JPS639770B2 - - Google Patents
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- JPS639770B2 JPS639770B2 JP14766681A JP14766681A JPS639770B2 JP S639770 B2 JPS639770 B2 JP S639770B2 JP 14766681 A JP14766681 A JP 14766681A JP 14766681 A JP14766681 A JP 14766681A JP S639770 B2 JPS639770 B2 JP S639770B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- collector
- base
- level
- shifts
- Prior art date
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- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K23/00—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
- H03K23/58—Gating or clocking signals not applied to all stages, i.e. asynchronous counters
Landscapes
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は従来よりも少ないゲート数で単位ステ
ージを構成することが出来、しかも高速動作も可
能なバイナリーカウンタを提供するものである。
ージを構成することが出来、しかも高速動作も可
能なバイナリーカウンタを提供するものである。
従来より多用されているカウンタ(分周器も含
む)はよく知られている様に、その基本的な論理
構成が6個のNANDゲートもしくは6個のNOR
ゲートの相互接続によるエツジトリガータイプの
Tフリツプフロツプ回路によつて単位ステージが
構成されているが、この種のカウンタがあらゆる
デイジタルシステム、特にデイジタルLSIの中心
的な存在になつているため、近年、カウンタの単
位ステージを構成するTフリツプフロツプ回路の
ゲート数を削減しようとする試みが盛んに行なわ
れている。特にI2L・ICではアナログ回路とデイ
ジタル回路の混載が可能であるため、カメラやウ
オツチあるいはマイクロモータの制御回路などの
分野への応用がめざましく、従来は6〜8素子
(単なる2分の1分周を行なうだけの場合と、リ
セツト機能を付加する場合とで素子数が異なる。)
によつて構成されていた単位ステージを4素子に
まで削減させた事例も発表させた。
む)はよく知られている様に、その基本的な論理
構成が6個のNANDゲートもしくは6個のNOR
ゲートの相互接続によるエツジトリガータイプの
Tフリツプフロツプ回路によつて単位ステージが
構成されているが、この種のカウンタがあらゆる
デイジタルシステム、特にデイジタルLSIの中心
的な存在になつているため、近年、カウンタの単
位ステージを構成するTフリツプフロツプ回路の
ゲート数を削減しようとする試みが盛んに行なわ
れている。特にI2L・ICではアナログ回路とデイ
ジタル回路の混載が可能であるため、カメラやウ
オツチあるいはマイクロモータの制御回路などの
分野への応用がめざましく、従来は6〜8素子
(単なる2分の1分周を行なうだけの場合と、リ
セツト機能を付加する場合とで素子数が異なる。)
によつて構成されていた単位ステージを4素子に
まで削減させた事例も発表させた。
これらの事例は、IEEE JOURNAL OF
SOLID−STATE CIRCUITS、Vol.SO−11、No.
6(1976)のP.P.847−851のP.A.TUCCI and L.
K.RUSSEL:“An I2L Watch Chip With
Direct LED Drive”や同IEEE誌のVol.SC−14、
No.3(1979)のP.P.657−660のU.
ABLASSHEIER;“Camparison of Various
Binary Dividers in I2L”において紹介されてい
る。
SOLID−STATE CIRCUITS、Vol.SO−11、No.
6(1976)のP.P.847−851のP.A.TUCCI and L.
K.RUSSEL:“An I2L Watch Chip With
Direct LED Drive”や同IEEE誌のVol.SC−14、
No.3(1979)のP.P.657−660のU.
ABLASSHEIER;“Camparison of Various
Binary Dividers in I2L”において紹介されてい
る。
しかしながら、これらの4素子フリツプフロツ
プ回路は出力信号として反転出力が得られなかつ
たり、従来とは異なる特別な構造にする必要があ
つた。
プ回路は出力信号として反転出力が得られなかつ
たり、従来とは異なる特別な構造にする必要があ
つた。
また、後者の文献にも示されている様に、これ
らの4素子フリツプフロツプ回路はその特殊な構
成のため、使用限界周波数が著しく低下してしま
うと言う問題があつた。
らの4素子フリツプフロツプ回路はその特殊な構
成のため、使用限界周波数が著しく低下してしま
うと言う問題があつた。
本発明は、その基本回路が5個の一致ゲートに
よつて構成された単位ステージを有するカウンタ
を提供し、上述の様な問題を解消するものであ
る。
よつて構成された単位ステージを有するカウンタ
を提供し、上述の様な問題を解消するものであ
る。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例である4ビツトバイ
ナリーカウンタの論理構成図であり、端子0は
クロツク信号が印加される入力端子、端子Q0,
Q1,Q2,Q3はそれぞれ1ビツト目、2ビツト目、
3ビツト目、4ビツト目のカウント出力端子であ
る。
ナリーカウンタの論理構成図であり、端子0は
クロツク信号が印加される入力端子、端子Q0,
Q1,Q2,Q3はそれぞれ1ビツト目、2ビツト目、
3ビツト目、4ビツト目のカウント出力端子であ
る。
第1図では、NANDゲート1,2,3,4,
5,6によつて1ビツト目の単位ステージ100
が構成されており、前記単位ステージ100は本
発明を適用した2ビツト目の単位ステージ200
にトリガ信号を供給するための単位ステージであ
り、通常のTフリツプフロツプ回路の出力側に微
分パルス発生回路を付加したのと同じ機能を有し
ている。
5,6によつて1ビツト目の単位ステージ100
が構成されており、前記単位ステージ100は本
発明を適用した2ビツト目の単位ステージ200
にトリガ信号を供給するための単位ステージであ
り、通常のTフリツプフロツプ回路の出力側に微
分パルス発生回路を付加したのと同じ機能を有し
ている。
前記単位ステージ200において、各々の第1
の入力端子7a,8aと出力端子7b,8bがク
ロスカツプリング接続されたNANDゲート7お
よびNANDゲート8によつて第1のゲート対2
01が構成され、各々の第1の入力端子9a,1
0aと出力端子9b,10bがクロスカツプリン
グ接続されたNANDゲートおよびNANDゲート
10によつて第2のゲート対202が構成されて
いる。
の入力端子7a,8aと出力端子7b,8bがク
ロスカツプリング接続されたNANDゲート7お
よびNANDゲート8によつて第1のゲート対2
01が構成され、各々の第1の入力端子9a,1
0aと出力端子9b,10bがクロスカツプリン
グ接続されたNANDゲートおよびNANDゲート
10によつて第2のゲート対202が構成されて
いる。
前記NANDゲート9の第2の入力端子9cは
前記NANDゲート7の出力端子7bに接続され、
前記NANDゲート10の第2の入力端子10c
は前記NANDゲート8の出力端子8bに接続さ
れ、前記NANDゲート7,8の第2の入力端子
7c,8cはそれぞれ前記NANDゲート10,
9の出力端子10b,9bに接続されている。前
記NANDゲート7,8の第3の入力端子7dお
よび8dは共通接続されてNANDゲート11の
出力端子11bに接続され、前記NANDゲート
11の第1の入力端子11aは前段の単位ステー
ジ100を構成するNANDゲート3の出力端子
3bに接続され、前記NANDゲート11の第2、
第3の入力端子11c,11dはそれぞれ前記
NANDゲート7,8の出力端子7b,8bに接
続されている。
前記NANDゲート7の出力端子7bに接続され、
前記NANDゲート10の第2の入力端子10c
は前記NANDゲート8の出力端子8bに接続さ
れ、前記NANDゲート7,8の第2の入力端子
7c,8cはそれぞれ前記NANDゲート10,
9の出力端子10b,9bに接続されている。前
記NANDゲート7,8の第3の入力端子7dお
よび8dは共通接続されてNANDゲート11の
出力端子11bに接続され、前記NANDゲート
11の第1の入力端子11aは前段の単位ステー
ジ100を構成するNANDゲート3の出力端子
3bに接続され、前記NANDゲート11の第2、
第3の入力端子11c,11dはそれぞれ前記
NANDゲート7,8の出力端子7b,8bに接
続されている。
また、前記NANDゲート7の出力端子7bに
は次段の単位ステージ300を構成するNAND
ゲート16の入力端子16aが接続されている。
は次段の単位ステージ300を構成するNAND
ゲート16の入力端子16aが接続されている。
なお、前記単位ステージ300はNANDゲー
ト12,13,14,15,16によつて前記単
位ステージと同じ様に構成され、4ビツト目の単
位ステージ400も同様である。
ト12,13,14,15,16によつて前記単
位ステージと同じ様に構成され、4ビツト目の単
位ステージ400も同様である。
さて、第1図に示した回路は特にI2Lにおいて
実施すると素子数の低減の効果が大きいので、単
位ステージ100および200をI2Lトランジス
タによつて構成した回路結線図に基づいて動作の
概要を説明する。
実施すると素子数の低減の効果が大きいので、単
位ステージ100および200をI2Lトランジス
タによつて構成した回路結線図に基づいて動作の
概要を説明する。
まず、第2図は第1図の単位ステージ100の
論理構成をI2L回路で実現した回路結線図である。
第2図において、トランジスタ101のベースは
クロツクパルス入力端子0に接続され、同第1
コレクタ1aはトランジスタ102のベースに接
続され、同第2コレクタ1bはトランジスタ10
3のベースに接続され、同第3コレクタ1cはト
ランジスタ106のベースに接続されている。前
記トランジスタ102の第1コレクタ2aはトリ
ガ信号出力端子0に接続され、同第2コレクタ
2bは前記トランジスタ103のベースに接続さ
れ、同第3コレクタ2cはトランジスタ107の
ベースに接続され、同第4コレクタ2dはトラン
ジスタ104のベースに接続され、前記トランジ
スタ103の第1コレクタ3aは前記トランジス
タ102のベースに接続され、同第2コレクタ3
bは前記トランジスタ107のベースに接続さ
れ、同第3コレクタ3cはトランジスタ105の
ベースに接続されている。
論理構成をI2L回路で実現した回路結線図である。
第2図において、トランジスタ101のベースは
クロツクパルス入力端子0に接続され、同第1
コレクタ1aはトランジスタ102のベースに接
続され、同第2コレクタ1bはトランジスタ10
3のベースに接続され、同第3コレクタ1cはト
ランジスタ106のベースに接続されている。前
記トランジスタ102の第1コレクタ2aはトリ
ガ信号出力端子0に接続され、同第2コレクタ
2bは前記トランジスタ103のベースに接続さ
れ、同第3コレクタ2cはトランジスタ107の
ベースに接続され、同第4コレクタ2dはトラン
ジスタ104のベースに接続され、前記トランジ
スタ103の第1コレクタ3aは前記トランジス
タ102のベースに接続され、同第2コレクタ3
bは前記トランジスタ107のベースに接続さ
れ、同第3コレクタ3cはトランジスタ105の
ベースに接続されている。
また、前記トランジスタ104の第1コレクタ
4aは前記トランジスタ105のベースに接続さ
れ、同第2コレクタ4bは1ビツト目の出力端子
Q0に接続され、同第3コレクタ4cは前記トラ
ンジスタ103のベースに接続されている。前記
トランジスタ105の第1コレクタ5aは前記ト
ランジスタ104のベースに接続され、同第2コ
レクタ5bは1ビツト目の反転出力端子0に接
続され、同第3コレクタ5cは前記トランジスタ
102のベースに接続されている。
4aは前記トランジスタ105のベースに接続さ
れ、同第2コレクタ4bは1ビツト目の出力端子
Q0に接続され、同第3コレクタ4cは前記トラ
ンジスタ103のベースに接続されている。前記
トランジスタ105の第1コレクタ5aは前記ト
ランジスタ104のベースに接続され、同第2コ
レクタ5bは1ビツト目の反転出力端子0に接
続され、同第3コレクタ5cは前記トランジスタ
102のベースに接続されている。
さらに、前記トランジスタ106の第1コレク
タ6aは前記トランジスタ107のベースに接続
され、同第2コレクタ6bは前記トランジスタ1
03のベースに接続され、同第3コレクタ6cは
前記トランジスタ102のベースに接続され、前
記トランジスタ107の第1コレクタ7aは前記
トランジスタ106のベースに接続されている。
タ6aは前記トランジスタ107のベースに接続
され、同第2コレクタ6bは前記トランジスタ1
03のベースに接続され、同第3コレクタ6cは
前記トランジスタ102のベースに接続され、前
記トランジスタ107の第1コレクタ7aは前記
トランジスタ106のベースに接続されている。
さて、第3図は第2図における各部の信号波形
を示したもので、各トランジスタの第2、第3、
第4コレクタの信号波形はそれぞれ第1、第2、
第3コレクタの信号波形に対して、ゲート間の信
号伝達遅れの2分の1に相当する分だけの遅れを
有しているものと仮定している。なお、図中のイ
は1ゲートあたりの遅れ時間、ロは1コレクタあ
たりの遅れ時間を示している。
を示したもので、各トランジスタの第2、第3、
第4コレクタの信号波形はそれぞれ第1、第2、
第3コレクタの信号波形に対して、ゲート間の信
号伝達遅れの2分の1に相当する分だけの遅れを
有しているものと仮定している。なお、図中のイ
は1ゲートあたりの遅れ時間、ロは1コレクタあ
たりの遅れ時間を示している。
第3図のaはクロツクパルス入力端子0の入
力パルス波形であり、また、第3図のb,c,
d,e,f,g,h,i,j,k,l,m,n,
o,p,q,r,s,t,uは、それぞれトラン
ジスタ101の第1〜第3コレクタ1a〜1c、
トランジスタ102の第1〜第4コレクタ2a〜
2d、トランジスタ103の第1〜第3コレクタ
3a〜3c、トランジスタ104の第1〜第3コ
レクタ4a〜4c、トランジスタ105の第1〜
第3コレクタ5a〜5c、トランジスタ106の
第1〜第3コレクタ6a〜6c、トランジスタ1
07の第1コレクタ7aの信号波形を示したもの
で、実際の回路では、例えば前記トランジスタ1
01の第1コレクタ1aは前記トランジスタ10
3,105,106のコレクタ3a,5c,6c
と共通接続されているので、第3図に示した信号
波形とは異なつた波形が現われるが、第3図では
動作の説明をわかり易くするために、各コレクタ
を他のコレクタと分離した場合のそれぞれのコレ
クタ波形を示している。
力パルス波形であり、また、第3図のb,c,
d,e,f,g,h,i,j,k,l,m,n,
o,p,q,r,s,t,uは、それぞれトラン
ジスタ101の第1〜第3コレクタ1a〜1c、
トランジスタ102の第1〜第4コレクタ2a〜
2d、トランジスタ103の第1〜第3コレクタ
3a〜3c、トランジスタ104の第1〜第3コ
レクタ4a〜4c、トランジスタ105の第1〜
第3コレクタ5a〜5c、トランジスタ106の
第1〜第3コレクタ6a〜6c、トランジスタ1
07の第1コレクタ7aの信号波形を示したもの
で、実際の回路では、例えば前記トランジスタ1
01の第1コレクタ1aは前記トランジスタ10
3,105,106のコレクタ3a,5c,6c
と共通接続されているので、第3図に示した信号
波形とは異なつた波形が現われるが、第3図では
動作の説明をわかり易くするために、各コレクタ
を他のコレクタと分離した場合のそれぞれのコレ
クタ波形を示している。
さて、第2図のトランジスタ101,104,
107の出力レベルが“0”で、トランジスタ1
02,103,105,106の出力レベルが
“1”になつているもとで、時刻t1において前記
トランジスタ101のベースのレベルが第3図a
に示す様に“1”から“0”に移行したとする
と、続いて前記トランジスタ101の第1コレク
タ1aのレベルが“1”に移行し、さらに同第2
コレクタ1b、同第3コレクタ1cのレベルが
次々と“1”に移行する。
107の出力レベルが“0”で、トランジスタ1
02,103,105,106の出力レベルが
“1”になつているもとで、時刻t1において前記
トランジスタ101のベースのレベルが第3図a
に示す様に“1”から“0”に移行したとする
と、続いて前記トランジスタ101の第1コレク
タ1aのレベルが“1”に移行し、さらに同第2
コレクタ1b、同第3コレクタ1cのレベルが
次々と“1”に移行する。
前記トランジスタ101の第1コレクタ1aの
レベルが“1”に移行すると、あらかじめトラン
ジスタ103の第1コレクタ3a、トランジスタ
105の第3コレクタ5c、トランジスタ106
の第3コレクタ6cのレベルがいずれも“1”に
なつているので、トランジスタ102の第1コレ
クタ2aのレベルが“0”に移行し、さらに同第
2コレクタ2b、同第3コレクタ2c、同第4コ
レクタ2dが次々と“0”に移行する。
レベルが“1”に移行すると、あらかじめトラン
ジスタ103の第1コレクタ3a、トランジスタ
105の第3コレクタ5c、トランジスタ106
の第3コレクタ6cのレベルがいずれも“1”に
なつているので、トランジスタ102の第1コレ
クタ2aのレベルが“0”に移行し、さらに同第
2コレクタ2b、同第3コレクタ2c、同第4コ
レクタ2dが次々と“0”に移行する。
前記トランジスタ102の第3コレクタ2cの
レベルが“0”に移行するとトランジスタ107
の第1コレクタ7aの出力レベルが“1”に移行
し、この時点で前記トランジスタ101の第3コ
レクタ1cのレベルが“1”になつているので、
トランジスタ106の第1コレクタ6aのレベル
が“0”に移行し、さらに同第2コレクタ6b、
同第3コレクタ6cのレベルが次々と“0”に移
行する。
レベルが“0”に移行するとトランジスタ107
の第1コレクタ7aの出力レベルが“1”に移行
し、この時点で前記トランジスタ101の第3コ
レクタ1cのレベルが“1”になつているので、
トランジスタ106の第1コレクタ6aのレベル
が“0”に移行し、さらに同第2コレクタ6b、
同第3コレクタ6cのレベルが次々と“0”に移
行する。
前記トランジスタ106の第3コレクタ6cの
レベルが“0”に移行すると前記トランジスタ1
02の第1コレクタ2aのレベルは“1”に戻
り、同第2コレクタ2b、同第3コレクタ2c、
同第4コレクタ2dのレベルも次々と“1”に戻
る。
レベルが“0”に移行すると前記トランジスタ1
02の第1コレクタ2aのレベルは“1”に戻
り、同第2コレクタ2b、同第3コレクタ2c、
同第4コレクタ2dのレベルも次々と“1”に戻
る。
一方、前記トランジスタ102の第4コレクタ
2dのレベルが“1”に戻る以前に“1”から
“0”に移行した時点で、トランジスタ104の
第1コレクタ4aのレベルが“1”に移行し、続
いて同第2コレクタ4b、同第3コレクタ4cの
レベルも“1”に移行する。
2dのレベルが“1”に戻る以前に“1”から
“0”に移行した時点で、トランジスタ104の
第1コレクタ4aのレベルが“1”に移行し、続
いて同第2コレクタ4b、同第3コレクタ4cの
レベルも“1”に移行する。
前記トランジスタ104の第1コレクタ4aの
レベルが“1”に移行すると、あらかじめトラン
ジスタ103の第3コレクタ3cのレベルが
“1”になつているので、トランジスタ105の
第1コレクタ5aのレベルが“0”に移行し、同
第2コレクタ5b、同第3コレクタ5cのレベル
が次々と“0”に移行する。
レベルが“1”に移行すると、あらかじめトラン
ジスタ103の第3コレクタ3cのレベルが
“1”になつているので、トランジスタ105の
第1コレクタ5aのレベルが“0”に移行し、同
第2コレクタ5b、同第3コレクタ5cのレベル
が次々と“0”に移行する。
時刻t2において、前記トランジスタ101のベ
ースのレベルが“1”に移行すると、前記トラン
ジスタ101の第1コレクタ1aのレベルが
“0”に移行し、続いて同第2コレクタ1b、同
第3コレクタ1cのレベルも次々と“0”に移行
する。
ースのレベルが“1”に移行すると、前記トラン
ジスタ101の第1コレクタ1aのレベルが
“0”に移行し、続いて同第2コレクタ1b、同
第3コレクタ1cのレベルも次々と“0”に移行
する。
前記トランジスタ101の第3コレクタ1cの
レベルが“0”に移行すると、トランジスタ10
6の第1コレクタ6a、第2コレクタ6b、第3
コレクタ6cのレベルが続々と“1”に移行し、
前記トランジスタ106の第1コレクタ6aのレ
ベルの“1”への移行によつてトランジスタ10
7の第1コレクタ7aのレベルは“0”に移行し
て、時刻t3におけるクロツクパルスのリーデイン
グエツジの到来に備える。
レベルが“0”に移行すると、トランジスタ10
6の第1コレクタ6a、第2コレクタ6b、第3
コレクタ6cのレベルが続々と“1”に移行し、
前記トランジスタ106の第1コレクタ6aのレ
ベルの“1”への移行によつてトランジスタ10
7の第1コレクタ7aのレベルは“0”に移行し
て、時刻t3におけるクロツクパルスのリーデイン
グエツジの到来に備える。
時刻t3において、トランジスタ101のベース
のレベルが“0”に移行すると、同第1〜第3コ
レクタのレベルは“1”に移行する。
のレベルが“0”に移行すると、同第1〜第3コ
レクタのレベルは“1”に移行する。
前記トランジスタ101の第2コレクタ1bの
レベルが“1”に移行すると、あらかじめトラン
ジスタ102の第2コレクタ2b、トランジスタ
104の第3コレクタ4c、トランジスタ106
の第2コレクタ6bのレベルがいずれも“1”に
なつているので、トランジスタ103の第1コレ
クタ3aのレベルが“0”に移行し、続いて同第
2コレクタ3b、同第3コレクタ3cのレベルも
“0”に移行する。
レベルが“1”に移行すると、あらかじめトラン
ジスタ102の第2コレクタ2b、トランジスタ
104の第3コレクタ4c、トランジスタ106
の第2コレクタ6bのレベルがいずれも“1”に
なつているので、トランジスタ103の第1コレ
クタ3aのレベルが“0”に移行し、続いて同第
2コレクタ3b、同第3コレクタ3cのレベルも
“0”に移行する。
前記トランジスタ103の第2コレクタ3bの
出力レベルの“0”への移行によつてトランジス
タ107の第1コレクタ7aのレベルが“1”に
移行し、一方、前記トランジスタ103の第3コ
レクタ3cの出力レベルの“0”への移行によつ
てトランジスタ105の第1コレクタ5aのレベ
ルが“1”に移行する。
出力レベルの“0”への移行によつてトランジス
タ107の第1コレクタ7aのレベルが“1”に
移行し、一方、前記トランジスタ103の第3コ
レクタ3cの出力レベルの“0”への移行によつ
てトランジスタ105の第1コレクタ5aのレベ
ルが“1”に移行する。
前記トランジスタ107の第1コレクタ7aの
レベルが“1”に移行すると、トランジスタ10
6の第1コレクタ6aのレベルが“0”に移行
し、さらに同第2コレクタ6b、同第3コレクタ
6cのレベルも“0”に移行し、前記トランジス
タ106の第2コレクタ6bのレベルの“0”へ
の移行によつて前記トランジスタ103の第1コ
レクタ3aのレベルは“1”に戻る。
レベルが“1”に移行すると、トランジスタ10
6の第1コレクタ6aのレベルが“0”に移行
し、さらに同第2コレクタ6b、同第3コレクタ
6cのレベルも“0”に移行し、前記トランジス
タ106の第2コレクタ6bのレベルの“0”へ
の移行によつて前記トランジスタ103の第1コ
レクタ3aのレベルは“1”に戻る。
なお、この間に前記トランジスタ105の第1
コレクタ5aのレベルの“1”への移行によつて
トランジスタ104の出力レベルは“0”に移行
する。
コレクタ5aのレベルの“1”への移行によつて
トランジスタ104の出力レベルは“0”に移行
する。
時刻t4において、トランジスタ101のベース
のレベルが“1”に移行すると、時刻t2のときと
同様に、前記トランジスタ101の出力レベルが
“0”に移行し、その結果、トランジスタ106
の出力レベルが“1”に移行し、さらにトランジ
スタ107の出力レベルが“0”に移行する。
のレベルが“1”に移行すると、時刻t2のときと
同様に、前記トランジスタ101の出力レベルが
“0”に移行し、その結果、トランジスタ106
の出力レベルが“1”に移行し、さらにトランジ
スタ107の出力レベルが“0”に移行する。
以下、同様にして前記トランジスタ101のベ
ースのレベルが変化する毎に、換言すればクロツ
クパルス入力端子0のレベルが変化する毎に各
トランジスタの出力レベルは変化を繰り返し、第
2図における入力端子0のレベルが第3図aに
示す如く変化したとき、ドライブ用出力端子0、
1ビツト目の出力端子Q0、1ビツト目の反転出
力端子0には、それぞれ第3図e,m,pに示
す様な信号波形が現われる。
ースのレベルが変化する毎に、換言すればクロツ
クパルス入力端子0のレベルが変化する毎に各
トランジスタの出力レベルは変化を繰り返し、第
2図における入力端子0のレベルが第3図aに
示す如く変化したとき、ドライブ用出力端子0、
1ビツト目の出力端子Q0、1ビツト目の反転出
力端子0には、それぞれ第3図e,m,pに示
す様な信号波形が現われる。
つまり、第2図の回路は普通のTフリツプフロ
ツプ回路に微分パルス発生回路の機能を付加した
回路であると見なすことが出来る。
ツプ回路に微分パルス発生回路の機能を付加した
回路であると見なすことが出来る。
さて、第4図は第1図の単位ステージ200お
よび300の論理構成をI2L回路で実現した回路
結線図であり、第4図において、トランジスタ1
10の第1コレクタ10aはトランジスタ111
のベースに接続され、同第2コレクタ10bはト
ランジスタ112のベースに接続されている。前
記トランジスタ111の第1コレクタ11aは前
記トランジスタ110のベースに接続され、同第
2コレクタ11bはダウンカウンカウントのため
のドライブ用出力端子1dに接続され、同第3コ
レクタ11cはトランジスタ113のベースに接
続され、同第4コレクタ11dは前記トランジス
タ112のベースに接続されている。
よび300の論理構成をI2L回路で実現した回路
結線図であり、第4図において、トランジスタ1
10の第1コレクタ10aはトランジスタ111
のベースに接続され、同第2コレクタ10bはト
ランジスタ112のベースに接続されている。前
記トランジスタ111の第1コレクタ11aは前
記トランジスタ110のベースに接続され、同第
2コレクタ11bはダウンカウンカウントのため
のドライブ用出力端子1dに接続され、同第3コ
レクタ11cはトランジスタ113のベースに接
続され、同第4コレクタ11dは前記トランジス
タ112のベースに接続されている。
また、前記トランジスタ112の第1コレクタ
12aは前記トランジスタ110のベースに接続
され、同第2コレクタ12bはアツプカウントの
ためのドライブ用出力端子P1uに接続され、同第
3コレクタ12cはトランジスタ114のベース
に接続され、同第4コレクタ12dは前記トラン
ジスタ111のベースに接続されている。前記ト
ランジスタ113の第1コレクタ13aは2ビツ
ト目の出力端子Q1に接続され、同第2コレクタ
13bは前記トランジスタ114のベースに接続
され、同第3コレクタ13cは前記トランジスタ
112のベースに接続されている。前記トランジ
スタ114の第1コレクタ14aは2ビツト目の
反転出力端子1に接続され、同第2コレクタ1
4bは前記トランジスタ113のベースに接続さ
れ、同第3コレクタ14cは前記トランジスタ1
11のベースに接続されている。
12aは前記トランジスタ110のベースに接続
され、同第2コレクタ12bはアツプカウントの
ためのドライブ用出力端子P1uに接続され、同第
3コレクタ12cはトランジスタ114のベース
に接続され、同第4コレクタ12dは前記トラン
ジスタ111のベースに接続されている。前記ト
ランジスタ113の第1コレクタ13aは2ビツ
ト目の出力端子Q1に接続され、同第2コレクタ
13bは前記トランジスタ114のベースに接続
され、同第3コレクタ13cは前記トランジスタ
112のベースに接続されている。前記トランジ
スタ114の第1コレクタ14aは2ビツト目の
反転出力端子1に接続され、同第2コレクタ1
4bは前記トランジスタ113のベースに接続さ
れ、同第3コレクタ14cは前記トランジスタ1
11のベースに接続されている。
3ビツト目の単位ステージ300はトラスジス
タ120,121,122,123,124によ
つて単位ステージ200と同じ構成がとられ、前
記トランジスタ110,120のベースは、それ
ぞれトリガ信号入力端子1,2に接続され、2
ビツト目のドライブ用出力端子1dが前記入力端
子2に接続されている。
タ120,121,122,123,124によ
つて単位ステージ200と同じ構成がとられ、前
記トランジスタ110,120のベースは、それ
ぞれトリガ信号入力端子1,2に接続され、2
ビツト目のドライブ用出力端子1dが前記入力端
子2に接続されている。
また、前記入力端子1は第2図の回路のドラ
イブ用出力端子0に接続されている。
イブ用出力端子0に接続されている。
第5図aは第4図におけるクロツクパルス入力
端子1の入力パルス波形であり、また、第5図
b,c,d,e,f,g,h,i,j,k,l,
m,n,o,p,qは、それぞれトランジスタ1
10の第1、第2コレクタ10a,10b、トラ
ンジスタ111の第1〜第4コレクタ11a〜1
1d、トランジスタ112の第1〜第4コレクタ
12a〜12d、トランジスタ113の第1〜第
3コレクタ13a〜13c、トランジスタ114
の第1〜第3コレクタ14a〜14cの信号波形
を示したものである。
端子1の入力パルス波形であり、また、第5図
b,c,d,e,f,g,h,i,j,k,l,
m,n,o,p,qは、それぞれトランジスタ1
10の第1、第2コレクタ10a,10b、トラ
ンジスタ111の第1〜第4コレクタ11a〜1
1d、トランジスタ112の第1〜第4コレクタ
12a〜12d、トランジスタ113の第1〜第
3コレクタ13a〜13c、トランジスタ114
の第1〜第3コレクタ14a〜14cの信号波形
を示したものである。
さて、第4図のトランジスタ110,113の
出力レベルが“0”で、トランジスタ111,1
12,114の出力レベルが“1”になつている
もとで、時刻t11において前記トランジスタ11
0のベースのレベルが第5図aに示す様に“1”
から“0”に移行したとすると、続いて前記トラ
ンジスタ110の第1コレクタ10aのレベルが
“1”に移行し、さらに同第2コレクタ10bの
レベルが“1”に移行する。
出力レベルが“0”で、トランジスタ111,1
12,114の出力レベルが“1”になつている
もとで、時刻t11において前記トランジスタ11
0のベースのレベルが第5図aに示す様に“1”
から“0”に移行したとすると、続いて前記トラ
ンジスタ110の第1コレクタ10aのレベルが
“1”に移行し、さらに同第2コレクタ10bの
レベルが“1”に移行する。
前記トランジスタ110の第1コレクタ10a
のレベルが“1”に移行すると、あらかじめトラ
ンジスタ112の第4コレクタ12d、トランジ
スタ114の第3コレクタ14cのレベルがとも
に“1”になつているので、トランジスタ111
の第1コレクタ11aのレベルが“0”に移行
し、さらに同第2コレクタ11b、同第3コレク
タ11c、同第4コレクタ11dのレベルが次々
と“0”に移行する。
のレベルが“1”に移行すると、あらかじめトラ
ンジスタ112の第4コレクタ12d、トランジ
スタ114の第3コレクタ14cのレベルがとも
に“1”になつているので、トランジスタ111
の第1コレクタ11aのレベルが“0”に移行
し、さらに同第2コレクタ11b、同第3コレク
タ11c、同第4コレクタ11dのレベルが次々
と“0”に移行する。
前記トランジスタ111の第3コレクタ11c
のレベルが“0”に移行すると、続いてトランジ
スタ113の第1コレクタ13aのレベルが
“1”に移行し、さらに同第2コレクタ13b、
同第3コレクタ13cのレベルが次々と“1”に
移行する。
のレベルが“0”に移行すると、続いてトランジ
スタ113の第1コレクタ13aのレベルが
“1”に移行し、さらに同第2コレクタ13b、
同第3コレクタ13cのレベルが次々と“1”に
移行する。
前記トランジスタ113の第2コレクタ13b
のレベルが“1”に移行すると、あらかじめトラ
ンジスタ112の第3コレクタ12cのレベルが
“1”になつているので、トランジスタ114の
第1コレクタ14aのレベルが“0”に移行し、
さらに同第2コレクタ14b、同第3コレクタ1
4cのレベルが次々と“0”に移行する。
のレベルが“1”に移行すると、あらかじめトラ
ンジスタ112の第3コレクタ12cのレベルが
“1”になつているので、トランジスタ114の
第1コレクタ14aのレベルが“0”に移行し、
さらに同第2コレクタ14b、同第3コレクタ1
4cのレベルが次々と“0”に移行する。
前記トランジスタ114の第3コレクタ14c
のレベルが“0”に移行すると、前記トランジス
タ111の第1コレクタ11aのレベルが“1”
に戻り、さらに同第2コレクタ11b、同第3コ
レクタ11c、同第4コレクタ11dのレベルも
次々と“1”に戻る。
のレベルが“0”に移行すると、前記トランジス
タ111の第1コレクタ11aのレベルが“1”
に戻り、さらに同第2コレクタ11b、同第3コ
レクタ11c、同第4コレクタ11dのレベルも
次々と“1”に戻る。
時刻t12において、トランジスタ110のベー
スのレベルが“0”に移行すると、続いて前記ト
ランジスタ110の第1コレクタ10aのレベル
が“1”に移行し、さらに同第2コレクタ10b
のレベルが“1”に移行する。
スのレベルが“0”に移行すると、続いて前記ト
ランジスタ110の第1コレクタ10aのレベル
が“1”に移行し、さらに同第2コレクタ10b
のレベルが“1”に移行する。
前記トランジスタ110の第2コレクタ10b
のレベルが“1”に移行すると、トランジスタ1
12の第1コレクタ12aのレベルが“0”に移
行し、さらに同第2コレクタ12b、同第3コレ
クタ12c、同第4コレクタ12bのレベルが
次々と“0”に移行する。
のレベルが“1”に移行すると、トランジスタ1
12の第1コレクタ12aのレベルが“0”に移
行し、さらに同第2コレクタ12b、同第3コレ
クタ12c、同第4コレクタ12bのレベルが
次々と“0”に移行する。
前記トランジスタ112の第3コレクタ12c
のレベルが“0”に移行すると、続いてトランジ
スタ114の第1コレクタ14aのレベルが
“1”に移行し、さらに同第2コレクタ14b、
同第3コレクタ14cのレベルが“1”に移行す
る。
のレベルが“0”に移行すると、続いてトランジ
スタ114の第1コレクタ14aのレベルが
“1”に移行し、さらに同第2コレクタ14b、
同第3コレクタ14cのレベルが“1”に移行す
る。
前記トランジスタ114の第2コレクタ14b
のレベルが“1”に移行すると、トランジスタ1
13の第1コレクタ13aのレベルが“0”に移
行し、さらに同第2コレクタ13b、同第3コレ
クタ13cのレベルが次々と“0”に移行する。
のレベルが“1”に移行すると、トランジスタ1
13の第1コレクタ13aのレベルが“0”に移
行し、さらに同第2コレクタ13b、同第3コレ
クタ13cのレベルが次々と“0”に移行する。
前記トランジスタ113の第3コレクタ13c
のレベルが“0”に移行すると、前記トランジス
タ112の第1コレクタ12aのレベルが“1”
に戻り、さらに同第2コレクタ12b、同第3コ
レクタ12c、同第4コレクタ12dのレベルも
次々と“1”に戻る。
のレベルが“0”に移行すると、前記トランジス
タ112の第1コレクタ12aのレベルが“1”
に戻り、さらに同第2コレクタ12b、同第3コ
レクタ12c、同第4コレクタ12dのレベルも
次々と“1”に戻る。
以後、同じ様な過程を経て入力端子1に印加
されるトリガ信号のリーデイングエツジが到来す
る毎に各トランジスタの出力レベルは次々と変化
し、結局、第4図の回路の入力端子1に第5図
aに示される信号が印加されたとき、ドライブ用
出力端子1d,1u、ビツト出力端子Q1,1には
それぞれ第5図e,i,l,oに示す様な信号波
形が現われる。
されるトリガ信号のリーデイングエツジが到来す
る毎に各トランジスタの出力レベルは次々と変化
し、結局、第4図の回路の入力端子1に第5図
aに示される信号が印加されたとき、ドライブ用
出力端子1d,1u、ビツト出力端子Q1,1には
それぞれ第5図e,i,l,oに示す様な信号波
形が現われる。
前記出力端子1dに現われる出力信号は次段の
トリガ信号として用いられるので第4図の回路は
ダウンカウンタを構成していることになる。
トリガ信号として用いられるので第4図の回路は
ダウンカウンタを構成していることになる。
ところで、第5図の信号波形からも明らかな様
に、本発明のバイナリーカウンタは各ステージで
発生される微分パルスを次段のドライブ信号とし
て利用しているが、前段を構成するトランジスタ
の動作速度が後段を構成するトランジスタの動作
速度よりも速かつたり、(特にI2Lではシステムの
消費電力を低減させるために意識的にこの様な状
態に設定される。すなわち、カウンタのMSBに
近くなる程、クロツク周波数が低くなるので、同
期式のカウンタでない限り、MSBに近いビツト
ではLSBに近いビツトに比べて構成トランジス
タの動作速度が遅くても良いことになり、MSB
に近くなる程、インジエクシヨン電流を少なくす
ることが出来る。)、途中で減衰したりして入力信
号のパルス幅が狭くなつたとしても、それが初段
のトランジスタをドライブしきれなくなる程狭く
ならない限り、次段には充分に幅が広げられたト
リガ信号を供給することが出来る。
に、本発明のバイナリーカウンタは各ステージで
発生される微分パルスを次段のドライブ信号とし
て利用しているが、前段を構成するトランジスタ
の動作速度が後段を構成するトランジスタの動作
速度よりも速かつたり、(特にI2Lではシステムの
消費電力を低減させるために意識的にこの様な状
態に設定される。すなわち、カウンタのMSBに
近くなる程、クロツク周波数が低くなるので、同
期式のカウンタでない限り、MSBに近いビツト
ではLSBに近いビツトに比べて構成トランジス
タの動作速度が遅くても良いことになり、MSB
に近くなる程、インジエクシヨン電流を少なくす
ることが出来る。)、途中で減衰したりして入力信
号のパルス幅が狭くなつたとしても、それが初段
のトランジスタをドライブしきれなくなる程狭く
ならない限り、次段には充分に幅が広げられたト
リガ信号を供給することが出来る。
この様子を第5図について説明すると、次段へ
のトリガ信号となる第5図eの信号波形のリーデ
イングエツジの位置は第5図aに示す入力信号の
リーデイングエツジの位置に依存するが、トレイ
リングエツジの位置は第5図aの入力信号のトレ
イリングエツジの位置には依存せずに単位ステー
ジ内のトランジスタの遅延時間に依存する。
のトリガ信号となる第5図eの信号波形のリーデ
イングエツジの位置は第5図aに示す入力信号の
リーデイングエツジの位置に依存するが、トレイ
リングエツジの位置は第5図aの入力信号のトレ
イリングエツジの位置には依存せずに単位ステー
ジ内のトランジスタの遅延時間に依存する。
つまり、時刻t13において、第5図aに示す入
力信号のリーデイングエツジが到来して、その直
後の時刻t14においてトレイリングエツジが到来
したとしても、次段には充分に幅の広いドライブ
用出力信号を供給することが出来る。
力信号のリーデイングエツジが到来して、その直
後の時刻t14においてトレイリングエツジが到来
したとしても、次段には充分に幅の広いドライブ
用出力信号を供給することが出来る。
この効果は第1図において、NANDゲート1
1の入力端子11c,11dにそれぞれ、
NANDゲート7,8の出力を印加したことによ
つて生じたものである。
1の入力端子11c,11dにそれぞれ、
NANDゲート7,8の出力を印加したことによ
つて生じたものである。
なお、第1図、第4図に示した本発明の実施例
では単なるリプルカウンタを構成しているが、必
要に応じて各ステージからリセツト用あるいはプ
リセツト用の端子を取り出すことも出来る。
では単なるリプルカウンタを構成しているが、必
要に応じて各ステージからリセツト用あるいはプ
リセツト用の端子を取り出すことも出来る。
例えば、第4図に示されたカウンタにリセツト
機能をもたせるには、リセツト信号分配用の別の
トランジスタを設け、該トランジスタの第1コレ
クタをトランジスタ114のベースに接続し、同
第2コレクタをトランジスタ124のベースに接
続し、さらに同第3、第4コレクタを単位ステー
ジ400および500(図示せず)の出力トラン
ジスタのベースに接続すれば良い。
機能をもたせるには、リセツト信号分配用の別の
トランジスタを設け、該トランジスタの第1コレ
クタをトランジスタ114のベースに接続し、同
第2コレクタをトランジスタ124のベースに接
続し、さらに同第3、第4コレクタを単位ステー
ジ400および500(図示せず)の出力トラン
ジスタのベースに接続すれば良い。
また、第1図の論理構成図では、すべて
NANDゲートが用いられているが、これらは
NORゲートなどの他の一致ゲートによつても実
用出来ることはいうまでもない。
NANDゲートが用いられているが、これらは
NORゲートなどの他の一致ゲートによつても実
用出来ることはいうまでもない。
以上の様に本発明のバイナリーカウンタは、
各々の第1の入力端子と出力端子がクロスカツプ
リング接続された第1および第2の一致ゲートに
よる第1の一致ゲート対(第1図における201
に相当)と、各々の第1の入力端子と出力端子が
クロスカツプリング接続された第3および第4の
一致ゲートによる第2の一致ゲート対(202に
相当)を備え、前記第3の一致ゲートの第2の入
力端子に前記第1の一致ゲートの出力信号を与
え、前記第4の一致ゲートの第2の入力端子に前
記第2の一致ゲートの出力信号を与え、前記第1
および第2の一致ゲートの第2の入力端子にそれ
ぞれ前記第2の一致ゲート対の出力信号を与える
ごとくし、かつ前記第1および第2の一致ゲート
の第3の入力端子を共通接続して第5の一致ゲー
トの出力端子に接続し、該第5の一致ゲートの第
1の入力端子に前段からのトリガ信号を与えるご
とくし、同第2、第3の入力端子をそれぞれ前記
第1、第2の一致ゲートの出力端子に接続して、
前記第1、第2、第3、第4、第5の一致ゲート
によつて単位ステージを構成するとともに、前記
第1の一致ゲート対の出力信号(前記第1の一致
ゲートの出力信号もしくは前記第2の一致ゲート
の出力信号に相当)を次段の単位ステージにトリ
ガ信号として供給するように構成したもので、従
来よりも少ない論理ゲート数で単位ステージを構
成することが出来、その結果、ICのチツプサイ
ズの縮少や消費電力の節限が可能になるなど、大
なる効果を奏するものである。
各々の第1の入力端子と出力端子がクロスカツプ
リング接続された第1および第2の一致ゲートに
よる第1の一致ゲート対(第1図における201
に相当)と、各々の第1の入力端子と出力端子が
クロスカツプリング接続された第3および第4の
一致ゲートによる第2の一致ゲート対(202に
相当)を備え、前記第3の一致ゲートの第2の入
力端子に前記第1の一致ゲートの出力信号を与
え、前記第4の一致ゲートの第2の入力端子に前
記第2の一致ゲートの出力信号を与え、前記第1
および第2の一致ゲートの第2の入力端子にそれ
ぞれ前記第2の一致ゲート対の出力信号を与える
ごとくし、かつ前記第1および第2の一致ゲート
の第3の入力端子を共通接続して第5の一致ゲー
トの出力端子に接続し、該第5の一致ゲートの第
1の入力端子に前段からのトリガ信号を与えるご
とくし、同第2、第3の入力端子をそれぞれ前記
第1、第2の一致ゲートの出力端子に接続して、
前記第1、第2、第3、第4、第5の一致ゲート
によつて単位ステージを構成するとともに、前記
第1の一致ゲート対の出力信号(前記第1の一致
ゲートの出力信号もしくは前記第2の一致ゲート
の出力信号に相当)を次段の単位ステージにトリ
ガ信号として供給するように構成したもので、従
来よりも少ない論理ゲート数で単位ステージを構
成することが出来、その結果、ICのチツプサイ
ズの縮少や消費電力の節限が可能になるなど、大
なる効果を奏するものである。
第1図は本発明の一実施例に係るバイナリーカ
ウンタの論理構成図、第2図は第1図における単
位ステージ100をI2L回路で構成した回路結線
図、第3図は第2図における各部の信号波形図、
第4図は第1図における単位ステージ200,3
00をI2L回路で構成した回路結線図、第5図は
第4図における各部の信号波形図である。 1〜15……NANDゲート、100,200,
300,400……単位ステージ、201,20
2……ゲート対。
ウンタの論理構成図、第2図は第1図における単
位ステージ100をI2L回路で構成した回路結線
図、第3図は第2図における各部の信号波形図、
第4図は第1図における単位ステージ200,3
00をI2L回路で構成した回路結線図、第5図は
第4図における各部の信号波形図である。 1〜15……NANDゲート、100,200,
300,400……単位ステージ、201,20
2……ゲート対。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 各々の第1の入力端子と出力端子がクロスカ
ツプリング接続された第1および第2の一致ゲー
トによる第1の一致ゲート対と、各々の第1の入
力端子と出力端子がクロスカツプリング接続され
た第3および第4の一致ゲートによる第2の一致
ゲート対を備え、前記第3の一致ゲートの第2の
入力端子に前記第1の一致ゲートの出力信号を与
え、前記第4の一致ゲートの第2の入力端子に前
記第2の一致ゲートの出力信号を与え、前記第1
および第2の一致ゲートの第2の入力端子にそれ
ぞれ前記第2の一致ゲート対の出力信号を与える
ごとくし、かつ前記第1および第2の一致ゲート
の第3の入力端子を共通接続して第5の一致ゲー
トの出力端子に接続し、該第5の一致ゲートの第
1の入力端子に前段からのトリガ信号を与えるご
とくし、同第2、第3の入力端子をそれぞれ前記
第1、第2の一致ゲートの出力端子に接続して、
前記第1、第2、第3、第4、第5の一致ゲート
によつて単位ステージを構成するとともに、前記
第1の一致ゲート対の出力信号を次段の単位ステ
ージにトリガ信号として供給するように構成した
ことを特徴とするバイナリーカウンタ。 2 特許請求の範囲第1項の記載において、前記
第1の一致ゲートの第2の入力端子を前記第4の
一致ゲートの出力端子に接続し、前記第2の一致
ゲートの第2の入力端子を前記第3の一致ゲート
の出力端子に接続するようにしたことを特徴とす
るバイナリーカウンタ。 3 特許請求の範囲第1項の記載において、前記
第1、第2、第3、第4、第5の一致ゲートをそ
れぞれ第1、第2、第3、第4、第5のI2Lトラ
ンジスタによつて構成し、前記第5のトランジス
タの第1コレクタを前記第1のトランジスタのベ
ースに接続し、同第2コレクタを前記第2のトラ
ンジスタのベースに接続し、前記第1のトランジ
スタの第1コレクタを前記第5のトランジスタの
ベースに接続し、同第3コレクタを前記第3のト
ランジスタのベースに接続し、同第4コレクタを
前記第2のトランジスタのベースに接続し、前記
第2のトランジスタの第1コレクタを前記第5の
トランジスタのベースに接続し、同第3コレクタ
を前記第4のトランジスタのベースに接続し、同
第4コレクタを前記第1のトランジスタのベース
に接続し、前記第3のトランジスタの第2コレク
タを前記第4のトランジスタのベースに接続し、
同第3コレクタを前記第2のトランジスタのベー
スに接続し、前記第4のトランジスタの第2コレ
クタを前記第3のトランジスタのベースに接続
し、同第3コレクタを前記第1のトランジスタの
ベースに接続し、前記第5のトランジスタのベー
スに前段からのトリガ信号を供給するとともに、
前記第1あるいは第2のトランジスタの第2コレ
クタの出力を次段へのトリガ信号として供給する
ごとく構成したことを特徴とするバイナリーカウ
ンタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14766681A JPS5848536A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | バイナリ−カウンタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14766681A JPS5848536A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | バイナリ−カウンタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5848536A JPS5848536A (ja) | 1983-03-22 |
JPS639770B2 true JPS639770B2 (ja) | 1988-03-02 |
Family
ID=15435520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14766681A Granted JPS5848536A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | バイナリ−カウンタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5848536A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
HUT69718A (en) * | 1993-04-01 | 1995-09-28 | Alkaloida Vegyeszeti Gyar | Pharmaceutical compositions containing triazolil(thio)quinoline derivatives |
JP2005088751A (ja) | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Delta Kogyo Co Ltd | 車両用スライドアジャスタ |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14766681A patent/JPS5848536A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5848536A (ja) | 1983-03-22 |
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