JPS6398369U - - Google Patents

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JPS6398369U
JPS6398369U JP19473286U JP19473286U JPS6398369U JP S6398369 U JPS6398369 U JP S6398369U JP 19473286 U JP19473286 U JP 19473286U JP 19473286 U JP19473286 U JP 19473286U JP S6398369 U JPS6398369 U JP S6398369U
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JP
Japan
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processing time
breakdown
additional processing
etching
calculation means
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JP19473286U
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の一実施例に係るエツチン
グ装置を示す概略図である。第2図は、第1図の
ブレークダウン制御装置の詳細例を示すブロツク
図である。第3図は、第1図の装置におけるイオ
ンビームのビーム電流波形等を示す図である。第
4図は、1回のブレークダウンの際のビーム電流
波形等の一例を拡大して示す図である。第5図は
、この考案の背景となるエツチング装置の一例を
示す概略図である。 2……イオン源、16……イオンビーム、24
……試料、36……ブレークダウン制御装置、3
8……統括制御装置、361……ブレークダウン
検出手段、362……損失電力量演算手段、36
3……追加処理時間演算手段、I……ビーム電流
、E……ビームエネルギー、ΔT……追加処理時
間。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空雰囲気中で試料にイオンビームを照射して
    それをエツチングするイオン源を備えるエツチン
    グ装置において、イオン源におけるブレークダウ
    ンを検出するブレークダウン検出手段と、ブレー
    クダウンによるイオンビームの損失電力量を演算
    する損失電力量演算手段と、当該損失電力量に基
    づいて追加処理時間を演算する追加処理時間演算
    手段と、当該追加処理時間だけエツチング処理時
    間を当初のものから延長する制御手段とを備える
    ことを特徴とするエツチング装置。
JP19473286U 1986-12-18 1986-12-18 Pending JPS6398369U (ja)

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JP19473286U JPS6398369U (ja) 1986-12-18 1986-12-18

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JPS6398369U true JPS6398369U (ja) 1988-06-25

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ID=31151974

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JP19473286U Pending JPS6398369U (ja) 1986-12-18 1986-12-18

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