JPH08212525A - Ｖｃｒ用ヘッドアセンブリ - Google Patents

Ｖｃｒ用ヘッドアセンブリ

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JPH08212525A
JPH08212525A JP7306754A JP30675495A JPH08212525A JP H08212525 A JPH08212525 A JP H08212525A JP 7306754 A JP7306754 A JP 7306754A JP 30675495 A JP30675495 A JP 30675495A JP H08212525 A JPH08212525 A JP H08212525A
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JP
Japan
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insulating layer
head
magnetic
layer
forming
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JP7306754A
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Inventor
Heikei Ri
丙圭 李
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Daiu Denshi Kk
WiniaDaewoo Co Ltd
Original Assignee
Daiu Denshi Kk
Daewoo Electronics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度で磁気信号を記録及び再生し得るＶ
ＣＲ用ヘッドアセンブリ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ヘッドベース４０と、このヘッドベー
ス４０上に設けられて、第１非磁性基板ブロック１１
と、第１磁性コア１２、第１絶縁層１３、磁気抵抗コア
１４、一対の導電性板１５及び第２絶縁層１６を有する
磁気抵抗ヘッド１７と、第２磁性コア２１、第３絶縁層
２２、導電性コイル２３、第４絶縁層２４、第３磁性コ
ア２５及び第５絶縁層２７を有する薄膜ヘッド２６と、
第２非磁性基板ブロック３１とを備えたヘッドチップ３
０と、ヘッドベース４０に固定されて、一方は磁気抵抗
ヘッド１７に接触し、他方は薄膜ヘッド２６に接触する
一対の可撓性を有するプリント回路基板（ＦＰＣＢ）３
２とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はビデオカセットレコ
ーダ（ＶＣＲ）用ヘッドアセンブリに関し、特に、高精
度にて磁気信号を記録及び再生し得るヘッドアセンブリ
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、従来のＶＣＲは、ビデオ
カセットテープ上に新しい信号を記録することのみなら
ず、テープ上に既に記録された信号を再生させるヘッド
アセンブリが組み込まれている。
【０００３】図１に示されているように、従来のヘッド
アセンブリ１は、回転ドラム（図示せず）に設けられた
ヘッドベース９と、ヘッドベース９に取り付けられ、Ｉ
型フェライトコア３及びＣ型フェライトコア４からなっ
て、その後方部はガラス層６により互いに固着されてお
り、前方部は磁気ギャップ５を形成するヘッドチップ２
とを含む。
【０００４】そのようなヘッドアセンブリは、磁気ギャ
ップ５を通じて磁気テープ（図示せず）上に記録された
磁気信号を読み出す働きをする。磁気ギャップ５が磁気
テープに近付くにつれて、記録された信号の磁場はフェ
ライトコア３及び４内に存在する複数の磁気双極子を再
配列させる。かくして、磁束の変化を引き起こして、巻
線スロット７を通してＣ型フェライトコア４のまわりに
巻かれたコイル８に電気信号を誘導する。その後、この
電気信号はロータコイル（図示せず）へ供給されて、Ｖ
ＣＲの他の部分へ送られる。
【０００５】即ち、記録時には、その電気信号がコイル
８へ加えられて、フェライトコア３及び４の磁気双極子
の再配列が行われる。これによって、磁気ギャップ５の
周りに磁場が発生して磁気テープ上に磁気信号を記録す
ることになる。
【０００６】磁気テープの一定の距離内に記録され得る
信号の量は、即ち、信号の密度は、磁気ギャップの幅に
依存する。この磁気ギャップを狭めることによって、テ
ープ上で極小な長さを占める磁気信号（即ち、微細信
号）を記録することができる。更に、読出しの際には、
微細信号を判別するＶＣＲの能力を向上させることがで
きる。従って、信号の密度は、磁気ギャップ５の幅によ
り左右される。
【０００７】しかし、前述された従来のヘッドアセンブ
リは、磁気ギャップ５の幅が０．３μｍ以下になり得な
い欠点がある。通常、磁気ギャップはトリミングや研磨
のような機械的加工により形成され、現在使用可能な技
術においては、磁気ギャップを０．３μｍ以下に形成し
にくい。
【０００８】更に、従来のヘッドアセンブリは、実際、
高密度で記録された信号を再生し得る充分な感度を備え
ていない。磁気ギャップが狭く形成されるほど、１つの
信号が占める磁気テープの表面積が減少されるため、信
号により発生される磁場は相対的に減少される。従っ
て、従来のヘッドアセンブリの磁気ギャップが、０．３
μｍの幅より小さく形成され得るとしても、テープ上に
各磁気信号が占める微細な表面積が、フェライトコアか
ら構成された従来のヘッドアセンブリが検出できる磁気
信号には限界があるという点において、検出可能な信号
の密度には限界がある。
【０００９】上記した問題点は、ヘッドアセンブリが設
けられた回転ドラムの回転速度を増加させることによっ
て理論的には解決し得るが、実際には、如何なる方法に
て回転ドラムの回転速度を速くするかという制約を伴
う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高精度で磁気信号を記録及び再生し得るＶＣＲ用ヘ
ッドアセンブリを提供することである。
【００１１】本発明の他の目的は、高精度で磁気信号を
記録及び再生し得るＶＣＲ用ヘッドアセンブリの製造方
法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明一実施例によれば、ＶＣＲに用いられるヘ
ッドアセンブリであって、ヘッドベースと、前記ヘッド
ベース上に設けられて、第１非磁性基板ブロックと、第
１磁性コア、第１絶縁層、磁気抵抗コア、一対の導電性
板及び第２絶縁層を有する磁気抵抗ヘッドと、第２磁性
コア、第３絶縁層、導電性コイル、第４絶縁層、第３磁
性コア及び第５絶縁層を有する薄膜ヘッドと、第２非磁
性基板ブロックとからなるヘッドチップと、前記ヘッド
ベースに固定されて、１つは前記磁気抵抗ヘッドに接触
し、他の１つは前記薄膜ヘッドに接触する一対の可撓性
を有するプリント回路基板（ＦＰＣＢ）とを含むことを
特徴とする。
【００１３】本発明の他の実施例によれば、ＶＣＲに用
いられるヘッドアセンブリの製造方法であって、第１非
磁性基板ウェハーを設ける第１過程と、前記第１非磁性
基板ウェハーの上部に第１磁性コアを形成する第２過程
と、前記第１磁性コアの上部に第１絶縁層を形成する第
３過程と、前記第１絶縁層の上部に磁気抵抗層を形成す
る第４過程と、前記磁気抵抗層を磁気抵抗コアにパター
ニングする第５過程と、前記磁気抵抗コア及び前記第１
絶縁層の上部に導電性層を形成する第６過程と、前記導
電性層の一部を除去して、一対の導電性板を形成する第
７過程と、前記磁気抵抗コア及び前記一対の導電性板の
上部に第２絶縁層を形成する第８過程と、前記第２絶縁
層の上部に第２磁性層を形成する第９過程と、前記第２
磁性層を第２磁性コアにパターニングする第１０過程
と、前記第２磁性コア及び前記第２絶縁層の上部に第３
絶縁層を形成する第１１過程と、前記第３絶縁層の上部
に導電性コイル層を形成する第１２過程と、前記導電性
コイル層の一部を除去して、導電性コイルを形成する第
１３過程と、前記第３絶縁層及び前記導電性コイルの上
部に第４絶縁層を形成する第１４過程と、前記第２磁性
コアの上部に形成された第４絶縁層及び前記第３絶縁層
の一部分を除去する第１５過程と、前記第４絶縁層の上
部に第３磁性層を形成して、前記第４絶縁層及び前記第
３絶縁層の前記除去された一部分により形成されたギャ
ップを満たす第１６過程と、前記第３磁性層を第３磁性
コアにパターニングする第１７過程と、前記第３磁性コ
ア及び前記第４絶縁層の上部に第５絶縁層を形成する第
１８過程と、前記第１非磁性基板ウェーハ及びその上に
形成された前記複数の層を、複数のスライスに切断する
第１９過程と、前記各々のスライスの上部に第２非磁性
基板ブロック層を固定させる第２０過程と、前記各々の
スライスを複数のヘッドチップに切断する第２１過程
と、前記各々のヘッドチップに一対の可撓性を有するプ
リント回路基板（ＦＰＣＢ）を取り付ける第２２過程
と、複数のヘッドベース上に、前記ヘッドチップ及び前
記ヘッドチップに取り付けられた前記一対の可撓性を有
するプリント回路基板を設ける第２３過程とを含むこと
を特徴とする。
【００１４】また、本発明の他の実施例によれば、ＶＣ
Ｒに用いられるヘッドアセンブリの製造方法であって、
第１非磁性基板ウェハーを設ける第１過程と、前記第１
非磁性基板ウェハーの上部に第１磁性コアを形成する第
２過程と、前記第１磁性コアの上部に第１絶縁層を形成
する第３過程と、前記第１絶縁層の上部に磁気抵抗層を
形成する第４過程と、前記磁気抵抗層を磁気抵抗コアに
パターニングする第５過程と、前記磁気抵抗コア及び前
記第１絶縁層の上部に導電性層を形成する第６過程と、
前記導電性層の一部を除去して、一対の導電性板を形成
する第７過程と、前記磁気抵抗コア及び前記一対の導電
性板の上部に第２絶縁層を形成する第８過程と、第２非
磁性基板ウェハーを設ける第９過程と、前記第２非磁性
基板ウェハーの上部に第２絶縁層を形成する第１０過程
と、前記第２絶縁層を第２磁性コアにパターニングする
第１１過程と、前記第２磁性コア及び前記第２絶縁層の
上部に第３絶縁層を形成する第１２過程と、前記第３絶
縁層の上部に導電性コイル層を形成する第１３過程と、
前記導電性コイル層の一部を除去して、導電性コイルを
形成する第１４過程と、前記第３絶縁層及び前記導電性
コイルの上部に第４絶縁層を形成する第１５過程と、前
記第２磁性コアの上部に形成された第４絶縁層及び前記
第３絶縁層の一部分を除去する第１６過程と、前記第４
絶縁層の上部に第３磁性層を形成し、前記第４絶縁層及
び前記第３絶縁層の前記除去された一部分により形成さ
れたギャップを満たす第１７過程と、前記第３磁性層を
第３磁性コアにパターニングする第１８過程と、前記第
３磁性コア及び前記第４絶縁層の上部に第５絶縁層を形
成する第１９過程と、前記第１非磁性基板ウェハー及び
その上に形成された前記複数の層を複数のスライスに切
断する第２０過程と、前記第２非磁性基板ウェハー及び
その上に形成された前記複数の層を複数のスライスに切
断する第２１過程と、前記磁気抵抗ヘッドを有するスラ
イスと、前記薄膜ヘッドを有するスライスとを結合し
て、薄膜ヘッドと磁気抵抗ヘッドを含む複数のスライス
を形成する第２２過程と、前記磁気抵抗ヘッドを有する
スライスと、前記薄膜ヘッドを有するスライスとを結合
することによって得られる各々のスライスを、複数のヘ
ッドチップに切断する第２３過程と、前記各々のヘッド
チップに一対の可撓性を有するプリント回路基板を取り
付ける第２４過程と、複数のヘッドベース上に前記ヘッ
ドチップ及び前記ヘッドチップに取り付けられた前記一
対の可撓性を有するプリント回路基板を設ける第２５過
程とを含むことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例につ
いて図面を参照しながらより詳しく説明する。
【００１６】図面の説明において、構成要素の水平方向
の左端部から右端部までの寸法を幅と定義し、前端部
（即ち、磁気テープと接触する部分）から後端部までの
寸法を長さと定義する。図面において同一の部品には同
一の符号を付して表示する。
【００１７】図２には、本発明の好ましい実施例に基づ
いて、ＶＣＲに用いられるヘッドアセンブリのヘッドチ
ップ３０の側断面及び正面断面図が示されている。この
ヘッドチップ３０は、第１非磁性基板ブロック１１と、
磁気抵抗ヘッド１７と、薄膜ヘッド２６と、第２非磁性
基板ブロック３１とからなる。
【００１８】第１非磁性基板ブロック１１及び第２非磁
性基板ブロック３１は、物理的な損傷から磁気抵抗ヘッ
ド１７及び薄膜ヘッド２６を保護する機能を有する。こ
れらの非磁性基板ブロックは、例えば、Ａｌ2Ｏ3のよう
な非磁性物質からなる。
【００１９】磁気抵抗ヘッド１７は、第１非磁性基板ブ
ロック１１の上部に位置し、第１磁性コア１２、第１磁
性コア１２の上部に置かれた第１絶縁層１３、その両側
縁部が一対の導電性板１５によって覆われた磁気抵抗コ
ア１４及び第２絶縁層１６を含む。第１磁性コア１２と
磁気抵抗コア１４との間の間隔は、磁気抵抗ヘッド１７
に設けられた磁気ギャップ１８を形成し、この磁気ギャ
ップ１８が磁気テープ（図示せず）に記録された磁気信
号を読出す。このような点において、第１絶縁層１３の
厚さは、磁気ギャップ１８の幅と対応することに注目さ
れたい。
【００２０】第１磁性コア１２は、第１非磁性基板ブロ
ック１１の上面に配置されており、第１絶縁層１３はそ
の第１磁性コア１２の上面に配置されている。平坦かつ
長方形の形状を有する磁気抵抗コア１４は、第１絶縁層
１３の上面に配置されて、前方エッジに正確に嵌合され
ている。磁気抵抗コア１４は第１絶縁層１３より狭く
（即ち、より狭い幅を有する）、第１絶縁層１３はその
左右両側に同一の距離だけ延在している。更に、第１絶
縁層１３の後方部分は、磁気抵抗コア１４が第１絶縁層
１３より短いため（即ち、より短い長さを有するの
で）、磁気抵抗コア１４によって覆われていない。
【００２１】２つの導電性板１５は、磁気抵抗コア１４
の左右両側に配置されている。この導電性板１５は磁気
抵抗コア１４より長く、その後方端部を過ぎて延在して
いる。更に、各導電性板１５は、磁気抵抗コア１４の上
に重なる階段状の突出した部分をもって互いに良好な電
気的接続を堅固にしている。
【００２２】第２絶縁層１６は、磁気抵抗コア１４、導
電性板１５及び磁気抵抗コア１４または導電性板１５に
より覆われていない部分の上面に形成されている。
【００２３】磁気抵抗ヘッド１７の上部に置かれた薄膜
ヘッド２６は、その前方部で互いに接触して導電性コイ
ル２３が巻取される、細長いスロットを形成する第２磁
性コア２１及びＬ型の第３磁性コア２５と、導電性コイ
ル２３がその上面に配置された第３絶縁層２２と、導電
性コイル２３を覆って第３磁性コア２５と導電性コイル
２３とが直接接触しないようにする第４絶縁層２４と、
第３磁性コア２５と第４絶縁層２４の部分とを覆う第５
絶縁層２７とを含む。磁気抵抗ヘッド１７のように、薄
膜ヘッド２６には、磁気テープ上に磁気信号を記録する
磁気ギャップ２８が設けられる。第２磁性コア２１と第
３磁性コア２５との間の間隔は、磁気ギャップ２８の幅
と同じである。
【００２４】第２磁性コア２１は、磁気抵抗ヘッド１７
の第２絶縁層１６の上面に配置されている。第２磁性コ
ア２１は第２絶縁層１６より短くかつ狭く、その前方エ
ッジの中心に正確に嵌合されるように配置されている。
かくして、磁気抵抗コア１４及び第１絶縁層１３の場合
のように、第２磁性コア２１はその左右両側に覆われて
いない同一の幅の第２絶縁層１６の２つのストリップを
形成する。また、第２絶縁層１６の後方部も覆われてい
ない状態である。
【００２５】一方、第３絶縁層２２は、第２磁性コア２
１の上面及び第２絶縁層１６の上面に配置されている。
第３絶縁層２２は、第３磁性コア２５と接触する第２磁
性コア２１の長方形ストリップと、第２絶縁層１６の後
方部とを除いては、第２磁性コア２１及び第２絶縁層１
６を完全に覆っている。
【００２６】導電性コイル２３は、一連の同心のチェー
ンリンクのように粗く形成されて、第３絶縁層２２の上
面に配置されている。導電性コイル２３の後方部は、ギ
ャップ（即ち、チェーンリンクの開口）により分かれ、
覆われない第２磁性コア２１の長方形ストリップの後方
の第３絶縁層２２の上面に配置され、第３磁性コア２５
と接触している。連続する導電性コイル２３の前方部
は、第２磁性コア２１の覆われない長方形ストリップの
前方に置かれる。更に、導電性コイル２３は、導電性コ
イル２３の左右両側が第２磁性コア２１及び第３磁性コ
ア２５の左右両側を通過するように、第２磁性コア２１
及び第３磁性コア２５より広い。
【００２７】前述したように、第３絶縁層２２上に配置
された導電性コイル２３は、第４絶縁層２４によって覆
われている。第４絶縁層２４は、第２磁性コア２２の長
方形ストリップを覆わない状態で、導電性コイル２３及
び第３絶縁層２２を完全に覆っている。
【００２８】一方、第３磁性コア２５は、時計方向へ９
０°回転されたＬ字形の側断面を有する。このＬ字形の
短いアームは、第３絶縁層２２及び第４絶縁層２４によ
り形成されて、ギャップ内に挿入され、第２磁性コア２
１の覆われない長方形部分と接触する。Ｌ字形の長いア
ームは、その前方エッジまで延在する第４絶縁層２４の
上面の前方部の上に配置されて、第４絶縁層２４の後方
部は露出されたまま残される。第３磁性コア２５は第２
磁性コア２１と同一の幅を有し、第２磁性コア２１の直
ぐ上に配置されているため、第４絶縁層２４の上面の左
右両側が覆われないままになる。第３磁性コア２５及び
第４絶縁層２４は、第５絶縁層２７により完全に覆われ
ている。
【００２９】第２非磁性基板ブロック３１は、薄膜ヘッ
ド２６の上部に置かれている。この第２非磁性基板ブロ
ック３１は、薄膜ヘッド２６に比べて同一の幅及びより
短い長さを有し、その前方エッジに正確に嵌合されるよ
うに配置されるため、薄膜ヘッド２６の後方ストリップ
を覆われないままにする。ここで、第１非磁性基板ブロ
ック１１の長さ及び幅が磁気抵抗ヘッド１７の長さ及び
幅に対応する反面、薄膜ヘッド２６の長さ及び第２非磁
性基板ブロックの長さは、依然として磁気抵抗ヘッドの
長さより短いということに注目されたい。従って、ヘッ
ドチップ３０は粗く形成された３段階の側面の輪郭を有
する、第１非磁性基板ブロック１１及び磁気抵抗ヘッド
１７は１段階を、薄膜ヘッド２６は２段階を、第２非磁
性基板ブロック３１は３段階を各々形成する。更に、図
１９に示したように、ヘッドチップ３０は平行四辺形の
ような正面の輪郭を有する。磁気ギャップ１８、２８に
方位角を与えるために、ヘッドチップ３０の左右両側は
わずかに傾斜している。
【００３０】また、２つの可撓性を有するプリント回路
基板（ＦＰＣＢ）が、ヘッドチップ３０の後方部に取り
付けられており、一方のＦＰＣＢは、磁気抵抗ヘッド１
７の後方に取り付けられて導電性板１５と電気的に接続
されており、もう一方のＦＰＣＢは薄膜ヘッド２６の後
方に取り付けられて、導電性コイル２３と電気的に接続
されている。
【００３１】前述したように構成されたヘッドチップ３
０は、図４２に示したように、ヘッドベース４０に取り
付けられる。このヘッドチップ３０はヘッドベース４０
の上面の前方部に水平に取り付けられ、ヘッドチップ３
０の側面がヘッドベース４０の上面と接触している。ま
た、ヘッドチップ３０は外側に向かっているため、ヘッ
ドチップ３０の前面５０がヘッドベース４０を通過して
延在し磁気テープ表面積との相互作用を容易にしてい
る。
【００３２】従って、磁気抵抗ヘッド１７と薄膜ヘッド
２６は垂直に配置されて（即ち、ヘッド１７及び２６の
幅方向及び長手方向に沿った平面がヘッドベース４０の
上面と直交する）、第１磁性コア１２、磁気抵抗コア１
４、第２磁性コア２１及び第３磁性コア２５の全てが磁
気テープと同時に相互作用し得る。ヘッドチップ３０の
側面に与えられたわずかの傾斜に基づいて、磁気抵抗ヘ
ッド１７及び薄膜ヘッド２６も、ヘッドベース４０の上
面と垂直な垂直ラインからわずかに傾斜している。この
傾斜は、磁気ギャップ１８及び２８に方位角を与える。
【００３３】磁気ギャップ１８及び２８は、磁気テープ
の隣接するトラック上の磁気信号のクロス−トークを防
止するために、互いに異なる方位角を与えられているた
め、別の方位角を設ける必要はない。言換えれば、磁気
信号及び磁気ギャップに方位傾斜が与えられているの
で、磁気ギャップは読出されるべきトラック上に記録さ
れた信号だけを読出すことができる。
【００３４】一方、２つのＦＰＣＢ３２は、ヘッドベー
ス４０の上面に平行に配置されて取り付けられて、ヘッ
ドチップ３０へ及びヘッドチップ３０から信号が伝達さ
れるように捻れている。
【００３５】その後、ヘッドベース４０は、図４３に示
したように、回転ドラム７０に取り付けられる。また、
図４２乃至図４４に示したように、ヘッドチップ３０の
前面５０は、ヘッドチップ３０が回転ドラム７０の周囲
に巻回された磁気テープとより良く相互作用し得るよう
に、外向きにわずかに湾曲している。
【００３６】前述したようなＶＣＲ用ヘッドアセンブリ
は、組み込まれた磁気抵抗ヘッド１７により磁気テープ
上に記録された磁気信号を読出することができる。磁気
抵抗ヘッド１７が磁気テープに近付く場合、磁気信号に
よる磁場が磁気抵抗コア１４の抵抗力に変化を起こす。
このような変化は、磁気抵抗コア１４及び導電性板１５
を通して流れる電流を測定することによって検知され
る。
【００３７】一方、記録動作はヘッドアセンブリに含ま
れた薄膜ヘッド２６により行われる。記録動作の際、電
気信号が導電性コイル２３に印加されて、磁気コア２１
及び２５内に存在する複数の磁気双極子を再配列させ
る。これは、磁気テープ上に磁気信号を記録するために
用いられる磁場を磁気ギャップ２８の周囲に発生する。
【００３８】本発明の好ましい実施例によるＶＣＲ用ヘ
ッドアセンブリは、磁気ギャップ１８及び２８により高
精度の磁気信号を記録及び再生することができる。トリ
ミングや研磨のような機械的な加工により形成され、幅
を０．３μｍより小さくしにくい従来の磁気ギャップと
は異なり、本発明のヘッドアセンブリの磁気ギャップ１
８及び２８は、積層法及びエッチング法を用いて形成さ
れる。その結果、磁気ギャップ１８及び２８は数百オン
グストロームの幅で製造され得るので、ギャプの幅に比
例したより小さい磁気信号を記録または再生し得る。
【００３９】磁気ギャップ２８の幅が狭くなるほど、磁
場が磁気テープのより小さい部分に一回に印加されるの
で、より多い磁気信号が磁気テープの所定の長さに記録
されることになる。反対に、磁気ギャップ１８の幅が狭
くなるほど、磁気抵抗ヘッド１７が、薄膜ヘッド２６に
よって記録された磁気テープのより小さい部分の磁気信
号を読出し得るようになる。これは、磁気ギャップがよ
り大きいければ多くの隣接する磁気信号を一回に読出す
ことができるにもかかわらず、磁気ギャップ１８は一回
に高精度の信号を検知できるよう充分に狭いという事実
により可能である。更に、高精度信号の再生は、磁気抵
抗ヘッド１７が従来のフェライトコアヘッドより非常に
高い感度を有するという事実により可能である。１つの
磁気信号が占める磁気テープの表面積が減少するにつれ
て、磁気信号から生じる磁場も減少することになる。従
って、高精度の磁気信号に対して、従来のフェライトコ
アヘッドは信号の磁場を高い信頼性で検知し得るほど充
分に高い感度を有していない。これに比べて、本発明の
磁気抵抗ヘッド１７は、数百オングストロームの幅で磁
気テープの所定の長さの部分に記録された磁気信号を高
い信頼性で検知するのに充分な高い感度を有する。
【００４０】図４４に示したように、本発明の好ましい
実施例によるヘッドチップ３０の前面５０には、磁気テ
ープとの摩擦及びそれによる摩耗を減少させるためにＤ
ＬＣ（diamond-like carbon）をコーティングすること
ができる。このＤＬＣコーティング６０は、ヘッドチッ
プ３０の前面５０の摩擦係数を低減する。その結果、磁
気テープとの摩擦を減少させて、ヘッドチップ３０の摩
耗を軽減するので、その寿命を延長させる。ＤＬＣは、
絶縁体であって、導電性板１５を短絡させたり、記録ま
たは再生される磁場に影響を及ぼすことがないため、コ
ーティングの材料として最適である。
【００４１】また、図４５に示したように、本発明のヘ
ッドアセンブリに用いられる一対のＦＰＣＢ３２は、そ
れらの各々がヘッドベース４０の上面に接続される際、
その捻れを容易にするノッチ３３が各々設けられてい
る。このノッチ３３は、ＦＰＣＢ３２をヘッドベース４
０に接続するためにＦＰＣＢ３２が捻れられる時に発生
する応力を減少させる。このような応力の減少は、ＦＰ
ＣＢ３２がヘッドベース４０に接続される過程中に損傷
される可能性を減少させる。
【００４２】図３乃至図１６には、本発明の好ましい実
施例によって、ヘッドアセンブリに用いられるヘッドチ
ップ３０を製造する方法を説明する概略的な断面図が示
されている。本発明のヘッドアセンブリに用いられるヘ
ッドチップ３０の製造方法は、Ａｌ2Ｏ3のような非磁性
物質からなる第１非磁性基板ウェハー１１′を設けるこ
とから始まる。図３Ａ及び図３Ｂを参照すれば、パーマ
ロイ（permalloy）からなる第１磁性層（図示せず）
が、第１非磁性基板ウェハー１１′の上部に形成され
て、第１磁性コア１２を形成する。例えば、第１磁性層
は、スパッタリング法により少なくとも１０μｍの厚さ
で形成される。その後、第１絶縁層１３が第１磁性コア
１２の上に、例えば、要求される磁気ギャップ１８の幅
と同じ厚さ（即ち、従来の信号密度より２倍以上高い信
号密度を達成しようとすれば、０．１５μｍ以下）でス
パッタリング法により形成される。
【００４３】その後、図４Ａ及び図４Ｂに示したよう
に、磁気抵抗層１４′が第１絶縁層１３の上部に第３過
程にて形成される。最初に、ＮｉＦｅの薄膜が第１絶縁
層１３の上部に５００μｍの厚さで形成される。この層
は磁気変形を最小化するために、７８％のＮｉ及び２８
％のＦｅと、８５％のＮｉ及び１５％のＦｅとの間の混
合物がその組成物として選択されなければならない。そ
の後、Ｔｉ薄膜が２００ｎｍの厚さで形成される。最後
に、非結晶のＣｏＺｒＭｏ薄膜が７００ｎｍの厚さで形
成される。
【００４４】その後、図５Ａ及び図５Ｂに示されたよう
に、前述されたように形成された磁気抵抗層１４′が、
例えば、フォトリソグラフィー法によって磁気抵抗コア
１４にパターニングされる。その後、導電性層１５′が
図６Ａ及び図６Ｂに示されたように、磁気抵抗コア１４
及び第１絶縁層１３の上部に０．５μｍの厚さで形成さ
れる。このような工程は、蒸着法を用いてＡｕからなる
層を形成させることによって行われる。
【００４５】その後、導電性層１５′が導電性板１５に
パターニングされる。このような過程を可能とする方法
は、フォトリソグラフィー法である。図７Ａ及び図７Ｂ
は、本過程の結果を表す。結局、図８Ａ及び図８Ｂに示
されたように、第２絶縁層１６が、導電性板１５、磁気
抵抗コア１４及びまだ覆われない第１絶縁層１３の部分
の上に形成されて、磁気抵抗ヘッド１７を完成する。第
２絶縁層１６は、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2のような非磁
性物質からならなければならない。
【００４６】その後、薄膜ヘッド２６が、最初に、第２
磁性層２１′を第２絶縁層１６の上部に８μｍの厚さで
形成することによって形成される。第２磁性層２１′の
組成は、８０％のＮｉ及び２０％のＦｅでなければなら
ない。その後、図９Ａ及び図９Ｂに示されたように、第
２磁性層２１′は、例えば、フォトリソグラフィー法に
よって第２磁性コア２１としてパターニングされる。第
２磁性コア２１及び第２絶縁層１６は順に、図１０Ａ及
び図１０Ｂに示されたように、その上に形成される第３
絶縁層２２により覆われる。この第３絶縁層２２は、Ａ
ｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2のような非磁性物質でなければな
らず、スパッタリング法により形成される。
【００４７】次の過程において、Ａｕ層が、例えば、蒸
着法により第３絶縁層２２の上部に形成されて導電性コ
イル層２３′を形成する。図１１Ａ及び図１１Ｂに示さ
れたように、この導電性コイル２３′は、導電性コイル
２３としてパターニングされる。従って、このような過
程は、フォトリソグラフィー法によって可能である。そ
の後、図１２Ａ及び図１２Ｂに示されたように、第３絶
縁層２２と導電性コイル２３は例えば、スパッタリング
法を用いてその上に第４絶縁層２４を形成することによ
って覆われる。
【００４８】その後、第４絶縁層２４の長方形部分及び
第３絶縁層２２が除去されて、図１３Ａ及び図１３Ｂに
示されたように、第２磁性コア２１の長方形ストリップ
を露出させる。その後、８０％のＮｉ及び２０％のＦｅ
からなる第３磁気層２５′が第４絶縁層２４の上部に形
成されて、図１４Ａ及び図１４Ｂに示されたように、前
過程で除去された第３絶縁層２２及び第４絶縁層２４の
長方形部分を満たす。
【００４９】その後、図１５Ａ及び図１５Ｂに示された
ように、第３磁性コア２５は、例えば、フォトリソグラ
フィー法を通じて第３磁性層２５′からパターニングに
よって形成される。その後、図１６Ａ及び図１６Ｂに示
されたように、第４絶縁層２４及び第３磁性コア２５
は、例えば、スパッタリング法によって形成された第５
絶縁層２７によってその上部が覆われる。その後、第１
非磁性基板ウェハー１１′をスライスに切断した後、第
３、第４及び第５絶縁層２２、２４、２７の後方部が除
去されて、薄膜ヘッド２６が完成される。
【００５０】図１７は、第１非磁性基板ウェハー１１′
及び第３、第４及び第５絶縁層２２、２４、２７の後方
部ストリップが除去される前に第１非磁性基板ウェハー
１１′上に形成された磁気抵抗ヘッド１７及び薄膜ヘッ
ド２６を示す。図１８に示されたように、第１非磁性基
板ウェハー１１′及びその上に形成された層をスライス
に切断して、薄膜ヘッド２６の後方部を除去した後、第
２非磁性基板ブロック層３１″が、その後方ストリップ
が覆われないまま薄膜ヘッド２６の上面に設けられる。
その後、第１非磁性基板ウェハー１１′及びその上に形
成された層の各スライスは、個々のヘッドチップ３０と
して切断される。切断工程中、各ヘッドチップ３０は、
傾斜するように切断することによって方位角θが与えら
れる。その後、一対のＦＰＣＢ３２は、図１９に示した
ように、磁気抵抗ヘッド１７及び薄膜ヘッド２６に取り
付けられる。この一対のＦＰＣＢ３２は、そのうちの１
つが磁気抵抗ヘッド１７の導電性板１５に接触し、他の
１つが薄膜ヘッド２６の導電性コイル２３に接触するよ
うに取り付けられる。
【００５１】図２０乃至図３５には、本発明の他の好ま
しい実施例において、ヘッドアセンブリに用いられるヘ
ッドチップ３０の製造方法を説明するための断面図が示
されている。ここで、磁気抵抗ヘッド１７及び薄膜ヘッ
ド２６は、個別の非磁性基板ブロックの上に形成され
て、ヘッドチップ３０を形成するように結合される。
【００５２】図２１Ａ乃至図２６Ｂは、第１非磁性基板
ウェハー１１′の上に磁気抵抗ヘッド１７を形成する過
程を表す。この過程は概ね図３Ａ〜図８Ｂに示された磁
気抵抗ヘッド１７の形成過程と同一である。図２７Ａ乃
至図３５Ｂは、薄膜ヘッド２６の形成過程を表したもの
であって、この過程は、薄膜ヘッド２６が磁気抵抗ヘッ
ド１７の代わりに第２非磁性基板ブロック３１′の上部
に形成されることを除いては、図９Ａ乃至図１６Ｂに示
された薄膜ヘッド２６の形成過程と概ね同一である。図
２Ａ、図２Ｂ、図１６Ａ及び図１６Ｂに示された薄膜ヘ
ッド２６とは異なって、図３５Ａ及び図３５Ｂに示され
た薄膜ヘッド２６は、その後方部から除去されるストリ
ップをもたない。
【００５３】図３６は、第１非磁性基板ウェハー１１′
及びその上に形成された磁気抵抗ヘッド１７を示す。一
方、図３７は、第２非磁性基板ウェハー３１′及びその
上に形成された薄膜ヘッド２６を示す。この第１非磁性
基板ウェハー１１′及び第２非磁性基板ウェハー３１′
及びその上に形成された磁気抵抗ヘッド１７及び薄膜ヘ
ッド２６は、各々図３８及び図３９に示されたように、
スライスに切断される。その後、磁気抵抗ヘッド１７及
び薄膜ヘッド２６の一部分が除去されて、ＦＰＣＢ３２
が設けられる表面を提供する。その後、図４０に示され
たように、非磁性基板ウェハー１１′、３１′を切断す
ることによって得られたスライスは互いに結合されて、
磁気抵抗ヘッド１７及び薄膜ヘッド２６を全て含むスラ
イスを形成する。その後、非磁性基板ウェハー１１′及
び非磁性基板ウェハー３１′を切断することによって得
られたスライスは、方位角θを提供する個々のヘッドチ
ップ３０に傾斜するように切断される。図４１に示され
たように、ＦＰＣＢ３２は、その後、磁気抵抗ヘッド１
７及び薄膜ヘッド２６に固定される。最後に、かくして
得られたヘッドチップ３０は、図４２に示されたよう
に、ヘッドベース４０の上に設けられて、ＦＰＣＢ３２
をその上に固定させる。
【００５４】前述したように、磁気抵抗ヘッド１７、薄
膜ヘッド２６及び非磁性基板ウェハー１１、３１を含む
各々のスライスを傾斜するように切断することによっ
て、ヘッドチップ３０に方位角θを付与する代わりに、
本願に引用例として加えられ、本願本発明と出願人を同
じくする係属中の日本特許出願「ヘッドドラムアセンブ
リ（IMPROVED HEAD ASSEMBLY FOR USE IN A VIDEO CASS
ETTE RECORDER）」明細書に開示されているように、ヘ
ッドアセンブリのヘッドベース４０が方位角θに対応す
る傾斜角を有する傾斜表面を有することもできる。
【００５５】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
【００５６】
【発明の効果】従って、本発明のヘッドチップを用い
て、高い感度にて、従来のフェライトコアヘッドチップ
が検知し得るものより小さい磁場を検知することがで
き、更に、極小幅の磁気ギャップを有するので、磁気テ
ープに記録されるか磁気テープから再生されるべき信号
をより小さくすることができ、ＤＬＣコーティングにて
ヘッドチップの前面をコーティングすることによって、
ヘッドチップと磁気テープとの間の摩擦による摩耗を軽
減させてヘッドチップの寿命を延長させることができ、
また、ＦＰＣＢにノッチを設けることによって、ヘッド
ベースにＦＰＣＢをより一層容易に取り付けることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＶＣＲに用いられる従来のヘッドアセンブリの
斜視図である。
【図２】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例によ
るヘッドアセンブリの構造を示す概略的な側断面図であ
って、Ｂはその一実施例によるヘッドアセンブリの構造
を示す概略的な正面断面図である。
【図３】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例によ
るヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略的
な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図で
ある。
【図４】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例によ
るヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略的
な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図で
ある。
【図５】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例によ
るヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略的
な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図で
ある。
【図６】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例によ
るヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略的
な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図で
ある。
【図７】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例によ
るヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略的
な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図で
ある。
【図８】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例によ
るヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略的
な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図で
ある。
【図９】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例によ
るヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略的
な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図で
ある。
【図１０】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例に
よるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略
的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセ
ンブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図
である。
【図１１】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例に
よるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略
的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセ
ンブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図
である。
【図１２】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例に
よるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略
的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセ
ンブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図
である。
【図１３】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例に
よるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略
的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセ
ンブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図
である。
【図１４】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例に
よるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略
的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセ
ンブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図
である。
【図１５】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例に
よるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略
的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセ
ンブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図
である。
【図１６】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の一実施例に
よるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概略
的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセ
ンブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面図
である。
【図１７】本発明の一実施例によるヘッドアセンブリの
製造方法を詳しく説明するための部分斜視図である。
【図１８】本発明の一実施例によるヘッドアセンブリの
製造方法を詳しく説明するための部分斜視図である。
【図１９】本発明の一実施例によるヘッドアセンブリの
製造方法を詳しく説明するための部分斜視図である。
【図２０】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの構造を説明するための概略的
な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドアセン
ブリの構造を説明するための概略的な正面断面図であ
る。
【図２１】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図２２】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図２３】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図２４】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図２５】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図２６】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図２７】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図２８】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図２９】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図３０】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図３１】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図３２】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図３３】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図３４】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図３５】Ａ及びＢからなり、Ａは本発明の他の実施例
によるヘッドアセンブリの製造方法を説明するための概
略的な側断面図であり、Ｂはその実施例によるヘッドア
センブリの製造方法を説明するための概略的な正面断面
図である。
【図３６】本発明の他の実施例によるヘッドアセンブリ
の製造方法を詳しく説明するための部分斜視図である。
【図３７】本発明の他の実施例によるヘッドアセンブリ
の製造方法を詳しく説明するための部分斜視図である。
【図３８】本発明の他の実施例によるヘッドアセンブリ
の製造方法を詳しく説明するための部分斜視図である。
【図３９】本発明の他の実施例によるヘッドアセンブリ
の製造方法を詳しく説明するための部分斜視図である。
【図４０】本発明の他の実施例によるヘッドアセンブリ
の製造方法を詳しく説明するための部分斜視図である。
【図４１】本発明の他の実施例によるヘッドアセンブリ
の製造方法を詳しく説明するための部分斜視図である。
【図４２】本発明の他の実施例によるヘッドアセンブリ
の製造方法を説明するためのヘッドアセンブリの斜視図
である。
【図４３】図４２のヘッドアセンブリにおいてヘッドベ
ースが回転ドラムに取り付けられた状態を表す概略図で
ある。
【図４４】磁気テープとより良く相互作用するようにそ
の前面が外向きにわずかに湾曲したヘッドアセンブリを
示した概略図である。
【図４５】可撓性を有するプリント回路基板（ＦＰＣ
Ｂ）をヘッドベースの上面に容易に取り付けるためのノ
ッチが設けられたＦＰＣＢを示した斜視図である。
【符号の説明】
１１ 第１非磁性基板ブロック １２ 第１磁性コア １３ 第１絶縁層 １４ 磁気抵抗コア １５ 導電性板 １６ 第２絶縁層 １７ 磁気抵抗ヘッド １８ 磁気ギャップ ２２ 第３絶縁層 ２３ 導電性コイル ２４ 第４絶縁層 ２５ 第３磁性コア ２６ 薄膜ヘッド ２７ 第５絶縁層 ２８ 磁気ギャップ ３０ ヘッドチップ ３１ 第２非磁性基板ブロック ３２ 可撓性を有するプリント回路基板 ３３ ノッチ ４０ ヘッドベース ５０ ヘッドチップの前面

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＶＣＲに用いられるヘッドアセンブリ
    であって、 ヘッドベースと、 前記ヘッドベース上に設けられて、第１非磁性基板ブロ
    ックと、第１磁性コア、第１絶縁層、磁気抵抗コア、一
    対の導電性板及び第２絶縁層を有する磁気抵抗ヘッド
    と、第２磁性コア、第３絶縁層、導電性コイル、第４絶
    縁層、第３磁性コア及び第５絶縁層を有する薄膜ヘッド
    と、第２非磁性基板ブロックとからなるヘッドチップ
    と、 前記ヘッドベースに固定されて、１つは前記磁気抵抗ヘ
    ッドに接触し、他の１つは前記薄膜ヘッドに接触する一
    対の可撓性を有するプリント回路基板（ＦＰＣＢ）とを
    含むことを特徴とするＶＣＲ用ヘッドアセンブリ。
  2. 【請求項２】 前記ヘッドチップの前面が、ＤＬＣコ
    ーティングが施されていることを特徴とする請求項１に
    記載のＶＣＲ用ヘッドアセンブリ。
  3. 【請求項３】 前記一対の可撓性を有するプリント回
    路基板の各々に、ノッチが設けられていることを特徴と
    する請求項１若しくは２に記載のＶＣＲ用ヘッドアセン
    ブリ。
  4. 【請求項４】 ＶＣＲに用いられるヘッドアセンブリ
    の製造方法であって、 第１非磁性基板ウェハーを設ける第１過程と、 前記第１非磁性基板ウェハーの上部に第１磁性コアを形
    成する第２過程と、 前記第１磁性コアの上部に第１絶縁層を形成する第３過
    程と、 前記第１絶縁層の上部に磁気抵抗層を形成する第４過程
    と、 前記磁気抵抗層を磁気抵抗コアにパターニングする第５
    過程と、 前記磁気抵抗コア及び前記第１絶縁層の上部に導電性層
    を形成する第６過程と、 前記導電性層の一部を除去して、一対の導電性板を形成
    する第７過程と、 前記磁気抵抗コア及び前記一対の導電性板の上部に第２
    絶縁層を形成する第８過程と、 前記第２絶縁層の上部に第２磁性層を形成する第９過程
    と、 前記第２磁性層を第２磁性コアにパターニングする第１
    ０過程と、 前記第２磁性コア及び前記第２絶縁層の上部に第３絶縁
    層を形成する第１１過程と、 前記第３絶縁層の上部に導電性コイル層を形成する第１
    ２過程と、 前記導電性コイル層の一部を除去して、導電性コイルを
    形成する第１３過程と、 前記第３絶縁層及び前記導電性コイルの上部に第４絶縁
    層を形成する第１４過程と、 前記第２磁性コアの上部に形成された第４絶縁層及び前
    記第３絶縁層の一部分を除去する第１５過程と、 前記第４絶縁層の上部に第３磁性層を形成して、前記第
    ４絶縁層及び前記第３絶縁層の前記除去された一部分に
    より形成されたギャップを満たす第１６過程と、 前記第３磁性層を第３磁性コアにパターニングする第１
    ７過程と、 前記第３磁性コア及び前記第４絶縁層の上部に第５絶縁
    層を形成する第１８過程と、 前記第１非磁性基板ウェハー及びその上に形成された前
    記複数の層を、複数のスライスに切断する第１９過程
    と、 前記各々のスライスの上部に第２非磁性基板ブロック層
    を固定させる第２０過程と、 前記各々のスライスを複数のヘッドチップに切断する第
    ２１過程と、 前記各々のヘッドチップに一対の可撓性を有するプリン
    ト回路基板（ＦＰＣＢ）を取り付ける第２２過程と、 複数のヘッドベース上に、前記ヘッドチップ及び前記ヘ
    ッドチップに取り付けられた前記一対の可撓性を有する
    プリント回路基板を設ける第２３過程とを含むことを特
    徴とするＶＣＲ用ヘッドアセンブリの製造方法。
  5. 【請求項５】 ＶＣＲに用いられるヘッドアセンブリ
    の製造方法であって、 第１非磁性基板ウェハーを設ける第１過程と、 前記第１非磁性基板ウェハーの上部に第１磁性コアを形
    成する第２過程と、 前記第１磁性コアの上部に第１絶縁層を形成する第３過
    程と、 前記第１絶縁層の上部に磁気抵抗層を形成する第４過程
    と、 前記磁気抵抗層を磁気抵抗コアにパターニングする第５
    過程と、 前記磁気抵抗コア及び前記第１絶縁層の上部に導電性層
    を形成する第６過程と、 前記導電性層の一部を除去して、一対の導電性板を形成
    する第７過程と、 前記磁気抵抗コア及び前記一対の導電性板の上部に第２
    絶縁層を形成する第８過程と、 第２非磁性基板ウェハーを設ける第９過程と、 前記第２非磁性基板ウェハーの上部に第２絶縁層を形成
    する第１０過程と、 前記第２絶縁層を第２磁性コアにパターニングする第１
    １過程と、 前記第２磁性コア及び前記第２絶縁層の上部に第３絶縁
    層を形成する第１２過程と、 前記第３絶縁層の上部に導電性コイル層を形成する第１
    ３過程と、 前記導電性コイル層の一部を除去して、導電性コイルを
    形成する第１４過程と、 前記第３絶縁層及び前記導電性コイルの上部に第４絶縁
    層を形成する第１５過程と、 前記第２磁性コアの上部に形成された第４絶縁層及び前
    記第３絶縁層の一部分を除去する第１６過程と、 前記第４絶縁層の上部に第３磁性層を形成し、前記第４
    絶縁層及び前記第３絶縁層の前記除去された一部分によ
    り形成されたギャップを満たす第１７過程と、 前記第３磁性層を第３磁性コアにパターニングする第１
    ８過程と、 前記第３磁性コア及び前記第４絶縁層の上部に第５絶縁
    層を形成する第１９過程と、 前記第１非磁性基板ウェハー及びその上に形成された前
    記複数の層を複数のスライスに切断する第２０過程と、 前記第２非磁性基板ウェハー及びその上に形成された前
    記複数の層を複数のスライスに切断する第２１過程と、 前記磁気抵抗ヘッドを有するスライスと、前記薄膜ヘッ
    ドを有するスライスとを結合して、薄膜ヘッド及び磁気
    抵抗ヘッドを含む複数のスライスを形成する第２２過程
    と、 前記磁気抵抗ヘッドを有するスライスと、前記薄膜ヘッ
    ドを有するスライスとを結合することによって得られる
    各々の前記スライスを、複数のヘッドチップに切断する
    第２３過程と、 前記各々のヘッドチップに一対の可撓性を有するプリン
    ト回路基板を取り付ける第２４過程と、 複数のヘッドベース上に前記ヘッドチップ及び前記ヘッ
    ドチップに取り付けられた前記一対の可撓性を有するプ
    リント回路基板を設ける第２５過程とを含むことを特徴
    とするＶＣＲ用ヘッドアセンブリの製造方法。
JP7306754A 1994-10-31 1995-10-31 Ｖｃｒ用ヘッドアセンブリ Pending JPH08212525A (ja)

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KR1019940028293A KR0134459B1 (ko) 1994-10-31 1994-10-31 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 제조방법
KR1019940028294A KR0134458B1 (ko) 1994-10-31 1994-10-31 테이프레코더의 회전드럼용 헤드조립체 제조방법
KR1994/28294 1994-10-31
KR1994/28293 1994-10-31

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1004587C2 (nl) * 1996-11-21 1999-10-01 Sony Corp Inrichting met roterende magnetische kop.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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NL1004587C2 (nl) * 1996-11-21 1999-10-01 Sony Corp Inrichting met roterende magnetische kop.

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