JPS6395220A - エポキシイミドおよびその製造方法 - Google Patents
エポキシイミドおよびその製造方法Info
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- JPS6395220A JPS6395220A JP61241765A JP24176586A JPS6395220A JP S6395220 A JPS6395220 A JP S6395220A JP 61241765 A JP61241765 A JP 61241765A JP 24176586 A JP24176586 A JP 24176586A JP S6395220 A JPS6395220 A JP S6395220A
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Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐熱性材料として使用可能な新規なエボキシ
イばドおよびその製造方法に関する。
イばドおよびその製造方法に関する。
[従来の技術および問題点〕 −周知のように
、ポリイミド12.1*々のポリマーの中で耐熱性に最
も優れており、宇宙・航空分野から電子材料に至るまで
幅広く用いられはじめている。しかし、これらの多くは
1を縮合型の樹脂である比め、底形温度が高いだけでな
く水などの副生成物が発生するなどの欠点がある。一方
、エポキシ樹脂、アリル樹脂などの熱硬化性樹脂は、成
形性に優れているが、耐熱性に劣るという欠点がある。
、ポリイミド12.1*々のポリマーの中で耐熱性に最
も優れており、宇宙・航空分野から電子材料に至るまで
幅広く用いられはじめている。しかし、これらの多くは
1を縮合型の樹脂である比め、底形温度が高いだけでな
く水などの副生成物が発生するなどの欠点がある。一方
、エポキシ樹脂、アリル樹脂などの熱硬化性樹脂は、成
形性に優れているが、耐熱性に劣るという欠点がある。
そこで、ポリイミドの長所である耐熱性とエポキシ樹脂
などの長所である成形性を合わせ持つ樹脂の開発が現在
精力的に行われている。開発手法としては、耐熱性に優
れたポリイミドに成形性が期待できる他の化学構造を導
入する方法%成形性に優れ几エポキシ樹脂などに耐熱性
が期待できるイばド構造を導入する方法の2つが主にと
られている。前者の方法により得たものとしてポリエー
テルイミドや付加型ポリイミド、後者の方法により得た
ものとしてイばド変性エポキシ樹脂などがある。しかし
、現在までに開発されt樹脂は、耐熱性が低かつ九り、
コストが高かつ九つなどの問題点があり、いまだ耐熱性
、成形性双方に優れた樹脂は開発されておらず、さらに
新しい樹脂の開発が望まれている。
などの長所である成形性を合わせ持つ樹脂の開発が現在
精力的に行われている。開発手法としては、耐熱性に優
れたポリイミドに成形性が期待できる他の化学構造を導
入する方法%成形性に優れ几エポキシ樹脂などに耐熱性
が期待できるイばド構造を導入する方法の2つが主にと
られている。前者の方法により得たものとしてポリエー
テルイミドや付加型ポリイミド、後者の方法により得た
ものとしてイばド変性エポキシ樹脂などがある。しかし
、現在までに開発されt樹脂は、耐熱性が低かつ九り、
コストが高かつ九つなどの問題点があり、いまだ耐熱性
、成形性双方に優れた樹脂は開発されておらず、さらに
新しい樹脂の開発が望まれている。
本発明者らは、上記の観点からイミド含有樹脂の開発を
進めており、その中で種々のイばド含有ポリマーを合成
できるビス(ヒドロキシフタルイミド)を開発し7’t
(I!!Pa昭60−55151号)。
進めており、その中で種々のイばド含有ポリマーを合成
できるビス(ヒドロキシフタルイミド)を開発し7’t
(I!!Pa昭60−55151号)。
このビス(ヒドロキシフタルイミド)は2つの芳香族イ
ミド環と未明に2つの反応性に富む水歌基を有する究め
、これをモノ賃−として種々のポリイミドを合成できる
。また、反応活性な水酸基を有しているため、アクリル
酸塩化物などとの反応により付加型イミドモノマーであ
るビス(イミドアクリレート)な開発しt(特願昭61
−11、3893号)。
ミド環と未明に2つの反応性に富む水歌基を有する究め
、これをモノ賃−として種々のポリイミドを合成できる
。また、反応活性な水酸基を有しているため、アクリル
酸塩化物などとの反応により付加型イミドモノマーであ
るビス(イミドアクリレート)な開発しt(特願昭61
−11、3893号)。
本発明は、ビス(ヒドロキシフタルイミド)な利用する
亀のである。
亀のである。
本発明の目的は、耐熱性、成形性に優れ九樹脂を装造す
る九めの新規なエポキシイミドを提供することにある。
る九めの新規なエポキシイミドを提供することにある。
L問題点を解決するための手段〕
本発明のエポキシイはド飢下記一般式(1)で示される
化合物である。
化合物である。
一般式CI); ’
【式中Rは、(a36〜20(11の炭素原子を有する
芳香族炭化水素基またはこれのisaゲン化誘導体、(
11丁ルキレン基、炭素原子が2〜8個のアルキレン基
で連鎖停止されたポリオルガノシロキサン1九は2〜2
0個の炭素原子を有するシクロアル牟しン基、および(
C)−般式1式% C式中、Xに一〇−、−C−、−8−、−3−ま几は−
CLHzl−m tl O”または1.tH1〜50g
、数である。)からなる群から選択された2価のf機基
である。また、nはθ〜100の整数。コ 本発明の新規化合物は% 2つの芳香族イミド環を繰返
し単位に持ち、両末端に反応活性なエポキシ基な有する
ことな特徴とし、従来の技術ポリイミドとはこれらの点
で異なる。
芳香族炭化水素基またはこれのisaゲン化誘導体、(
11丁ルキレン基、炭素原子が2〜8個のアルキレン基
で連鎖停止されたポリオルガノシロキサン1九は2〜2
0個の炭素原子を有するシクロアル牟しン基、および(
C)−般式1式% C式中、Xに一〇−、−C−、−8−、−3−ま几は−
CLHzl−m tl O”または1.tH1〜50g
、数である。)からなる群から選択された2価のf機基
である。また、nはθ〜100の整数。コ 本発明の新規化合物は% 2つの芳香族イミド環を繰返
し単位に持ち、両末端に反応活性なエポキシ基な有する
ことな特徴とし、従来の技術ポリイミドとはこれらの点
で異なる。
この新規なエポキシイミドは、エピクロルヒドリンと下
記一般式(1)のビス(ヒドロキシフタルイミド)類な
縮合させることによって調造することができる。
記一般式(1)のビス(ヒドロキシフタルイミド)類な
縮合させることによって調造することができる。
一般式(り;
[式中、Rは前記一般式(1)と向じコこのビス(ヒド
ロキシフタルイばド)は1%願昭60−55151号で
示されているすべてのビス(ヒドロキシ7タルイミド)
が使用できる。具体的には1.3−ビス(4−ヒドロキ
シ7タルイミド)ベンゼン、1.3−ビス(4−ヒドロ
キシフタルイミド)−4−りaロベンゼン% 1.4−
ビス(4−ヒドロキシフタルイミド)ベンゼン、4.4
′−ビス(4−ヒドロキシ7タルイミド)ジフェニルエ
ーテル、4.4’ −ビス(4−ヒドロキシフタルイミ
ド)ジフェニルスルホン、4゜41−ビス(4−2ドロ
中シフタルイミド)ジフェニルメタン% 1.6−ビス
(4−ヒドロΦシフタルイミド)ヘキサンなどがあげら
れる。
ロキシフタルイばド)は1%願昭60−55151号で
示されているすべてのビス(ヒドロキシ7タルイミド)
が使用できる。具体的には1.3−ビス(4−ヒドロキ
シ7タルイミド)ベンゼン、1.3−ビス(4−ヒドロ
キシフタルイミド)−4−りaロベンゼン% 1.4−
ビス(4−ヒドロキシフタルイミド)ベンゼン、4.4
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ーテル、4.4’ −ビス(4−ヒドロキシフタルイミ
ド)ジフェニルスルホン、4゜41−ビス(4−2ドロ
中シフタルイミド)ジフェニルメタン% 1.6−ビス
(4−ヒドロΦシフタルイミド)ヘキサンなどがあげら
れる。
本反応は、実質的にビス(ヒドロキシフタルイミド)1
モルに対して、エピクロルヒドリン1〜2モルの割合で
行なわれるが、エピクロルヒドリンは過剰であってもさ
しつかえない。反応溶媒としてはビス(ヒドロキシ7メ
ルイばド)および生成物のエポシイミドな溶解するもの
が好ましく。
モルに対して、エピクロルヒドリン1〜2モルの割合で
行なわれるが、エピクロルヒドリンは過剰であってもさ
しつかえない。反応溶媒としてはビス(ヒドロキシ7メ
ルイばド)および生成物のエポシイミドな溶解するもの
が好ましく。
N、N−ジメチルアセト丁ばド、N、N−ジメチルホル
ムアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどの極性有機
溶媒ま几はエピクロルヒドリンなどがあげられる。
ムアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどの極性有機
溶媒ま几はエピクロルヒドリンなどがあげられる。
エポキシ柳脂の製造法として、従来は水酸化ナトリウム
水溶液を用い、高温(100〜120℃)で反応させる
方法が中心であつ九。この方法な本発明のビス(エポキ
シイミド)の製造に用いると。
水溶液を用い、高温(100〜120℃)で反応させる
方法が中心であつ九。この方法な本発明のビス(エポキ
シイミド)の製造に用いると。
イミド基の一部が加水分解されてしまう恐れがある。そ
こで、この加水分解な造けるために第四アンモニウム垣
または金属水素化物を用いて低温で反応させる方法を開
発した。
こで、この加水分解な造けるために第四アンモニウム垣
または金属水素化物を用いて低温で反応させる方法を開
発した。
反応WIfG2室温〜80℃で十分であり、反応時間は
1〜50時間程度の範囲が適当である。第四アンモニウ
ム垣を用いた場合、エポキシ環を閉じる九めに%例えば
ソジウムメチラートの様な塩基性物質を用いて脱塩酸す
る必要がある。
1〜50時間程度の範囲が適当である。第四アンモニウ
ム垣を用いた場合、エポキシ環を閉じる九めに%例えば
ソジウムメチラートの様な塩基性物質を用いて脱塩酸す
る必要がある。
反応終了後は1反応混合物を水中に導入することにより
、溶媒および副生成物は水に溶解し、エボキシイばドが
沈澱物として得られる。この沈澱物をP別し、水やアセ
トン等で洗浄することにより、純粋なエポキシイミドが
単離できる。
、溶媒および副生成物は水に溶解し、エボキシイばドが
沈澱物として得られる。この沈澱物をP別し、水やアセ
トン等で洗浄することにより、純粋なエポキシイミドが
単離できる。
以下実施例により本発明の化合物およびその製造方法に
ついて詳細に説明する。たぞしこれらの実施fllは本
発明の実施を例証する九めのものであって本発明の範囲
な限定するものではない。
ついて詳細に説明する。たぞしこれらの実施fllは本
発明の実施を例証する九めのものであって本発明の範囲
な限定するものではない。
〔実施例1〕
4.4′−ビス(4−ヒトaキシフタルイミド〕ジフェ
ニルメタン2.04L塩化ベンジルトリメチルアンモニ
ウム2.04,9.およびエビクロルヒy リン27.
1811を三角フラスコにと9% 60℃で溶液を攪拌
し念。最初黄褐色の溶液が2時間経過後透明になり、約
5分後に白濁した。そのまま、60℃で3時間攪拌を続
は比0次に未反応のエピクロルヒドリンを70℃で減圧
溜去し九。生成物にメタノール25g、ソジウムメチラ
ートの25憾メタノール溶液15Jを加え、室温で15
時間攪拌した。この溶液を300−の水に注いだ。この
とき、水溶液の水素イオン濃度は−10であった。次に
沈澱物を濾過し、濾液が…7になるまで水で洗浄した。
ニルメタン2.04L塩化ベンジルトリメチルアンモニ
ウム2.04,9.およびエビクロルヒy リン27.
1811を三角フラスコにと9% 60℃で溶液を攪拌
し念。最初黄褐色の溶液が2時間経過後透明になり、約
5分後に白濁した。そのまま、60℃で3時間攪拌を続
は比0次に未反応のエピクロルヒドリンを70℃で減圧
溜去し九。生成物にメタノール25g、ソジウムメチラ
ートの25憾メタノール溶液15Jを加え、室温で15
時間攪拌した。この溶液を300−の水に注いだ。この
とき、水溶液の水素イオン濃度は−10であった。次に
沈澱物を濾過し、濾液が…7になるまで水で洗浄した。
次に、アセトンおよびメタノールで洗浄し、真空下60
℃で48時間乾燥し、下記の構造式で示されるエボキシ
イはド2.26 g(収率974)を得t0 y −+ −7+彎−−+拳−−・譬轡彎−++呻・―
拳++彎曙−彎−噂一―++−――匈自響−――−・−
−−−−−+この本のは赤外吸収スペクトルでエボΦシ
環る吸収が915cya に、イζド基のC=O基
に特徴的な吸収が1770− 17203−” に、
に第1表に示す様に元素分析において測定値と計算値が
#1ぼ一致していることから、目的化合物であることが
確認でき次。塩酸−ピリジン法でエポキシ当量を求める
と、710の値を得t、これはnの平均値が1.5であ
ることを示している。
℃で48時間乾燥し、下記の構造式で示されるエボキシ
イはド2.26 g(収率974)を得t0 y −+ −7+彎−−+拳−−・譬轡彎−++呻・―
拳++彎曙−彎−噂一―++−――匈自響−――−・−
−−−−−+この本のは赤外吸収スペクトルでエボΦシ
環る吸収が915cya に、イζド基のC=O基
に特徴的な吸収が1770− 17203−” に、
に第1表に示す様に元素分析において測定値と計算値が
#1ぼ一致していることから、目的化合物であることが
確認でき次。塩酸−ピリジン法でエポキシ当量を求める
と、710の値を得t、これはnの平均値が1.5であ
ることを示している。
次にこのエポキシイばド0.59をN、N−ジメチルア
セト丁ばドの5vtl溶液とし、これに0、1 、pの
トリエチルテトラピンを加え、溶液なキャストした1&
、150℃t2時間加熱したところ硬化物が得られ友。
セト丁ばドの5vtl溶液とし、これに0、1 、pの
トリエチルテトラピンを加え、溶液なキャストした1&
、150℃t2時間加熱したところ硬化物が得られ友。
この硬化物は赤外吸収スペクトルにおいて加熱前にあら
れれてい7t915cm−’の吸収が消失しており、エ
ポキシ環が開裂して生成しtものであることが確認でき
た。ま几、熱分解温度の測定の結果50僑のi全減少と
なる温度は522℃であつ次。
れれてい7t915cm−’の吸収が消失しており、エ
ポキシ環が開裂して生成しtものであることが確認でき
た。ま几、熱分解温度の測定の結果50僑のi全減少と
なる温度は522℃であつ次。
〔実施例2〜7〕
実施例1における4、4′−ビス(4−ヒドロキシフタ
ルイミド)ジフェニルメタンの代わりに種々のビス(ヒ
ドロキシ7タルイくド)類な使用し、実施例1と同様の
操作な行い、第1表に示す化合物な得九〇化合物の固定
は実施例1と同様に行った。第19に収率、赤外吸収ス
ペクトルデータ、元素分析値およびエポキシ当量を示す
。
ルイミド)ジフェニルメタンの代わりに種々のビス(ヒ
ドロキシ7タルイくド)類な使用し、実施例1と同様の
操作な行い、第1表に示す化合物な得九〇化合物の固定
は実施例1と同様に行った。第19に収率、赤外吸収ス
ペクトルデータ、元素分析値およびエポキシ当量を示す
。
[実施例8〕
4.4′−ビス(4−ヒドロキシ7タルイミド)ジフェ
ニルメタン2.0591に一脱水し九N、N−ジメチル
アセドアζド(五酸化リンで1昼夜乾燥vk。
ニルメタン2.0591に一脱水し九N、N−ジメチル
アセドアζド(五酸化リンで1昼夜乾燥vk。
減圧蒸溜したもの)20.23IIに溶かし、水素化ナ
トリウム(abt、60%、油性)1.02,19ff
加えて室温で14時間攪拌した。この溶液にエピクロル
ヒドリン25.447%p加見、55℃で6時間反応さ
せt、この溶液を300−の水に注ぎこみ、沈澱物を濾
過した。濾液がPH7になるまで水で洗浄し、アセトン
及びヘキサンで洗浄し、真空下60℃で48時間乾燥し
てTcの構造式で示づれるエポキシイミド2.169(
収率91係)な得t。
トリウム(abt、60%、油性)1.02,19ff
加えて室温で14時間攪拌した。この溶液にエピクロル
ヒドリン25.447%p加見、55℃で6時間反応さ
せt、この溶液を300−の水に注ぎこみ、沈澱物を濾
過した。濾液がPH7になるまで水で洗浄し、アセトン
及びヘキサンで洗浄し、真空下60℃で48時間乾燥し
てTcの構造式で示づれるエポキシイミド2.169(
収率91係)な得t。
−+―−―――−・―・骨−一++++−e・−++−
−−++++轡−−鼻響−−−−一一一一一−―――−
−帰勝−1このものは、実施9111で得比生底物と同
一の赤・外吸収スペクトルを示し几。以下実施例1と同
様にして目的化合物であることな確認した。エポキシ当
量は820でありsnの平均値t’! 1.9であつ次
。
−−++++轡−−鼻響−−−−一一一一一−―――−
−帰勝−1このものは、実施9111で得比生底物と同
一の赤・外吸収スペクトルを示し几。以下実施例1と同
様にして目的化合物であることな確認した。エポキシ当
量は820でありsnの平均値t’! 1.9であつ次
。
実施例1と同様にトリエチルテトラピンケ用^て硬化物
を得九。この硬化物の50僑重量損失温度は513℃で
あった。
を得九。この硬化物の50僑重量損失温度は513℃で
あった。
[実施例9〜14〕
実施例8における4、4′−ビス(4−ヒドロキシフタ
ルイミド°)ジフェニルメタンの代わりに種々のビス(
ヒドロキシ7タルイミド)類を使用し、実施例8と同様
の操作4行い、第2表に示す化合物な得た。化合物の固
定は実施例1と同様に行り九。第2表に収率、赤外吸収
スペクトルデータ、元素分析値およびエポキシ当量を示
す。
ルイミド°)ジフェニルメタンの代わりに種々のビス(
ヒドロキシ7タルイミド)類を使用し、実施例8と同様
の操作4行い、第2表に示す化合物な得た。化合物の固
定は実施例1と同様に行り九。第2表に収率、赤外吸収
スペクトルデータ、元素分析値およびエポキシ当量を示
す。
[発明の効果〕
以上説明し友ように、本発明のエポキシイばドは、分子
内にイミド環な有し、末端に反応活性なエポキシ基を有
してhる交め、アばンなどの硬化剤を加えて加熱するこ
とにより耐熱性に優れ比硬化物を与えることから、耐熱
コーティング剤や成形材料として利用可能である。また
他のポリマーと混合して用いることにより、檀々の性能
を有する材料の開発に利用することができる。
内にイミド環な有し、末端に反応活性なエポキシ基を有
してhる交め、アばンなどの硬化剤を加えて加熱するこ
とにより耐熱性に優れ比硬化物を与えることから、耐熱
コーティング剤や成形材料として利用可能である。また
他のポリマーと混合して用いることにより、檀々の性能
を有する材料の開発に利用することができる。
出願人 日本電信電話株式会社
代理人 弁理士 志賀正武 、。
“、/
・、−27
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)一般式( I ); ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中Rは、(a)6〜20個の炭素原子を有する芳香
族炭化水素基またはこれのハロゲン化誘導体、(b)ア
ルキレン基、炭素原子が2〜8個のアルキレン基で連鎖
停止されたポリオルガノシロキサンまたは2〜20個の
炭素原子を有するシクロアルキレン基、および(c)一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Xは−O−、▲数式、化学式、表等があります
▼、−S−、▲数式、化学式、表等があります▼または
−ClH_2l−、mは0又は1、lは1〜5の整数で
ある。)からなる群から選択された2価の有機基である
。またnは0〜100の整数。]で示されるエポキシイ
ミド。 (2)下記一般式(II)で示されるビス(ヒドロキシフ
タルイミド)とエピクロルヒドリンを縮合させることに
より下記一般式( I )で示されるエポキシイミドを得
るエポキシイミドの製造方法。 一般式( I ); ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中Rは、(a)6〜20個の炭素原子を有する芳香
族炭化水素基またはこれのハロゲン化誘導体、(b)ア
ルキレン基、炭素原子が2〜8個のアルキレン基で連鎖
停止されたポリオルガノシロキサンまたは2〜20個の
炭素原子を有するシクロアルキレン基、および(c)一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Xは−O−、▲数式、化学式、表等があります▼
、−S−、▲数式、化学式、表等があります▼または−
ClH_2l−、mは0または1、lは1〜5の整数で
ある。)からなる群から選択された2価の有機基である
。また、nは0〜100の整数。] 一般式(II); ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、Rは一般式( I )におけるRと同一](3)
前記ビス(ヒドロキシフタルイミド)とエピクロルヒド
リンとの縮合を第四アンモニウム塩を用いて行なうこと
を特徴とする特許請求の範囲第2項に記載のエポキシイ
ミドの製造方法。 (4)前記ビス(ヒドロキシフタルイミド)とエピクロ
ルヒドリンとの縮合を有機溶媒中、金属水素化合物を用
いて行なうことを特徴とする特許請求の範囲第2項に記
載のエポキシイミドの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61241765A JPS6395220A (ja) | 1986-10-11 | 1986-10-11 | エポキシイミドおよびその製造方法 |
US07/106,178 US4808676A (en) | 1986-10-11 | 1987-10-07 | Polyetherimide/epoxyimide resin composition |
KR1019870011237A KR910003512B1 (ko) | 1986-10-11 | 1987-10-10 | 폴리에테르이미드/에폭시이미드 수지 조성물 및 그의 제조방법 |
DE3744880A DE3744880C2 (ja) | 1986-10-11 | 1987-10-12 | |
DE19873734475 DE3734475A1 (de) | 1986-10-11 | 1987-10-12 | Polyetherimid/epoxyimid-harzzusammensetzung |
US07/281,176 US4948831A (en) | 1986-10-11 | 1988-12-07 | Process for preparing polyetherimide/epoxyimide resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61241765A JPS6395220A (ja) | 1986-10-11 | 1986-10-11 | エポキシイミドおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6395220A true JPS6395220A (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=17079193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61241765A Pending JPS6395220A (ja) | 1986-10-11 | 1986-10-11 | エポキシイミドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6395220A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH107764A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | イミド環含有エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂組成物 |
KR100377861B1 (ko) * | 2000-07-07 | 2003-03-29 | 한학수 | 전자소자 또는 칩용 절연성 박막 또는 박막형 패키지를 위한 조성물 |
JP2014132074A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-07-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物、硬化物及び電気・電子回路用積層板 |
WO2016204178A1 (ja) * | 2015-06-16 | 2016-12-22 | 三菱化学株式会社 | 配向膜及び配向膜用組成物 |
-
1986
- 1986-10-11 JP JP61241765A patent/JPS6395220A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH107764A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | イミド環含有エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂組成物 |
KR100377861B1 (ko) * | 2000-07-07 | 2003-03-29 | 한학수 | 전자소자 또는 칩용 절연성 박막 또는 박막형 패키지를 위한 조성물 |
JP2014132074A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-07-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物、硬化物及び電気・電子回路用積層板 |
WO2016204178A1 (ja) * | 2015-06-16 | 2016-12-22 | 三菱化学株式会社 | 配向膜及び配向膜用組成物 |
JPWO2016204178A1 (ja) * | 2015-06-16 | 2018-04-12 | 三菱ケミカル株式会社 | 配向膜及び配向膜用組成物 |
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