JPS6412097B2 - - Google Patents
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- JPS6412097B2 JPS6412097B2 JP57215232A JP21523282A JPS6412097B2 JP S6412097 B2 JPS6412097 B2 JP S6412097B2 JP 57215232 A JP57215232 A JP 57215232A JP 21523282 A JP21523282 A JP 21523282A JP S6412097 B2 JPS6412097 B2 JP S6412097B2
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- polycrystalline silicon
- film
- fuse
- silicon wiring
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
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Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法のうち、特に回
路配線を断線させるヒユーズ切断処理方法に関す
る。
路配線を断線させるヒユーズ切断処理方法に関す
る。
(b) 技術の背景
64KDRAMのごとき大容量LSIメモリでは、メ
モリの総ビツト数の劇的な増加に伴つて、冗長回
路構成が導入されるようになつてきた。冗長回路
構成をとれば、製造歩留が良くなつてメモリが低
価格で作成されるからである。それはアレイ状の
メモリに複数の予備行と複数の予備列を設けてお
き、不良ビツトを含む行や列と予備の行や列との
置き換えプログラミングを行なうもので、そのた
めに不良ビツトを含む行や列の回路配線を中途で
切断処理することが必要になり、本発明はかよう
なヒユーズ切断処理に関するものである。
モリの総ビツト数の劇的な増加に伴つて、冗長回
路構成が導入されるようになつてきた。冗長回路
構成をとれば、製造歩留が良くなつてメモリが低
価格で作成されるからである。それはアレイ状の
メモリに複数の予備行と複数の予備列を設けてお
き、不良ビツトを含む行や列と予備の行や列との
置き換えプログラミングを行なうもので、そのた
めに不良ビツトを含む行や列の回路配線を中途で
切断処理することが必要になり、本発明はかよう
なヒユーズ切断処理に関するものである。
(c) 従来技術と問題点
このようなヒユーズ部分は、通常不純物をドー
プした導電性多結晶シリコン層からなる配線の一
部分であり、その上面には保護膜例えば燐シリケ
ートガラス(PSG膜)が被覆されている。この
保護膜は配線の異物付着や酸化を阻止して、変質
によるIC特性の変動を防ぐことが目的で、IC素
子全面に同様に被覆しているものである。したが
つて、PSG膜のような保護膜上からエネルギー
線例えばレーザ光線をスポツト照射し、PSG膜
を飛散させて導電性多結晶シリコン配線層を溶断
する処理方法が採られている。
プした導電性多結晶シリコン層からなる配線の一
部分であり、その上面には保護膜例えば燐シリケ
ートガラス(PSG膜)が被覆されている。この
保護膜は配線の異物付着や酸化を阻止して、変質
によるIC特性の変動を防ぐことが目的で、IC素
子全面に同様に被覆しているものである。したが
つて、PSG膜のような保護膜上からエネルギー
線例えばレーザ光線をスポツト照射し、PSG膜
を飛散させて導電性多結晶シリコン配線層を溶断
する処理方法が採られている。
第1図はその溶断処理方法の溶断後の構造断面
を示しており、1は半導体基板、2は絶縁膜、3
は導電性多結晶シリコン配線層、4はPSG膜で
ある。しかしながら、このような処理方法を用い
ても、図示のように溶断した多結晶シリコン配線
層の断面Sが露出し、しかも激しい凹凸状面とな
るため、同様に水分を吸着し、不純物を付着して
侵入しやすい欠点がある。
を示しており、1は半導体基板、2は絶縁膜、3
は導電性多結晶シリコン配線層、4はPSG膜で
ある。しかしながら、このような処理方法を用い
ても、図示のように溶断した多結晶シリコン配線
層の断面Sが露出し、しかも激しい凹凸状面とな
るため、同様に水分を吸着し、不純物を付着して
侵入しやすい欠点がある。
(d) 発明の目的
本発明はこのような欠点、すなわち半導体装置
の信頼性を悪くする原因を除去するヒユーズ切断
処理の方法を提案するものである。
の信頼性を悪くする原因を除去するヒユーズ切断
処理の方法を提案するものである。
(e) 発明の構成
かような目的は、絶縁膜上に形成した多結晶シ
リコン配線層に対して、酸素雰囲気中でエネルギ
ー線をスポツト照射して該多結晶シリコン配線層
を選択的に溶断状態にすると共に、該多結晶シリ
コン配線層の露出面を酸化して酸化シリコン膜を
形成するようにした製造方法によつて達成するこ
とができる。
リコン配線層に対して、酸素雰囲気中でエネルギ
ー線をスポツト照射して該多結晶シリコン配線層
を選択的に溶断状態にすると共に、該多結晶シリ
コン配線層の露出面を酸化して酸化シリコン膜を
形成するようにした製造方法によつて達成するこ
とができる。
(f) 発明の実施例
以下、実施例によつて詳しく説明する。第2図
は溶断するヒユーズ部分の構造断面図を示してお
り、回路配線は例えば燐を含有させた膜厚4000Å
の導電性多結晶シリコン配線層3であり、半導体
基板1上の膜厚1μmの絶縁膜2の上面に形成さ
れて更に多結晶シリコン配線層3上に膜厚1μm
のPSG膜4が被覆されている。このようなフユ
ーズ部分は特にフユーズ領域として設けずに、例
えば一般に大容量LSIメモリのワード線は全般が
このように形成されているため、任意の適切な領
域を切断することでも目的は達成できる。尚、多
結晶シリコン層3およびPSG膜4は通常の気相
成長法で被着し、公知のフオトプロセスにより回
路配線にパターニングされる。
は溶断するヒユーズ部分の構造断面図を示してお
り、回路配線は例えば燐を含有させた膜厚4000Å
の導電性多結晶シリコン配線層3であり、半導体
基板1上の膜厚1μmの絶縁膜2の上面に形成さ
れて更に多結晶シリコン配線層3上に膜厚1μm
のPSG膜4が被覆されている。このようなフユ
ーズ部分は特にフユーズ領域として設けずに、例
えば一般に大容量LSIメモリのワード線は全般が
このように形成されているため、任意の適切な領
域を切断することでも目的は達成できる。尚、多
結晶シリコン層3およびPSG膜4は通常の気相
成長法で被着し、公知のフオトプロセスにより回
路配線にパターニングされる。
次いで、溶断処理後の断面図を第3図に示して
いる。溶断するには、例えばCW(連続)形アル
ゴンレーザを直径10μm程度のスポツトにして所
望の溶断部分に出力2Wで照射する。その際に、
照射部分に酸素ガスを吹きつけるか、または半導
体装置全体を酸素雰囲気内に収容してからレーザ
照射する。照射部分は先づPSG膜4が溶融し除
去され、次いで導電性多結晶シリコン配線層3が
溶融して断線する。この場合、シリコン層は約
1400℃に加熱されており、溶けた面は除熱される
過程で酸素と反応して二酸化シリコン(SiO2)
膜10が形成されて、これが溶断面を被覆する。
そうすれば、多結晶シリコン配線層3の溶断面が
SiO2膜10でマスクされて保護されるから、水
分や不純物の侵入を防止することができる。
いる。溶断するには、例えばCW(連続)形アル
ゴンレーザを直径10μm程度のスポツトにして所
望の溶断部分に出力2Wで照射する。その際に、
照射部分に酸素ガスを吹きつけるか、または半導
体装置全体を酸素雰囲気内に収容してからレーザ
照射する。照射部分は先づPSG膜4が溶融し除
去され、次いで導電性多結晶シリコン配線層3が
溶融して断線する。この場合、シリコン層は約
1400℃に加熱されており、溶けた面は除熱される
過程で酸素と反応して二酸化シリコン(SiO2)
膜10が形成されて、これが溶断面を被覆する。
そうすれば、多結晶シリコン配線層3の溶断面が
SiO2膜10でマスクされて保護されるから、水
分や不純物の侵入を防止することができる。
上記例は照射エネルギー線としてレーザ光を用
いた例であるが、その他のレンズ系で絞つたスポ
ツト状の赤外光などを用いても同様に切断し、
SiO2膜で保護することができる。
いた例であるが、その他のレンズ系で絞つたスポ
ツト状の赤外光などを用いても同様に切断し、
SiO2膜で保護することができる。
(g) 発明の効果
以上の実施例による説明から判るように、フユ
ーズの溶断と同時にSiO2膜10からなる保護膜
が形成される方法であるから、本発明による処理
方法は半導体装置の高信頼化に極めて効果のある
ものである。
ーズの溶断と同時にSiO2膜10からなる保護膜
が形成される方法であるから、本発明による処理
方法は半導体装置の高信頼化に極めて効果のある
ものである。
尚本発明は冗長回路構成のみならず、P―
ROMにおいて、プログラミングのためのヒユー
ズ切断にも適用できることは言うまでもないこと
である。
ROMにおいて、プログラミングのためのヒユー
ズ切断にも適用できることは言うまでもないこと
である。
第1図は従来のヒユーズ溶断後の構造断面図、
第2図はヒユーズ部分の構造断面図、第3図は本
発明にかかるヒユーズ溶断後の構造断面図であ
る。 図中、1は半導体基板、2は絶縁膜、3は導電
性多結晶シリコン配線層、4はPSG膜、10は
SiO2膜からなる保護膜を示す。
第2図はヒユーズ部分の構造断面図、第3図は本
発明にかかるヒユーズ溶断後の構造断面図であ
る。 図中、1は半導体基板、2は絶縁膜、3は導電
性多結晶シリコン配線層、4はPSG膜、10は
SiO2膜からなる保護膜を示す。
Claims (1)
- 1 基板上の絶縁膜上に形成した多結晶シリコン
配線層に対して、酸素雰囲気中でエネルギー線を
スポツト照射して該多結晶シリコン配線層を選択
的に溶断状態にすると共に、該多結晶シリコン配
線層の露出面を酸化して酸化シリコン膜を形成す
るようにしたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57215232A JPS59104141A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57215232A JPS59104141A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59104141A JPS59104141A (ja) | 1984-06-15 |
JPS6412097B2 true JPS6412097B2 (ja) | 1989-02-28 |
Family
ID=16668894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57215232A Granted JPS59104141A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59104141A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0821623B2 (ja) * | 1985-09-20 | 1996-03-04 | 株式会社日立製作所 | レ−ザ処理方法 |
JPH06302603A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-28 | Hitachi Ltd | Ic素子 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5917265A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP57215232A patent/JPS59104141A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59104141A (ja) | 1984-06-15 |
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