JPS62229692A - 電子機器の静電気吸収構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえば携帯爪電子Ｒ器に装着される、いわ
ゆるメモリーカードなどに好適にｍいられる電子ｇ器の
静電気吸収構造に関する。

従来技術 電子機器に着脱自在に取付は可能で、データを記憶保持
する記憶装置等において、前記記憶装置は、データを記
憶あるいは演算等の制御をする機能を有したＬＳ　Ｉ（
大災模集積回路）を有している。

該ＬＳＩは、静電気によって金属酸化膜、その他の回路
配線などが破壊され、その記憶機能が損なわれるような
場合がある。したがって前記記憶装置には、前記ＬＳＩ
が静電気によって破壊され、その機能が損なわれること
を防１１：するための手段が講じられなければならない
。

第７図は静電気防止手段の第１の従来技術を示す記憶装
２１の斜視図であり、第８図は記憶装置１の可動部材２
が移動した状態の斜視図である。

第７図、第８図を参照して第１の従来技術について説明
する。

記憶装置１は、ＬＳＩ３等の電子部品が装着された印刷
配線基板ｃ以下基板と略称する〉４と、下パネル５と、
該下パネル５より第７図左右方向の長さが矢符ノ１で示
す長さだけ短い上パネル６と、可動部材２とから構成さ
れる。可Ｓ部材２は、第７図示矢符Ａ１方向およびその
反対方向に移動可能な金属から成る。可動部材２の矢符
Ａ１方向側端部には、可ｒＪｈ部材２を外部から駆動す
るための駆動片７が突設される。また上パネル６には、
駆動片７が挿通するための略楕円状の挿通孔８が設けら
れる。

第７図は、記憶装置１が電子機器等の外部装置から取外
された状態、いわゆる未使用状態である。

記憶装置１と外部装置（図示せず）とを電気接続する場
合には、次のような動作を行なう。可動部材２の駆動片
７を外部（第７図上方側）から矢符Ａ１方向に押圧する
と、駆動片７、したがって可動部材２が第７図示矢符Ａ
１方向に変位する。駆動片７は挿通孔８の内周縁の第７
図示矢符Ａ１方向側の係止部９に当接し、Ｐｔ５８図示
の状態で停止する。

このようにして、基板４の前記ＬＳＩ３と印刷配、線で
電気接続された接触部１０が露出し、基板４の接続部１
０が、外部ＶＬｉｌＩと電気的接続をすることが可能な
状態となり、データの伝送が可能になる。その後電子機
器より記１！装置１を取外した後は、前記動作と同様な
動作を矢符Ａ２方向に行ない、記憶装置１を第７図示の
ような状態にする。

ｆｊＳ７図示の状態の記憶装置１の接続部１０は、可動
部材２に覆われており、靜電気を有する人体などが前記
接続部１０と接触することはなく前記ＬＳＩ３が保護さ
れる。

第９図は、第２の従来技術の記憶装置１】の斜視図であ
り、第１０図は、記憶装置１１の可動部材１２が第９図
示矢符Ａ３方向に変位した状態の記憶装ｒＩＬ１１の斜
視図である。第９図および第１０図を参照して、第２の
従来技術について説明する。

記憶装置１１は、合成Ｉｆｍなどから成るハウジング１
３と、第９図示左右方向に進退自在に取付けられた可動
部材１２と、ＬＳ１１５等の電子部品が装着された基板
１４と、略「＜１字状のばね１６とから構成される。可
動部材１２は矩形筒状の基部１７と、前記基部１７の開
口部一方何端部に全周にわたって突出するように設けら
れた板状体部１８とから成り、板状本部１３には、基板
１４の嵌合突起１４ａが挿通する挿；ｌＴＩ孔１９が設
けられている。可り１部材１２は、ばね１６によって矢
符Ａ４方向にばね付勢されており、可動部材１２がハウ
ジング１３の外周部から突出した状態で記憶装置１１が
保管される。

記憶装置１１が外部装置に装５！￥される際には、可動
部材１２のｆｆ一端部側表面１２ａが外部装置の基板１
４の嵌合突起１４ａと嵌まり合う嵌合部材（図示せず）
等と当接し、ばね１６のばね力に抗して矢符Ａ３方向に
押圧され、第１０図示の状態となり、基板１４の嵌合突
起１４ａが前記嵌合部材の嵌合孔（図示せず）に朕着固
定される。このようにして外部装置などのデータを記憶
し、あるいは記憶しているデータを外部装置に伝送する
ことができる。

その後、データを記憶保持するために記憶装置１１を電
子機器等から取外すと、ばね１６のばね力により可動部
材１２は、第９図示矢符Ａ４方向に変位する。可動部材
１２が矢ｆｆ−Ａ４方向に変位すると１．基板１４の嵌
合突起１４ａは可動部材１２：こよって囲繞され、基板
１４の接続部２０が、副電気を有する、たとえば人体な
どと触れることなく、したがってＬＳＩを静電破壊する
ことがなく、記憶装置１１を保管することができる。

第１１図は第３の従来技術の記憶装ｒＲ２１の斜視図で
ある。記憶装置２１は、電子部品が装着された基板２２
、外部装置と電気的接続を可能にするための接続部材（
図示せず）が挿通する挿通孔２３が多数設けられた、合
成樹脂から成るハウジング２４とから構成される。該記
憶装置２１は、可動部材は有しておらず、外部装置と電
気接続するためには、外部装置が有する接続部材（図示
せず）が、ハウジング２４の挿通孔２３を挿通して基板
２２の接続部２５に当接し、データの伝送を行なう。こ
の従来技術では、基板２２の接続部２５が記憶装置２１
の外表面からハフノング２４の１７み分だけ凹設されて
いるため、瀞電気を有するたとえば人体等が接続部２５
と接することがなく、記憶装ｒｎ２１に内装されるＬＳ
　Ｉ（図示せず）が保護される。

発明が解決しようとする問題点 上述したような第１の従来技術では、可動部材２を第７
図示の状態にすることを忘れた場合は、基板４の接続部
１０が露出した状態（第８図示）となり、静電気防止の
対策はなんら取られておらず、記憶装置１が記憶してい
るデータを静電気によって消失するという問題があった
。

第２の従来技術では、記憶装置１１の保管時には基板１
　＝１の接続部２０が記憶装置１１の外表面に露出する
ことはなく、ｒ！Ｐ電気によってデータが損なわれると
いう間層はないけれども、構造が複雑で記ｆ：Ｌ装置１
１が小形化できな〜・という問題、αがあった。

１３の従来技術では記憶装置２１は小形化は可能である
が、静電気防止の効果は弱く、前記データが消失する場
合が多いという問題があった。

した力ｔって本発明のｒ１的は、上述の問題点を解決し
、たとえば署電気によるＬＳＩの静電破壊を可及的に減
少することができ、かつ形状も小形化することが可能な
電子機器のｉ？）電気吸収構造を提ｆ共することである
。

問題点を解決するだめの手段 本発明は、電ｒ−機器に＠１えられるハウジングと、ハ
ウジングに形成され、電子機器の外部に臨む接続端子と
、 上記ハウジングにおいて、少なくとも前記接続端子近傍
に設けられた導電体とを含むことを特徴とする電子（茂
器の静電気吸収構造である。

作　　用 本発明１；よれば、電子’ｆｌｌ器のハウジングの外側
部の少なくとも接続端子近傍に導電体を有するような構
造にすることによって、電子機器が有する構成！素が静
電気によって静電破壊されることを可及的に低減でき、
かつ簡単な構造であるため、電子は器の形状が小形化す
ることが可能となる。

実施例 第１図は本発明の一実施例の記憶装置３０の簡略化した
斜視図であり、第２図は記憶ＶＬ：δ３０の第１図示切
断面線ｆｆ−［ＩＬｆ）断面図であり、第３図は第２図
の１点鎖線ノ２で囲む部分の拡大図であり、第４図は記
憶装ｇ１３０の内部回路を示す回路ブロック図である。

第１図〜第４図を参照して。

本発明の一実施例を説明する。記憶装置３０は後述する
ような電子部品が装着された基板３１、合成樹脂などか
ら成るハウジング３２、アルミニウムあるいはステンレ
スなどの金属材料から成る導電性板体３３、バッテリ３
４、絶縁シート３５から構成される。基板３１に装着さ
れる電子部品は複数のＲ／〜Ｍ（３込み／続出しメモリ
）３６、複数のＲＯＭ（読出し専用メモリ）３７、前記
ＲＡＭ３（５す５よびＲＯＭ３７を制御するデコーダ３
８などのＬＳＩなどで構成される。

ハウジング３２は、上パネル３２ａ１下パネル３２１）
および外枠３２ｃから成り、前記バッテリ３・１は、前
記ＲＡ　Ｍ　３　Ｇの記憶内容を保持するためのバンク
ア・ンプバンテリである。ハウジング３２の−１−パネ
ルＪ２ａには、後述するような記憶装置３０の信号を外
部装置（図示せず）に伝送する、あるいは外部装置から
イ１丁号を授受するための外部装置の接続手段が挿通す
る挿通孔３９が多数貫設される。挿通孔３９は、第４図
では簡略化し、５個となっているが、実際には３０〜４
０個必要である。またその挿通孔３つの第２図下方には
、外部装置との電気接続をｒ７Ｉｒこめの基板３１の接
続部４０が多数設けられる。

前記導電性板体３３には、ハウジング３２の上パネル３
２ａの挿通孔３８を外囲するような位置に、同様に挿通
孔４１が設けられる。外部装置側の接続ビン（図示せず
）が挿通孔３９．４１を挿通して、基板３１の接続部４
０に当接して電気接続される。その際、前記接続ビンが
後述するように記１！装置３０の回路と電気接続されて
いる。導電性板体３３に接触しないように挿通孔４１は
、挿通孔３９よりも大きく設けられる。しかしむやみに
大きくすると、本発明の目的である静電気防止効果が低
下してしまうので、挿通孔４１の面積は挿通孔３９の面
積の２倍以下になるようにしなければならない。

第４図は、記憶装置３０の回路ブロック図であり、Ｉ？
ＡＭ３　Ｇ、ＲＯＭ　３７、デコーダ３８から外部に信
号を出力する、あるいは外部から信号を入力するための
信号ラインは電源ライン４２．４３、アドレスライン４
４、データライン４５、制御ライン４６であり、電源ラ
イン４２，４３、アドレスライン４４、データフィン４
５、制御ライン４６はそれぞれ基板３１の接続部４０に
電気接続されている。電源ライン４２．４３は、基板３
１の接続部４０、外ｅｙ５装置の接続ビンを介して外ｆ
Ｙｔｓ装置の電源に接続される。

外部装置の電源電圧は、記憶装置３０のバッテリ３４の
電圧よりも高く設定されているので、第５図矢符Ｂ１方
向への逆電流がバッテリ３４に流入することを阻１１−
する逆流防上ダイオード４７が設けられる。　ｆｉ４８
は、バッテリ３４とハウジング３２とが有する仮想容量
を等価的に表したらのである。ダイオード４９は矢符Ａ
６方向への逆流防止ｍである。また電源ライン４２はハ
ウジング３２と接続されており、導電性板体３３は第・
１図の電源ライン４２におけるＤ点に接続される。

以、１−のような信戊を有している記憶装置３０は、た
とえば靜電気を有する人体が記憶装ｒｒ１３０外表面に
接触すると、５電気は導電性板体３３、第４図り点を導
通して容量４８に充電され、ＬＳＩ（３６〜３３）に流
入干ることがなく、したがってＬＳＩが破壊することを
阻止できる。

第５図は本発明の第２の実施例の記憶装置５０の斜視図
であり、第６図は第５図の一部拡大図である。第５図お
よび第６図を参照して、第２の実施例について説明する
。本実施例の記憶装置５０の摺成は、大略的に第１の実
施例と同一であるので、差異のある点のみの説明に留め
る。また対応する部分には同一の参照符を付す。

記−１ユ装置５０の外部装置との接続部５１は記憶装置
５０の一方側端部に一直線」ユに近接され、さらにその
外方には外部装置の接続部材が案内される案内溝５２が
設けられており、記憶装置５０が外部装置に装着される
際、その装着力向（第５図矢符Ｂ１方向）にＶＣ着が不
完全な場合、したがって接続部５１が所望の位置より矢
符Ｂ１方向の反対方向側に位置する場合に、外部′！Ａ
置の接読ビンと導電性板体５３が接触することが防止で
きる。

記憶装置費５０の回路清成も第１の実施例と同一２あり
、靜電気防止効果を持つことは勿論である。

効　　果 以上のように本発明に従えば、電子機器の７”ｌウノン
グの外側部の少なくとも接続端子近傍に導電体をイＴす
るような構造にすることによって、電子機器が静電×に
よって、静電破壊されることを可及的に低減でき、かつ
簡単な構造であるため電子機器の形状を小形化すること
が可能となり、しから安価に製造でき、電Ｔ−機器の信
頼性も格段に向上することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は記憶装置３０の簡略化した斜視図、第２図は記
憶装置３０の第１図示切断面線■−■の断面図、第３図
は第２図示１点鎖線ノ２で囲む部分の拡大図、第４図は
記憶装Ｗ３（）の内部回路を示す回路ブロック図、第５
図は記憶ｖｃ置５０の斜視図、范６図は第５図の一部拡
大図、第７図は第１の従来技術の記憶装置１の斜視図、
第８図１上記ｆａ装ｗ１１の可動部材２が移動した状態
の斜視図、第９図はｆｐＪ２の従来技術の記憶ＶＣ置１
１の斜視図、第１０図は記憶装置１１の可動部材１２が
変位した状態の記憶装置１１の斜視図、第１１図は第３
の従来技術の記憶装置２１の斜視図である。 ３１・・・基板、３２・・・ハウジング、３３・・・導
電性板体、３４・・・バッテリ、４０・・・接続部、４
２，４３・・・電源ライン、４８・・・容琥 代理人　　弁理士　回教　圭一部 第１図 第３図 第８図 第９図 第１０図 第１１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　電子機器に備えられるハウジングと、 ハウジングに形成され、電子機器の外部に臨む接続端子
   と、 上記ハウジングにおいて、少なくとも前記接続端子近傍
   に設けられた導電体とを含むことを特徴とする電子機器
   の静電気吸収構造。