JPS6395680A - ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法Info
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- JPS6395680A JPS6395680A JP61241687A JP24168786A JPS6395680A JP S6395680 A JPS6395680 A JP S6395680A JP 61241687 A JP61241687 A JP 61241687A JP 24168786 A JP24168786 A JP 24168786A JP S6395680 A JPS6395680 A JP S6395680A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は通信衛星などの各種電源に使用されるＧａＡ
ｓ太陽電太陽電池上の製造方法に関するものである。
ｓ太陽電太陽電池上の製造方法に関するものである。
第２図は従来のＧａＡｓ太陽電池を示す図であり、同図
体）は平面図、同図（ｂ）は同図（揚のＡ −Ａ断面図
である。この種のＧａＡｓ太陽電池は次のようにして製
作される。すなわち、同図に示すようＫ例えばキャリア
濃度ｌＯ個／ ｃｄ 、基板厚み３００μｍ程度の片面
ミラー仕上した低比抵抗をもっＧａＡｓ単結晶基板をｎ
＋形ＧａＡ！１基板１として用い、このＧａＡｓ基板１
に、液相エピタキシャル成長材料である金属Ｇａｙポリ
ＧＢ−ｘＡｓ ｈよび不純物源となる錫（ｓｎ）を炉体
高温部で溶解してなるメルトを炉体内の還元ガス雰囲気
中で接触させ、炉体内温度を下降させることによ’）、
ＧａＡｓ基板１の主表面に高比抵抗をもつｎ−形ＧａＡ
ｓ層２が形成される。次に前述した同様の液相エピタキ
シャル成長法で不純物の異なるメルトをこのＧ ａＡ
３層２の主表面に接触させる。この場合、炉体内でメル
トに含まれる例えば亜鉛（Ｚｎ）などの不純物によって
ＧａＡｓ層２への拡散が行なわれ、ＧａＡｓ層２の主表
面に低比抵抗をもつＰ形拡散層３がＰ形ＧａＡ ８層と
して形成される。さらに炉体内温度を下降させることに
よってこの拡散層３の主表面に、Ｐ形ＡｌｚＧａｘ −
ｘＡｓ中のｐ、ｔｇ１１１比Ｘが０．８５〜０．９５程
度のＰ形ん４ＱａＡ８成長層４を数１００λ程度析出さ
せる。次いでこのＡｌＧＢＡ Ｂ成長層４の主表面に常
圧ＣＶＤ法によシ窒化膜などの光透過率の良好な反射防
止Ｍ５を数１００Ａ程度に形成したうえ、この反射防止
膜５上に図示しないレジストを塗布し、このレジスト膜
を写真製版技術でパターンニングして選択的に開孔部を
形成し、との開孔部に相当する反射防止膜をプラズマエ
ツチング法により除去し、さらに弗酸系のエツチング液
で下部のＡ ＩＱ ａＡ ｓ成長層を除去する。引き続
き、この露出したコンタクトホール部分の拡散層３の表
面にスパッタ法または蒸着法によ’）Ｔｉ／Ａｌなどか
らなる金属膜を形成した後、この金属膜を写真製版技術
および化学エッチ法で選択的にバターニングすることに
よって第１の金属電極６．７を形成する。次いでＧａＡ
ｓ基板１の拡散層３側を耐薬性の大きい保設膜でコート
した後、とのＧａＡ ３基板１の裏面を硝酸系のエッチ
液で数１０μｍ程度エツチングした後、その裏面の全面
にスパッタ法または蒸着法により Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕ／
Ａｙなどからなるｎ形の第２の金属電極８を形成し、当
該基板を炉内で約４００℃程度に加熱し、シンタリング
を行ない、電気的なオーミック性を良好にさせてＧＱＡ
ｓ太陽電池を製作する。
体）は平面図、同図（ｂ）は同図（揚のＡ −Ａ断面図
である。この種のＧａＡｓ太陽電池は次のようにして製
作される。すなわち、同図に示すようＫ例えばキャリア
濃度ｌＯ個／ ｃｄ 、基板厚み３００μｍ程度の片面
ミラー仕上した低比抵抗をもっＧａＡｓ単結晶基板をｎ
＋形ＧａＡ！１基板１として用い、このＧａＡｓ基板１
に、液相エピタキシャル成長材料である金属Ｇａｙポリ
ＧＢ−ｘＡｓ ｈよび不純物源となる錫（ｓｎ）を炉体
高温部で溶解してなるメルトを炉体内の還元ガス雰囲気
中で接触させ、炉体内温度を下降させることによ’）、
ＧａＡｓ基板１の主表面に高比抵抗をもつｎ−形ＧａＡ
ｓ層２が形成される。次に前述した同様の液相エピタキ
シャル成長法で不純物の異なるメルトをこのＧ ａＡ
３層２の主表面に接触させる。この場合、炉体内でメル
トに含まれる例えば亜鉛（Ｚｎ）などの不純物によって
ＧａＡｓ層２への拡散が行なわれ、ＧａＡｓ層２の主表
面に低比抵抗をもつＰ形拡散層３がＰ形ＧａＡ ８層と
して形成される。さらに炉体内温度を下降させることに
よってこの拡散層３の主表面に、Ｐ形ＡｌｚＧａｘ −
ｘＡｓ中のｐ、ｔｇ１１１比Ｘが０．８５〜０．９５程
度のＰ形ん４ＱａＡ８成長層４を数１００λ程度析出さ
せる。次いでこのＡｌＧＢＡ Ｂ成長層４の主表面に常
圧ＣＶＤ法によシ窒化膜などの光透過率の良好な反射防
止Ｍ５を数１００Ａ程度に形成したうえ、この反射防止
膜５上に図示しないレジストを塗布し、このレジスト膜
を写真製版技術でパターンニングして選択的に開孔部を
形成し、との開孔部に相当する反射防止膜をプラズマエ
ツチング法により除去し、さらに弗酸系のエツチング液
で下部のＡ ＩＱ ａＡ ｓ成長層を除去する。引き続
き、この露出したコンタクトホール部分の拡散層３の表
面にスパッタ法または蒸着法によ’）Ｔｉ／Ａｌなどか
らなる金属膜を形成した後、この金属膜を写真製版技術
および化学エッチ法で選択的にバターニングすることに
よって第１の金属電極６．７を形成する。次いでＧａＡ
ｓ基板１の拡散層３側を耐薬性の大きい保設膜でコート
した後、とのＧａＡ ３基板１の裏面を硝酸系のエッチ
液で数１０μｍ程度エツチングした後、その裏面の全面
にスパッタ法または蒸着法により Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕ／
Ａｙなどからなるｎ形の第２の金属電極８を形成し、当
該基板を炉内で約４００℃程度に加熱し、シンタリング
を行ない、電気的なオーミック性を良好にさせてＧＱＡ
ｓ太陽電池を製作する。
しかしながら、従来のＧａＡ ｓ太陽電池の製造方法は
、Ｐ形拡散層３の主表面領域に第１の金属電極６．７を
形成する際、反射防止膜５とＰ形ＡｚｃａＡｓ成長層４
とが選択的にエツチング除去されるので、第１の金属電
極６，７と反射防止膜との間および第１の金属電極６，
７とＡ＆ａＡｓ成長層４との間に溝状の隙間９が発生し
、プロセス途中の残留酸の影響または信頼性での耐湿試
験でＡｌＧａＡｓ成長層４が腐蝕してＧａＡｓ太陽電池
の電気的特性を低下させる。また、ＡＡ）４Ｂ １−Ｘ
ＡＢ中のＡｌ組成比Ｘを多くすると、大気中の酸素によ
る腐蝕（酸化）が著しくなり、第１の金属電極６，７を
直接ＡｌＧａＡｓ成長層４上に形成しても−ｘＡｓ組成
比Ｘを多くすると、ＡｌＧａＡｓ成長層４と第１の金、
属電極６゜７との界面から剥離が発生するなどの問題が
あった。
、Ｐ形拡散層３の主表面領域に第１の金属電極６．７を
形成する際、反射防止膜５とＰ形ＡｚｃａＡｓ成長層４
とが選択的にエツチング除去されるので、第１の金属電
極６，７と反射防止膜との間および第１の金属電極６，
７とＡ＆ａＡｓ成長層４との間に溝状の隙間９が発生し
、プロセス途中の残留酸の影響または信頼性での耐湿試
験でＡｌＧａＡｓ成長層４が腐蝕してＧａＡｓ太陽電池
の電気的特性を低下させる。また、ＡＡ）４Ｂ １−Ｘ
ＡＢ中のＡｌ組成比Ｘを多くすると、大気中の酸素によ
る腐蝕（酸化）が著しくなり、第１の金属電極６，７を
直接ＡｌＧａＡｓ成長層４上に形成しても−ｘＡｓ組成
比Ｘを多くすると、ＡｌＧａＡｓ成長層４と第１の金、
属電極６゜７との界面から剥離が発生するなどの問題が
あった。
この発明は前述した従来の問題に鑑みてなされたもので
、その目的は金属電極とＰ形ＡＡＧＢ−ｘＡｓ成長層と
の間に形成される隙間の影響によるＰ形んＣａＡｓ成長
層の腐蝕（酸化）の発生を防止することができるＧａＡ
ｓ太陽電池およびその製造方法を提供することにある。
、その目的は金属電極とＰ形ＡＡＧＢ−ｘＡｓ成長層と
の間に形成される隙間の影響によるＰ形んＣａＡｓ成長
層の腐蝕（酸化）の発生を防止することができるＧａＡ
ｓ太陽電池およびその製造方法を提供することにある。
この発明に係るＧａＡｓ太陽電池は、Ｐ形拡散層上に形
成された第１のＰ形ｕｘＧａ１−ＸＡ８層と反射防止膜
との間に、第１のＰ形ＡＡｚＧａｘ−ＸＡ８よりもＡｌ
組成比Ｘが小さい第２のＡｌｚＧ＠ １−ＸＡ６層を設
けたものである。
成された第１のＰ形ｕｘＧａ１−ＸＡ８層と反射防止膜
との間に、第１のＰ形ＡＡｚＧａｘ−ＸＡ８よりもＡｌ
組成比Ｘが小さい第２のＡｌｚＧ＠ １−ＸＡ６層を設
けたものである。
また、この発明に係るＧａＡｓ太陽電池の製造方法は、
Ｐ形拡散層上に形成された第１のＰ形−ｘＡｓｃａｌ−
ＸＡ８層の表面に、この第１のＰ形ＡｌＸＧ＆ １−Ｘ
Ａ３層よυもＡＡ組成比Ｘが小さい第２のＰ形ＡｌＸｃ
ａｌ−ＸＡ８層を形成した後、この第２のＰ形ＡｌｘＧ
ａｌ−ＸＡ８層の表面に反射防止膜を選択的に除去して
前記第２のＰ形ＡｌＸＧ＆ １−ＸＡ８層を露出させ、
この露出した第２のＰ形）ＬＸＧ！Ｌ ｌ−ｘＡｍ層の
表面に第１の金属電極を形成するものである。
Ｐ形拡散層上に形成された第１のＰ形−ｘＡｓｃａｌ−
ＸＡ８層の表面に、この第１のＰ形ＡｌＸＧ＆ １−Ｘ
Ａ３層よυもＡＡ組成比Ｘが小さい第２のＰ形ＡｌＸｃ
ａｌ−ＸＡ８層を形成した後、この第２のＰ形ＡｌｘＧ
ａｌ−ＸＡ８層の表面に反射防止膜を選択的に除去して
前記第２のＰ形ＡｌＸＧ＆ １−ＸＡ８層を露出させ、
この露出した第２のＰ形）ＬＸＧ！Ｌ ｌ−ｘＡｍ層の
表面に第１の金属電極を形成するものである。
この発明のＧａＡｓ太陽電池訃よびその製造方法におい
ては、第１のＰ形ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓＰｉの表面に形
成されるＡｌ組成比Ｘの小さい第２のＰ形ＡＺＸｃａ１
−ＸＡｇ層がその下部のＡｌ組成比Ｘの大きい第１のＰ
形ＡｌｘＧａｉ−ｘＡａ層の腐蝕（酸化）を抑制する。
ては、第１のＰ形ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓＰｉの表面に形
成されるＡｌ組成比Ｘの小さい第２のＰ形ＡＺＸｃａ１
−ＸＡｇ層がその下部のＡｌ組成比Ｘの大きい第１のＰ
形ＡｌｘＧａｉ−ｘＡａ層の腐蝕（酸化）を抑制する。
以下、図面を用いてこの発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図はこの発明によるＧａＡｓ太陽電池の製造方法の
一実施例を説明する図で同図船は平面図、同図中）はそ
のＡ−Ａ断面図であり、前述の図と同を用いて液相エピ
タキシャル成長法によシ低抵抗Ｐ形ＡｌＧＢＡ Ｂ成長
層４の形成までは前述した製造方法と同じであるのでそ
の説明は省略する。前述した低比抵抗のＰ形ＡμｉＡ３
成長層４を形成した後、引き続きＭＯＣＶＤ炉内に挿入
し、このＰ形ＡｌＧａＡＳ成長層４の表面に、このＰ形
ＡｌＧａＡｓ成長層４よシもＡｌ組氏比Ｘを０．５〜０
，８の範囲に下げたＰ形ＡｌＧｓＡａ ＴＲ長層１０を
５０Ａ〜２０００Ａの範囲の厚さに形成する。次にこの
Ｐ形ＡｌＧＢＡ Ｂ成長層１００表面に常圧ＣＶＤ法に
よシ反射防止膜５を数１００Ａ程度の厚さに形成したう
え、この反射防止膜５上に図示しないレジストを塗布し
、このレジスト膜ヲ写真製版技術でパターニングして選
択的に開孔部を形成し、この開孔部に和尚する反射防止
膜をプラズマエツチング法によシ除去して下部のＡｌ組
成比Ｘの小さいＰ形ＡｌＧａＡｓ成長層を露出させる。
一実施例を説明する図で同図船は平面図、同図中）はそ
のＡ−Ａ断面図であり、前述の図と同を用いて液相エピ
タキシャル成長法によシ低抵抗Ｐ形ＡｌＧＢＡ Ｂ成長
層４の形成までは前述した製造方法と同じであるのでそ
の説明は省略する。前述した低比抵抗のＰ形ＡμｉＡ３
成長層４を形成した後、引き続きＭＯＣＶＤ炉内に挿入
し、このＰ形ＡｌＧａＡＳ成長層４の表面に、このＰ形
ＡｌＧａＡｓ成長層４よシもＡｌ組氏比Ｘを０．５〜０
，８の範囲に下げたＰ形ＡｌＧｓＡａ ＴＲ長層１０を
５０Ａ〜２０００Ａの範囲の厚さに形成する。次にこの
Ｐ形ＡｌＧＢＡ Ｂ成長層１００表面に常圧ＣＶＤ法に
よシ反射防止膜５を数１００Ａ程度の厚さに形成したう
え、この反射防止膜５上に図示しないレジストを塗布し
、このレジスト膜ヲ写真製版技術でパターニングして選
択的に開孔部を形成し、この開孔部に和尚する反射防止
膜をプラズマエツチング法によシ除去して下部のＡｌ組
成比Ｘの小さいＰ形ＡｌＧａＡｓ成長層を露出させる。
次に残存したレジスト材を有機溶剤で完全に除去した後
、ＭＯＣＶＤ炉内に挿入し、前記開孔部内に露出したＡ
ｌ組成比Ｘの小さいＡＩＪＧａＡｓ成長層の表面に、前
述したと同様にスパッタ法また蒸着法によシＴｉ／Ａｆ
などからなる金属膜を形成した後、この金属膜を写真製
版技術および化学エッチ法で選択的にバターニングする
ことによって第１の金属電極６．７を形成する。次にこ
の人ｚｃａａｓ成長層１０の表面に形成された第１の金
属電極６゜Ｔを写真製版技術でマスクし、周辺部に付着
した金属電極材料および反射防止膜５と第１の金属電極
６．７との間に付着している不完全結晶のＰ形ｕＧａＡ
ｓ成長層を除去する。次いで、とのｃａＡ３基板１の裏
面に前述したと同様な方法によりｎ形の第２の金属電極
８を形成し、当該基板を炉内で約４００℃程度に加熱し
てシンタリングを行ない、電気的なオーミック性を良好
にさせてＧａＡｓ太陽電池を完成する。
、ＭＯＣＶＤ炉内に挿入し、前記開孔部内に露出したＡ
ｌ組成比Ｘの小さいＡＩＪＧａＡｓ成長層の表面に、前
述したと同様にスパッタ法また蒸着法によシＴｉ／Ａｆ
などからなる金属膜を形成した後、この金属膜を写真製
版技術および化学エッチ法で選択的にバターニングする
ことによって第１の金属電極６．７を形成する。次にこ
の人ｚｃａａｓ成長層１０の表面に形成された第１の金
属電極６゜Ｔを写真製版技術でマスクし、周辺部に付着
した金属電極材料および反射防止膜５と第１の金属電極
６．７との間に付着している不完全結晶のＰ形ｕＧａＡ
ｓ成長層を除去する。次いで、とのｃａＡ３基板１の裏
面に前述したと同様な方法によりｎ形の第２の金属電極
８を形成し、当該基板を炉内で約４００℃程度に加熱し
てシンタリングを行ない、電気的なオーミック性を良好
にさせてＧａＡｓ太陽電池を完成する。
以上説明したようＫこの発明によれば、Ａｌ組成比Ｘの
大きい第１のＰ形ＡｌＸ Ｇａ ｌ−ｚ Ａ ８層の表
面に、第１のＰ形ＡｌｘＧａｔ−ＸＡ８ ｆｆｌよりも
Ａｌ組成比を形成したので、第１のＰ形ＡｌｚＧａ１−
ＸＡ ５層の腐蝕（酸化）が抑制され、高品位のＧａＡ
Ｂ太陽電池が得られるという極めて優れた効果を有す
る。
大きい第１のＰ形ＡｌＸ Ｇａ ｌ−ｚ Ａ ８層の表
面に、第１のＰ形ＡｌｘＧａｔ−ＸＡ８ ｆｆｌよりも
Ａｌ組成比を形成したので、第１のＰ形ＡｌｚＧａ１−
ＸＡ ５層の腐蝕（酸化）が抑制され、高品位のＧａＡ
Ｂ太陽電池が得られるという極めて優れた効果を有す
る。
第１図ＧＬ） 、 （ｂ）はこの発明によるＧａＡｓ太
陽電池およびその製造方法の一実施例を説明するための
平面図、そのＡ−Ａ断面図、第２図（ロ））、Φ）は従
来のＧａＡｓ太陽冗池の製造方法を説明するための平面
図、その人−＾断面図である。 ｌ ｍａｍｏｎ＋形ＧａＡ Ｂ基板、２・―・ｌＩｎ−
形ＧａＡｓ層、３・・・ｅＰ形拡散層、４・−・・Ｐ形
ＡｌＧ１Ａｓ成長層、５６ａｓｓ反射防止膜、６，７゜
８・・・・金属電極、１０・・・・−ｘＡｓ組成比Ｘの
小さいＰ形Ａ／−Ｇ ａＡ Ｂ成長層。
陽電池およびその製造方法の一実施例を説明するための
平面図、そのＡ−Ａ断面図、第２図（ロ））、Φ）は従
来のＧａＡｓ太陽冗池の製造方法を説明するための平面
図、その人−＾断面図である。 ｌ ｍａｍｏｎ＋形ＧａＡ Ｂ基板、２・―・ｌＩｎ−
形ＧａＡｓ層、３・・・ｅＰ形拡散層、４・−・・Ｐ形
ＡｌＧ１Ａｓ成長層、５６ａｓｓ反射防止膜、６，７゜
８・・・・金属電極、１０・・・・−ｘＡｓ組成比Ｘの
小さいＰ形Ａ／−Ｇ ａＡ Ｂ成長層。
Claims (5)
- （１）低比抵抗をもつｎ形ＧａＡｓ基板の一方の主表面
に形成された高比抵抗をもつｎ形ＧａＡｓ層と、前記ｎ
形ＧａＡｓ層の主表面に順次形成されたそれぞれＰ形を
有する低比抵抗のＰ形拡散層およびＰ形Ａｌ＿ｘＧａ＿
１＿−＿ｘＡｓ層と、前記Ｐ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿
ｘＡｓ層上の表面に選択的に形成された反射防止膜と、
前記Ｐ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層上の表面に前
記反射防止膜に対応した前記Ｐ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−
＿ｘＡｓ層の領域を除いて形成された第１の金属電極と
、前記ｎ形ＧａＡｓ基板の裏面に形成された第２の金属
電極とから構成されるＧａＡｓ太陽電池において、前記
第１のＰ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層と反射防止
膜との間に、前記第１のＰ形ＡｌＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ
層よりもＡｌ組成比ｘが小さい第２のＰ形Ａｌ＿ｘＧａ
＿１＿−＿ｘＡｓ層を設けたことを特徴とするＧａＡｓ
太陽電池。 - （２）前記第１のＰ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層
のＡｌ組成比ｘを０．８５〜０．９５の範囲とし、前記
第２のＰ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層のＡｌ組成
比ｘを０．５〜０．８の範囲としたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のＧａＡｓ太陽電池。 - （３）低比抵抗をもつｎ形ＧａＡｓ基板の一方の主表面
に形成された高比抵抗をもつｎ形ＧａＡｓ層と、前記ｎ
形ＧａＡｓ層の主表面に順次形成されたそれぞれＰ形を
有する低比抵抗のＰ形拡散層およびＰ形ＡｌＧａ＿１＿
−＿ｘＡｓ層と、前記Ｐ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡ
ｓ層上の表面に選択的に形成された反射防止膜と、前記
Ｐ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層上の表面に前記反
射防止膜に対応した前記Ｐ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ
Ａｓ層の領域を除いて形成された第１の金属電極と、前
記ｎ形ＧａＡｓ基板の裏面に形成された第２の金属電極
とから構成されるＧａＡｓ太陽電池において、前記第１
のＰ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層の表面に、前記
第１のＰ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層よりもＡｌ
組成比ｘが小さい第２のＰ形ＡｌｘＧａ＿１＿−＿ｘＡ
ｓ層を形成した後、この第２のＰ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿
−＿ｘＡｓ層の表面に反射防止膜を形成し、前記反射防
止膜を選択的に除去して前記第２のＰ形Ａｌ＿ｘＧａ＿
１＿−＿ｘＡｓ層を露出させ、この第２のＰ形Ａｌ＿ｘ
Ｇａ＿１＿−＿ｘＡｓ層の表面に前記第１の金属電極を
形成することを特徴としたＧａＡｓ太陽電池の製造方法
。 - （４）前記第２のＰ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層
の厚さを５０Å〜２０００Åの範囲の厚さに形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のＧａＡｓ太
陽電池の製造方法。 - （５）前記第１のＰ形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層
を液相エピタキシャル成長法で形成し、第２のＰ形Ａｌ
＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層をＭＯＣＶＤ法で形成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のＧａＡｓ
太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61241687A JPS6395680A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61241687A JPS6395680A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395680A true JPS6395680A (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=17078022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61241687A Pending JPS6395680A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | ＧａＡｓ太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6395680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342451A (en) * | 1990-06-07 | 1994-08-30 | Varian Associates, Inc. | Semiconductor optical power receiver |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61241687A patent/JPS6395680A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342451A (en) * | 1990-06-07 | 1994-08-30 | Varian Associates, Inc. | Semiconductor optical power receiver |
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