JPS6382306A - 試料回転型干渉法膜厚測定装置 - Google Patents

試料回転型干渉法膜厚測定装置

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JPS6382306A
JPS6382306A JP22752686A JP22752686A JPS6382306A JP S6382306 A JPS6382306 A JP S6382306A JP 22752686 A JP22752686 A JP 22752686A JP 22752686 A JP22752686 A JP 22752686A JP S6382306 A JPS6382306 A JP S6382306A
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Joji Matsuda
浄史 松田
Yasutaka Kikuchi
菊池 恭孝
Michio Namiki
並木 道男
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
UNION KOGAKU KK
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UNION KOGAKU KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)発明の目的 [産業上の利用分野] この発明は干渉法を利用して薄膜の膜厚を測定するため
の膜厚測定装置に関するものである。
光学部品やLSI等の基板上に付いた薄膜や高分子膜等
の膜厚を測定する技術は近年より一層重要性が高まって
いる。
[従来の技術] 薄膜、例えばクロム(Or)のマスクブランクスの表面
にレジストを塗布し、この薄膜を測定する場合には、従
来は、例えば第4図に示すような、触針を使用した表面
粗さ測定器を使用し、第4図(a)に示すようなダイヤ
モンド触針201とスキッド202の先端を、第4図(
b)に示すようなりロム而203に接触させ、これを移
動して膜204上を横断させ、変化を電気的に増幅して
検出するものであり、例えば試料上の膜直径をΩ。
とすると第4図(C)のように測定結果を得るものであ
る。
しかしながら、このような機械電気的方法は必ずしも高
精度の測定が容易ではなく、また、クロム面203と膜
204との間に段斧がとれないような場合、すなわち、
クロム面の全面に膜204が形成されているような場合
には、上記の測定手段では、膜厚の測定が不可能であり
、この様なことから′a膜の膜厚測定技術の開発が望ま
れている。
そこで、この発明の発明晋は先に薄膜の膜厚の測定を高
精度にかつ非接触で容易に測定することができる膜厚測
定装置を提案した(昭和60年特許出願第040467
号参照)、、また、薄膜の屈折率測定を高精度にかつ非
接触で容易に測定することができる膜層折率測定装置も
提案した(昭和60年特許出願第135756@参照)
この新たに提案された干渉法膜厚測定装置、干渉法膜層
折率測定装置は、第5図に示すように、レーザ光をミラ
ー103.104にて光路変更した後、ピンホール10
5を通過後被測定膜110を照明し、被測定膜110の
表面からの反射光IA (第2図参照)、被測定膜11
0の裏面若しくは基板113の反射面112での反射光
18(第2図参照)の2光は光路長に差があるので干渉
し、レンズ106の焦点位置にて受光器107にて干渉
光を検出して光電変換し、被測定膜110を回転装置1
14にて回転させた時の干渉光の強度変化を測定するよ
うに構成したものである。
[発明が解決しようとする問題点] この新たに提案された干渉法膜厚測定装置、干渉法膜層
折率測定装置は、薄膜の膜厚、屈折率の測定を高精度に
かつ非接触で容易に測定することができる顕著な特徴を
有するが、測定においては被測定膜を回転させる必要が
あり、この被測定膜の回転に応じてレンズ106、受光
器107を回転させる必要があり、これが測定装置の構
造を複雑にする原因になっている。
この発明は上記の如き事情に鑑みてなされたものであっ
て、薄膜の膜厚の測定を高精度にかつ非接触で容易に測
定することができ構造が簡単な膜厚測定装置を提供する
ことを目的とするものである。
(ロ)発明の構成 [問題を解決するための手段] この目的に対応して、この発明の試料回転型干渉法V!
膜厚測定装置、被測定体である膜体にレーザ光を照明し
得るレーザ光源と、前記被測定体に入射点で入射した入
射光のうち前記被測定体の表面で反射した光と前記被測
定体を透過し裏面で反射した光を前記入射点を通して前
記入射光の光路の方向に戻す反射装置と、前記反射装置
によって戻された前記被測定体の表面で反射した光と前
記被測定体を透過し夷面で反射した光を干渉させて干渉
縞を形成する干渉計と、前記干渉縞の強度を測定する光
強度測定装置と、及び前記被測定体への前記レーザ光の
入射角を変化させる回転装置とを備ることを特徴として
いる。
以下、この発明の詳細を一実施例について説明する。
第1図において、1はII0厚測定装置である。膜厚測
定装置1はレーザ光源2、反射装置20、干渉真130
、光強度測定装置40及び回転装置50を備えている。
レーデ光源2としてはヘリウムネオンレーザ、アルゴン
レーザ、クリプトンレーザ、ヘリウムカドニウムレーザ
、ルビーレーザ等を使用することができる。
干渉計30はレンズ3、ビームスプリッタ4、ビームス
プリッタ5、ピンホール6、レンズ7、スクリーン8を
有している。
反射装置20は被測定膜10の入射側にシリンドリカル
レンズ11を備え、かつ被測定wA10の反射側にシリ
ンドリカルミラー12を備えている。
シリンドリカルミラー12は被測定膜10の反射側にあ
って、被測定膜10に向けて被測定膜10の回転軸を中
心とする鏡面を備えている。
被測定膜10はレンズやガラス板等の反射面13をもつ
基板14の上に密着して形成されるものである。被測定
膜10及び基板14(第2図)は回転装置50によって
回転される。
回転装置50はパルス回転ステージ15とパルス回転ス
テージ15の回転をを制御するコントローラ16とを備
えている。
光強度測定装置40は光検出器17、増幅器18、デー
タ解析装置21、処理装置22、プリンター23、モニ
タTV24を備えている。
[作用] このように構成された膜厚洞室装置において、被測定f
f!J10の膜厚を測定する場合の作用は次の通りであ
る。
レーザ光源2からのビームはレンズ3、ビームスプリッ
タ4、ビームスプリッタ5を通過後シリンドリカルレン
ズ11を通してパルス回転ステージ15上の被測定膜1
0を照射する。被測定膜10の表面と実部13で反射し
た光は干渉し、この干渉光はシリンドリカルミラー12
で反射されて元の入射方向に戻り、被測定膜10の同一
点を通り、反射して入射光路を辿り、ビームスプリッタ
5で反射してレンズ7にて光検出器17上に集光し検出
される。光検出器17にて光電交換された信号は増幅器
18を通して増幅されたのら、データ解析装置21に入
力され、データ処理、波形観測される。
パルスステージコントローラ16にて回転パルスステー
ジ15に1パルス送るごとに光強度信号を検出してデー
タ処理を行う。
次に被測定膜10の膜厚を求める原理について説明する
[A]まず、入射角θ1における入射光と入射角θ2に
おける入射光との波長が共にλである場合は次の通りで
ある。
第2図のような屈折率n、厚さhの被測定膜10にレー
ザ光が角度θで入射した場合を考える。
被測定!!IIOの表面からの反射光をIA1裏面から
の反射光を18とするとIA、18の光路差dは ABC−AD=d           ・・・(1)
とすると d=2h  n −5in  e   ・(2>で表わ
される。
この場合の干渉光の強度は I=A+Bcos  (2πd/λ) 1=A+BCO3N4π/λ)h x (p ) )   ・・・(3) で表わされる。
入射角度θ の場合の光路差をdl、角度θ2の場合の
光路差をd2とすると干渉縞の強度がmax及びmin
になる位置は dl−62= (1/2>mλ (m はI& )・・
・(4) 従って −(1/2)mλ            ・・・(5
)厚さhは h=mλ/(4<5”−πνL− pη))  ・・・(6) で表わすことができる。
よって被測定膜の屈折率n及び入射光の波長λが与えら
れており、かつ(3)式で与えられる干渉光の強度の変
化の極値からを与えるθから入射角θ1.θ2を求めれ
ば被測定膜10の厚さhを求めることができる。
[B]次に入射角θ1における入射光の波長がλ1、入
射角θ2における入射光の波長が22の場合は次の通り
である。
波長λ 、角度θ 、波長λ 、角度θ2における位相
は (4π/λ1 ) h n −丁#1 =m7C・・・
(7) (4π/λ2)hF−庁H− =(m+1)π            ・・・(8)
と表わされる。これにより膜厚りは h=1/ (4((n −5in7σ/λ2)−(iν
B、/λ1))〕 ・・・(9) よって被測定膜の屈折率n及び入射光の波長λ1.λ2
が与えられており、かつ(3)式で与えられる干渉光の
強度の変化の極値から入射角01、θ2を分れば被測定
膜10の厚さhを求めることができる。
[C] また[A]及び[8]において屈折率の未知の場合でも
次のようにして膜厚が求められる。この場合には、まず
被測定膜の屈折率を求める必要があるので、その屈折率
を求める原狸について説明する。
(A)まず、入射角θ1における入射光と入射角02に
おける入射光との波長が共に人である場合は次の通りで
ある。
干渉縞の隣接する極値における角度θ1.θ2゜θ3と
すると位相は (4π/λ)hp旺 =mπ                   ・・・
(10)(4π/λ)hE[庁7U =(m+1)π             ・・・(1
1)(4π/λ)17τ;7[ =(m+2)π             ・・・(1
2)以上のように表わされる。この3式より各々の差の
比をとり展開して解くと屈折率nは +sin  θ3))    ・・・(13)以上のよ
うに表わされる。
よって干渉光の強度の変化の極値から入射角θ1.θ2
.θ3が分れば被測定膜の屈折率nを求めることができ
、このnを(6)式または(9)式に代入して膜厚が求
められる。
(B)次に入射角θ1における入射光の波長がλ 、入
射角θ2における入射光の波長が22、入射角θ3にお
ける入射光の波長がλ3の場合は次の通りである。
干渉縞の極値における波長λ1.角度θ1.波艮λ2.
角度02.波長λ3.角度θ3における位相は =(m+1)π           ・・・(15)
=(m+2)π           ・・・(16)
と表わされる。この3式より各々の差の比をとり展開し
て解くと屈折率nは a=(4λ 3・λ 1−λ 1・λ 2〜22・λ 
3) −42  ・λ 2・λ 3 b=2 (4λ  ・λ2−λ2 ・λ2一λ 2・λ
 3) ×(λ2 ・λ2 ・sin 2θ 一4λ  ・λ2 ・sin 2θ 2   2   、2 十λ  1 争 λ  2−5in    θ3 )+
4λ  ・λ2 ・λ2 ・ 2     ・ 2 X(Sln  θ1+sIo 03) C=(λ 2  ・ λ 2 −5in 2 θ一4λ
  ・λ2 ・5in20 22.22 +λ 1・λ 2・sin  θ3) −4λ2 ・λ2 ・λ2 X5ln  θ −sin 2θ 上式のように表わされる。
よって、被測定膜の入射光の波長λ1.λ2゜λ3が与
えられており、かつ干渉光の強度の変化の極値から入射
角θ1.θ2.θ3が分れば、被測定膜の屈折率nを求
めることができる。このnを(6)式または(9)式に
代入して膜厚りが求められる。
[実験例] 試料としては、ガラス基板上にクロム(Cr)をコート
して反射面を持つ基板を構成し、その反射面の上にフッ
化マグネシウム(MgF2)をコートして被測定膜とし
た。He−Neレーザを用いて被測定膜の厚さを測定し
たところ、d=1.24μmの値が得られた。同じ試料
を触針式表面粗さ測定装置で測定したところ厚さ約1.
25μmの値が得られた。両方法によって得られた値は
良く一致していることが分る。
[他の方法] 以上説明した実施例では、反射装置としてシリンドリカ
ルミラー12を使用しているが、これは第3図に示すよ
うに、被測定膜10の回転とあわせて回転する平面ミラ
ー25で代替することもできる。
(ハ)発明の効果 このようにこの発明の干渉を利用した膜厚測定装置によ
れば、薄膜の膜厚の測定を高精度にかつ非接触で容易に
測定することができる。しかも基板と被測定膜との間に
段差がとれないような場合でも膜厚の測定が可能である
しかも、被測定膜10の回転にあわせて光検出器17等
を回転させる必要がないので装置の構成が筒中である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係わる膜厚測定装置を示
ず構成説明図、第2図は被測定膜における光路を示す拡
大説明図、第3図はこの発明の他の実流例に係わる膜J
り測定装置を示す構成説明図、第4図は触針式膜厚洞室
装置を示す説明図、及び第5図は従来の干渉法膜厚測定
装置を示す構成説明図である。 1・・・膜厚測定装置  2・・・レーザ光源  3・
・・レンズ  4・・・ビームスプリッタ  5・・・
ビームスプリッタ  6・・・ピンホール  7・・・
レンズ8・・・スクリーン  10・・・被測定膜  
11・・・シリンドリカルレンズ  12・・・シリン
ドリカルミラー  13・・・裏面  14・・・基板
  15・・・パルス回転ステージ  16・・・コン
トローラ17・・・光検出器  18・・・増幅器  
20・・・反射装置  21・・・データ解析装置  
22・・・処理装置  23・・・プリンタ  24・
・・モニタTV25・・・平面ミラー  30・・・干
渉計  40・・・光強度測定装置  50・・・回転
装置 復代理人、代理人、弁理士   川 井 冶 男第4図 (CI) (b) (C)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被測定体である膜体にレーザ光を照明し得るレー
    ザ光源と、前記被測定体に入射点で入射した入射光のう
    ち前記被測定体の表面で反射した光と前記被測定体を透
    過し裏面で反射した光を前記入射点を通して前記入射光
    の光路の方向に戻す反射装置と、前記反射装置によって
    戻された前記被測定体の表面で反射した光と前記被測定
    体を透過し裏面で反射した光を干渉させて干渉縞を形成
    する干渉計と、前記干渉縞の強度を測定する光強度測定
    装置と、及び前記被測定体への前記レーザ光の入射角を
    変化させる回転装置とを備ることを特徴とする試料回転
    型干渉法膜厚測定装置
  2. (2)前記反射装置は前記被測定体の近傍に配設された
    前記被測定体の回転軸を中心とするシリンドリカルミラ
    ーを備えることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の回転型干渉法膜厚測定装置
  3. (3)前記反射装置は前記被測定体の回転軸と共通の回
    転軸に関して前記被測定体の回転量と同じ回転量だけ回
    転する平面鏡を備えることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の回転型干渉法膜厚測定装置
JP22752686A 1986-09-26 1986-09-26 試料回転型干渉法膜厚測定装置 Granted JPS6382306A (ja)

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JPH0435682B2 JPH0435682B2 (ja) 1992-06-11

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0560281A (ja) * 1991-08-30 1993-03-09 Tokai Rubber Ind Ltd コネクタ及び雄部材の製造方法
US5729343A (en) * 1995-11-16 1998-03-17 Nikon Precision Inc. Film thickness measurement apparatus with tilting stage and method of operation

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JP2606764B2 (ja) * 1991-08-30 1997-05-07 東海ゴム工業株式会社 コネクタに使用する雄部材の製造方法
US5729343A (en) * 1995-11-16 1998-03-17 Nikon Precision Inc. Film thickness measurement apparatus with tilting stage and method of operation

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JPH0435682B2 (ja) 1992-06-11

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