JPS6399565A - 高周波混成集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば無線機の送信段に使用する高周波混
成集積回路に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来より使用されている高周波高出力混成集積
回路の内部構造を示す平面図である。この図において、
１は混成集積回路のアースと放熱を併用した銅板等によ
る放熱フィン、２は前記放熱フィン１に半田付けされた
高周波混成集積回路としての高周波高出力トランジスタ
、３はアルミナ等による誘電体基板で、放熱フィン１に
裏面を半田付けされた高周波回路を構成する。４は前記
高周波高出力トランジスタ２のベースリート２５は導体
層で、ストリップライン等を構成するために誘電体基板
３上に構成されている。６は上面にアース導体を構成す
るための上面アース用導体層、７はスルーホールで、放
熱フィン１と上面アース用導体層６を接続する。８はイ
ンピーダンス整合用のチップコンデンサで、半田等によ
り導体層５と上面アース用導体層６間に接続されている
。

また、第４図は、第３図に示した高周波混成集積回路の
等価回路図であり、この図において、第３図と同一符号
は同一部分を示し、ｃｅは前記チップコンデンサ８によ
る実効容量、Ｌは前記ベースリード４および前記導体層
５によるインダクタンスである。

次に動作について説明する。

第４図において、高周波高出力トランジスタ２＋ベース
リード４＋導体層５の総合インピーダンスを、　　　Ｚ
ｉｎ＝ｒ＋ｊωＬ（Ω）とし、チップコンデンサ８によ
る実効容量をＣｅ（ｐＦ）とするとき、整合条件では、 Ｒ＝ｒ　（１＋Ｑ２　）　　　（Ω） となる。ただし、Ｑ＝ωＬ／ｒである。第３図に示した
従来の構成では、チップコンデンサ８の接地電極がスル
ーホール７を通して放熱フィン１に接続されているため
、第４図の矢印で示すように高周波高出力トランジスタ
２のエミッタ（エミッタケース）に高周波電流が流れ、
第５図に示すような寄生インダクタンスＬｐ　　（Ｈ）
および寄生の抵抗成分子ｐ　　（Ω）を生じる。このた
め、実効容量Ｃｅは、 Ｃｅ＝Ｇｏ／（１−（ｆ／ｆｏ）２）　　　（ｐｆ）・
・・・・・・・・（１） となり、Ｃｅは周波数特性を持つことになる。

また、チップコンデンサ８の実効的なＱであるＱｅは、 となる。

〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のような従来の高周波混成集積回路では、チップコ
ンデンサ８の接地電極をスルーホール７を通してアース
に接続する必要があるため、第（１）式に示すようにチ
ップコンデンサ８の実効容量Ｃｅに周波数特性を有する
うえ、実効的なＱが寄生の抵抗成分子ｐにより低くなり
、損失が大きくなるという問題点があった。

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
のでチップコンデンサの実効容量に周波数特性を有さず
、かつ実効容量のＱが高く損失の少ない高周波混成集積
回路を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る高周波混成集積回路は、コンデンサの接
地電極をアースされたトランジスタのコモンメタライズ
層に接続したものである。

〔作用〕

この発明においては、コンデンサとトランジスタのコモ
ンメタライズ層間の寄生インダクタンスおよび寄生の抵
抗成分が小さくなる。

〔実施例〕

第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の高周波混成集積回路
の一実施例を示す平面図および側断面図である。この図
において、第３図と同一符号は同一部分を示し、９は側
面メタライズにより放熱フィン１にアースされたコモン
メタライズ層で、その他端が導体層５に接続されたチッ
プコンデンサ８の一端が半田等で接続される。

また、第２図はこの発明の高周波混成集積回路の等価回
路図であり、この図において、第１図（ａ）　、　（ｂ
）および第４図と同一符号は同一部分を示す。

すなわち、この発明ではチップコンデンサ８を直接高周
波高出力トランジスタ２のコモンメタライズＭ９に接続
しているため、 ＣｅＫＣ。

Ｑｅ　＝Ｑ（チップコンデンサ８） となり、チップコンデンサ８の寄生インダクタンスＬＰ
のよる影響をほとんど受けない。したがって、実効容量
Ｃｅに周波数特性をもたない。また、高周波電流のエミ
ッタまでのループが小さくなるため、寄生抵抗成分子Ｐ
も小さくなってほとんどチップコンデンサ８の実効的な
Ｑと同じになり損失を生じない。

なお、上記実施例では、高周波高出力混成集積回路のベ
ース側（入力側）のみについて説明したが、コレクタ側
（出力側）についても同様である。

また、バイポーラトランジスタだけでなく、電界効果ト
ランジスタにも使用できることはいうまでもない。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり、コンデンサの接地電極
をアースされたトランジスタのコモンメタライズ層に接
続したので、実効容量に周波数特性を有さず、かつ損失
の少ない高周波混成集積回路を得られるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の混成集積回路の一実施例を示す図、
第２図は、第１図に示した高周波混成集積回路の等価回
路図、第３図は従来の高周波混成集積回路を示す図、第
４図は、第３図に示した高周波混成集積回路の等価回路
図、第５図は従来の問題点を説明するための図である。 図において、］は放熱フィン、２は高周波高出力トラン
ジスタ、３は誘電体基板、４はベースリード、５は導体
層、８はチップコンデンサ、９はコモンメタライズ層で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　如：　　　　（外２名）手続補正
帯（自発）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. インピーダンス整合用のコンデンサを有する高周波混成
   集積回路において、前記コンデンサの接地電極をアース
   されたトランジスタのコモンメタライズ層に接続したこ
   とを特徴とする高周波混成集積回路。