JPS6235200Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6235200Y2 JPS6235200Y2 JP1982090002U JP9000282U JPS6235200Y2 JP S6235200 Y2 JPS6235200 Y2 JP S6235200Y2 JP 1982090002 U JP1982090002 U JP 1982090002U JP 9000282 U JP9000282 U JP 9000282U JP S6235200 Y2 JPS6235200 Y2 JP S6235200Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cassette
- connector
- bubble memory
- magnetic bubble
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 10
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は本体装置側のカセツトホルダ部と着脱
自在に接続する構成の磁気バブルメモリカセツト
に関する。
自在に接続する構成の磁気バブルメモリカセツト
に関する。
(b) 技術の背景
磁気バブルメモリをフロツピデイスクと同様に
取扱い可能にして該メモリの利用範囲を広げるた
め、該メモリを携帯に便利なカセツト状筐体に収
納した磁気バブルメモリカセツトが実用される。
取扱い可能にして該メモリの利用範囲を広げるた
め、該メモリを携帯に便利なカセツト状筐体に収
納した磁気バブルメモリカセツトが実用される。
しかして、該メモリカセツトは随時必要なとき
本体装置のホルダ部にコネクタを介し電気接続す
ることにより、メモリ情報の読出し、書込みがさ
れる様構成される。本考案はカセツトホルダ部と
カセツト体との接続時、カセツト体に帯電した静
電気によるメモリ情報破壊を防止する信頼性向上
対策につき提示するものである。
本体装置のホルダ部にコネクタを介し電気接続す
ることにより、メモリ情報の読出し、書込みがさ
れる様構成される。本考案はカセツトホルダ部と
カセツト体との接続時、カセツト体に帯電した静
電気によるメモリ情報破壊を防止する信頼性向上
対策につき提示するものである。
(c) 従来技術と問題点
第1図は従来の磁気バブルメモリカセツトの外
観斜視図、第2図は第1図のカセツトを本体装置
のカセツトホルダ部へ挿入する接続構成を示す簡
略側断面図である。
観斜視図、第2図は第1図のカセツトを本体装置
のカセツトホルダ部へ挿入する接続構成を示す簡
略側断面図である。
第1図の斜視図において、1は絶縁性樹脂モー
ルド成形のカセツト筐体であり、これには磁気バ
ブルメモリデバイス(バブルメモリチツプ、該チ
ツプに回転磁界を与えるXYコイル、バイアス磁
界発生用マグネツト等がシールドケース内に組付
けられたデバイス)が収納される。2はカセツト
筐体1の後部に形成したにぎり部であつて、多数
の凹凸が設けられる。3はカセツト筐体1の前端
に位置するコネクタ、4と5はカセツト筐体1の
前端の中央部に設けたメモリ書込禁止凹部と該書
込禁止のためのスライド片、及び6はカセツト筐
体1の両側に形成されたホルダ挿入のガイド側溝
である。
ルド成形のカセツト筐体であり、これには磁気バ
ブルメモリデバイス(バブルメモリチツプ、該チ
ツプに回転磁界を与えるXYコイル、バイアス磁
界発生用マグネツト等がシールドケース内に組付
けられたデバイス)が収納される。2はカセツト
筐体1の後部に形成したにぎり部であつて、多数
の凹凸が設けられる。3はカセツト筐体1の前端
に位置するコネクタ、4と5はカセツト筐体1の
前端の中央部に設けたメモリ書込禁止凹部と該書
込禁止のためのスライド片、及び6はカセツト筐
体1の両側に形成されたホルダ挿入のガイド側溝
である。
第2図の断面図において、7は本体装置側に形
成されたカセツト筐体1をガイドし受容するカセ
ツトホルダ部、8は該ホルダ部7内の奥部に設け
られたコネクタ、9は前述の磁気バブルメモリデ
バイス、10は該デバイス9のリード端子、11
はコネクタ3の端子、及び12は実装用印刷配線
基板である。
成されたカセツト筐体1をガイドし受容するカセ
ツトホルダ部、8は該ホルダ部7内の奥部に設け
られたコネクタ、9は前述の磁気バブルメモリデ
バイス、10は該デバイス9のリード端子、11
はコネクタ3の端子、及び12は実装用印刷配線
基板である。
第2図のA矢印方向に挿入完了したカセツト筐
体1は組対のコネクタ3と8が接続することによ
り、バブルメモリデバイス9の駆動とメモリ制御
に必要な各種電源接続および信号線回路が閉結さ
れる。
体1は組対のコネクタ3と8が接続することによ
り、バブルメモリデバイス9の駆動とメモリ制御
に必要な各種電源接続および信号線回路が閉結さ
れる。
ところで、該メモリカセツトは、複雑な形状を
容易に形成でき量産性に優れ安価であるなどの利
点を得るためカセツト筐体1を絶縁樹脂モールド
体とするが、樹脂モールド体とすると静電気が帯
電しやすくなる問題を生じる。一方デバイス9内
のメモリチツプは微細なバブル制御用コンダクタ
パターンを含み、且つ該メモリチツプの検出信号
や制御信号も微小電流である。
容易に形成でき量産性に優れ安価であるなどの利
点を得るためカセツト筐体1を絶縁樹脂モールド
体とするが、樹脂モールド体とすると静電気が帯
電しやすくなる問題を生じる。一方デバイス9内
のメモリチツプは微細なバブル制御用コンダクタ
パターンを含み、且つ該メモリチツプの検出信号
や制御信号も微小電流である。
このため従来ではカセツト筐体1に人体等によ
る静電気が帯電し、該静電気がコネクタ3,8の
接続時に例えば該コネクタ端子に放電する場合が
あり、その際には放電による大電流がメモリチツ
プに流れるためコンダクタパターンの溶断や情報
破壊が発生したり、信号ノイズによる検出信号の
S/Nが低下する等の多大な問題を生じる。
る静電気が帯電し、該静電気がコネクタ3,8の
接続時に例えば該コネクタ端子に放電する場合が
あり、その際には放電による大電流がメモリチツ
プに流れるためコンダクタパターンの溶断や情報
破壊が発生したり、信号ノイズによる検出信号の
S/Nが低下する等の多大な問題を生じる。
(d) 考案の目的および構成
本考案の目的は前記問題点を解消することにあ
り、これはカセツト筐体に、該カセツト筐体に帯
電した静電気をコネクタ接続より優先してホルダ
側へ逃がす接地導体を設けて達成したものであ
る。
り、これはカセツト筐体に、該カセツト筐体に帯
電した静電気をコネクタ接続より優先してホルダ
側へ逃がす接地導体を設けて達成したものであ
る。
(e) 考案の実施例
以下、第3図イ,ロと第4図イ,ロに示す実施
例図を参照して本考案を詳細説明する。
例図を参照して本考案を詳細説明する。
第3図イ,ロは、本考案に係る磁気バブルメモ
リカセツトとカセツトホルダ部の部分斜視図であ
る。図において、本実施例の特徴部分は接地導体
13,14にあり、他の符号は第1,2図と同様
の構成を示している。図の13はカセツト筐体1
の絶縁樹脂モールド成形体に埋設してなる棒状の
接地導体、又図の14はカセツトホルダ部7内に
予じめ接地接続された棒状の接地導体である。
リカセツトとカセツトホルダ部の部分斜視図であ
る。図において、本実施例の特徴部分は接地導体
13,14にあり、他の符号は第1,2図と同様
の構成を示している。図の13はカセツト筐体1
の絶縁樹脂モールド成形体に埋設してなる棒状の
接地導体、又図の14はカセツトホルダ部7内に
予じめ接地接続された棒状の接地導体である。
尚、相互の接地導体13と14は夫々雌雄構成
の互に嵌め合いの関係寸法で成形する。
の互に嵌め合いの関係寸法で成形する。
接地導体13の位置は実施例図の如くカセツト
筐体1の前端面においてコネクタ3と並列して設
け、しかもコネクタ3のコネクタ8との電気接続
より先に相互の接地導体13と14が導通してカ
セツト筐体1の静電気を逃す機能を果す。これら
導体13,14はカセツト筐体1のカセツトホル
ダ部7への挿入ガイドピンとしても機能する。
筐体1の前端面においてコネクタ3と並列して設
け、しかもコネクタ3のコネクタ8との電気接続
より先に相互の接地導体13と14が導通してカ
セツト筐体1の静電気を逃す機能を果す。これら
導体13,14はカセツト筐体1のカセツトホル
ダ部7への挿入ガイドピンとしても機能する。
第4図イ,ロは本考案に係る他の実施例を示す
図で、イは磁気バブルメモリカセツトの側面図、
ロはカセツトホルダ部の上面部であり、第1,2
図と同符号は同様の構成を示している。
図で、イは磁気バブルメモリカセツトの側面図、
ロはカセツトホルダ部の上面部であり、第1,2
図と同符号は同様の構成を示している。
本実施例によるメモリカセツトはカセツト筐体
1のホルダガイド側溝6内の位置に、接地導体1
5を埋設してカセツト帯電の静電気を逃がす構成
になつている。これは前記実施例図の導体13に
該当する。
1のホルダガイド側溝6内の位置に、接地導体1
5を埋設してカセツト帯電の静電気を逃がす構成
になつている。これは前記実施例図の導体13に
該当する。
ロ図の16と17は予じめ接地18がされたホ
ルダ側の側溝バネ体であり、これは前記実施例図
の導体14に該当する。
ルダ側の側溝バネ体であり、これは前記実施例図
の導体14に該当する。
これら接地導体16,17は、バネ体で成形し
ておけばガイド側溝6に埋設の導体15と接触摺
動し、カセツト筐体1に残留の電荷を接地する。
しかも、メモリデバイス9のコネクタ3と8の接
続より優先して接地する構成とされる。
ておけばガイド側溝6に埋設の導体15と接触摺
動し、カセツト筐体1に残留の電荷を接地する。
しかも、メモリデバイス9のコネクタ3と8の接
続より優先して接地する構成とされる。
(f) 考案の効果
以上本考案の磁資バブルメモリカセツトによれ
ば、その接続動作時に自動的にカセツト筐体に帯
体に帯電した静電気を除去することができ、静電
気によるメモリ情報の破壊やパターン溶断等が未
然に防止される等バブルメモリの信頼性を高める
に極めて有用な効果を発揮する。
ば、その接続動作時に自動的にカセツト筐体に帯
体に帯電した静電気を除去することができ、静電
気によるメモリ情報の破壊やパターン溶断等が未
然に防止される等バブルメモリの信頼性を高める
に極めて有用な効果を発揮する。
かかる観点から本考案の実用性は大きい。
第1図と第2図は夫々従来の磁気バブルメモリ
カセツトの外観斜視図並びにホルダ部とカセツト
の接続状態を示す簡略側断面図、第3図イ,ロと
第4図イ,ロは本考案の二つの実施例による磁気
バブルメモリカセツトとボルダ部を示す図であ
る。 図中、1はカセツト筐体、3はコネクタ、7は
カセツトホルダ部、8は3と嵌合するコネクタ、
9は磁気バブルメモリデバイス、13,14,1
5,16,17は接地導体である。
カセツトの外観斜視図並びにホルダ部とカセツト
の接続状態を示す簡略側断面図、第3図イ,ロと
第4図イ,ロは本考案の二つの実施例による磁気
バブルメモリカセツトとボルダ部を示す図であ
る。 図中、1はカセツト筐体、3はコネクタ、7は
カセツトホルダ部、8は3と嵌合するコネクタ、
9は磁気バブルメモリデバイス、13,14,1
5,16,17は接地導体である。
Claims (1)
- 磁気バブルメモリデバイス内蔵の樹脂モールド
体よりなるカセツト筐体と、該カセツトをカセツ
トホルダ部へ着脱自在に電気接続するコネクタを
具え、且つ該カセツト筐体には前記コネクタによ
る電気接続より優先して該カセツト筐体に帯電し
た静電気を前記ホルダ部へ逃がす接地導体を設け
たことを特徴とする磁気バブルメモリカセツト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9000282U JPS58193398U (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 磁気バブルメモリカセツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9000282U JPS58193398U (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 磁気バブルメモリカセツト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58193398U JPS58193398U (ja) | 1983-12-22 |
JPS6235200Y2 true JPS6235200Y2 (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=30098566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9000282U Granted JPS58193398U (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 磁気バブルメモリカセツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58193398U (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61198488A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-02 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリカセツト |
JPS61224191A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Fujitsu Ltd | カセツト状磁気バブルメモリ |
JPS6230095A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | 三菱電機株式会社 | Icカ−ド |
JP2009227418A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Ricoh Elemex Corp | 給紙カセット |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49128264A (ja) * | 1973-04-12 | 1974-12-09 | ||
JPS5027692A (ja) * | 1973-05-31 | 1975-03-20 | ||
JPS519351A (ja) * | 1974-07-12 | 1976-01-26 | Hitachi Ltd |
-
1982
- 1982-06-16 JP JP9000282U patent/JPS58193398U/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49128264A (ja) * | 1973-04-12 | 1974-12-09 | ||
JPS5027692A (ja) * | 1973-05-31 | 1975-03-20 | ||
JPS519351A (ja) * | 1974-07-12 | 1976-01-26 | Hitachi Ltd |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58193398U (ja) | 1983-12-22 |
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