果的に記録及
び読取りを行なうためにスライタの空気指示表面(AB
S)上に存在する。
びに読取り感知素子24は磁性媒体上に効果的に記録及
び読取りを行なうためにスライタの空気指示表面(AB
S)上に存在する。
本発明に従ってP11部購造体14はV字状の形で基材
上に配置され、その上にギャップ層20が被着される。
上に配置され、その上にギャップ層20が被着される。
この上に第2図及び第6図に示された如<MR感知素子
24及び導体36.38が付着されこれら導体の一端が
夫々MR感知素子24に接続される。これらの上にギャ
ップ層22が付着され、このギャップ層22は導体36
.38の他端の所において接続開孔40を設けられる。
24及び導体36.38が付着されこれら導体の一端が
夫々MR感知素子24に接続される。これらの上にギャ
ップ層22が付着され、このギャップ層22は導体36
.38の他端の所において接続開孔40を設けられる。
この上に更に絶縁層26が付着されてその上にコイル1
8が付着される。導体ろ7.39は開孔40を介して導
体36.38に接続され記録データの読出し信号の取出
しを可能にする。
8が付着される。導体ろ7.39は開孔40を介して導
体36.38に接続され記録データの読出し信号の取出
しを可能にする。
MR感知素子24と導体36及び38間の接触が可能に
されている。
されている。
MR副組立体は同様に例えばメンタルで形成され得るバ
イアス層44を含む。バイアス層44はパーマロイMR
感知素子の上部に配置されている(第6図参照)。タン
タルの接着層46がMR副組立体を最初に付着されたギ
ャップ層20に接続するのに使用され得る。バイアス層
44はこの分野で周知の如く、MR感知装置条片の高さ
及び厚さに関連して電流の条件を決定する。
イアス層44を含む。バイアス層44はパーマロイMR
感知素子の上部に配置されている(第6図参照)。タン
タルの接着層46がMR副組立体を最初に付着されたギ
ャップ層20に接続するのに使用され得る。バイアス層
44はこの分野で周知の如く、MR感知装置条片の高さ
及び厚さに関連して電流の条件を決定する。
本発明はP11部構造体の延出部を含み、その上にMR
感知装置の副組立体が付着される一様な表面が形成され
る如(MR感知装置24から端子40への平面状の導電
性経路が実現される。この様な設計によって導体の不連
続性及び21層14の短絡の問題が効果的に除去される
。P11部構造体14の幾何学形状はV字形であるが、
7字の先端は極片ギャップ閉成部42からPl及びP2
2部チップへ至る磁束経路の外にあるので、とのV字形
状は書込みパフォーマンスに影響しない。
感知装置の副組立体が付着される一様な表面が形成され
る如(MR感知装置24から端子40への平面状の導電
性経路が実現される。この様な設計によって導体の不連
続性及び21層14の短絡の問題が効果的に除去される
。P11部構造体14の幾何学形状はV字形であるが、
7字の先端は極片ギャップ閉成部42からPl及びP2
2部チップへ至る磁束経路の外にあるので、とのV字形
状は書込みパフォーマンスに影響しない。
本発明の実施例においては、書込みギャップの長さは2
ミクロン以下に形成され、Pl及びP22部構造体14
及び16の各々は夫々的2.5ミクロンの厚さを有する
。MR感知装置材料のすべてはギャップ層20及び22
によって形成される書込み変換ギャップ内に存在する。
ミクロン以下に形成され、Pl及びP22部構造体14
及び16の各々は夫々的2.5ミクロンの厚さを有する
。MR感知装置材料のすべてはギャップ層20及び22
によって形成される書込み変換ギャップ内に存在する。
従ってP1@1部造体14とMR感知装置24間には短
絡の問題は生じない。さらにP11部14及びP22部
16はMR読取感知装置のためのシールドとして働く。
絡の問題は生じない。さらにP11部14及びP22部
16はMR読取感知装置のためのシールドとして働く。
上述の如く、ヘッド組立体の寸法は極めて小さく、素子
が2−3ミクロンの程度であるから、上述の通常中ずる
様な問題が改善される。従来の薄膜ヘッド組立体で使用
された如く、変換ギャップがかなり大きく、絶縁層が比
較的厚い場合には、これ等の問題は一般に生じないもの
である。
が2−3ミクロンの程度であるから、上述の通常中ずる
様な問題が改善される。従来の薄膜ヘッド組立体で使用
された如く、変換ギャップがかなり大きく、絶縁層が比
較的厚い場合には、これ等の問題は一般に生じないもの
である。
本明細書で説明された設計によって、MR感知装置及び
MR導体間に一様な面積のコンタクトが達成される。こ
の様にして、平坦でない表面上に付着された層によって
生じ得る開放回路及び短絡回路が除去される。同様に本
発明の設計の両側の対称性によって2つの導体のインピ
ーダンスの平衡が得られる。さらに高密度データ処理シ
ステムによっての製造能力及び生産の収率が高められる
。
MR導体間に一様な面積のコンタクトが達成される。こ
の様にして、平坦でない表面上に付着された層によって
生じ得る開放回路及び短絡回路が除去される。同様に本
発明の設計の両側の対称性によって2つの導体のインピ
ーダンスの平衡が得られる。さらに高密度データ処理シ
ステムによっての製造能力及び生産の収率が高められる
。
第1図は本発明に従い、集積ヘッド組立体として形成さ
れた空気ベアリング・ヘッド・スライダの背面の立面図
である。第2図は本発明に従う薄膜誘導性1込み素子及
びMR感矧装置読取り素子を組込んだ集積ヘッド組立体
の平断面図である。 第3図は本発明を明確に説明するための第2図の集積ヘ
ッド組立体の1部である。第4図は第2図の線A−Aに
沿って見た断面図である。第5図は第4図の線5−5の
部分の拡大図である。第6図は第5図の線6−6の部分
の拡大図である。第7図は第2図の線B−Bに沿って見
た断面図である。 第8図は第7図のm5−8の部分の拡大図である。 10.11・・・・集積薄膜誘導性書込み及びMR読取
りヘッド組立体、12・・・・空気ベアリング・スライ
タ、14.16・・・・パーマロイ極片、18・・・・
コイル、20.22・・・・ギャップ層、24・・・・
MR感知装置条片。
れた空気ベアリング・ヘッド・スライダの背面の立面図
である。第2図は本発明に従う薄膜誘導性1込み素子及
びMR感矧装置読取り素子を組込んだ集積ヘッド組立体
の平断面図である。 第3図は本発明を明確に説明するための第2図の集積ヘ
ッド組立体の1部である。第4図は第2図の線A−Aに
沿って見た断面図である。第5図は第4図の線5−5の
部分の拡大図である。第6図は第5図の線6−6の部分
の拡大図である。第7図は第2図の線B−Bに沿って見
た断面図である。 第8図は第7図のm5−8の部分の拡大図である。 10.11・・・・集積薄膜誘導性書込み及びMR読取
りヘッド組立体、12・・・・空気ベアリング・スライ
タ、14.16・・・・パーマロイ極片、18・・・・
コイル、20.22・・・・ギャップ層、24・・・・
MR感知装置条片。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第1の磁気薄膜極片、第2の磁気薄膜極片及びこれ等の
極片間の非磁性変換ギャップより成り上記第1の磁気薄
膜極片が外方に延出した部分を有する誘導性書込みヘッ
ド副組立体と、 上記ギャップ中に配向された平坦な導電性の磁気抵抗素
子を有する読取り副組立体と、上記平坦な磁気抵抗素子
と電気的に接触している平坦な導電性素子と、 よシ成p1 上記磁気抵抗素子及び導電性素子は上記延出している第
1の磁気薄膜極片の周辺によって囲まれている平坦な領
域を有する事を特徴とする集積磁気ヘッド組立体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US407007 | 1982-08-09 | ||
US06/407,007 US4504880A (en) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | Integrated magnetic recording head assembly including an inductive write subassembly and a magnetoresistive read subassembly |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5930223A true JPS5930223A (ja) | 1984-02-17 |
JPS641846B2 JPS641846B2 (ja) | 1989-01-12 |
Family
ID=23610223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58109446A Granted JPS5930223A (ja) | 1982-08-09 | 1983-06-20 | 集積磁気ヘツド組立体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4504880A (ja) |
EP (1) | EP0100841B1 (ja) |
JP (1) | JPS5930223A (ja) |
CA (1) | CA1191947A (ja) |
DE (1) | DE3373582D1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH0320021U (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-27 | ||
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JPH0721848B2 (ja) * | 1987-02-17 | 1995-03-08 | シーゲイト テクノロジー インターナショナル | 磁気抵抗センサ及びその製造方法 |
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