JPS6396632A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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- JPS6396632A JPS6396632A JP24239886A JP24239886A JPS6396632A JP S6396632 A JPS6396632 A JP S6396632A JP 24239886 A JP24239886 A JP 24239886A JP 24239886 A JP24239886 A JP 24239886A JP S6396632 A JPS6396632 A JP S6396632A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学装置の構造に関する。
従来の強誘電性液晶を用いた電気光学装置の構造は’F
enoelectvics 、 1984 、 ’Vo
w 59.pp、 137−144 に示されたよう
に液晶の配向法として、ラビング(布でこする)法、斜
方蒸着法、スペーサエッヂ法、シアリング法などが考案
され、実用されている。斜方蒸着法は、電極上に配向膜
として、810などの絶縁層を60〜85°程度傾けた
方向から蒸着する方法であり、液晶はこの時形成される
ノコギリ型表面に溢って配向する。スペーサエッヂ法は
上下の液晶挾持基板を保持するスペーサの切シロから液
晶を配向させるものである。
enoelectvics 、 1984 、 ’Vo
w 59.pp、 137−144 に示されたよう
に液晶の配向法として、ラビング(布でこする)法、斜
方蒸着法、スペーサエッヂ法、シアリング法などが考案
され、実用されている。斜方蒸着法は、電極上に配向膜
として、810などの絶縁層を60〜85°程度傾けた
方向から蒸着する方法であり、液晶はこの時形成される
ノコギリ型表面に溢って配向する。スペーサエッヂ法は
上下の液晶挾持基板を保持するスペーサの切シロから液
晶を配向させるものである。
シアリング法は、液晶注入後、液晶挾持基板を、配向さ
せたい方向にずらせることにより配向させる方法である
。これらの配向法の中で最も簡便で確実である配向法は
ラビング法である。
せたい方向にずらせることにより配向させる方法である
。これらの配向法の中で最も簡便で確実である配向法は
ラビング法である。
しかし前述の従来技術におけるラビング法については、
強誘電相の双安定状態(たとえばSmC*相の双安定状
態)のうちの1安定状態がラビング効果により安定化さ
れてしまい、完全な双安定状態とならないことが多い。
強誘電相の双安定状態(たとえばSmC*相の双安定状
態)のうちの1安定状態がラビング効果により安定化さ
れてしまい、完全な双安定状態とならないことが多い。
強誘電性液晶電気光学表示装置は1.双安定状態に基づ
くメモリー効果(駆動電圧を0としても、表示を保つ。
くメモリー効果(駆動電圧を0としても、表示を保つ。
)が1つの長所であるが、その双安定性に片寄りがある
と、双安定状態の片側ばかりメモリー性が良くなってし
まい、表示画質が落ちる。また、双安定状態間を遷移さ
せるための駆動電圧のしきい値特性も非対称となり駆動
法によっては問題が出てくる。
と、双安定状態の片側ばかりメモリー性が良くなってし
まい、表示画質が落ちる。また、双安定状態間を遷移さ
せるための駆動電圧のしきい値特性も非対称となり駆動
法によっては問題が出てくる。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、完全な双安定状態を有する強誘
電性液晶を用いた電気光学装置を提供するところにある
。
の目的とするところは、完全な双安定状態を有する強誘
電性液晶を用いた電気光学装置を提供するところにある
。
本発明の電気光学装置は、強誘電性液晶を用い液晶挾持
基板の少なくとも片側に配向膜を付け、2方向に布でこ
すり、初めにこすりた方向に液晶分子が向いた時の配向
の安定性と、後にこすった方向に液晶分子が向いた時の
配向の安定性をほぼ等しくしたことを特徴とする。
基板の少なくとも片側に配向膜を付け、2方向に布でこ
すり、初めにこすりた方向に液晶分子が向いた時の配向
の安定性と、後にこすった方向に液晶分子が向いた時の
配向の安定性をほぼ等しくしたことを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば第2図において液晶分子は
、2方向ラビングの、後にこすった方向に並ぶ。つまり
もう1方向よりも安定なのであるが、上から下に電場を
印加した場合、液晶分子は初めにこすうた方向を向き、
その時点で配向膜の双極子及びラビング効果により後に
こすった方向を向いた場合と同程度に安定化することが
できるのである。これにより完全な双安定とすることが
できる。
、2方向ラビングの、後にこすった方向に並ぶ。つまり
もう1方向よりも安定なのであるが、上から下に電場を
印加した場合、液晶分子は初めにこすうた方向を向き、
その時点で配向膜の双極子及びラビング効果により後に
こすった方向を向いた場合と同程度に安定化することが
できるのである。これにより完全な双安定とすることが
できる。
また、片側だけラビングするのでなく、両側の基板とも
同様にラビングしてもよい。
同様にラビングしてもよい。
更に、上下基板とも同じ配向膜を用いても完全な双安定
状態が得られない場合にも2方向ラビングは有効である
。
状態が得られない場合にも2方向ラビングは有効である
。
以上の実施例の説明において、配向膜の双極子という表
現を使うが、これは第10回液晶討論会講演予稿集P1
22に示されて−るように、様々な配向膜の組み合わせ
で液晶の配向の安定性の程度から求められるものであり
、ITO上に配向膜を付けた場合、ポリイミドでは基板
側に向かう双極子なもち、ポリビニルアルコールでは基
板の外へ向かう双極子をもつ。また、7フ化ビニリデン
と37フ化エチレンの共重合体では基板の内側に向かう
双極子なもつことがわかりている。
現を使うが、これは第10回液晶討論会講演予稿集P1
22に示されて−るように、様々な配向膜の組み合わせ
で液晶の配向の安定性の程度から求められるものであり
、ITO上に配向膜を付けた場合、ポリイミドでは基板
側に向かう双極子なもち、ポリビニルアルコールでは基
板の外へ向かう双極子をもつ。また、7フ化ビニリデン
と37フ化エチレンの共重合体では基板の内側に向かう
双極子なもつことがわかりている。
また、実施例において、液晶の自発分極に向きがあり、
プラス、マイナスと記しているが、この定義については
、?enoelectvics 、 59 、 (19
84)、25 に示されている0本発明では、第2図
において、上向きをプラス、下向きをマイナスとした(
実施例1) 第1図は本発明の実施例における電気光学表示装置の主
要断面図である。
プラス、マイナスと記しているが、この定義については
、?enoelectvics 、 59 、 (19
84)、25 に示されている0本発明では、第2図
において、上向きをプラス、下向きをマイナスとした(
実施例1) 第1図は本発明の実施例における電気光学表示装置の主
要断面図である。
ガラス基板に透明電f4!(工’l’O)を形成し、下
側基板側には配向膜としてポリイミドを500 ’A厚
で製膜しサランの布で一方向に4@こすった。
側基板側には配向膜としてポリイミドを500 ’A厚
で製膜しサランの布で一方向に4@こすった。
次に、このラビング方向から時計まわりに60″ずらし
た方向に1回こすった。上側の基板は透明電極側を内側
に向け、下側基板はラビングした表面を内側として、装
置を組み立てた。液晶層の厚さは2μ溝である。注入し
た液晶は、ポリイミド膜の双極子の向きに合わせるため
、自発分極の極性が−f57.(Qもf)、(!5PI
1 ! −o−C! 02−@−CO2−@−Q 5
H11を用いた。
た方向に1回こすった。上側の基板は透明電極側を内側
に向け、下側基板はラビングした表面を内側として、装
置を組み立てた。液晶層の厚さは2μ溝である。注入し
た液晶は、ポリイミド膜の双極子の向きに合わせるため
、自発分極の極性が−f57.(Qもf)、(!5PI
1 ! −o−C! 02−@−CO2−@−Q 5
H11を用いた。
こうして得られた装置のしきい特性を表1.NIL1に
示す、vthは1安定状態から他方の安定状態に移る際
のしきい電圧であり、Meatは完全に状態遷移が完了
するために必要な飽和電圧である。ここで用いた駆動波
形は、パルス巾1msの矩形波が10@g間隔でプラス
−マイナスが逆転して出てくるものである。この表を見
てわかるようにVth、Vsatが、暗→明、明→暗に
おいて、非常に近い値を示している。すなわち2つの状
態が同程度に安定であると考えられる。また、開き角も
20’であり、通常のポリイミドを配向膜として一方向
うピングしたものよりもかなり改善されている。(通常
は15°程度) (実施例2) 基本的構成は実施例1と同じである。用いる下側基板用
の配向膜はポリビニルアルコールである、ポリビニルア
ルコールの双極子方向はlリイミドの双極子方向と逆で
あるので用いる液晶の自発分極の極性はマイナスのもの
であり、 06111130−@−002−@−C!02C”5H
11を用い?、:*ff112にしきい特性を示した。
示す、vthは1安定状態から他方の安定状態に移る際
のしきい電圧であり、Meatは完全に状態遷移が完了
するために必要な飽和電圧である。ここで用いた駆動波
形は、パルス巾1msの矩形波が10@g間隔でプラス
−マイナスが逆転して出てくるものである。この表を見
てわかるようにVth、Vsatが、暗→明、明→暗に
おいて、非常に近い値を示している。すなわち2つの状
態が同程度に安定であると考えられる。また、開き角も
20’であり、通常のポリイミドを配向膜として一方向
うピングしたものよりもかなり改善されている。(通常
は15°程度) (実施例2) 基本的構成は実施例1と同じである。用いる下側基板用
の配向膜はポリビニルアルコールである、ポリビニルア
ルコールの双極子方向はlリイミドの双極子方向と逆で
あるので用いる液晶の自発分極の極性はマイナスのもの
であり、 06111130−@−002−@−C!02C”5H
11を用い?、:*ff112にしきい特性を示した。
Vth、Vsatより、双安定性のすぐれた装置となっ
てφることがわかる。
てφることがわかる。
(実施例3)
上側基板にはフッ化ビニリデンと37フ化エチレンの共
重合体(三菱油化のカイナー#7201)を配向膜とし
て製膜し、下側基板にはポリビニルアルコールな配向膜
として製膜する。すると配向膜の双極子方向は下基板か
ら上基板に向かう。
重合体(三菱油化のカイナー#7201)を配向膜とし
て製膜し、下側基板にはポリビニルアルコールな配向膜
として製膜する。すると配向膜の双極子方向は下基板か
ら上基板に向かう。
下基板を実施例1と同様に2方向ラビングする。
用vhり液晶!106H130−@−002−o−00
2cIs111 テアル。
2cIs111 テアル。
表1 、N13にしきい特性を示す、この実験の中では
最も双安定性がよい、メモリー性も良好であった。
最も双安定性がよい、メモリー性も良好であった。
(実施例4)
次に、強誘電相より高い温度にSmA相をもたない液晶
について適用する実施例を示す。SmA相がないと、非
常に配向しにくい。しかし配向時に電場を印加して、自
発分極の向きをそろえてやれば非常に配向性が良くなる
。
について適用する実施例を示す。SmA相がないと、非
常に配向しにくい。しかし配向時に電場を印加して、自
発分極の向きをそろえてやれば非常に配向性が良くなる
。
下側配向膜にポリイミド膜を付け、実施例1とである。
コレステリック相とS m O*棺転位点が81℃であ
るので82℃で電圧15vを印加し、1℃/分で降温す
る。80℃で完全にS m O*相となりた。この場合
電場の印加方向はポリイミド配向膜の双極子の逆方向で
下基板から上基板方向に印加した。こうして得られた装
置のしきい特性を表1.随4に示した。これについても
、vth、Meatから、双安定性が良好であることが
わかる。
るので82℃で電圧15vを印加し、1℃/分で降温す
る。80℃で完全にS m O*相となりた。この場合
電場の印加方向はポリイミド配向膜の双極子の逆方向で
下基板から上基板方向に印加した。こうして得られた装
置のしきい特性を表1.随4に示した。これについても
、vth、Meatから、双安定性が良好であることが
わかる。
(実施例5)
次に上下基板とも同じ配向膜を使りた場合、一般的に絶
対的な配向の安定度は悪くなるが、双安定性は良くなる
はずである。ところが双安定性を示さないことが多−0
ここでは、そうした場合の解決法の実施例を示す。
対的な配向の安定度は悪くなるが、双安定性は良くなる
はずである。ところが双安定性を示さないことが多−0
ここでは、そうした場合の解決法の実施例を示す。
上下透明!極付き液晶挾持基板にポリイミド膜を5oo
X厚に付は下側基板を1方向に布で4回こすり液晶層の
厚さ2μmとなるように装置を組ンタ。用n タ液&
ハ(”5H1t−@−co2−@−cot−@−csH
t 1である。この場合のしきい特性を表1の随5に示
した。しきい特性はかなり非対称であることがわかる。
X厚に付は下側基板を1方向に布で4回こすり液晶層の
厚さ2μmとなるように装置を組ンタ。用n タ液&
ハ(”5H1t−@−co2−@−cot−@−csH
t 1である。この場合のしきい特性を表1の随5に示
した。しきい特性はかなり非対称であることがわかる。
次に装置の構成要素はそのままでラビング処理だけ実施
例1と同じに行なってみた。その場合のしきい特性を表
1に示した。双安定性が兄事に改善されている。2方向
ラビングの、初めにこする方向を後にこする方向に対し
て、どちら回りに何度傾むけるかは、用いる液晶、基板
の表面状態などによる。
例1と同じに行なってみた。その場合のしきい特性を表
1に示した。双安定性が兄事に改善されている。2方向
ラビングの、初めにこする方向を後にこする方向に対し
て、どちら回りに何度傾むけるかは、用いる液晶、基板
の表面状態などによる。
すべての実施例に共通しているが、配向膜を付ける前に
絶縁層を付けておいても効果は同じであった。
絶縁層を付けておいても効果は同じであった。
以上述べたように発明によれば用いる配向膜のもつ双極
子の方向と用いる液晶の自発分極の向きを考慮して、2
方向にラビングすることによりほぼ完全な双安定状態を
作り出せ、ひいては開き角を増大させ、コントラスト向
上という効果を有する。
子の方向と用いる液晶の自発分極の向きを考慮して、2
方向にラビングすることによりほぼ完全な双安定状態を
作り出せ、ひいては開き角を増大させ、コントラスト向
上という効果を有する。
第1図は本発明の強誘電性液晶電気光学表示装置の主要
断面図。 1・・・・・・・・・基 板 2・・・・・・・・・電極 3・・・・・・・・・配向膜1 4・・・・・・・・・液 晶 5・・・・・・・・・配向膜2 第2図は本発明の強誘電性液晶電気先学表示装置の1動
作例を示す概念図。 6・・・・・・・・・配向膜の双極子方向7・・・・・
・・・・ラビング方向 8・・・・・・・・・開き角 9・・・・・・・・・自発分極 10・・・・・・液晶分子 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 鴇r
断面図。 1・・・・・・・・・基 板 2・・・・・・・・・電極 3・・・・・・・・・配向膜1 4・・・・・・・・・液 晶 5・・・・・・・・・配向膜2 第2図は本発明の強誘電性液晶電気先学表示装置の1動
作例を示す概念図。 6・・・・・・・・・配向膜の双極子方向7・・・・・
・・・・ラビング方向 8・・・・・・・・・開き角 9・・・・・・・・・自発分極 10・・・・・・液晶分子 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 鴇r
Claims (1)
- 強誘電性液晶を用いた電気光学装置において液晶挾持基
板の少なくとも片側に配向膜を付け、2方向に布でこす
り、初めにこすった方向に液晶分子が向いた時の配向の
安定性と後にこすった方向に液晶分子が向いた時の配向
の安定性をほぼ等しくしたことを特徴とする電気光学装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24239886A JPS6396632A (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24239886A JPS6396632A (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 電気光学装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6396632A true JPS6396632A (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=17088554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24239886A Pending JPS6396632A (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6396632A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5172255A (en) * | 1989-10-06 | 1992-12-15 | Nokia Unterhaltungselektronik (Deutschland) Gmbh | Process for increasing pretilt angles in nematic liquid crystal cells |
-
1986
- 1986-10-13 JP JP24239886A patent/JPS6396632A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5172255A (en) * | 1989-10-06 | 1992-12-15 | Nokia Unterhaltungselektronik (Deutschland) Gmbh | Process for increasing pretilt angles in nematic liquid crystal cells |
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