JPH0214358U - - Google Patents

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JPH0214358U
JPH0214358U JP9261288U JP9261288U JPH0214358U JP H0214358 U JPH0214358 U JP H0214358U JP 9261288 U JP9261288 U JP 9261288U JP 9261288 U JP9261288 U JP 9261288U JP H0214358 U JPH0214358 U JP H0214358U
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disk
electrons
primary
electron emission
wafer
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JP9261288U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の一実施例に係るイオン処
理装置の中性化制御回路の回路図である。第2図
は、この考案の背景となるイオン処理装置の一例
を示す要部構成図である。第3図は、第2図中の
中性化制御回路の先行例の回路図である。 2……イオンビーム、4……デイスク、6……
ウエハ、10……ニユートラルカツプ、14……
フイラメント、18……引出し電源、24……デ
イスク電流検出抵抗、40……中性化制御回路、
42……デイスク電流対応電圧出力アンプ、44
……ハイパスフイルタ、48……制御回路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空容器内で回転および並進させられるデイス
    クに装着されたウエハにイオンビームを照射して
    当該ウエハを処理する装置であつて、一次電子を
    放出する一次電子放出源と、この一次電子を受け
    て二次電子を放出する二次電子放出源とを備え、
    この二次電子をイオンビーム照射領域におけるウ
    エハに供給するようにしたものにおいて、前記デ
    イスクに流れるデイスク電流を計測するデイスク
    電流計測回路と、このデイスク電流計測回路によ
    つて計測されたデイスク電流の変動分を抽出する
    ハイパスフイルタと、このハイパスフイルタの出
    力が零になるように前記一次電子放出源を制御し
    てそこから引き出す一次電子の量を制御する制御
    回路とを備えることを特徴とするイオン処理装置
JP9261288U 1988-07-12 1988-07-12 Pending JPH0214358U (ja)

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JP9261288U JPH0214358U (ja) 1988-07-12 1988-07-12

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JPH0214358U true JPH0214358U (ja) 1990-01-29

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JP9261288U Pending JPH0214358U (ja) 1988-07-12 1988-07-12

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