JPS6395137A - 低融点封着ガラス - Google Patents
低融点封着ガラスInfo
- Publication number
- JPS6395137A JPS6395137A JP23729786A JP23729786A JPS6395137A JP S6395137 A JPS6395137 A JP S6395137A JP 23729786 A JP23729786 A JP 23729786A JP 23729786 A JP23729786 A JP 23729786A JP S6395137 A JPS6395137 A JP S6395137A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- low
- melting point
- less
- pbo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002844 melting Methods 0.000 title claims description 15
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 title description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J lead tetrafluoride Chemical compound F[Pb](F)(F)F YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- DASUJKKKKGHFBF-UHFFFAOYSA-L thallium(i) carbonate Chemical compound [Tl+].[Tl+].[O-]C([O-])=O DASUJKKKKGHFBF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
- C03C8/245—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders containing more than 50% lead oxide, by weight
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は低融点封着ガラスに係り、特にアルミナを使用
したセラミックパッケージの気密封着に用いられる低融
点封着ガラスに関するものである。
したセラミックパッケージの気密封着に用いられる低融
点封着ガラスに関するものである。
［従来技術とその問題点］
従来より半導体チップを外気から遮断すると共に機械的
に保護するためのセラミックパッケージを封着する際に
ガラスを介在して行う方法が透湿性がなく、気密性に優
れ、機械的に強いため広く採用されており、この用途の
ガラスとしては主にＰｂＯ−８２０３系の結晶性ガラス
あるいは非晶質ガラスが使われている。
に保護するためのセラミックパッケージを封着する際に
ガラスを介在して行う方法が透湿性がなく、気密性に優
れ、機械的に強いため広く採用されており、この用途の
ガラスとしては主にＰｂＯ−８２０３系の結晶性ガラス
あるいは非晶質ガラスが使われている。
近年半導体技術の発達に伴って集積度の高い大型半導体
集積回路（ＬＳＩ＞等、微細な回路パターンを有する半
導体装置が次々と開発されているが、これらのＬＳＩは
高温下で封着が行われると半導体チップが悪影響を受け
て特性の劣化を生じ易く、歩留りが悪くなる等の問題が
あるためできる限り低い温度、望ましくは４００℃以下
の温度で封着できるガラスが要求されている。しかしな
がら上記したＰｈ０−Ｂｚ０３系の結晶性ガラスは、封
着する際に結晶化工程を必要とし、通常４８１〕〜５３
０℃で約１０分間置かれるため上記要求を全く満足せず
、また非晶質ガラスは結晶性ガラスに比べて低温で短時
間に封着可能であるが、これを用いても４００℃以下の
低い温度で気密封着するのは困難であった。
集積回路（ＬＳＩ＞等、微細な回路パターンを有する半
導体装置が次々と開発されているが、これらのＬＳＩは
高温下で封着が行われると半導体チップが悪影響を受け
て特性の劣化を生じ易く、歩留りが悪くなる等の問題が
あるためできる限り低い温度、望ましくは４００℃以下
の温度で封着できるガラスが要求されている。しかしな
がら上記したＰｈ０−Ｂｚ０３系の結晶性ガラスは、封
着する際に結晶化工程を必要とし、通常４８１〕〜５３
０℃で約１０分間置かれるため上記要求を全く満足せず
、また非晶質ガラスは結晶性ガラスに比べて低温で短時
間に封着可能であるが、これを用いても４００℃以下の
低い温度で気密封着するのは困難であった。
［発明の目的コ
本発明の目的は、４００℃以下の温度でアルミナセラミ
ックパッケージを気密封着できる非晶質の低融点封着ガ
ラスを提供することである。
ックパッケージを気密封着できる非晶質の低融点封着ガ
ラスを提供することである。
［発明の構成］
本発明者は、ガラスの低融化をはがるべく研究を進めた
結果、ＰｂＯ−８２０３系ガラスにＣｕ２Ｏを０．５〜
３％、Ｆを２．５〜７％含有させることによってガラス
の流動性を良好にして封着温度を下げることができ、特
に両成分の混合割合を厳しく制御することによって封着
温度が４００℃以下のガラスを得られることを見い出し
た。すなわち両成分の含有量、特にＣｕ２Ｏの含有量が
多くなるとガラスが結晶性になって流動性が悪くなるた
めＣｕ２Ｏ／Ｆのモル比が０．１より小さくなるように
両成分を制御することによって封着温度を４００℃以下
にできることがわかった。
結果、ＰｂＯ−８２０３系ガラスにＣｕ２Ｏを０．５〜
３％、Ｆを２．５〜７％含有させることによってガラス
の流動性を良好にして封着温度を下げることができ、特
に両成分の混合割合を厳しく制御することによって封着
温度が４００℃以下のガラスを得られることを見い出し
た。すなわち両成分の含有量、特にＣｕ２Ｏの含有量が
多くなるとガラスが結晶性になって流動性が悪くなるた
めＣｕ２Ｏ／Ｆのモル比が０．１より小さくなるように
両成分を制御することによって封着温度を４００℃以下
にできることがわかった。
以上の点を考慮して得られた本発明の低融点封着ガラス
は、重量百分率で、ＰｂＯ４０〜８５％、８２０３７〜
１５％、Ｚｎ０ ０．５〜７％、Ｂｉ２Ｏ３（１−５％
、Ｃｕ２Ｏ０，５〜３％、Ｆ ２．５〜７％、ＳｉＯ２
０．５〜５％、Ａ１２０３０〜３％からなり、Ｃｕ２Ｏ
／Ｆのモル比が０゜１より小さいことを特徴とする。
は、重量百分率で、ＰｂＯ４０〜８５％、８２０３７〜
１５％、Ｚｎ０ ０．５〜７％、Ｂｉ２Ｏ３（１−５％
、Ｃｕ２Ｏ０，５〜３％、Ｆ ２．５〜７％、ＳｉＯ２
０．５〜５％、Ａ１２０３０〜３％からなり、Ｃｕ２Ｏ
／Ｆのモル比が０゜１より小さいことを特徴とする。
本発明における低融点封着ガラスの各成分を上記のよう
に限定した理由は次の通りである。
に限定した理由は次の通りである。
ＰｂＯが４０％以下、Ｂ２Ｏ３が１５％以上の場合はガ
ラスの粘性が高くなり、またｐｂｏが８５％以上、Ｂ２
Ｏ３が７％以下の場合は、ガラスが結晶性になるため流
動性が悪くなる。
ラスの粘性が高くなり、またｐｂｏが８５％以上、Ｂ２
Ｏ３が７％以下の場合は、ガラスが結晶性になるため流
動性が悪くなる。
ＺｎＯが０．５％以下、Ｃｕ ２０が０．５％以下の場
合はガラスの粘性が高くなり、ＺｎＯが７％以上、Ｂｉ
２Ｏ３が５％以上、Ｃｕ２Ｏが３％以上の場合はガラス
が結晶性になるため流動性が悪くなる。
合はガラスの粘性が高くなり、ＺｎＯが７％以上、Ｂｉ
２Ｏ３が５％以上、Ｃｕ２Ｏが３％以上の場合はガラス
が結晶性になるため流動性が悪くなる。
Ｆが２．５％以下の場合は、ガラスの粘性が高くなり、
また７％以上の場合はガラスが結晶性にな。
また７％以上の場合はガラスが結晶性にな。
るため流動性が悪くなる。
ＳｉＯ□が０．５％以下の場合は、ガラスが結晶性にな
るため流動性が悪くなり、ＳｉＯ□が５％以上、Ａｌ２
Ｏ３が３％以上の場合はガラスの粘性が高くなると共に
流動性が悪くなる。
るため流動性が悪くなり、ＳｉＯ□が５％以上、Ａｌ２
Ｏ３が３％以上の場合はガラスの粘性が高くなると共に
流動性が悪くなる。
また本発明では、上記成分以外にもＴ１□０を３０％ま
で、ＧｅＯ２を３％まで含有させることができる。
で、ＧｅＯ２を３％まで含有させることができる。
すなわちＴｌ２ＯはＰｂＯの一部と置換することによっ
てガラスの粘性を下げる効果があり、ＧｅＯ２はＳｉＯ
□の一部と置換することができる。しかしながらＴ１□
０を３０％以上含有する場合はガラスの耐候性が悪くな
り、ＧｅＯ２が３％以上の場合は、ガラスの粘性が高く
なる。
てガラスの粘性を下げる効果があり、ＧｅＯ２はＳｉＯ
□の一部と置換することができる。しかしながらＴ１□
０を３０％以上含有する場合はガラスの耐候性が悪くな
り、ＧｅＯ２が３％以上の場合は、ガラスの粘性が高く
なる。
また上記したように本発明の大きな特徴は、封着温度が
４００℃以下のガラスを得るためにＣｕ２Ｏ／Ｆのモル
比が０．１より小さくなるように制御することであるが
、Ｃｕ２Ｏ／Ｆのモル比が０．１以上になるとガラスが
結晶性になるため封着温度が高くなり好ましくない。
４００℃以下のガラスを得るためにＣｕ２Ｏ／Ｆのモル
比が０．１より小さくなるように制御することであるが
、Ｃｕ２Ｏ／Ｆのモル比が０．１以上になるとガラスが
結晶性になるため封着温度が高くなり好ましくない。
さらに本発明においては、低融点封着ガラスの熱膨張係
数をアルミナのそれに合わせるために５０ＸＩＯ−７／
℃以下の熱膨張係数を有する低膨張性フィラーを５５体
積％までき有させることができる。
数をアルミナのそれに合わせるために５０ＸＩＯ−７／
℃以下の熱膨張係数を有する低膨張性フィラーを５５体
積％までき有させることができる。
低膨張性フィラーとしては、主にチタン酸鉛、ジルコン
、ウィレマイト系セラミック、コージェライト、酸化錫
等が用いられるが、フィラーの含有量が５５体積％以上
になると流動性が悪くなるため好ましくない。
、ウィレマイト系セラミック、コージェライト、酸化錫
等が用いられるが、フィラーの含有量が５５体積％以上
になると流動性が悪くなるため好ましくない。
［実施例］
以下に本発明を実施例に基づいて説明する。
第１表は本発明の低融点封着ガラスを示したものである
。
。
以下余白
第１表に示した低融点封着ガラスは、鉛丹、硼酸、亜鉛
華、酸化ビスマス、酸化銅、フッ化鉛、珪石粉、アルミ
ナ、炭酸タリウム、酸化ゲルマニウムを第１表に示す組
成になるように調合したバッチを白金ルツボに入れて電
気炉において７００℃で１時間溶融した後、薄板状に成
形し、アルミナボールミルで粉砕し、２００メツシユの
ふるいを通過させた。
華、酸化ビスマス、酸化銅、フッ化鉛、珪石粉、アルミ
ナ、炭酸タリウム、酸化ゲルマニウムを第１表に示す組
成になるように調合したバッチを白金ルツボに入れて電
気炉において７００℃で１時間溶融した後、薄板状に成
形し、アルミナボールミルで粉砕し、２００メツシユの
ふるいを通過させた。
次にこうしてできた低融点封着ガラス粉末を通常行われ
ているようにテルピネオール（テルピネオール３１８．
Ｈｅｒｃｕｌｅｓ社）とアクリル樹脂とからなるビーク
ルと混合してペーストを作製した後、アルミナセラミッ
クにスクリン印刷し、乾燥させ、電気炉内で１０分間加
熱することによって封着したがその温度は３６０〜３８
０℃であった。
ているようにテルピネオール（テルピネオール３１８．
Ｈｅｒｃｕｌｅｓ社）とアクリル樹脂とからなるビーク
ルと混合してペーストを作製した後、アルミナセラミッ
クにスクリン印刷し、乾燥させ、電気炉内で１０分間加
熱することによって封着したがその温度は３６０〜３８
０℃であった。
第２表は、第１表の低融点封着ガラスの試料Ｎｎ。
１及び２に低膨張性フィラーを含有させた例を示したも
のである。
のである。
第 ２ 表
（体積％）
以下余白
上記低膨張性フィラーは、第２表に示す割合で低融点封
着ガラス粉末と混合し、上記と同じ方法でペーストを作
製した後、アルミナセラミックにスクリン印刷し、乾燥
させ、電気炉内で１０分間加熱することによって封着し
たがその温度は３９０℃と低く、また熱膨張係数は７３
〜７５Ｘ１０−７／”Ｃとアルミナセラミックのそれに
近似していた。
着ガラス粉末と混合し、上記と同じ方法でペーストを作
製した後、アルミナセラミックにスクリン印刷し、乾燥
させ、電気炉内で１０分間加熱することによって封着し
たがその温度は３９０℃と低く、また熱膨張係数は７３
〜７５Ｘ１０−７／”Ｃとアルミナセラミックのそれに
近似していた。
［発明の効果］
本発明の低融点封着ガラスは、４００℃以下の温度でア
ルミナセラミックパッケージを気密封着できるので特に
封着工程を低温で行う必要のあるＩ、Ｓ■を用いたパッ
ケージの封着に好適であるが、それ以外にも半導体分野
における各種の封着材料として用いることが可能である
。
ルミナセラミックパッケージを気密封着できるので特に
封着工程を低温で行う必要のあるＩ、Ｓ■を用いたパッ
ケージの封着に好適であるが、それ以外にも半導体分野
における各種の封着材料として用いることが可能である
。
特許出願人 日本電気硝子株式会社
代表者岸田清作
Claims (2)
- （１）重量百分率でＰｂＯ ４０〜８５％、Ｂ＿２Ｏ＿
３ ７〜１５％、ＺｎＯ ０．５〜７％、Ｂｉ＿２Ｏ＿
３ ０〜５％、Ｃｕ＿２Ｏ ０．５〜３％、Ｆ ２．５
〜７％、ＳｉＯ＿２ ０．５〜５％、Ａｌ＿２Ｏ＿３０
〜３％、からなり、Ｃｕ＿２Ｏ／Ｆのモル比が０．１よ
り小さいことを特徴とする低融点封着ガラス。 - （２）５０×１０＾−＾７／℃以下の熱膨張係数を有す
る低膨張性フィラーを５５体積％まで含有してなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低融点封着ガ
ラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23729786A JPS6395137A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 低融点封着ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23729786A JPS6395137A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 低融点封着ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395137A true JPS6395137A (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=17013281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23729786A Pending JPS6395137A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 低融点封着ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6395137A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01308844A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Sharp Corp | 磁気ヘッド用低融着性ガラス組成物 |
| JPH0375239A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-29 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
| US6163106A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Color cathode ray tube and water resistant glass frit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5372029A (en) * | 1976-12-09 | 1978-06-27 | Asahi Glass Co Ltd | Sealing glass compositions of low melting point |
| JPS58161943A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-26 | Iwaki Glass Kk | 封着用ガラス組成物 |
-
1986
- 1986-10-06 JP JP23729786A patent/JPS6395137A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5372029A (en) * | 1976-12-09 | 1978-06-27 | Asahi Glass Co Ltd | Sealing glass compositions of low melting point |
| JPS58161943A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-26 | Iwaki Glass Kk | 封着用ガラス組成物 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01308844A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Sharp Corp | 磁気ヘッド用低融着性ガラス組成物 |
| JPH0375239A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-29 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
| US6163106A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Color cathode ray tube and water resistant glass frit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4186023A (en) | Sealing glass composition | |
| US4310357A (en) | Low temperature sealing glass | |
| US3650778A (en) | Low-expansion, low-melting zinc phosphovanadate glass compositions | |
| CN106396409A (zh) | 一种电子浆料用低温无铅玻璃粘结剂及其制备方法 | |
| US4710479A (en) | Sealing glass composition with lead calcium titanate filler | |
| US3441422A (en) | Coating glasses for electrical devices | |
| JPH0428657B2 (ja) | ||
| US4906514A (en) | Metallized substrate for electronic device | |
| JPS63315536A (ja) | 低温封着用フリット | |
| JPH0127982B2 (ja) | ||
| US4775647A (en) | Sealing glass composite | |
| US4251595A (en) | Low temperature sealing glasses | |
| JP2003040647A (ja) | シリコン被覆用ガラス組成物およびそれを用いたシリコンと接触する絶縁皮膜並びにシリコンデバイス | |
| JPS6395137A (ja) | 低融点封着ガラス | |
| CA1250602A (en) | Sealing glass composite | |
| JP3125971B2 (ja) | 低温封着用組成物 | |
| US3598620A (en) | Alkali-free molybdenum sealing hard glass | |
| JPS5843342B2 (ja) | 酸化銅を含む封止ガラス組成物の形成方法 | |
| US3703390A (en) | Capacitor encapsulant and method of forming | |
| US3425817A (en) | Low melting point devitrified glass and method | |
| JP4573204B2 (ja) | 封着用ガラス及びそれを用いた封着材料 | |
| JP3519121B2 (ja) | 封着用組成物 | |
| JP3157695B2 (ja) | 低温封着用組成物 | |
| JP2957087B2 (ja) | 低温封着用組成物 | |
| KR950009989B1 (ko) | 저융점 봉착용 유리조성물 |