JPS639919Y2 - - Google Patents

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JPS639919Y2
JPS639919Y2 JP1982081153U JP8115382U JPS639919Y2 JP S639919 Y2 JPS639919 Y2 JP S639919Y2 JP 1982081153 U JP1982081153 U JP 1982081153U JP 8115382 U JP8115382 U JP 8115382U JP S639919 Y2 JPS639919 Y2 JP S639919Y2
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JP
Japan
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bubble memory
memory cassette
cassette
connector
holder unit
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JP1982081153U
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English (en)
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JPS58183700U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 (1) 考案の技術分野 本考案はバブルメモリ装置に係り、特にバブル
メモリカセツト装置に関する。
(2) 技術の背景 バブルメモリは不揮発性で、かつ機械的な可動
部を必要としない等の特徴がある。
またバブルメモリ装置にはバブルメモリチツプ
を内蔵したバブルカセツトと、このバブルカセツ
ト制御回路を含むホルダーユニツトとの間をコネ
クタを介して着脱可能にしたバブルメモリカセツ
ト装置がある。
一般にこのバブルメモリカセツト内にはバブル
メモリチツプと、回転磁界発生用の駆動コイル
と、バイアス磁界印加用のマグネツト、ケース等
から構成されており、コネクタによつホルダーユ
ニツトと接続されるようになつている。
(3) 従来技術と問題点 バブルメモリカセツト装置においてはホルダー
ユニツトの電源が投入されている状態でバブルメ
モリカセツトの着脱が可能であることが望ましい
が、このような状態ではホルダーユニツトのコネ
クタのピンには電圧が印加された状態であり、こ
のままで着脱するとバブルメモリカセツトの誤動
作、記憶の消失、および、ホルダーユニツト側の
ピンとバブルメモリカセツト側のピンとの間で生
ずる微小な放電により両ピンの表面を荒し、接触
不良の原因となる。しかしながら従来このような
問題に対する対策は取られていなかつた。
(4) 考案の目的 本考案は前記のようなバブルメモリカセツトの
誤動作、記憶の消失、およびコネクタのピンの表
命荒れを防ぎ、ホルダーユニツトの電源が投入状
態のままでバブルメモリカセツトを着脱出来るよ
うにするものである。
(5) 考案の構成 本考案はホルダーユニツト内に少なくともバブ
ルメモリカセツトの挿入状態を検出するスイツチ
と、バブルメモリカセツトに電源電圧を印加する
リレーまたは半導体スイツチング素子を設け、バ
ブルメモリカセツトがホルダーユニツト内の規定
挿入位置に挿入されてコネクタ接続された際に、
前記スイツチが動作し、且つ該スイツチ動作によ
る電気信号によつて前記リレーまたは半導体スイ
ツチング素子が作動して、コネクタ接続状態のバ
ブルメモリカセツトに電源電圧を印加するバブル
メモリカセツトのホルダーユニツトを特徴として
いる。
(6) 考案の実施例 第1図は本考案の一実施例を示す図で、ホルダ
ーユニツト1に取り付けられたコネクタ2にバブ
ルメモリカセツト3のコネクタを挿入し、両コネ
クタのピン同士が完全に接続された規定挿入位置
でマイクロスイツチ4の接点が閉じ、リレー5が
リレー電源VRによつて作動し、バブルメモリカ
セツト用の電源V1,V2,V3をバブルメモリカセ
ツト3に印加する。
なお、前記実施例ではリレーを用いているが、
これの代りに半導体スイツチング素子を用いても
よい。
(7) 考案の効果 本考案によればバブルメモリカセツトの電源用
コネクターピンが完全な接続状態になつて初めて
電源電圧が印加されるのでバブルメモリカセツト
の誤動作、記憶の消失、および、コネクターピン
の表面荒れを防ぐことが出来る。バブルメモリカ
セツトを引き抜くときも前記の挿入の場合と同じ
効果持ち、ホルダーユニツトが動作状態のままで
バブルメモリカセツトの着脱が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す図で、1はホル
ダーユニツト、2はコネクタ、3はバブルメモリ
カセツト、4はマイクロスイツチ、5はリレーで
ある。また、V1,V2,V3はバブルメモリカセツ
ト用の電源、VRはリレー用の電源である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 バブルメモリチツプを内蔵するバブルメモリカ
    セツトと、コネクタを介して接続され、該バブル
    メモリカセツトを制御する回路を含むホルダーユ
    ニツトから成るバブルメモリカセツト装置におい
    て、 前記ホルダーユニツト内に少なくとも前記バブ
    ルメモリカセツトの挿入状態を検出するスイツチ
    と、前記バブルメモリカセツトに電源電圧を印加
    するリレーまたは半導体スイツチング素子を設
    け、 前記バブルメモリカセツトが前記ホルダーユニ
    ツト内の規定挿入位置に挿入されてコネクタ接続
    された際に前記スイツチが動作し、且つ該スイツ
    チ動作による電気信号によつて前記リレーまたは
    半導体スイツチング素子が作動して、コネクタ接
    続状態の前記バブルメモリカセツトに前記電源電
    圧を印加することを特徴としたバブルメモリカセ
    ツトのホルダーユニツト。
JP8115382U 1982-06-01 1982-06-01 バブルメモリカセツトのホルダ−ユニツト Granted JPS58183700U (ja)

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JP8115382U JPS58183700U (ja) 1982-06-01 1982-06-01 バブルメモリカセツトのホルダ−ユニツト

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Publication Number Publication Date
JPS58183700U JPS58183700U (ja) 1983-12-07
JPS639919Y2 true JPS639919Y2 (ja) 1988-03-24

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61216193A (ja) * 1985-02-14 1986-09-25 Fujitsu Ltd カセツト式磁気バブルメモリ装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49128264A (ja) * 1973-04-12 1974-12-09
JPS5027692A (ja) * 1973-05-31 1975-03-20
JPS5880178A (ja) * 1981-11-02 1983-05-14 Fujitsu Ltd 磁気バブルメモリ装置

Family Cites Families (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5264516U (ja) * 1975-11-07 1977-05-12
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Patent Citations (3)

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Publication number Publication date
JPS58183700U (ja) 1983-12-07

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