KR0134460B1 - 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 및 그 제조방법 - Google Patents

테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 및 그 제조방법

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KR0134460B1 KR1019940028292A KR19940028292A KR0134460B1 KR 0134460 B1 KR0134460 B1 KR 0134460B1 KR 1019940028292 A KR1019940028292 A KR 1019940028292A KR 19940028292 A KR19940028292 A KR 19940028292A KR 0134460 B1 KR0134460 B1 KR 0134460B1
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Abstract

본 발명은 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 밑 그 제조방법을 개시한다. 개시된 헤드조립체 및 그 제조방법은, 제1비자성기판 웨이퍼 위에 자성층, 제1절연층,자기저항코어, 도전성판, 제2절연층을 순차적으로 증착형성하여 복수의 자기저항헤드를 형성하고, 제1비자성기판 웨이퍼와 그 위의 복수의 층을 길이방향으로 절단하고, 그 위에 제2비자성기판 블록을 접착하고, 이를 절단하여 복수의 자기저항 헤드칩을 형성하고, 절단된 자기저항 헤드칩에 플랙시블 회로기판의 일측을 연결하고, 플랙시블 회로기판이 연결된 자기저항 헤드칩을 해드베이스에 고정시키고, 플랙시블 회로기판의 타측을 헤드베이스에 연결하고, 헤드베이스에 고정된 자기저항 헤드칩의 테이프와 접촉되는 면을 호형으로 가공하고, 호형으로 가공된 면에 다이아몬드상 카본을 코팅하는 점에 그 특징이 있다. 따라서 고밀도 재생이 가능한 회전드럼용 헤드조립체를 얻을 수 있게 된다.

Description

테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 및 그 제조방법
제1도는 종래 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체를 도시한 사시도.
제2도는 본 발명에 따른 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체의 헤드칩을 발췌하여 도시한 사시도.
제3도는 본 발명에 따른 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체를 도시한 평면도.
제4도는 내지 제13도는 본 발명에 따른 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체의 제조방법을 설명하기 위한 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 제 1비자성기판 12 : 제 1자성층
13 : 제 1절연층 14 : 자기저항코어
15 : 도전성판 16 : 제 2절연층
17 : 제 2비자성기판 18 : 자기저항헤드
19 : 자기갭 30 : 헤드칩
32 : 플랙시블 회로기판 40 : 헤드베이스
θ : 아지머스각 50 : 호형면
60 : 다이아몬드상 카본층 70 : 회전드럼
본 발명은 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 고밀도 기록이 가능하도록 한 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래 테이프레코더의 예컨대 비디오 테이프 레코더(VTR)의 회전드럼용으로 사용되는 헤드조립체(1)는 제 1도에 도시되어 있는 바와 같이, 글래스(6)에 의해 상호 융착되어 그 선단에 자기갭(5)을 형성하는 페라이트부재로 이루어진 I형 코어(3)와 C형 코어(4)로 이루어진 헤드칩(2)과, 헤드칩(2)의 C형 코어(4)에 형성된 권선홈(7)에 권선되는 코일(8)과, 헤드칩(2)을 회전드럼에 고정시키기 위한 헤드베이스(9)를 구비하여 구성되어 있다.
그러나 이와 같이 구성된 종래 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체(1)는 판상의 페라이트부재를 절단하여 I형 코어(3)와 C형 코어(4)를 형성한 다음, 이들을 글래스(6)로 형합시켜 그 선단에 자기갭(5)을 형성한 것으로서, 자기갭(5)을 0.3㎛ 이하로 줄일 수 없는 문제점이 있었다.
즉, 종래의 헤드드럼용 헤드조립체(1)의 자기갭(5)은 통상 트리밍(trimming)이나 연마등과 같은 기계적 가공에 의해 형성되는 것으로, 현재 사용가능한 기술에 의해서는 가공상의 한계가 있어 자기갭을 0.3㎛ 이하로 형성할 수 없는 문제넘이 있었다.
따라서 종래 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체로는 고밀도 재생이 어려운 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 감안하여 창출된 것으로서, 고밀도 재생이 가능한 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체를 제공하는데 그 첫 번째 그 목적이 있다.
본 발명의 두 번째 목적은 고밀도 재생이 가능한 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체를 제조하기에 적합한 방법을 제공하는데 있다.
상술한 본 발명의 첫 번째 목적은, 헤드베이스와; 상기 헤드베이스에 설치되며, 제1비자성기판과, 상기 제1비자성기판 위에 순차적으로 형성되는 자성층, 제1절연층, 자기저항코어와 상기 자기저항코어의 양측에 형성되며 센싱 전류가 인가되는 도전성판과, 상기 도전성판 위에 형성되는 제2절연층과, 상기 제2절연층 위에 접착되는 제2비자성기판을 가지는 자기저항 헤드칩과; 상기 헤드베이스와 상기 자기저항 헤드칩을 전기적으로 연결하는 플랙시블 회로기판을 포함하는 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체를 제공함으로써 달성될 수 있다.
그리고 상술한 자기저항 헤드칩의 테이프와 접촉되는 면이 호형으로 형성되고, 상기 호형면에는 다이아몬드상 카본층이 코팅된다.
상술한 본 발명의 두번째 목적은, 제1비자성기판 웨이퍼 위에 자성층을 형성하는 단계와, 상기 자성층 위에 제1절연층을 형성하는 단계와, 상기 제1절연층 위에 자기저항층을 형성하는 단계와, 상기 자기저항층을 자기저항코어로 패터닝하는 단계와, 상기 자기저항코어 및 상기 제1절연층 위에 도전성층을 형성하는 단계와, 상기 도전성층의 일부를 제거하여 한쌍의 도전성판을 형성하는 단계와, 상기 자기저항코어 및 상기 한쌍의 도전성판 위에 제2절연층을 형성하는 단계와, 상기 제1비자성기판 웨이퍼와 그 위에형성된 상기 복수의 층을 길이방향으로 절단하여 복수의 자기저항헤드 블록을 형성하는 단계와, 상기 자기저항헤드 블록의 제2절연층 위에 제2비자성기판 블록을 부착하고 이를 복수의 자기저항 헤드칩으로 절단하는 단계와, 상기 자기저항 헤드칩에 플랙시블 회로기판의 일측을 연결하는 단계와, 상기 플랙시블 회로기판이 연결된 자기저항 헤드칩을 헤드베이스에 고정시키고 플랙시블 회로기판의 타측을 헤드베이스에 연결하는 단계와, 상기 헤드베이스에 고정된 헤드칩의 테이프와 접촉되는 면을 호형으로 가공하는 단계와, 상기 호형으로 가공된 면에 다이아몬드상 카본을 코팅하는 단계를 포함하는 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 제조방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.
그리고 상기 자기저항헤드 블록을 복수의 자기저항 헤드칩으로 절단하는 단계에서, 블록을 소정각도로 경사지게 커팅하여 자기저항 헤드칩에 아지머스각을 부여하기 위한 단계를 더 포함한다.
따라서 고밀도 기록이 가능한 회전드럼용 헤드조립체를 얻을 수 있게 된다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체의 헤드칩을 발췌하여 도시한 사시도이고, 제3도는 본 발명에 따른 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체를 도시한 평면도이다.
본 발명에 따른 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체는 제2도에 도시되어 있는 바와 같이,제1비자성기판(11)과, 이 제1비자성기판(11) 위에 형성되는 제1자성층(12) 과 이 자성층(12) 위에 적층형성되는 제1절연층(13)과, 그 위에 적층형성되는 자기저항코어(14)와, 자기저항코어(14)의 양측에 적층형성되며 센싱전류가 인가되는 도전성판(15)과, 도전성판(15) 위에 형성되는 제2절연층(16)과, 이 제2절연층(16) 위에 접착되는 제2비자성기판(17)으로 이루어진 자기저항 헤드칩(30)을 구비한다.
그리고 제1비자성기판(11)과 제2비자성기판(17)은 Al2O3등과 같은 비자성물질로 이루어지고, 자성층(12)은 퍼멀로이(permalloy)로 이루어지며, 제1절연층(13)과 제2절연층(16)은 Al2O3, SiO2등과 같은 비자성물질로 이루어지고, 자기저항코어(14)는 NiFe 박막과 Ti 박막 및 비결정의 CoZRMo 박막의 복합층으로 이루어지며, 도전성판(15)은 Au 등으로 이루어진다.
그리고 자기저항 헤드칩(30)은 제3도에 도시된 바와 같이, 헤드베이스(40)의 선단에 고정되고, 이 헤드베이스(40)의 후단은 회전드림(70)에 고정된다.
그리고 헤드베이스(40)와 자기저항 헤드칩(10)은 플랙시블 회로기판(32)에 의해 전기적으로 연결되고, 자기저항 헤드칩(30)의 테이프와 접촉되는 면이 호형면(50)으로 형성되며, 호형면(50)에는 다이아몬드상 카본층(DIAMOND LIKE CARBON : 60)이 코팅된다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 테이프레코더의 회전드림용 헤드조립체의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제4도 내지 제13도는 본 발명에 따른 테이프레코더의 회전드림용 헤드조립체 제조방법을 설명하기 위한 공정도이고, 이중 제4도 내지 제9도의 (a)는 측단면도이고 (b)는 정단면도이다.
본 발명에 따른 테이프 회전드럼용 헤드조립체에 사용되는 자기저항 헤드칩(30)의 제조방법은, 제4도 (a)(b)에 도시된 바와 같이 Al2O3등과 같은 비자성물질로 이루어진 제1비자성기판 웨이퍼(11')위에 퍼멀로이(permalloy)로 이루어진 자성층(12)을 소정두께로 형성한다. 에를들면 스퍼터링(sputtering)법에 의해 적어도 10㎛의 두께로 형성한다. 그리고 Al2O3, SiO2등과 같은 비자성물질로 이루어진 제1절연층(13)을 상기 제1자성층(12) 위에 예를들면, 스퍼터링법으로 0.15㎛의 두께로 형성한다.
그리고 제5도 (a)(b)에 도시된 바와 같이 제1절연층(13) 위에 자기저항코어(14')을 소정두께로 형성한다. 자기저항층(14')은 NiFe 박막을 제1절연층(13) 위에 500㎛의 두께로 형성한 후, 그위에 Ti 박막을 200nm의 두께로 형성하고, 다시 그 위에 비결정의 CoZRMo 박막을 700nm의 두께로 형성된 복합층으로 이루어진다.
그리고 이와 같은 자기저항층(14')은 제6도 (a)(b)에 도시된 바와 같이 포토 레지스트 그래피(photoresist graph)법에 의해 자기저항코어(14)로 패터닝된다.
그리고 제7도 (a)(b)에 도시된 바와 같이 자기저항코어(14) 및 제1절연층(13)위에 0.5㎛의 두께로 도전성층(15')을 형성한다. 도전성층(15')은 예를들면 Au를 층착법에 의해 소정두께로 형성함으로써 이루어진다.
그리고 제8도 (a)(b)에 도시된 바와 같이 상기 도전성층(15')을 포토 레지스트 그래피(photo resist graph)법에 의해 패터닝하여 한쌍의 도전성판(15)을 형성한다.
그리고 제9도 (a)(b)에 도시된 바와 같이 한쌍의 도전성판(15) 및 자기저항코어(14)위에 Al2O3SiO2등과 같은 비자성물질로 이루어진 제2절연층(16)을 스퍼터링법에 의해 형성하여 제10도에 도시된 바와 같이 복수의 자기저항헤드(18)를 형성한다.
그리고 제10도에 도시된 바와 같이 제1비자성기판 웨이퍼(11') 및 그 위에 형성된 상기 복수의 층을 일점쇄선을 따라 길이방향으로 절단한 후, 제2절연층(16)의 후방부를 일부분 제거하고, 그 위에 제2비자성기판 블록(17)을 접합하여 제11도에 도시된 바와 같은 자기저항헤드(18) 블록을 형성한다.
그리고 자기저항헤드 블록을 절단하여 제12도 (a)에 도시된 바와 같은 자기저항 헤드칩(30)을 복수 형성한다. 그리고 절단시 각각의 헤드칩(30)을 소정각도 경사지게 절단하여 아지미스각(θ)을 부여한다.
그리고 제12도 (b)에 도시된 바와 같이 자기저항 헤드칩(30)의 제거된 후방부에 블랙시블 회로기판(32)의 일측을 연결하고, 제12도 (c)에 도시된 바와 같이 블랙시블 회로기판(32)이 연결된 헤드칩(30)을 헤드베이스(40)에 고정시키고 블랙시블 회로기판(32)의 타측을 헤드베이스(40)에 연결한다.
그리고 제13도 (a)와 같이 헤드베이스(40)을 회전드립(70)에 고정시키고, 헤드베이스(40)에 고정된 헤드칩(30)의 테이프와 접촉하는 면을 호형면(50)으로 가공하고, 호형으로 가공된 면(50)에 제13도 (b)와 같이 다이아몬드상 카본층(DIAMOND LIKE CARBON : 60)을 형성한다.
이와 같이 제조된 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체에서 자기저항헤드(18)의 헤드캡(19)은 자성층(12)과 자기저항코어(14) 사이의 폭에 해당된다.
이러한 자기저항헤드(18)의 자기갭(19)은 반도체공정의 증착 공정에 의해 형성되는 것으로 수백 Å 이하까지 구원이 가능하다.
따라서 종래 페라이트판을 트라밍(trimming)이나 연마등과 같은 기계적 가공에 의해 형성된 헤드조립체의 헤드캡 0.3㎛에 비해 자기갭을 수백 Å 이하로 대폭 줄일 수 있게 됨에따라 고밀도의 재생이 가능하게 된다.
이와 같이 제조된 회전드럼용 헤드조립체는 자기저항헤드가 테이프에 기록된 신호의 자계번호를 감지하여 자체 저항값이 변화가 일어나면 고유전압값이 변하게 되고, 이 변화값을 신호로 읽어냄으로써 기록된 신호를 재생하게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 및 그 제조방법에 의하면, 헤드캡을 수백 Å 이하로 구현할 수 있으므로, 고밀도 재생이 가능한 테이프레코더의 구현이 가능하게 되고, 헤드칩의 선단에 다이아몬드상 카본층이 코팅되어 있으므로 자기테이프와의 마찰에 의한 헤드칩의 마모를 줄일 수 있어 헤드칩의 수명이 연장되게 된다.

Claims (4)

  1. 헤드베이스와; 상기 헤드베이스에 설치되며, 제1비자성기판과, 상기 제1비자성기판 위에 순차적으로 형성되는 자성층, 제1절연층, 자기저항코어와 상기 자기저항코어의 양측에 형성되며 센싱 전류가 인가되는 도전성판과, 상기 도전성판 위에 형성되는 제2절연층과, 상기 제2절연층 위에 접착되는 제2비자성기판을 가지는 자기저항 헤드칩과; 상기 헤드베이스와 상기 자기저항 헤드칩을 전기적으로 연결하는 플랙시블 회로기판을 포함하는 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자기저항 헤드칩의 테이프와 접촉되는 면이 호형으로 형성되고, 상기 호형면에 다이아몬드상 기본층이 코팅된 것을 특징으로 하는 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체.
  3. 제1비자성기판 웨이퍼 위에 자성층을 형성하는 단계와, 상기 자성층 위에 제1절연층을 형성하는 단계와, 상기 제1절연층 위에 자깆항층을 형성하는 단계와, 상기 자기저항층을 자기저항코어로 패터닝하는 단계와, 상기 자기저항코어 및 상기 제1절연층 위에 도전성층을 형성하는 단계와, 상기 도전성층의 일부를 제거하여 한쌍의 도전성판을 형성하는 단계와, 상기 자기저항코어 및 상기 한쌍의 도전성판 위에 제2절연층을 형성하는 단계와, 상기 제1비자성기판 웨이퍼와 그 위에 형성된 상기 복수의 층을 길이방향으로 절단하여 복수의 자기저항헤드 블록을 형성하는 단계와, 상기 자기저항헤드 블록의 제2절연층 위에 제2비자성기판 블록을 부착하고 이를 복수의 자기저항 헤드칩으로 절단하는 단계와, 상기 자기저항 헤드칩에 플랙시블 회로기판의 일측을 연결하는 단계와, 상기 플랙시블 회로기판이 연결된 자기저항 헤드칩을 헤드베이스에 고정시키고 플랙시블 회로기판의 타측을 헤드베이스에 연결하는 단계와, 상기 헤드베이스에 고정된 헤드칩의 테이프와 접촉되는 면을 호형으로 가공하는 단계와, 상기 호형으로 가공된 면에 다이아몬드상 카본을 코팅하는 단계를 포함하는 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 자기저항헤드 블록을 복수의 자기저항 헤드칩으로 절단하는 단계에서, 블록을 소정각도로 경사지게 커팅하여 자기저항 헤드칩에 아지머스각을 부여하기 위한 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 제조방법.
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