JPS6389436A - 導電性ガラス板 - Google Patents
導電性ガラス板Info
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- JPS6389436A JPS6389436A JP23276686A JP23276686A JPS6389436A JP S6389436 A JPS6389436 A JP S6389436A JP 23276686 A JP23276686 A JP 23276686A JP 23276686 A JP23276686 A JP 23276686A JP S6389436 A JPS6389436 A JP S6389436A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性ガラス板に係り、さらに詳しくは、イ
ンジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜（以
下、ｒｌＴｏ膜」という。）の被覆を有する導電性ガラ
ス板に関する。
ンジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜（以
下、ｒｌＴｏ膜」という。）の被覆を有する導電性ガラ
ス板に関する。
本発明の導電性ガラス板は、液晶素子、太陽電池等の透
明電極用として好適に使用される。
明電極用として好適に使用される。
従来から、ガラス基板上に真空蒸着法やスパッタリング
法によりＩＴＯ膜を被覆した導電性ガラス板は、各種デ
ィスプレー、太陽電池等の透明電極用として広く使用さ
れている。ＩＴ○膜は、結晶粒子の集合体であるが、通
常、配向性のない結晶粒子の集合体である。
法によりＩＴＯ膜を被覆した導電性ガラス板は、各種デ
ィスプレー、太陽電池等の透明電極用として広く使用さ
れている。ＩＴ○膜は、結晶粒子の集合体であるが、通
常、配向性のない結晶粒子の集合体である。
ディスプレー等の透明電極は、導電性ガラス板の導電性
薄膜を、エツチングによりパターン化して製造されるが
、近年、電極パターンの高密度化、細密化が強く要求さ
れている。エツチングは結晶粒界に沿って進行するが、
従来のＩＴＯ膜の場合には、配向性のない結晶粒子の集
合体であることにより、電極パターン直線性が得られ難
く、パターンの高密度化、細密化に限界を生じている。
薄膜を、エツチングによりパターン化して製造されるが
、近年、電極パターンの高密度化、細密化が強く要求さ
れている。エツチングは結晶粒界に沿って進行するが、
従来のＩＴＯ膜の場合には、配向性のない結晶粒子の集
合体であることにより、電極パターン直線性が得られ難
く、パターンの高密度化、細密化に限界を生じている。
本発明は、直線性の良好なパターンの形成が可能なＩＴ
Ｏ膜の被覆を有する導電性ガラス板を提供することをそ
の目的とする。
Ｏ膜の被覆を有する導電性ガラス板を提供することをそ
の目的とする。
本発明者等は、前記目的を達成すべく鋭意研究した結果
、（１００）面配向した結晶粒子の集合体からなるＩＴ
Ｏ膜が、エツチング後のパターンの直線性に優れること
を見出し、本発明を完成した。
、（１００）面配向した結晶粒子の集合体からなるＩＴ
Ｏ膜が、エツチング後のパターンの直線性に優れること
を見出し、本発明を完成した。
本発明は、インジウム−スズ複合酸化物の柱状単結晶の
集合体からなり、（１００）面の配向率が７０％以上の
透明導電性薄膜の被覆を有することを特徴とする導電性
ガラス板である。
集合体からなり、（１００）面の配向率が７０％以上の
透明導電性薄膜の被覆を有することを特徴とする導電性
ガラス板である。
本発明において、透明導電性薄膜、すなわち、ＩＴＯ膜
は、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）とのＳｎ／Ｉｎ
原子比が、０．Ｏ１≦Ｓｎ／Ｉｎ≦０．１である複合酸
化物の柱状単結晶の集合体であり、この単結晶は、添付
第１図（ａ）の透過型電子顕微鏡写真および添付第２図
（ａｌＯＸ線回折図に示すように、（１００）面配向し
ており、その配向率は７０％以上である。
は、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）とのＳｎ／Ｉｎ
原子比が、０．Ｏ１≦Ｓｎ／Ｉｎ≦０．１である複合酸
化物の柱状単結晶の集合体であり、この単結晶は、添付
第１図（ａ）の透過型電子顕微鏡写真および添付第２図
（ａｌＯＸ線回折図に示すように、（１００）面配向し
ており、その配向率は７０％以上である。
本発明の導電性ガラス板は、有機インジウム化合物と有
機スズ化合物との混合溶液（以下「前駆体」という。）
をキャリアーガス中に微粒子化して分散させ、予め４５
０〜５５０℃に加熱したガラス基板と常圧下に接触させ
る方法により製造することができる。前駆体の微粒子化
は、超音波霧化法、スプレー法等によって行うことがで
き、均一な粒径の微粒子を安定して発生させることがで
きる超音波霧化法が好ましく採用される。キャリアーガ
スとして、酸化性ガス、通常、空気が使用される。ガラ
ス基板として、ソーダライムガラス基板、パイレックス
基板等が使用されるが、ソーダライムガラス基板を使用
する場合には、ガラス基板中のＮａ分のＩＴＯ膜中への
拡散を防止するために、予めＳｉＯ□膜等で被覆された
ガラス基板の使用が好ましい。
機スズ化合物との混合溶液（以下「前駆体」という。）
をキャリアーガス中に微粒子化して分散させ、予め４５
０〜５５０℃に加熱したガラス基板と常圧下に接触させ
る方法により製造することができる。前駆体の微粒子化
は、超音波霧化法、スプレー法等によって行うことがで
き、均一な粒径の微粒子を安定して発生させることがで
きる超音波霧化法が好ましく採用される。キャリアーガ
スとして、酸化性ガス、通常、空気が使用される。ガラ
ス基板として、ソーダライムガラス基板、パイレックス
基板等が使用されるが、ソーダライムガラス基板を使用
する場合には、ガラス基板中のＮａ分のＩＴＯ膜中への
拡散を防止するために、予めＳｉＯ□膜等で被覆された
ガラス基板の使用が好ましい。
上記導電性ガラス板の製造方法においては、前駆体の微
粒子と加熱されたガラス基板との接触により、ガラス基
板上にＩＴＯ膜組成を有する結晶核が生成し、その核が
まず膜状に成長して隣接する核と接触し、その接触後は
相互に拘束されるため成長は基板面に対して垂直な方向
のみとなり、その結果、配向した柱状単結晶の集合体で
あるＩＴｏ膜が得られる。
粒子と加熱されたガラス基板との接触により、ガラス基
板上にＩＴＯ膜組成を有する結晶核が生成し、その核が
まず膜状に成長して隣接する核と接触し、その接触後は
相互に拘束されるため成長は基板面に対して垂直な方向
のみとなり、その結果、配向した柱状単結晶の集合体で
あるＩＴｏ膜が得られる。
本発明の導電性ガラス板は、前記したように、（１００
）面配向した柱状単結晶の集合体からなるＩＴＯ膜の被
覆を有することを特徴とする。
）面配向した柱状単結晶の集合体からなるＩＴＯ膜の被
覆を有することを特徴とする。
この導電性ガラス板のＩＴＯ膜をエツチングして電極加
工を行う場合、エツチングが結晶粒界および結晶軸に沿
って進行するため、エツチング速度が一定となるばかり
でなく、エツチングパターンの肩面れが小さく、直線性
の優れた電極パターンが得られる。
工を行う場合、エツチングが結晶粒界および結晶軸に沿
って進行するため、エツチング速度が一定となるばかり
でなく、エツチングパターンの肩面れが小さく、直線性
の優れた電極パターンが得られる。
さらに、本発明の導電性ガラス板のＩＴＯ膜は、（１０
０）面配向していることから、原子が規則的に配列して
おり、優れた導電性を示す。
０）面配向していることから、原子が規則的に配列して
おり、優れた導電性を示す。
本発明を、実施例および比較例により、さらに詳細に説
明する。
明する。
ただし、本発明の範囲は、下記実施例により何等限定さ
れるものではない。
れるものではない。
（１）導電性ガラス板の製造
有機インジウム化合物と有機スズ化合物とを、Ｓｎ／Ｉ
ｎ原子比が０．０５の比率で含存するアセチルアセトン
溶液（前駆体）を超音波霧化装置に仕込み、超音波振動
子を作動して前駆体を霧化、微粒子化し、この装置内に
導入したキャリアーガス（空気）中に分散させた。この
前駆体微粒子を含むキャリアーガスを、予め５５０°Ｃ
に加熱したＳｉＯ□の被覆を有するガラス基板面に接触
させ、このガラス基板表面に１００人／ｍ ｉｎの膜形
成速度で厚さＬ １００人の透明なＩＴＯ膜を析出させ
、導電性ガラス板を製造した。
ｎ原子比が０．０５の比率で含存するアセチルアセトン
溶液（前駆体）を超音波霧化装置に仕込み、超音波振動
子を作動して前駆体を霧化、微粒子化し、この装置内に
導入したキャリアーガス（空気）中に分散させた。この
前駆体微粒子を含むキャリアーガスを、予め５５０°Ｃ
に加熱したＳｉＯ□の被覆を有するガラス基板面に接触
させ、このガラス基板表面に１００人／ｍ ｉｎの膜形
成速度で厚さＬ １００人の透明なＩＴＯ膜を析出させ
、導電性ガラス板を製造した。
得られた導電性ガラス板のＩＴＯ膜断面の透過型電子顕
微鏡写真を第１図（Ｅｌ）に、表面のＸ線回折図を第２
図（ａ）に示す。
微鏡写真を第１図（Ｅｌ）に、表面のＸ線回折図を第２
図（ａ）に示す。
また、比較として、−真空蒸着法で製造した市販の導電
性ガラス板（膜厚８００人）のＩＴＯ膜断面の透過型電
子顕微鏡写真を第１図（ｂ）に、表面のＸ線回折図を第
２図（ｂ）に示す。
性ガラス板（膜厚８００人）のＩＴＯ膜断面の透過型電
子顕微鏡写真を第１図（ｂ）に、表面のＸ線回折図を第
２図（ｂ）に示す。
また、成膜速度および基板温度を代えて導電性ガラス板
を製造した。
を製造した。
これらのＸ線回折測定結果より、（１００）面配向率を
下記式により算出した。
下記式により算出した。
ｒｕ□２）： （２２２）面反射ピーク強度１＋４゜
。）： （４００）面反射ピーク強度算出結果を下記
に示す。
。）： （４００）面反射ピーク強度算出結果を下記
に示す。
基板温度 成膜速度 配向率
℃ 人／ｍｉｎ ％５５０’
１００ ９０ 真空透着品 ２３ Ｆ２）ＩＴＯ膜のエツチング 前記第（１）項で製造した導電性ガラス板および比較の
ための真空蒸着法で製造した市販の導電性ガラス）反の
ＩＴ０１）奨（膜厚８００人）を、５０℃のＦｅＣ１ｔ
ｔｌｃｌ系のエツチング液（ＦｅＣ１３：１（Ｃ１
：）ｌｚｏ−１３，３ｇ二４００ ｍ ｌ ：４００
ｍ ｌ！ ）を用いてニー７チングし、エツチング速度
を測定した。
１００ ９０ 真空透着品 ２３ Ｆ２）ＩＴＯ膜のエツチング 前記第（１）項で製造した導電性ガラス板および比較の
ための真空蒸着法で製造した市販の導電性ガラス）反の
ＩＴ０１）奨（膜厚８００人）を、５０℃のＦｅＣ１ｔ
ｔｌｃｌ系のエツチング液（ＦｅＣ１３：１（Ｃ１
：）ｌｚｏ−１３，３ｇ二４００ ｍ ｌ ：４００
ｍ ｌ！ ）を用いてニー７チングし、エツチング速度
を測定した。
また、導電率を併せて測定した。
測定結果を、下記に示す。
エツチング速度 導電率
人／ｍｉｎ Ω・ｃｍ
本発明品 １，３００〜１．５００ ２Ｘ１
０−’真空蒸着品 １ 、５００〜１，６００
１．５ｘ １０−’〔発明の効果〕 本発明の柱状単結晶の集合体からなるＩＴＯ膜の被覆を
有する導電性ガラス体においては、前記実施例に示した
ように、市販の真空蒸着法で製造した導電性ガラス体に
比較して結晶軸に沿ってエツチングされるため、極めて
解像性の良いエツチングパターンが得られる。さらに、
配向性の良い結晶粒子の集合体であるため、優れた導電
性を示す。
０−’真空蒸着品 １ 、５００〜１，６００
１．５ｘ １０−’〔発明の効果〕 本発明の柱状単結晶の集合体からなるＩＴＯ膜の被覆を
有する導電性ガラス体においては、前記実施例に示した
ように、市販の真空蒸着法で製造した導電性ガラス体に
比較して結晶軸に沿ってエツチングされるため、極めて
解像性の良いエツチングパターンが得られる。さらに、
配向性の良い結晶粒子の集合体であるため、優れた導電
性を示す。
本発明の導電性ガラス体を用い透明電極の加工を行う場
合、前記したように解像性がイ３れるため電極パターン
を高密度化することができる。
合、前記したように解像性がイ３れるため電極パターン
を高密度化することができる。
本発明は、エツチングの解像性に優れたＩＴＯ膜の被覆
を有する導電性ガラス体を提供するものであり、その産
業上の、特に電気・電子産業上の意義は極めて大きい。
を有する導電性ガラス体を提供するものであり、その産
業上の、特に電気・電子産業上の意義は極めて大きい。
第１図 導電性ガラス体のＩＴＯ膜断面の結晶構造を示
す走査型電子顕微鏡写真 （ａ）本発明の導電性ガラス体 （ｂ） 真空蒸着法による市販導電性ガラス体第２図
導電性ガラス体のｒＴｏ膜表面のＸ線回折図
す走査型電子顕微鏡写真 （ａ）本発明の導電性ガラス体 （ｂ） 真空蒸着法による市販導電性ガラス体第２図
導電性ガラス体のｒＴｏ膜表面のＸ線回折図
Claims (1)
- （１）インジウム−スズ複合酸化物の柱状単結晶の集合
体からなり、（１００）面の配向率が７０％以上の透明
導電性薄膜の被覆を有することを特徴とする導電性ガラ
ス板
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61232766A JPH0774085B2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 導電性ガラス板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61232766A JPH0774085B2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 導電性ガラス板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6389436A true JPS6389436A (ja) | 1988-04-20 |
| JPH0774085B2 JPH0774085B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=16944406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61232766A Expired - Fee Related JPH0774085B2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 導電性ガラス板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774085B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384513B1 (ko) * | 2001-04-06 | 2003-05-22 | 주식회사하나엔지니어링 | 저저항 투명도전성 복층 박막용 조성물, 이의 제조방법 및이를 포함하는 제품 |
| JPWO2004105055A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2006-07-20 | 日本曹達株式会社 | 透明導電膜付透光性基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227945A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | 電気伝導性ガラス |
| JPS61256944A (ja) * | 1985-05-04 | 1986-11-14 | バテル メモリアル インステイチユ−ト | ガラス基板を錫ド−プインジウム酸化物膜で被覆する方法および装置 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61232766A patent/JPH0774085B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227945A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | 電気伝導性ガラス |
| JPS61256944A (ja) * | 1985-05-04 | 1986-11-14 | バテル メモリアル インステイチユ−ト | ガラス基板を錫ド−プインジウム酸化物膜で被覆する方法および装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384513B1 (ko) * | 2001-04-06 | 2003-05-22 | 주식회사하나엔지니어링 | 저저항 투명도전성 복층 박막용 조성물, 이의 제조방법 및이를 포함하는 제품 |
| JPWO2004105055A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2006-07-20 | 日本曹達株式会社 | 透明導電膜付透光性基板 |
| JP4538410B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2010-09-08 | 日本曹達株式会社 | 透明導電膜付透光性基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0774085B2 (ja) | 1995-08-09 |
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