JPH0317505A - 薄膜の厚さを測定する方法および装置 - Google Patents
薄膜の厚さを測定する方法および装置Info
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- JPH0317505A JPH0317505A JP2116410A JP11641090A JPH0317505A JP H0317505 A JPH0317505 A JP H0317505A JP 2116410 A JP2116410 A JP 2116410A JP 11641090 A JP11641090 A JP 11641090A JP H0317505 A JPH0317505 A JP H0317505A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 194
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 59
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 13
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 4
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 abstract 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 241001057181 Orcus Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
３
この発明は薄膜の厚さの測定に関する。特に、測定する
装置は非常に局部的な領域における薄膜の厚さを正確に
測定するようになっている。
装置は非常に局部的な領域における薄膜の厚さを正確に
測定するようになっている。
従来の技術
従来、基板上の薄膜の厚さを測定する方法および装置を
発展させるのに多大の関心が持たれている。かかる要請
は極めて薄い膜をシリコン基板上ｌこ取付ける半導体製
造工業において特に重要である。
発展させるのに多大の関心が持たれている。かかる要請
は極めて薄い膜をシリコン基板上ｌこ取付ける半導体製
造工業において特に重要である。
発展した一つの技術は楕円偏光法として分類される。楕
円偏光計において、周知の偏光を有するプローブビーム
が試料面に送られて傾斜角で反射される。基板上の膜層
の厚さは反射ビームの偏光状態を発生させる。反射ビー
ムの偏光状態を測定することによって、膜層の厚さに関
する情報が得られる。
円偏光計において、周知の偏光を有するプローブビーム
が試料面に送られて傾斜角で反射される。基板上の膜層
の厚さは反射ビームの偏光状態を発生させる。反射ビー
ムの偏光状態を測定することによって、膜層の厚さに関
する情報が得られる。
楕円偏光計は極めて薄い膜の厚さを精確に測定するのに
非常に有用である。しかしながら、楕円偏光計の空間的
分解能は直径が２０乃至３０ミクロン程度の領域に限定
される。半導体の製造においては、非常に小さい領域、
すなわち直径がｌミクロン程度における厚さを測定する
ことがしばしば必要となる。楕円偏光計はかかる要求を
達成し得ない。楕円偏光計の別の欠点は、測定範囲が非
常に狭いことである。楕円偏光計は極端に清い層につい
ては全く良好に作用するが、約１０００オングストロー
ム以上の厚さに対しては非効率的である。
非常に有用である。しかしながら、楕円偏光計の空間的
分解能は直径が２０乃至３０ミクロン程度の領域に限定
される。半導体の製造においては、非常に小さい領域、
すなわち直径がｌミクロン程度における厚さを測定する
ことがしばしば必要となる。楕円偏光計はかかる要求を
達成し得ない。楕円偏光計の別の欠点は、測定範囲が非
常に狭いことである。楕円偏光計は極端に清い層につい
ては全く良好に作用するが、約１０００オングストロー
ム以上の厚さに対しては非効率的である。
前述したように、楕円偏光計は反射プローブビームの偏
光状態を測定する。従来の全く別種の層厚さ測定装置は
、プローブビームが試料面から反射された時に生じる表
面反射率の変化に見られる干渉効果を測定する。薄膜層
から少なくとも部分的に送られるプローブビームの波長
が選定される場合は、該薄膜層の上面および基板の上面
から反射が生じる。これらの二つの反射光線の干渉が層
厚さに従って変化する干渉効果を発生させる。これらの
干渉効果すなわち表面の反射率変化を反射ビームの強さ
を光検出器を使用して測定することによって検出する。
光状態を測定する。従来の全く別種の層厚さ測定装置は
、プローブビームが試料面から反射された時に生じる表
面反射率の変化に見られる干渉効果を測定する。薄膜層
から少なくとも部分的に送られるプローブビームの波長
が選定される場合は、該薄膜層の上面および基板の上面
から反射が生じる。これらの二つの反射光線の干渉が層
厚さに従って変化する干渉効果を発生させる。これらの
干渉効果すなわち表面の反射率変化を反射ビームの強さ
を光検出器を使用して測定することによって検出する。
この種の検出器内部に一つの装置として分光光度計があ
る。分光光度計ｂ測定において、試料を種々の光波長で
走査する。膜を通る位相のずれは各波長ごとに異なるの
で、各波長は異なる干渉効果を受ける。異なる波長によ
って生じる異なる干渉効果を調べることによって、薄膜
層の厚さに関する情報が得られる。多くの分光光度計に
おいて、プローブビームの波長はかなりの範囲に亘って
変化して測定における不明確さを減少させる。かかる装
置の諸例が１９７４午７月１６日発行の米国特許第３，
８２４．０１７号、１９８１年ＩＯ月６日発行の米国特
許第４，２９３．２２４号、および１９８５午１１月２
６日発行の米国特許！４，５５５．７６６号に開示され
ている。
る。分光光度計ｂ測定において、試料を種々の光波長で
走査する。膜を通る位相のずれは各波長ごとに異なるの
で、各波長は異なる干渉効果を受ける。異なる波長によ
って生じる異なる干渉効果を調べることによって、薄膜
層の厚さに関する情報が得られる。多くの分光光度計に
おいて、プローブビームの波長はかなりの範囲に亘って
変化して測定における不明確さを減少させる。かかる装
置の諸例が１９７４午７月１６日発行の米国特許第３，
８２４．０１７号、１９８１年ＩＯ月６日発行の米国特
許第４，２９３．２２４号、および１９８５午１１月２
６日発行の米国特許！４，５５５．７６６号に開示され
ている。
前記米国特許第４．２９３，２２４号に記載されるよう
に、干渉計装置を所定位置に使用して処理中に変化する
層厚さを監視する。明らかなように、層の厚さが被覆操
作中に変化するので、反射したプローブビームの干渉縞
が変化する。この干渉縞の変化を監視することによって
、変化する層の厚さに関する情報が得られる。
に、干渉計装置を所定位置に使用して処理中に変化する
層厚さを監視する。明らかなように、層の厚さが被覆操
作中に変化するので、反射したプローブビームの干渉縞
が変化する。この干渉縞の変化を監視することによって
、変化する層の厚さに関する情報が得られる。
前記分光光度計の技術において、プローブビームの波長
変化すなわちｌの厚さ変化のような既知の変数が導入さ
れて層厚さに関する情報を得る。
変化すなわちｌの厚さ変化のような既知の変数が導入さ
れて層厚さに関する情報を得る。
導入できる別の形式の既知変数はプローブビームの入射
角の変化である。干渉効果はプローブビームの入射角の
変化につれて変化する。入射ビームの入射角が変化する
装置の一例が１９８４年６月Ｉ２日発行の米国特許第４
．４５３．８２８号に見られる。
角の変化である。干渉効果はプローブビームの入射角の
変化につれて変化する。入射ビームの入射角が変化する
装置の一例が１９８４年６月Ｉ２日発行の米国特許第４
．４５３．８２８号に見られる。
干渉効果を検出する該米国特許第４，４５３．８２８号
の技術は前述した楕円偏光技術よりも良好な空間分解能
を有する。しかしながら、最良の干渉計技術でさえも直
径が約２乃至３ミクロンの分解能に限定される。さらに
重要なことに、従来の干渉計技術は２００オングストロ
ーム以下の厚さの薄膜を測定することができない。いず
れにせよ、干渉計技術は前述した楕円偏光技術ほど精確
ではない。
の技術は前述した楕円偏光技術よりも良好な空間分解能
を有する。しかしながら、最良の干渉計技術でさえも直
径が約２乃至３ミクロンの分解能に限定される。さらに
重要なことに、従来の干渉計技術は２００オングストロ
ーム以下の厚さの薄膜を測定することができない。いず
れにせよ、干渉計技術は前述した楕円偏光技術ほど精確
ではない。
別種の干渉計技術が１９８７乍４月２８日発行の米国特
許第４．６６０．９８０号に記載されている。この装置
においては、主としてＳ偏光を有する光線から或るレー
ザビームがブリュースタ角近くで試料面から反射される
。層が比較的厚く、すなわち５０ミクロン程度とすると
、複数の反復する極微小の干渉縞が反射プローブビーム
を横切って発生する。前記米国特許第４，６６０．９８
０号の装置においては、干渉縞の数を計算して層の厚さ
に関する情報を得るのに使用する。従って、この装置は
多数干渉縞を発生させる比較的厚い薄膜層を測定するこ
とに限定される。そのうえ、この装置は入射ビームをブ
リュースタ角の近くの入射角を有する必要があるために
、明確な焦点が形戊されず、空間分解能が犠牲になる。
許第４．６６０．９８０号に記載されている。この装置
においては、主としてＳ偏光を有する光線から或るレー
ザビームがブリュースタ角近くで試料面から反射される
。層が比較的厚く、すなわち５０ミクロン程度とすると
、複数の反復する極微小の干渉縞が反射プローブビーム
を横切って発生する。前記米国特許第４，６６０．９８
０号の装置においては、干渉縞の数を計算して層の厚さ
に関する情報を得るのに使用する。従って、この装置は
多数干渉縞を発生させる比較的厚い薄膜層を測定するこ
とに限定される。そのうえ、この装置は入射ビームをブ
リュースタ角の近くの入射角を有する必要があるために
、明確な焦点が形戊されず、空間分解能が犠牲になる。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、広い範囲の薄嗅厚に亘って精確な厚さを測定
する新規にして改良された装置を提供するものである。
する新規にして改良された装置を提供するものである。
また、直径が１ミクロンまたはそれ以下の程度の領域内
で薄膜厚さを測定する装置を提供することが本発明の目
的である。
で薄膜厚さを測定する装置を提供することが本発明の目
的である。
また、本発明の目的は５０乃至ｓｏ，ｏｏｏオングスト
ロームの薄膜の厚さを測定する新規にして改良された装
置を提供することである。
ロームの薄膜の厚さを測定する新規にして改良された装
置を提供することである。
また、ただ１個のプロ一プビームの波長を使用して薄膜
の厚さを測定する新規にして改良された装置を提供する
ことが本発明の目的である。
の厚さを測定する新規にして改良された装置を提供する
ことが本発明の目的である。
また、プローブビームの入射角を積極的に変化させる装
置を必要とせずに薄膜層の厚さを精確に測定する新規に
して改良された装置を提供することが本発明の目的であ
る。
置を必要とせずに薄膜層の厚さを精確に測定する新規に
して改良された装置を提供することが本発明の目的であ
る。
また、薄膜の厚さが変化している場合には、局所で取り
扱かう必要なしに薄膜層の厚さを測定する新規にして改
良された装置を提供することが本発明の目的である。
扱かう必要なしに薄膜層の厚さを測定する新規にして改
良された装置を提供することが本発明の目的である。
また、薄膜の屈折率および薄膜層の厚さを測定できる新
規にして改良された装置を提供することが本発明の目的
である。
規にして改良された装置を提供することが本発明の目的
である。
また、反射されたプローブビームの全量を記録するため
の付加的検出器を使用して薄膜厚さの精確度を向上させ
る方法を提供することも本発明の目的である。
の付加的検出器を使用して薄膜厚さの精確度を向上させ
る方法を提供することも本発明の目的である。
問題点を解決するための手段
以上およびその他の目的に従って、本発明は基坂上に形
成された薄膜『の厚さを測定するための新規にして改良
された方法および装置を与える。
成された薄膜『の厚さを測定するための新規にして改良
された方法および装置を与える。
特に、本発明の装置は半導体産業に見られるシリコン基
板上に形戊された層厚さを測定するのに適する。
板上に形戊された層厚さを測定するのに適する。
本発明の装置は単一波長を有する光線の１本のプローブ
ビームを発生させる装置を含有する。好ましい実施例に
おいては、レーザが使用される。
ビームを発生させる装置を含有する。好ましい実施例に
おいては、レーザが使用される。
その理由はレーザが精確な波長情報を提供して焦点を正
しく合わせるビームを発生させ、かつ反射率を精確に測
定するのに充分な性能を有するからである。高い開口数
のレンズを使用してレーザビームを試料面にほぼ直角に
焦点を合わせる。高開口数レンズを使用すると約１ミク
ロンの点状の微小直径に焦点を合わせることができる。
しく合わせるビームを発生させ、かつ反射率を精確に測
定するのに充分な性能を有するからである。高い開口数
のレンズを使用してレーザビームを試料面にほぼ直角に
焦点を合わせる。高開口数レンズを使用すると約１ミク
ロンの点状の微小直径に焦点を合わせることができる。
また、本発明によれば、高開口数レンズの使用によって
試料面に関して広い範囲の入射角を有する前記焦点合わ
せされた入射ビームの範囲内で光線パターンが形威され
る。焦点合わせされたプローブビームの範囲内で種々の
入射角を有する種々の光線から得られる情報を使用し嬬
層の厚さに関する情報を入手することができる。
試料面に関して広い範囲の入射角を有する前記焦点合わ
せされた入射ビームの範囲内で光線パターンが形威され
る。焦点合わせされたプローブビームの範囲内で種々の
入射角を有する種々の光線から得られる情報を使用し嬬
層の厚さに関する情報を入手することができる。
かかる情報の入手は、反射プローブビームの各強度変化
を焦点合わせされた入射プローブビームの範囲内の種々
の入射光線の入射角の関数として測定することによって
達成される。試料面に関する焦点合わせされたプローブ
ビームの範囲内の入射光線の入射角は反射プローブビー
ムにおける光線位置に関係する。詳述すると、反射プロ
ーブビームの中心光線は入射ビームの中心光線に対応す
る。プローブビームが試料面に垂直に焦点が合わされる
とすると、中心光線の入射角は０°である。
を焦点合わせされた入射プローブビームの範囲内の種々
の入射光線の入射角の関数として測定することによって
達成される。試料面に関する焦点合わせされたプローブ
ビームの範囲内の入射光線の入射角は反射プローブビー
ムにおける光線位置に関係する。詳述すると、反射プロ
ーブビームの中心光線は入射ビームの中心光線に対応す
る。プローブビームが試料面に垂直に焦点が合わされる
とすると、中心光線の入射角は０°である。
これに反し、外縁の反射プローブビームの部分は最大入
射角に対応する。最大の入射角はレンズの焦点合わせ力
すなわち開口数に依存する。最大入射角θ．は次の方程
式によって与えられる。
射角に対応する。最大の入射角はレンズの焦点合わせ力
すなわち開口数に依存する。最大入射角θ．は次の方程
式によって与えられる。
ｓｉｎθ１一開口数 ・・・・（１）反射プローブ
ビーム中の光線の億置は焦点合わせされた入射プローブ
ビーム中の関係光線の入射角の正弦である。
ビーム中の光線の億置は焦点合わせされた入射プローブ
ビーム中の関係光線の入射角の正弦である。
前述した従来特許から知られるように、種々の入射角に
ついて測定できるならば、層の厚さに関する情報が得ら
れる。これは干渉効果が種々の入射角に対して変化する
からである。干渉効果（すなわち面反射率の変化）は反
射プローブビームに関する強度変化として見られる。あ
る厚さの薄膜基板からの直線偏光の予想反射率を７レネ
ルの方程式の使用により計算することができる。角度に
依存する強度の測定値を７レネルの方程式から得られた
予想値と比較すると薄膜層の厚さに関する情報が得られ
る。
ついて測定できるならば、層の厚さに関する情報が得ら
れる。これは干渉効果が種々の入射角に対して変化する
からである。干渉効果（すなわち面反射率の変化）は反
射プローブビームに関する強度変化として見られる。あ
る厚さの薄膜基板からの直線偏光の予想反射率を７レネ
ルの方程式の使用により計算することができる。角度に
依存する強度の測定値を７レネルの方程式から得られた
予想値と比較すると薄膜層の厚さに関する情報が得られ
る。
好ましい実施例においては、プローブビーム中の光線は
最初は直線偏光であり、試料面に直角に精確に焦点合わ
せされる時に、この入射光線は試料面に関して大部分が
Ｓ偏光およびＰ偏光を有する。検出装置は、入射ビーム
のＳおよびＰの偏光成分から干渉効果を分離しかつ検出
するような方向に二つの直交配列を含有する。各偏光状
態に対する角度依存分布を測定することによって、測定
値の不明確さが減少して精度が向上する。
最初は直線偏光であり、試料面に直角に精確に焦点合わ
せされる時に、この入射光線は試料面に関して大部分が
Ｓ偏光およびＰ偏光を有する。検出装置は、入射ビーム
のＳおよびＰの偏光成分から干渉効果を分離しかつ検出
するような方向に二つの直交配列を含有する。各偏光状
態に対する角度依存分布を測定することによって、測定
値の不明確さが減少して精度が向上する。
精度の向上に加えて、ブリュースタ角に近い分離された
Ｐ偏光の反射率に関する情報を使用して、薄膜層または
基板の屈折率に関する情報が得られる。前述したように
、高開口度レンズを使用すると比較的大きい広がりの入
射角を焦点合わせされた入射プローブビームの光線中に
発生させる。好ましい実施例においては、入射角は常光
線だけでなくブリュースタ角の光線を含む。ブリュース
タ角においては、Ｐ偏光反射光線の強度は層の厚さの変
化とともに著るしくは変化しない。従って、ブリュース
タ角近くの入射光線の反射率を測定すると、基板または
薄膜層の屈折率に関する情報が得られる。
Ｐ偏光の反射率に関する情報を使用して、薄膜層または
基板の屈折率に関する情報が得られる。前述したように
、高開口度レンズを使用すると比較的大きい広がりの入
射角を焦点合わせされた入射プローブビームの光線中に
発生させる。好ましい実施例においては、入射角は常光
線だけでなくブリュースタ角の光線を含む。ブリュース
タ角においては、Ｐ偏光反射光線の強度は層の厚さの変
化とともに著るしくは変化しない。従って、ブリュース
タ角近くの入射光線の反射率を測定すると、基板または
薄膜層の屈折率に関する情報が得られる。
本発明の装置は広範囲の薄膜厚さを測定することができ
る。この装置は５０乃至５０ ． ０００オングストロ
ームの層に対して情報を提供する。また、直径１ミクロ
ン程度の立体的分解能が得られることも重要である。こ
のように、広範囲の層厚さについて局部的厚さを精確に
測定することができる。
る。この装置は５０乃至５０ ． ０００オングストロ
ームの層に対して情報を提供する。また、直径１ミクロ
ン程度の立体的分解能が得られることも重要である。こ
のように、広範囲の層厚さについて局部的厚さを精確に
測定することができる。
層厚さの測定精度は、プローブビーム全体の反射量を測
定することに１って向上させることができる。特に、試
料面の反射能は薄膜層の厚さに関係してほぼ正弦曲線的
に変化することが知られている。しかしながら、層の厚
さに関する情報は、特定の反射能を多数の異なる層厚さ
について同じように測定できる点で前述した測定からは
得られない。これらの不明確さは、本発明の前述した装
置を使用して層厚さの近似値を測定することによって除
去することができる。かかる測定を行なうことにより、
反射ビームの全量に基づく反射率測定から得られたデー
タを使用して層厚さの不確定さを減少させることができ
る。この付加的な感度は、前記反射ビームの全量の測定
量の信号対ノイズ比が特定入射角に対応する離散点に、
おけるビーム部分だけを測定する初期検出器測定．値よ
りも遥かに良好であることによる。
定することに１って向上させることができる。特に、試
料面の反射能は薄膜層の厚さに関係してほぼ正弦曲線的
に変化することが知られている。しかしながら、層の厚
さに関する情報は、特定の反射能を多数の異なる層厚さ
について同じように測定できる点で前述した測定からは
得られない。これらの不明確さは、本発明の前述した装
置を使用して層厚さの近似値を測定することによって除
去することができる。かかる測定を行なうことにより、
反射ビームの全量に基づく反射率測定から得られたデー
タを使用して層厚さの不確定さを減少させることができ
る。この付加的な感度は、前記反射ビームの全量の測定
量の信号対ノイズ比が特定入射角に対応する離散点に、
おけるビーム部分だけを測定する初期検出器測定．値よ
りも遥かに良好であることによる。
実施例
本発明の別の目的および利点は図面を参照して次に記載
するところにより明白となろう。
するところにより明白となろう。
第１図は、本発明の方法を実施する基本的な装Ｉｔ（２
０）の概略図である。装置（２０）はプローブビーム（
２４）を発生させるレーザ（２２）を含有する。プロー
ブビーム（２４）は薄膜層（３２）を取付けた試料（２
８）に向うビームスプリッタ（２６）によって下方へ反
射される。本発明によれば、ビーム（２４）は高開口数
レンズ（３０）によって試料（２８）の面に焦点を結ぶ
。
０）の概略図である。装置（２０）はプローブビーム（
２４）を発生させるレーザ（２２）を含有する。プロー
ブビーム（２４）は薄膜層（３２）を取付けた試料（２
８）に向うビームスプリッタ（２６）によって下方へ反
射される。本発明によれば、ビーム（２４）は高開口数
レンズ（３０）によって試料（２８）の面に焦点を結ぶ
。
ビーム（２４）は試料面にほぼ垂直に焦点を合わされて
入射面寸法を最小にして解像力を最大にさせることが好
ましい。
入射面寸法を最小にして解像力を最大にさせることが好
ましい。
第２図はレンズ（３０）によって試料（２８）上に焦点
を結んだプローブビーム（２４）の拡大図であって、千
の個別光線を示す。図示されるように、ビーム（２４）
が試料面に垂直に指向する場合には、該ビームは試料面
にほぼ垂直な中央光線（３６）を含む。まＩ；、このビ
ームは試料面に関して最大の入射角（ａ）を有する外側
光線（３８Ａ，３８Ｂ）を含む。前述した方程式（１）
に示されるように、外側光線（３８Ａ．３８Ｂ）の入射
角はレンズ（３０）の開口数によって決まる。
を結んだプローブビーム（２４）の拡大図であって、千
の個別光線を示す。図示されるように、ビーム（２４）
が試料面に垂直に指向する場合には、該ビームは試料面
にほぼ垂直な中央光線（３６）を含む。まＩ；、このビ
ームは試料面に関して最大の入射角（ａ）を有する外側
光線（３８Ａ，３８Ｂ）を含む。前述した方程式（１）
に示されるように、外側光線（３８Ａ．３８Ｂ）の入射
角はレンズ（３０）の開口数によって決まる。
中間の諸光線はそれぞれに比例した入射角を有する。例
えば、対称光線（４ＯＡ，４０Ｂ）は入射角３０°を示
し、対称光線（４２Ａ，４２Ｂ）は入射角１５°を示す
。
えば、対称光線（４ＯＡ，４０Ｂ）は入射角３０°を示
し、対称光線（４２Ａ，４２Ｂ）は入射角１５°を示す
。
レンズ（３０）は高開口数を有して入射角をできるだけ
大きくするように選定される。実際に、中央光線から外
側光線までの角度が少なくとも３０″となるレンズが望
ましい。かかる角度を与えるレンズの開口数は０．５で
ある。好ましい実施例においては、かかる角度が７０°
以上となる開口数が０，９５のレンズが使用される。
大きくするように選定される。実際に、中央光線から外
側光線までの角度が少なくとも３０″となるレンズが望
ましい。かかる角度を与えるレンズの開口数は０．５で
ある。好ましい実施例においては、かかる角度が７０°
以上となる開口数が０，９５のレンズが使用される。
試料（２８）に到達した後のビーム（２４）は上方へ反
射されてレンズ（３０）およびスプリツタ（２６）を通
って光検出器（５０）に至る。第３図は光検出器（５０
）の面を示す。光検出器（５０）は複数個の離散した個
々の検出要素を有し、該検出要素の出力はプロセッサ（
５２）に送られる。
射されてレンズ（３０）およびスプリツタ（２６）を通
って光検出器（５０）に至る。第３図は光検出器（５０
）の面を示す。光検出器（５０）は複数個の離散した個
々の検出要素を有し、該検出要素の出力はプロセッサ（
５２）に送られる。
本発明によれば、検出器（５０）およびプロセ・ノサ（
５２）は、反射したプローブビームの強度を焦点合わせ
された入射プローブビーム内の種々の光線の入射角の関
数として測定するように作用する。この結果は第２図お
よび第３図に示す光路解析によって理解できよう。『示
されるように、検出器（５０）の中心要素（５４）はレ
ンズ（３０）の中心を通る光線（３６）の光度を測定す
る。従って、検出器要素（５４）の出力は零度の入射角
を有する光線に対応しよう。同様に、検出器（５０）上
の半径方向外方の要素（５６Ａ−Ｄ）は最大入射角を有
する光線（３８Ａ．３８Ｂ）の光度を測定する。前述し
たように、この入射角はレンズ（３０）の開口数に関し
て周知である。離散要素（５８Ａ−Ｄ，６０Ａ−Ｄ）は
零度と最大角との間の入射角に対応する。図示の実施例
においては、要素（５８Ａ−Ｄ）は３０度の入射角を有
する光線（３８Ａ−Ｄ）を測定するように配置され、離
散要素（６０Ａ−Ｄ）は１５度の入射角を有する光線（
４２Ａ−Ｄ）を測定するように配置される。
５２）は、反射したプローブビームの強度を焦点合わせ
された入射プローブビーム内の種々の光線の入射角の関
数として測定するように作用する。この結果は第２図お
よび第３図に示す光路解析によって理解できよう。『示
されるように、検出器（５０）の中心要素（５４）はレ
ンズ（３０）の中心を通る光線（３６）の光度を測定す
る。従って、検出器要素（５４）の出力は零度の入射角
を有する光線に対応しよう。同様に、検出器（５０）上
の半径方向外方の要素（５６Ａ−Ｄ）は最大入射角を有
する光線（３８Ａ．３８Ｂ）の光度を測定する。前述し
たように、この入射角はレンズ（３０）の開口数に関し
て周知である。離散要素（５８Ａ−Ｄ，６０Ａ−Ｄ）は
零度と最大角との間の入射角に対応する。図示の実施例
においては、要素（５８Ａ−Ｄ）は３０度の入射角を有
する光線（３８Ａ−Ｄ）を測定するように配置され、離
散要素（６０Ａ−Ｄ）は１５度の入射角を有する光線（
４２Ａ−Ｄ）を測定するように配置される。
第３図の検出器の面は若干の離散検出器要素だけを図示
する。焦点合わせされたプローブビームのさらに多くの
離散入射角に関する情報を得るように検出器要素を増加
させることによって更に情報を増大させうろことが理解
できよう。例えば、別の入射角を測定するのに別の検出
器要素を使用することもできよう。
する。焦点合わせされたプローブビームのさらに多くの
離散入射角に関する情報を得るように検出器要素を増加
させることによって更に情報を増大させうろことが理解
できよう。例えば、別の入射角を測定するのに別の検出
器要素を使用することもできよう。
第２図および第３図の実施例においては、互いに直角な
２列の検出器要素が配設される。かかる直交配設検出器
要素は、以下に説明するように、Ｓ偏光とＰ偏光とに関
する情報を分離するために望ましい。
２列の検出器要素が配設される。かかる直交配設検出器
要素は、以下に説明するように、Ｓ偏光とＰ偏光とに関
する情報を分離するために望ましい。
好ましい実施例においては、プローブビーム（２４）は
試料面に垂直に入射する直線偏光から戊る。
試料面に垂直に入射する直線偏光から戊る。
この垂直に入射した直線偏光がレンズ（３０）によって
正確に焦点を結ぶとき、この試料面に入射しｔ；光線は
試料面に関して大部分がＳ偏光成分およびＰ偏光成分を
有する。ほぼすべてのＳ偏光が一つの軸線に沿っている
のに対して、ほぼすべてのＰ偏光は前記軸線と直交する
別の軸線に沿っている。
正確に焦点を結ぶとき、この試料面に入射しｔ；光線は
試料面に関して大部分がＳ偏光成分およびＰ偏光成分を
有する。ほぼすべてのＳ偏光が一つの軸線に沿っている
のに対して、ほぼすべてのＰ偏光は前記軸線と直交する
別の軸線に沿っている。
直交するこれらの２直交軸線間の軸線は両方の成分の混
合体を有する。
合体を有する。
２つの直交する検出器の配列が第３図に示すように正し
く配列しているならば、ｓｌ光成分およびＰ偏光成分が
グローブピームから分離される。
く配列しているならば、ｓｌ光成分およびＰ偏光成分が
グローブピームから分離される。
これらの分離されたＳ偏光およびＰ偏光の強度情報を使
用して試料上の薄一膜層の厚さを計算するとともに、以
下に詳述するように、試料の屈折率に関する情報を得る
ことができる。
用して試料上の薄一膜層の厚さを計算するとともに、以
下に詳述するように、試料の屈折率に関する情報を得る
ことができる。
第４Ａ， ４Ｂ，および４Ｃ図は本発明の装置（２０）
により発生する種々の測定値を示す。各図面のグラフは
ＳおよびＰの偏光に対する試料面の反射率を入射角度の
関数として示す。試料の反射率は光検出器（５０）の離
牧要素によって直接に測定された反射プローブビームの
強度に比例する。試料面の反射率の測定は光検出器の出
力を較正することによって得られる。第４Ａ， ４Ｂ，
および第４Ｃ図はシリコン半導体基板上におけるそれぞ
れ５０００オングストローム、１０００オングストロー
ム、および１００オングストロームの薄膜酸化層に対す
る反射能曲線を示す。図面から分かるように、反射曲線
は種々の層の厚さの各々に対して可戒り異なる。従って
、この情報は層厚さに関する情報を得るのに使用するこ
とができる。
により発生する種々の測定値を示す。各図面のグラフは
ＳおよびＰの偏光に対する試料面の反射率を入射角度の
関数として示す。試料の反射率は光検出器（５０）の離
牧要素によって直接に測定された反射プローブビームの
強度に比例する。試料面の反射率の測定は光検出器の出
力を較正することによって得られる。第４Ａ， ４Ｂ，
および第４Ｃ図はシリコン半導体基板上におけるそれぞ
れ５０００オングストローム、１０００オングストロー
ム、および１００オングストロームの薄膜酸化層に対す
る反射能曲線を示す。図面から分かるように、反射曲線
は種々の層の厚さの各々に対して可戒り異なる。従って
、この情報は層厚さに関する情報を得るのに使用するこ
とができる。
層厚さに関する情報は、数学モデルすなわち反射率、入
射角、および層厚さに関する方程式の組に測定反射情報
を使用して得られる。Ｓ偏光に関する試料の反射率の主
な方程式は次の通りである。
射角、および層厚さに関する方程式の組に測定反射情報
を使用して得られる。Ｓ偏光に関する試料の反射率の主
な方程式は次の通りである。
ここで、Ｒは分離された強度測定値から得られた光線の
反射率で空気の屈折率をｌとし、ｔは層の厚さである。
反射率で空気の屈折率をｌとし、ｔは層の厚さである。
式（２）中の定数ｋは次式により与えられる。
λ
ここで、λはプローブビームの波長である。γは偏光の
反射率に関し、γ，は薄膜層の面からの反射率であり、
γ，は基板の面からの反射率である。
反射率に関し、γ，は薄膜層の面からの反射率であり、
γ，は基板の面からの反射率である。
Ｓ偏光に対し、薄膜層の面からの反射率γＬおよび基板
面からの反射率γ，は次の方程式で与えられる。
面からの反射率γ，は次の方程式で与えられる。
ここで、ｎｔは薄膜層の屈折率、ｎ，は基板の屈折率、
θ。は空気と薄膜層の表面との境界における入射角、θ
１は薄膜層への入射角、θ，は基板への入射角である。
θ。は空気と薄膜層の表面との境界における入射角、θ
１は薄膜層への入射角、θ，は基板への入射角である。
Ｐ偏光に対しては、薄膜層の表面からの反射率γ，およ
び基板面からの反射率γ３は次の方程式で与えられる。
び基板面からの反射率γ３は次の方程式で与えられる。
第５図および第６図は前述の方程式を使用して得られた
Ｓ偏光およびＰ偏光に対する反射曲線のコンピュータグ
ラフである。各グラフの多数の曲線はＯ″から６０６ま
での５°ごとの入射角について示す。このグラ７は反射
率が酸化物の厚さに対してどのように変化するかを示す
。
Ｓ偏光およびＰ偏光に対する反射曲線のコンピュータグ
ラフである。各グラフの多数の曲線はＯ″から６０６ま
での５°ごとの入射角について示す。このグラ７は反射
率が酸化物の厚さに対してどのように変化するかを示す
。
第７図は、プロセノサが入射角の関数である反射光線の
測定値に基づいて薄膜層の厚さを得るのに使用する計算
法の流れ図である。前述したように、本発明の装置（２
０）によって段階（１００）において反射値が測定され
る。段階（１０２）において、プロセッサが前記測定さ
れた反射値を使用し方程式（４）乃至（７）の置換によ
って方程式（２）を解く。第５図および第６図から明ら
かなように、特定の反射測定が種々の異なる層厚さに対
応する。このように段階（１０２）の結果は薄膜の厚さ
に対し若干の可能な解を持つ。段階（１０４）において
は、該段階で得られた一群の解から層厚さに対して最も
適当な一つの解を選定するために統計解析を行なう。
測定値に基づいて薄膜層の厚さを得るのに使用する計算
法の流れ図である。前述したように、本発明の装置（２
０）によって段階（１００）において反射値が測定され
る。段階（１０２）において、プロセッサが前記測定さ
れた反射値を使用し方程式（４）乃至（７）の置換によ
って方程式（２）を解く。第５図および第６図から明ら
かなように、特定の反射測定が種々の異なる層厚さに対
応する。このように段階（１０２）の結果は薄膜の厚さ
に対し若干の可能な解を持つ。段階（１０４）において
は、該段階で得られた一群の解から層厚さに対して最も
適当な一つの解を選定するために統計解析を行なう。
この解は典型的に２０オングストローム以内まで正確で
ある。
ある。
この結果の精度は、試料の光吸収および有限の検出器寸
法のような因子を考慮に入れた解析を行なうならばさら
に改良されよう。この光吸収の量は材料によって異なる
。もし材料が知られているならば、種々の補正因子を方
程式（２）に組み入れて測定をさらに向上させることが
できる。しかしながら、かかる補正因子は方程式の解析
法を難かしくする。かくして、段階（１０６）において
最小２乗法を使用して数値解決を求める必要がある。か
かる数値解析は層厚さに対する近似法が既に知られてい
るので非常１こ容易である。かくして、段階（１０６）
においては、特定試料の吸収特性を段階（１０４）にお
いて得られた層厚さの適切な解によって解析しかつ制限
することにより補正された一組のフレネル方程式を解く
ために最小２乗法を使用する。このようにして解を向上
させるならば、測定の精度は大巾に向上する。この測定
は１ミクロン程度の立体的解像度で５０オングストロー
ム乃至５００００オングストロームの厚さの膜範囲につ
いて行なうことができる。
法のような因子を考慮に入れた解析を行なうならばさら
に改良されよう。この光吸収の量は材料によって異なる
。もし材料が知られているならば、種々の補正因子を方
程式（２）に組み入れて測定をさらに向上させることが
できる。しかしながら、かかる補正因子は方程式の解析
法を難かしくする。かくして、段階（１０６）において
最小２乗法を使用して数値解決を求める必要がある。か
かる数値解析は層厚さに対する近似法が既に知られてい
るので非常１こ容易である。かくして、段階（１０６）
においては、特定試料の吸収特性を段階（１０４）にお
いて得られた層厚さの適切な解によって解析しかつ制限
することにより補正された一組のフレネル方程式を解く
ために最小２乗法を使用する。このようにして解を向上
させるならば、測定の精度は大巾に向上する。この測定
は１ミクロン程度の立体的解像度で５０オングストロー
ム乃至５００００オングストロームの厚さの膜範囲につ
いて行なうことができる。
多くの状況において、１０００オングストローム以下の
厚さの特定の薄膜においては、さらに大きい精度で厚さ
を知りたい要求がある。本発明によれば、段階（１０８
）に示すように反射プローブビームの全量を付加測定す
ることによって精度の向上させることができる。第９図
に関して以下に説明するように、この測定は別の光検出
器を使用して行なうことが好ましい。しかしながら、第
３図に示す検出器のすべての離散要素の出力を加えるこ
とによって測定の近似値が得られる。前記光検出器の面
を超えてビームが入射しない（すなわち反射ビームの全
量が該検出器の諸要素の範囲内に送られる）とすると、
ビームの全量に比例する測定をすることができる。
厚さの特定の薄膜においては、さらに大きい精度で厚さ
を知りたい要求がある。本発明によれば、段階（１０８
）に示すように反射プローブビームの全量を付加測定す
ることによって精度の向上させることができる。第９図
に関して以下に説明するように、この測定は別の光検出
器を使用して行なうことが好ましい。しかしながら、第
３図に示す検出器のすべての離散要素の出力を加えるこ
とによって測定の近似値が得られる。前記光検出器の面
を超えてビームが入射しない（すなわち反射ビームの全
量が該検出器の諸要素の範囲内に送られる）とすると、
ビームの全量に比例する測定をすることができる。
かかる付加的情報に基づく層厚さの解析は前述した解析
と似ている。すなわち、層の厚さを薄膜層（Ｌ）８よび
基板（Ｓ）からのビーム全体の反射率と関係させるため
に以下に記載の置換によって方程式（２）が修正される
。
と似ている。すなわち、層の厚さを薄膜層（Ｌ）８よび
基板（Ｓ）からのビーム全体の反射率と関係させるため
に以下に記載の置換によって方程式（２）が修正される
。
ｎｔ＋１
ｎ３＋ｎＬ
ここで、〈λ〉はλよりも僅かに大きい有効波長にして
、層の内部に焦点を結んだビームの３次元的広がりであ
る。
、層の内部に焦点を結んだビームの３次元的広がりであ
る。
層の厚さを方程式（８）、（９）、（１０）から得られ
る反射率と比較すると、反射光線全体の測定に対して多
数の可能性のある厚さの解を与えるみごとな正弦曲線が
得られる。この問題は、薄膜層の厚さを先ず段階（１０
（ｉ）の狭い範囲内に設定するならば解決される。この
情報は修正されたフレネルの方程式の可能性を持った解
を狭め、段階（１０８）で得られたビームの反射量全体
の測定値を使用して層厚さの計算を段階（ＮＯ）におい
て精度を遥かに向上させることができる。
る反射率と比較すると、反射光線全体の測定に対して多
数の可能性のある厚さの解を与えるみごとな正弦曲線が
得られる。この問題は、薄膜層の厚さを先ず段階（１０
（ｉ）の狭い範囲内に設定するならば解決される。この
情報は修正されたフレネルの方程式の可能性を持った解
を狭め、段階（１０８）で得られたビームの反射量全体
の測定値を使用して層厚さの計算を段階（ＮＯ）におい
て精度を遥かに向上させることができる。
全量の測定によって高精度が得られる理由は、測定の信
号対ノイズ比が検出器（５０）上の離散要素の測定値の
１０乃至１００倍程度であるからである。
号対ノイズ比が検出器（５０）上の離散要素の測定値の
１０乃至１００倍程度であるからである。
反射ビームが検出器の全面に拡がり、従って各前記離牧
要素がビームの全量のわずか一部を受け取り、ビームの
形状および位置変動に敏感となることは明らかであろう
。反対に、全量の測定はレーザの全量の利点を有し、ビ
ームの小さな形状および位置変動に影響されることが極
めて少ない。
要素がビームの全量のわずか一部を受け取り、ビームの
形状および位置変動に敏感となることは明らかであろう
。反対に、全量の測定はレーザの全量の利点を有し、ビ
ームの小さな形状および位置変動に影響されることが極
めて少ない。
本発明の別の取り上げ方においては、薄膜の層厚さとと
もに薄膜層または基板の屈折率を計算することができる
。これが可能であることは、高開口数レンズがブリュー
スタ角付近の入射角を有する光線を発生させるのに使用
できるからである。
もに薄膜層または基板の屈折率を計算することができる
。これが可能であることは、高開口数レンズがブリュー
スタ角付近の入射角を有する光線を発生させるのに使用
できるからである。
第６図において、Ｐ偏光に関する試料の反射率はほぼす
べての入射角に対して酸化物の厚さの変化とともに著る
しく変化する。しかしながら、入射角がブリュースタ角
（二酸化珪素に対してθは約５５．９６度）に近づくと
、反射率曲線はほとんど水平とな．る。このように、ブ
リュースタ角におけるＰ偏光の反射率測定は層厚さにほ
ぼ無関係である。
べての入射角に対して酸化物の厚さの変化とともに著る
しく変化する。しかしながら、入射角がブリュースタ角
（二酸化珪素に対してθは約５５．９６度）に近づくと
、反射率曲線はほとんど水平とな．る。このように、ブ
リュースタ角におけるＰ偏光の反射率測定は層厚さにほ
ぼ無関係である。
しかしながら、この反射率は層または基板の屈折゛率の
変化につれて変化する。
変化につれて変化する。
層の厚さおよび基板または薄膜層の屈折率を得る計算法
が第８図に示される。この方法は、層の厚さが或る範囲
内で既知であり、かつ基板または薄膜層の屈折率が既知
であるものと仮定する。
が第８図に示される。この方法は、層の厚さが或る範囲
内で既知であり、かつ基板または薄膜層の屈折率が既知
であるものと仮定する。
段階（２００）に示すように、ブリュースタ角における
Ｐ偏光の測定を含む反射率測定を行なう。段階（２０２
）において、基板または薄膜層の未知の屈折率に対する
近似解を、方程式（２）、（６）、（７）および推定の
層厚さを使用して計算することができる。この屈折率の
近似解を使用して薄膜層の実際の厚さの一組の解を、方
程式（２）および第７図の段階（１０２）と同じ方法を
使用して段階（２０４）において計算する。これらの可
能な一組の解から、従来の厚さ範囲の知識に基づいて一
つの解を選定する。
Ｐ偏光の測定を含む反射率測定を行なう。段階（２０２
）において、基板または薄膜層の未知の屈折率に対する
近似解を、方程式（２）、（６）、（７）および推定の
層厚さを使用して計算することができる。この屈折率の
近似解を使用して薄膜層の実際の厚さの一組の解を、方
程式（２）および第７図の段階（１０２）と同じ方法を
使用して段階（２０４）において計算する。これらの可
能な一組の解から、従来の厚さ範囲の知識に基づいて一
つの解を選定する。
計算した近似厚さおよび計算した近似屈折率を使用して
、吸収および検出器の寸法に対して補正したフレネルの
方程式について最小２乗法を使用して、第７図の段階（
１０６）と同様に、段階（２０６）で層の厚さおよび屈
折率の最良の解を得る。
、吸収および検出器の寸法に対して補正したフレネルの
方程式について最小２乗法を使用して、第７図の段階（
１０６）と同様に、段階（２０６）で層の厚さおよび屈
折率の最良の解を得る。
前述したように、薄膜の厚さ測定の精度は段階（２０８
）において反射プローブビームの全量を測定することに
よって高められる。この測定値は、方程式（８）、（９
）、（１０）によって修正された方程式（２）を使用し
て段階（２０８）において層厚さを計算するのに使用さ
れるとともに段階（２０６）で計算された層厚さの解に
よって制約される。
）において反射プローブビームの全量を測定することに
よって高められる。この測定値は、方程式（８）、（９
）、（１０）によって修正された方程式（２）を使用し
て段階（２０８）において層厚さを計算するのに使用さ
れるとともに段階（２０６）で計算された層厚さの解に
よって制約される。
本発明の基本的理論と演算とを説明したが、測定用の一
つの好ましい装置（３００）を第９図について説明する
。第９図において、第１図の構造と同じ部材は同じ番号
を付してある。
つの好ましい装置（３００）を第９図について説明する
。第９図において、第１図の構造と同じ部材は同じ番号
を付してある。
前述したように、レーザ（２２）はビーム（２４）ヲ発
生させる。レーザ（２２）は５ミリワット出力を有する
とともに４５度の偏光を有するヘリウム・ネオンレーザ
である。ビーム（２４）は４５度に配向した偏光フィル
タ（３０２）を通過して４５度偏光だけを透す。
生させる。レーザ（２２）は５ミリワット出力を有する
とともに４５度の偏光を有するヘリウム・ネオンレーザ
である。ビーム（２４）は４５度に配向した偏光フィル
タ（３０２）を通過して４５度偏光だけを透す。
次に、この光線は偏光をさらに４５度回転させるファラ
デー回転子（３０４）を通過し、もって見かけ上の反射
ヘリウム・ネオン光線がヘリウム・ネオンレーザに反射
して戻るのを防止する。かかる構或によって見かけ上の
反射ヘリウム・ネオン光線によって生ずるレーザの出力
の不安定性が減少する。
デー回転子（３０４）を通過し、もって見かけ上の反射
ヘリウム・ネオン光線がヘリウム・ネオンレーザに反射
して戻るのを防止する。かかる構或によって見かけ上の
反射ヘリウム・ネオン光線によって生ずるレーザの出力
の不安定性が減少する。
次に、ビーム（２４）は９０度に配向した偏光フィルタ
（３０６）を通過して見かけ上の反射光線がレーザへ戻
るのをさらに減少させる。
（３０６）を通過して見かけ上の反射光線がレーザへ戻
るのをさらに減少させる。
次に、ビーム（２４）は金属被覆されたガラス回転鏡（
３０８）によって下方へ反射されてビーム拡大立体的７
イルタ装直に入る。この装置は入口レンズ（３１０）お
よび出口レンズ（３１２）を含有する。ピンホールフィ
ルタ（３１４）がビームの形状および均一性を改良する
ために設けられる。レンズ（３１２）から出たビームは
レンズ（３１０）およびレンズ（３１２）の焦点距離の
比によって拡大される。
３０８）によって下方へ反射されてビーム拡大立体的７
イルタ装直に入る。この装置は入口レンズ（３１０）お
よび出口レンズ（３１２）を含有する。ピンホールフィ
ルタ（３１４）がビームの形状および均一性を改良する
ために設けられる。レンズ（３１２）から出たビームは
レンズ（３１０）およびレンズ（３１２）の焦点距離の
比によって拡大される。
次に、このビームは、２０％を透過させ８０％を反射さ
せる金属被覆のガラス製ビームスプリッタ（３１６）に
よって方向を転換される。このビームスプリツタはヘリ
ウム・ネオンビームと光源（３１８）からの白色光とを
結合させるのに使用される。この白色光は以下に詳述す
る視覚装置を使用して試料の像を写すのに使用される。
せる金属被覆のガラス製ビームスプリッタ（３１６）に
よって方向を転換される。このビームスプリツタはヘリ
ウム・ネオンビームと光源（３１８）からの白色光とを
結合させるのに使用される。この白色光は以下に詳述す
る視覚装置を使用して試料の像を写すのに使用される。
次に、このプローブビームは、６０％を透過させ４０％
を反射させる金属被覆のガラス製ビームスプリッタ（３
２０）によって試料に向って下方へ送られる。このビー
ムスプリツタもまた白色光を試料に向わせるように下方
に転換させる作用を有する。
を反射させる金属被覆のガラス製ビームスプリッタ（３
２０）によって試料に向って下方へ送られる。このビー
ムスプリツタもまた白色光を試料に向わせるように下方
に転換させる作用を有する。
試料から反射された時のプローブビームの一部スプリッ
タ（３２０）を通過して検出器（５０）によって集光さ
れる。光［（３１８）からの白色光の一部は視覚装置に
向って反射される。
タ（３２０）を通過して検出器（５０）によって集光さ
れる。光［（３１８）からの白色光の一部は視覚装置に
向って反射される。
このプローブビームは対物レンズ（３０）を通って試料
上に焦点を結ぶ。レンズ（３０）は高開口数を有し、集
束ビーム中の種々の光線は広い拡がりの入射角を有する
。レンズ（３０）の位置はオートフォーカス機構（３２
２）によって制御される。前述したように、ビーム（２
４）は試料（２８）の表面上で直径約１ミクロンのスポ
ット領域に焦点を結ぶ。薄膜の酸化物層を有するシリコ
ン半導体のような試料（２８）はＸ軸方向、Ｙ軸方向お
よび回転方向の位置運動をさせる台上に取付けられる。
上に焦点を結ぶ。レンズ（３０）は高開口数を有し、集
束ビーム中の種々の光線は広い拡がりの入射角を有する
。レンズ（３０）の位置はオートフォーカス機構（３２
２）によって制御される。前述したように、ビーム（２
４）は試料（２８）の表面上で直径約１ミクロンのスポ
ット領域に焦点を結ぶ。薄膜の酸化物層を有するシリコ
ン半導体のような試料（２８）はＸ軸方向、Ｙ軸方向お
よび回転方向の位置運動をさせる台上に取付けられる。
頂部台（３２４）は回転運動させるとともにウエーハを
押える真空チャックの作用を有する。台（３２６）およ
び台（３２８）はＸ軸およびＹ軸の方向の運動をさせる
。
押える真空チャックの作用を有する。台（３２６）およ
び台（３２８）はＸ軸およびＹ軸の方向の運動をさせる
。
ヘリウム・ネオンプローブビームからの光線および試料
から反射される白色光はビームスプリッタ（３２０）を
通過する。白色光の透過はヘリウム・ネオンの６３３ナ
ノメータ波長光線だけを透過させる帯域フィルタ（３３
２）によって制限される。次に、ヘリウム・イオンプロ
ーブビームの一部は金層被覆ガラス製ビームスグリッタ
（３３４）によって検出器（５０）に向けられる。ビー
ムスグリッタ（３３４）は２０％を透過させ８０％を反
射させる。ビームスグリッタ（３３４）からの反射光線
はレンズ（３３６）によって拡大され、第１図に関して
説明した検出器（５０）上に像を結ぶ。検出器（５０）
はダイオード配列、ＣＯＤカメラ、走査ピンホール、ま
ｔ；はファイバオプティクセンサ配列によって形威され
る。検出器（５０）は試料面に入射するＳ偏光およびＰ
偏光の反射率から情報を分離させるように配列された検
出器要素を有することが好ましい。検出器（５０）の出
力はプロセッサ（５２）に供給される。
から反射される白色光はビームスプリッタ（３２０）を
通過する。白色光の透過はヘリウム・ネオンの６３３ナ
ノメータ波長光線だけを透過させる帯域フィルタ（３３
２）によって制限される。次に、ヘリウム・イオンプロ
ーブビームの一部は金層被覆ガラス製ビームスグリッタ
（３３４）によって検出器（５０）に向けられる。ビー
ムスグリッタ（３３４）は２０％を透過させ８０％を反
射させる。ビームスグリッタ（３３４）からの反射光線
はレンズ（３３６）によって拡大され、第１図に関して
説明した検出器（５０）上に像を結ぶ。検出器（５０）
はダイオード配列、ＣＯＤカメラ、走査ピンホール、ま
ｔ；はファイバオプティクセンサ配列によって形威され
る。検出器（５０）は試料面に入射するＳ偏光およびＰ
偏光の反射率から情報を分離させるように配列された検
出器要素を有することが好ましい。検出器（５０）の出
力はプロセッサ（５２）に供給される。
前述したように、厚さ測定の精度は反射プローブビーム
の全量を測定することによって増大させることができる
。第９図に示す実施例において、かかる目的のために別
の検出器（３４０）が設けられる。プローブビームの一
部は金属被覆のガラス製ビームスプリッタ（３４２）に
よって検出器（３４０）に向けられる。検出器（３４０
）の唯一の要件は、プローブビームの全量を測定できる
ようにプローブビームが検出器の面の範囲以上に入射し
ないようにすることである。
の全量を測定することによって増大させることができる
。第９図に示す実施例において、かかる目的のために別
の検出器（３４０）が設けられる。プローブビームの一
部は金属被覆のガラス製ビームスプリッタ（３４２）に
よって検出器（３４０）に向けられる。検出器（３４０
）の唯一の要件は、プローブビームの全量を測定できる
ようにプローブビームが検出器の面の範囲以上に入射し
ないようにすることである。
この実施例においては、オートフォーカス機構が設置さ
れる。この才−トフォーカス機構は２セル光検出器（３
４４）、レンズ（３４Ｇ）およびチョッパ輪（３４８）
を含有する。これらの形式の部材を使用するオート７オ
ーカス操作は従来技術で周知である。
れる。この才−トフォーカス機構は２セル光検出器（３
４４）、レンズ（３４Ｇ）およびチョッパ輪（３４８）
を含有する。これらの形式の部材を使用するオート７オ
ーカス操作は従来技術で周知である。
確実に正しく較正するために、レーザ（２２）の出力を
モニタする必要がある。これはブロープレーザビーム（
２４）の一部を受取る検出器（３６０）を使用して行な
われる．燭光フィルタ（３６２）および帯域フィルタ（
３６４）はヘリウム・ネオンプローブビームから白色光
を除去する。レンズ（３６６）はこのビームを検出器（
３６０）上に像を結ばせるのに使用される。
モニタする必要がある。これはブロープレーザビーム（
２４）の一部を受取る検出器（３６０）を使用して行な
われる．燭光フィルタ（３６２）および帯域フィルタ（
３６４）はヘリウム・ネオンプローブビームから白色光
を除去する。レンズ（３６６）はこのビームを検出器（
３６０）上に像を結ばせるのに使用される。
図示の実施例においては、この装置（３００）は視覚装
置を備えて作業員が試料上の各点の位置を定めることが
できる。この視覚装置は白色光源（３１８）、コリメー
ティング・レンズ（３７０）および偏光フィルタ（３７
２）を含有する。偏光フィルタ（３７２）はプローブビ
ームの偏光状態に直角な白色光を偏光させて白色光とヘ
リウム・ネオンビームとを下流の光学装置によって分離
することができるようになっている。
置を備えて作業員が試料上の各点の位置を定めることが
できる。この視覚装置は白色光源（３１８）、コリメー
ティング・レンズ（３７０）および偏光フィルタ（３７
２）を含有する。偏光フィルタ（３７２）はプローブビ
ームの偏光状態に直角な白色光を偏光させて白色光とヘ
リウム・ネオンビームとを下流の光学装置によって分離
することができるようになっている。
試料からの白色光部分は５０／ ５０ビームスプリッタ
（３７６）によってビデオカメラ（３７４）に向って送
られる。回転偏光フィルタ（３７８）はビデオカメラ（
３７４）に入るプローブビーム光線の量を制御する。
（３７６）によってビデオカメラ（３７４）に向って送
られる。回転偏光フィルタ（３７８）はビデオカメラ（
３７４）に入るプローブビーム光線の量を制御する。
レンズ（３８０）は前記カメラ上に結像させる。
装置（３００）の基本操作は第１図乃至第３図について
記載したものと同じである。検出器（５０）およびプロ
セッサ（５２）は反射プローブビームの強度を焦点合わ
せされｌ；入射プローブビーム中の光線の入射角の関数
として測定する機能を有する。層厚さの計算は前述した
方程式および計算法を使用して行なわれる。
記載したものと同じである。検出器（５０）およびプロ
セッサ（５２）は反射プローブビームの強度を焦点合わ
せされｌ；入射プローブビーム中の光線の入射角の関数
として測定する機能を有する。層厚さの計算は前述した
方程式および計算法を使用して行なわれる。
要約するに、本発明の新規にして改良された方法および
装置は基板上の薄膜層の厚さを測定するものであり、好
ましい実施例においては、プローブビーム光線を高開口
数レンズを使用して試料面にほぼ直角に焦点を結ばせる
。高開口数レンズは入射集束ビーム内の光線に広い拡が
りの入射角を供する。反射プローブビームの強度を集束
入射プローブビーム内の種々の光線の基板面に関する入
射角の関数として測定するための検出器が備えられる。
装置は基板上の薄膜層の厚さを測定するものであり、好
ましい実施例においては、プローブビーム光線を高開口
数レンズを使用して試料面にほぼ直角に焦点を結ばせる
。高開口数レンズは入射集束ビーム内の光線に広い拡が
りの入射角を供する。反射プローブビームの強度を集束
入射プローブビーム内の種々の光線の基板面に関する入
射角の関数として測定するための検出器が備えられる。
プロセッサは前記角度依存強度測定値に基づいて薄膜層
の厚さを算出する作用を果す。これは前記角度依存強度
測定値を使用してフレネル方程式の変形を使用して層厚
さを解くことによってなされる。
の厚さを算出する作用を果す。これは前記角度依存強度
測定値を使用してフレネル方程式の変形を使用して層厚
さを解くことによってなされる。
一つの実施例においては、焦点合わせされたプローブビ
ームは大部分がＳ偏光成分およびＰ偏光成分を含む。さ
らに、検出器はＳｇ４光成分とＰ偏光成分とを分離して
層の厚さの測定を容易にするようになっている。反射プ
ローブビームの全量を測定するための検出器を別に設け
ることが好ましい。このヌリの検出器からの信号情報が
厚さ測定値の精度向上に使用される。
ームは大部分がＳ偏光成分およびＰ偏光成分を含む。さ
らに、検出器はＳｇ４光成分とＰ偏光成分とを分離して
層の厚さの測定を容易にするようになっている。反射プ
ローブビームの全量を測定するための検出器を別に設け
ることが好ましい。このヌリの検出器からの信号情報が
厚さ測定値の精度向上に使用される。
本発明を好ましい実施例に関して説明したが、本発明の
範囲内で種々の変更および修正が可能である。
範囲内で種々の変更および修正が可能である。
第１図は本発明の装置の概略構成図、第２図は第１図の
プローブビームの焦点結びの拡大図、第３図は本発明の
方法を実施するのに使用できる光検出器の面の平面図、
第４Ａ図、第４Ｂ図、および第４Ｃ図は、シリコンウエ
ーハ上の３つの異なる厚さの酸化物に入射するプａ−ブ
ビームの入射角に関するＳ偏光およびＰ偏光の反射率の
３つのグラフ、第５図は種々の入射角においてシリコン
上の異なる酸化物の厚さに関する集束入射プローブビー
ム中のＳ偏光の反射率の変化を示すグラ７、第６図は種
々の入射角においてシリコン上の異なる酸化物の厚さに
関する集束入射プローブビーム中のＰ偏光の反射率の変
化を示すグラフ、第７図は本発明に従って層の厚さを得
るためのプロセッサ操作段階を示す流れ図、第８図は本
発明に従って層の厚さおよび屈折率を得るためのプロセ
ッサ操作段階を示す流れ図、第９図は本発明の好ましい
実施例の概略構戊図である。 ２２・・・レーザ ２４・・・プローブビーム ２６，３１６，３２０，３３４，３４２．３７１３・・
・スプリッタ２８・・・試料 ３０，３１０，３１２，３３６．３４６，３６６，３７
０，３８０・・・レンズ３２・・・薄膜層 ５０，３４０，３４４，３６０・・・検出器５２・・・
プロセッサ ５４・・・検出器要素 ３０６，３１４，３３２，３６２，３６４，３７２，３
７８・・・フィルタ図面の浄書 特許出願代理人
プローブビームの焦点結びの拡大図、第３図は本発明の
方法を実施するのに使用できる光検出器の面の平面図、
第４Ａ図、第４Ｂ図、および第４Ｃ図は、シリコンウエ
ーハ上の３つの異なる厚さの酸化物に入射するプａ−ブ
ビームの入射角に関するＳ偏光およびＰ偏光の反射率の
３つのグラフ、第５図は種々の入射角においてシリコン
上の異なる酸化物の厚さに関する集束入射プローブビー
ム中のＳ偏光の反射率の変化を示すグラ７、第６図は種
々の入射角においてシリコン上の異なる酸化物の厚さに
関する集束入射プローブビーム中のＰ偏光の反射率の変
化を示すグラフ、第７図は本発明に従って層の厚さを得
るためのプロセッサ操作段階を示す流れ図、第８図は本
発明に従って層の厚さおよび屈折率を得るためのプロセ
ッサ操作段階を示す流れ図、第９図は本発明の好ましい
実施例の概略構戊図である。 ２２・・・レーザ ２４・・・プローブビーム ２６，３１６，３２０，３３４，３４２．３７１３・・
・スプリッタ２８・・・試料 ３０，３１０，３１２，３３６．３４６，３６６，３７
０，３８０・・・レンズ３２・・・薄膜層 ５０，３４０，３４４，３６０・・・検出器５２・・・
プロセッサ ５４・・・検出器要素 ３０６，３１４，３３２，３６２，３６４，３７２，３
７８・・・フィルタ図面の浄書 特許出願代理人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板の表面上の薄膜層の厚さを測定する装置にし
て、 プローブビームを発生させる装置と、 該プローブビームを前記基板の表面上に焦点に合わせる
装置と、 前記基板の表面から反射された後のプローブビームを受
取るとともに該反射ビームを横切る強度を、前記焦点合
わせされた入射プローブビーム内の種々の光線の、前記
基板の表面に関する入射角の関数として測定する検出器
と、 該検出器によって測定された角度依存強度測定値に基づ
いて前記薄膜層の厚さを算定するプロセッサ とを含有する薄膜厚さ測定装置。 （２）前記プローブビームが前記基板の表面にほぼ垂直
に焦点合わせされる請求項１に記載の装置。 （３）前記焦点合わせされた入射プローブビームが前記
基板の表面にほぼ垂直な少なくとも１本の光線を含む請
求項１に記載の装置。 （４）前記焦点合わせされた入射プローブビームが前記
薄膜層または前記基板に関してブリュースタ角の近くに
傾斜した少なくとも１本の光線を含む請求項２に記載の
装置。 （５）前記焦点合わせ装置が少なくとも０．５の開口数
を有するレンズによって形成される請求項１に記載の装
置。 （６）前記焦点合わせされた入射プローブビームの光線
の入射角が中心から外縁まで少なくとも３０度を有する
請求項１に記載の装置。 （７）前記入射プローブビームを前記基板の表面上に約
１ミクロンかそれ以下の直径に焦点合わせされる請求項
１に記載の装置。 （８）前記検出器が、前記反射プローブビームの中心か
ら外縁までの複数の離散点において該反射プローブビー
ムを横切る強度を測定する請求項１に記載の装置。 （９）前記プローブビーム中の光線が前記焦点合わせ装
置によって焦点合わせされる前に直線偏光され、該プロ
ーブビームは、前記基板の面に入射する光線が該基板面
における入射面に関して大部分がＳ偏光成分およびＰ偏
光成分を有するように、前記基板の表面にほぼ垂直に焦
点合わせされる請求項１に記載の装置。 （１０）前記検出器が前記焦点合わせされた入射プロー
ブビームのＳ偏光成分およびＰ偏光成分の角度依存強度
を分離しかつ測定し、前記プロセッサが前記Ｓ偏光およ
びＰ偏光の角度依存強度測定値を利用して前記薄膜層の
厚さを測定する請求項９に記載の装置。 （１１）前記検出器が前記反射プローブビームの強度を
、前記焦点合わせされた入射プローブビームのＳ偏光成
分およびＰ偏光成分の角度依存強度を分離するように配
向された直交する２軸線に沿って測定する装置を含む請
求項１０に記載の装置。 （１２）前記プロセッサが、前記検出器によってなされ
た角度依存強度測定値、入射角、前記焦点合わせされた
入射プローブビームの光線の偏光、および層の厚さを関
連づける数学モデルを使用して前記薄膜層の厚さを算定
する請求項１に記載の装置。 （１３）前記検出器が、さらに前記反射プローブビーム
の全量を測定するように作用し、前記プロセッサが、該
検出器によってなされた角度依存強度測定値および全体
の反射量の測定値に基づく薄膜層の厚さを算定する請求
項１に記載の装置。 （１４）前記プロセッサが前記角度依存強度測定値を利
用して前記薄膜層の厚さの近似値を得るとともに前記反
射量全体の測定値を利用して該近似値の不確定さを減少
させる請求項１３に記載の装置。 （１５）基板の表面上の薄膜層の厚さを測定する装置に
して、 直線偏光光線のプローブビームを発生させる装置と、 前記プローブビームを、前記基板の面に入射する光線が
該基板面における入射面に関して大部分がＳ偏光成分お
よびＰ偏光成分を有するように、前記基板の表面にほぼ
垂直に焦点合わせさせるレンズと、 前記基板の表面から反射された後のプローブビームを受
取るとともに該反射ビームを横切る強度を、前記焦点合
わせされた入射プローブビーム内の種々の光線の、前記
基板の表面に関する入射角の関数として、Ｓ偏光および
Ｐ偏光の成分を分離するように測定する検出器と、 該検出器によって測定されたＳ偏光およびＰ偏光の角度
依存強度に基づいて前記薄膜層の厚さを決定するプロセ
ッサ とを含有する薄膜層の厚さ測定装置。 （１６）前記検出器が前記反射プローブビームの強度を
、前記焦点合わせされた入射プローブビームのＳ偏光成
分およびＰ偏光成分の角度依存強度を分離するように配
向された直交する２軸線に沿って測定する装置を含む請
求項１５に記載の装置。 （１７）前記焦点合わせされた入射プローブビームが、
前記薄膜層に関してブリュースタ角の近くに傾斜する、
大部分がＰ偏光成分の少なくとも１本の光線を有し、さ
らに、前記プロセッサが前記基板にブリュースタ角の近
くで入射する反射Ｐ偏光の強度の測定値に基づいて該薄
膜層の屈折率についての情報を算定するように機能する
請求項１５に記載の装置。 （１８）前記入射プローブビームが前記基板の表面上に
約１ミクロンかそれ以下の直径に焦点合わせされる請求
項１５に記載の装置。 （１９）基板の表面上の薄膜層の厚さを測定する装置に
して、プローブビームを発生させる装置と、該プローブ
ビームを前記基板の表面上に焦点合わせさせるレンズと
、 前記基板の表面から反射された後のプローブビームを受
取るとともに該反射ビームを横切る強度を、前記焦点合
わせされた入射プローブビーム内の種々の光線の、前記
基板の表面に関する入射角の関数として測定する検出器
と、 該検出器によって測定された角度依存強度測定値、入射
角、前記焦点合わせされた入射プローブビームの光線の
偏光、および層の厚さを関連づける数学モデルを使用し
て前記薄膜層の厚さを算定するプロセッサ とを含有する薄膜層の厚さ測定装置。 （２０）前記レンズが少なくとも０．５の開口数を有し
、前記プローブビームが前記基板の表面にほぼ垂直に焦
点合わせされる請求項１９に記載の装置。 （２１）前記入射プローブビームが前記基板の表面上の
約１ミクロンまたはそれ以下の直径に焦点合わせされる
請求項１９に記載の装置。 （２２）基板の表面上の薄膜層の厚さを測定する装置に
して、 プローブビームを発生させる装置と、 該プローブビームを前記基板の表面上に焦点合わせさせ
るレンズと、 前記基板の表面から反射された後のプローブビームを受
取るとともに該反射ビームを横切る強度を、前記焦点合
わせされた入射プローブビームの種々の光線の、前記基
板の表面に関する入射角の関数として測定する第１の検
出器と、前記基板の表面から反射された後のプローブビ
ームを受取るとともに該反射プローブビームの全量を測
定するための第２の検出器と、 前記第１の検出器によって測定された角度依存強度測定
値および前記第２の検出器によって測定された反射ビー
ム全量に基づく前記薄膜層の厚さを算定するプロセッサ とを含有する薄膜層の厚さ測定装置。 （２３）前記プロセッサが前記角度依存強度測定値を利
用して前記薄膜層の厚さの近似値を得るとともに前記反
射ビーム全量を利用して該近似値の不確定さを減少させ
る請求項２２に記載の装置。 （２４）前記レンズが少なくとも０．５の開口数を有し
、前記プローブビームが前記基板の表面にほぼ垂直に焦
点合わせされる請求項２２に記載の装置。 （２５）前記入射プローブビームが前記基板の表面上に
約１ミクロンまたはそれ以下の直径に焦点合わせされる
請求項２２に記載の装置。 （２６）基板の表面上に薄膜層を含む試料のパラメータ
を求める装置にして、 プローブビームを発生させる装置と、 該プローブビームを前記試料の表面上に焦点合わせさせ
るレンズと、 前記基板の表面から反射された後のプローブビームを受
取るとともに該反射ビームを横切る強度を、前記焦点合
わせされた入射プローブビーム内の種々の光線の、前記
基板の表面に関する入射角の関数として測定する検出器
と、 該検出器によつて測定された角度依存強度測定値に基づ
いて前記薄膜層の厚さ、該薄膜層または前記基板の屈折
率を含む前記試料のパラメータを算定するプロセッサ とを含有する試料のパラメータ測定装置。 （２７）前記プローブビーム中の光線が前記レンズによ
って焦点合わせされる前に直線偏光され、該プローブビ
ームは、前記試料面に入射する光線が該試料面における
入射面に関して大部分がＳ偏光成分およびＰ偏光成分を
有するように、前記基板の表面にほぼ垂直に焦点合わせ
される請求項２６に記載の装置。 （２８）前記検出器が前記焦点合わせされた入射プロー
ブビームの反射Ｓ偏光成分および反射Ｐ偏光成分の角度
依存強度を分離しかつ測定し、前記プロセッサが前記Ｓ
偏光およびＰ偏光の角度依存強度測定値を利用して前記
試料のパラメータを算定する請求項２７に記載の装置。 （２９）前記検出器が前記反射プローブビームの強度を
、前記焦点合わせされた入射プローブビームのＳ偏光成
分およびＰ偏光成分の角度依存強度を分離するように配
向された直交する２軸線に沿って測定する装置を含む請
求項２８に記載の装置。 （３０）前記焦点合わせされた入射プローブビームが、
前記薄膜層に関してブリュースタ角の近くに傾斜すると
ともに大部分がＰ偏光成分を有する少なくとも１本の光
線を有し、前記プロセッサが、さらに、前記試料にブリ
ュースタ角の近くで試料に入射する反射Ｐ偏光の強度の
測定値に基づいて該薄膜層の屈折率についての情報を算
定するように機能する請求項２８に記載の装置。 （３１）前記入射プローブビームが前記基板の表面上に
約１ミクロンまたはそれ以下の直径に焦点合わせされる
請求項２６に記載の装置。 （３２）基板の表面上の薄膜層の厚さを測定する装置に
して、 プローブビームを発生させる装置と、 該プローブビームを前記基板の表面上に焦点合わせさせ
るレンズと、 前記基板の表面から反射された後のプローブビームを受
取るとともに該反射ビームを横切る干渉効果を、前記焦
点合わせされたプローブビーム内の種々の光線の、前記
基板の表面に関する入射角の関数として測定する検出器
と、 該検出器によつて測定された角度依存干渉効果に基づい
て前記薄膜層の厚さを算定するプロセッサ とを含有する薄膜層の厚さ測定装置。 （３３）前記反射プローブビームにおける前記干渉効果
が強度変動の形式である請求項３２に記載の装置。 （３４）前記レンズが少なくとも０．５の開口数を有し
、前記プローブビームが前記基板の表面にほぼ垂直に焦
点合わせされる請求項３２に記載の装置。 （３５）前記入射プローブビームが前記基板の表面上の
約１ミクロンまたはそれ以下の直径に焦点合わせされる
請求項３２に記載の装置。 （３６）基板の表面上の薄膜層の厚さを測定する方法に
して、 プローブビームを発生させ、 該プローブビームを前記基板の表面上に焦点を合わせ、 反射プローブビームを横切る強度を、前記焦点合わせさ
れた入射プローブビームの種々の光線の、前記基板の表
面に関する入射角の関数として測定し、 この入射角に依存する強度測定値に基づいて前記薄膜層
の厚さを測定する諸段階を含有する薄膜層の厚さ測定方
法。 （３７）前記プローブビームが前記基板の表面にほぼ垂
直に焦点合わせされる請求項３６に記載の方法。 （３８）前記入射プローブビームが前記基板の表面にほ
ぼ垂直な少なくとも１本の光線を含むように焦点合わせ
される請求項３６に記載の方法。 （３９）前記入射プローブビームが前記薄膜層または前
記基板に関してブリュースタ角の近くに傾斜した少なく
とも１本の光線を含むように焦点合わせされる請求項３
６に記載の方法。 （４０）前記入射プローブビームは、前記基板に関する
入射光線の入射角度の変動を少なくとも３０度になるよ
うに焦点合わせされる請求項３６に記載の方法。 （４１）前記入射プローブビームが前記基板の表面上に
約１ミクロンまたはそれ以下の直径の焦点合わせされる
請求項３６に記載の方法。 （４２）前記プローブビームが、焦点合わせされる前に
直線偏光されるとともに前記基板に入射する光線が前記
基板面における入射面に関して大部分がＳ偏光成分およ
びＰ偏光成分を含むように該基板の表面にほぼ垂直に指
向される請求項３６に記載の方法。 （４３）さらに、前記焦点合わせされた入射プローブビ
ームのＳ偏光成分およびＰ偏光成分の角度依存強度変動
を分離し、 該Ｓ偏光およびＰ偏光の角度依存強度測定値を利用して
前記薄膜層の厚さを算定する 諸段階を含有する請求項４２に記載の方法。 （４４）前記分離段階が、前記焦点合わせされた入射プ
ローブビームのＳ偏光成分およびＰ偏光成分の角度依存
強度変動を分離するように配向された２つの直交軸線に
沿って前記反射プローブビームの強度を測定することに
よって行なわれる請求項４３に記載の方法。（４５）前
記入射プローブビームが、前記薄膜層に関してブリュー
スタ角の近くに傾斜する、大部分がＰ偏光成分の少なく
とも１本の光線を有し、さらに、前記薄膜層にブリュー
スタ角の近くで入射する反射Ｐ偏光の強度の測定値に基
づいて該薄膜層の屈折率を算定する段階を含有する請求
項４３に記載の方法。 （４６）前記角度依存強度測定値、入射角、前記焦点合
わせされた入射プローブビームの光線の偏光、および層
の厚さを関係づける数学モデルを使用して前記薄膜層の
厚さを算定する請求項３６に記載の方法。 （４７）さらに、反射プローブビームの全量を測定し、 前記角度依存強度測定値、および反射量全体の測定値に
基づいて前記薄膜層の厚さを算定する諸段階を含有する
請求項３６に記載の方法。 （４８）前記角度依存強度測定値を利用して前記薄膜層
の厚さの近似値を得るとともに前記反射された全量の測
定値を利用して該近似値の不確定さを減少させる請求項
４７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US347.812 | 1989-05-04 | ||
| US07/347,812 US4999014A (en) | 1989-05-04 | 1989-05-04 | Method and apparatus for measuring thickness of thin films |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0317505A true JPH0317505A (ja) | 1991-01-25 |
| JP2514099B2 JP2514099B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=23365380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2116410A Expired - Lifetime JP2514099B2 (ja) | 1989-05-04 | 1990-05-02 | 薄膜の厚さを測定する方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4999014A (ja) |
| EP (1) | EP0397388B1 (ja) |
| JP (1) | JP2514099B2 (ja) |
| DE (1) | DE69017947T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19733890C2 (de) * | 1996-08-04 | 2000-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verfahren zum Vermessen eines Mediums und Vorrichtung dazu |
| JP2000311334A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体の特性評価方法及び磁気記録媒体 |
| JP2007078608A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Technos Kk | 膜厚測定方法及び膜厚測定装置 |
| JP2009541735A (ja) * | 2006-06-22 | 2009-11-26 | コリア リサーチ インスティチュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス | 焦点楕円計測器 |
| JP2010101898A (ja) * | 2005-01-20 | 2010-05-06 | Zygo Corp | オブジェクト表面の特徴を求める干渉計 |
| JP2010197398A (ja) * | 2002-09-09 | 2010-09-09 | Zygo Corp | 薄膜構造の特性評価を含む、偏光解析、反射光測定および散乱光測定のための干渉計法 |
| US10222199B2 (en) | 2014-12-02 | 2019-03-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Displacement sensor, displacement detection apparatus, and displacement detection method |
Families Citing this family (192)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5166752A (en) * | 1990-01-11 | 1992-11-24 | Rudolph Research Corporation | Simultaneous multiple angle/multiple wavelength ellipsometer and method |
| US5298972A (en) * | 1990-01-22 | 1994-03-29 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for measuring polarization sensitivity of optical devices |
| WO1992012404A1 (en) * | 1991-01-11 | 1992-07-23 | Rudolph Research Corporation | Simultaneous multiple angle/multiple wavelength ellipsometer and method |
| US5159412A (en) * | 1991-03-15 | 1992-10-27 | Therma-Wave, Inc. | Optical measurement device with enhanced sensitivity |
| JPH0518858A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜の光学特性測定方法 |
| US5181080A (en) * | 1991-12-23 | 1993-01-19 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for evaluating the thickness of thin films |
| US5227623A (en) * | 1992-01-31 | 1993-07-13 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for measuring polarization mode dispersion in optical devices |
| IL104708A (en) * | 1993-02-12 | 1995-12-31 | Orbotech Ltd | Device and method for optical inspection of items |
| US5412473A (en) * | 1993-07-16 | 1995-05-02 | Therma-Wave, Inc. | Multiple angle spectroscopic analyzer utilizing interferometric and ellipsometric devices |
| US5764365A (en) * | 1993-11-09 | 1998-06-09 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Two-dimensional beam deflector |
| IL107549A (en) * | 1993-11-09 | 1996-01-31 | Nova Measuring Instr Ltd | Device for measuring the thickness of thin films |
| USRE38153E1 (en) * | 1993-11-09 | 2003-06-24 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Two-dimensional beam deflector |
| US5471303A (en) * | 1994-04-29 | 1995-11-28 | Wyko Corporation | Combination of white-light scanning and phase-shifting interferometry for surface profile measurements |
| US5548404A (en) * | 1994-09-23 | 1996-08-20 | Sunshine Medical Instruments, Inc. | Multiple wavelength polarization-modulated ellipsometer with phase-generated carrier |
| US5774222A (en) * | 1994-10-07 | 1998-06-30 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected |
| JPH10507833A (ja) * | 1994-10-21 | 1998-07-28 | サーマ−ウェイブ・インク | 分光偏光解析装置 |
| US6734967B1 (en) * | 1995-01-19 | 2004-05-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system |
| US5608526A (en) * | 1995-01-19 | 1997-03-04 | Tencor Instruments | Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system |
| EP0766812A4 (en) * | 1995-03-20 | 1998-11-25 | Univ Kansas State | ELLIPSOMETRIC MICROSCOPE |
| US6008906A (en) | 1995-08-25 | 1999-12-28 | Brown University Research Foundation | Optical method for the characterization of the electrical properties of semiconductors and insulating films |
| US5706094A (en) * | 1995-08-25 | 1998-01-06 | Brown University Research Foundation | Ultrafast optical technique for the characterization of altered materials |
| US6321601B1 (en) | 1996-08-06 | 2001-11-27 | Brown University Research Foundation | Optical method for the characterization of laterally-patterned samples in integrated circuits |
| US6175416B1 (en) | 1996-08-06 | 2001-01-16 | Brown University Research Foundation | Optical stress generator and detector |
| US5748318A (en) * | 1996-01-23 | 1998-05-05 | Brown University Research Foundation | Optical stress generator and detector |
| US5844684A (en) * | 1997-02-28 | 1998-12-01 | Brown University Research Foundation | Optical method for determining the mechanical properties of a material |
| US5748317A (en) * | 1997-01-21 | 1998-05-05 | Brown University Research Foundation | Apparatus and method for characterizing thin film and interfaces using an optical heat generator and detector |
| US5889593A (en) * | 1997-02-26 | 1999-03-30 | Kla Instruments Corporation | Optical system and method for angle-dependent reflection or transmission measurement |
| DE19708036C2 (de) * | 1997-02-27 | 2000-06-29 | Gunther Elender | Ellipsometrisches Mikroskop |
| US5838448A (en) * | 1997-03-11 | 1998-11-17 | Nikon Corporation | CMP variable angle in situ sensor |
| US5978074A (en) * | 1997-07-03 | 1999-11-02 | Therma-Wave, Inc. | Apparatus for evaluating metalized layers on semiconductors |
| US6278519B1 (en) | 1998-01-29 | 2001-08-21 | Therma-Wave, Inc. | Apparatus for analyzing multi-layer thin film stacks on semiconductors |
| US5798837A (en) | 1997-07-11 | 1998-08-25 | Therma-Wave, Inc. | Thin film optical measurement system and method with calibrating ellipsometer |
| WO1999002970A1 (en) * | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Therma-Wave, Inc. | An apparatus for analyzing multi-layer thin film stacks on semiconductors |
| US5864393A (en) * | 1997-07-30 | 1999-01-26 | Brown University Research Foundation | Optical method for the determination of stress in thin films |
| DE19734646A1 (de) * | 1997-08-11 | 1999-03-04 | Bosch Gmbh Robert | Ellipsometer-Meßvorrichtung |
| IL123575A (en) * | 1998-03-05 | 2001-08-26 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for alignment of a wafer |
| US6483580B1 (en) * | 1998-03-06 | 2002-11-19 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Spectroscopic scatterometer system |
| IL123727A (en) | 1998-03-18 | 2002-05-23 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for measurement of patterned structures |
| US6836324B2 (en) * | 1998-03-18 | 2004-12-28 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Method and apparatus for measurements of patterned structures |
| US6476920B1 (en) | 1998-03-18 | 2002-11-05 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Method and apparatus for measurements of patterned structures |
| KR100386793B1 (ko) * | 1998-04-21 | 2003-06-09 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 박막의 막두께 계측 방법 및 그 장치 및 이를 이용한 박막디바이스의 제조 방법 및 그 제조 장치 |
| US6038026A (en) * | 1998-07-07 | 2000-03-14 | Brown University Research Foundation | Apparatus and method for the determination of grain size in thin films |
| US6025918A (en) | 1998-07-07 | 2000-02-15 | Brown University Research Foundation | Apparatus and method for measurement of the mechanical properties and electromigration of thin films |
| EP0973069A3 (en) * | 1998-07-14 | 2006-10-04 | Nova Measuring Instruments Limited | Monitoring apparatus and method particularly useful in photolithographically processing substrates |
| US6212961B1 (en) | 1999-02-11 | 2001-04-10 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Buffer system for a wafer handling system |
| US8531678B2 (en) | 1999-07-09 | 2013-09-10 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Method and system for measuring patterned structures |
| IL130874A (en) * | 1999-07-09 | 2002-12-01 | Nova Measuring Instr Ltd | System and method for measuring pattern structures |
| US6340602B1 (en) * | 1999-12-10 | 2002-01-22 | Sensys Instruments | Method of measuring meso-scale structures on wafers |
| US7049633B2 (en) * | 1999-12-10 | 2006-05-23 | Tokyo Electron Limited | Method of measuring meso-scale structures on wafers |
| US6317216B1 (en) | 1999-12-13 | 2001-11-13 | Brown University Research Foundation | Optical method for the determination of grain orientation in films |
| WO2001055671A1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-08-02 | Therma-Wave, Inc. | Fiber-filtered laser system for use in measuring thin film thicknesses |
| US6535285B1 (en) | 2000-02-08 | 2003-03-18 | Therma-Wave, Inc. | Combination thermal wave and optical spectroscopy measurement system |
| US6408048B2 (en) | 2000-03-14 | 2002-06-18 | Therma-Wave, Inc. | Apparatus for analyzing samples using combined thermal wave and X-ray reflectance measurements |
| US6429943B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
| US6532076B1 (en) * | 2000-04-04 | 2003-03-11 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for multidomain data analysis |
| US20060141376A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | Ady Levy | Methods and systems for controlling variation in dimensions of patterned features across a wafer |
| JP2003532306A (ja) * | 2000-05-04 | 2003-10-28 | ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション | リソグラフィ・プロセス制御のための方法およびシステム |
| US6462817B1 (en) | 2000-05-12 | 2002-10-08 | Carlos Strocchia-Rivera | Method of monitoring ion implants by examination of an overlying masking material |
| US6532070B1 (en) | 2000-07-17 | 2003-03-11 | Therma-Wave, Inc. | Method for determining ion concentration and energy of shallow junction implants |
| US6510395B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-01-21 | Sensys Instruments Corporation | Method of detecting residue on a polished wafer |
| US6307628B1 (en) * | 2000-08-18 | 2001-10-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method and apparatus for CMP end point detection using confocal optics |
| US6781692B1 (en) | 2000-08-28 | 2004-08-24 | Therma-Wave, Inc. | Method of monitoring the fabrication of thin film layers forming a DWDM filter |
| US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
| US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
| US7130029B2 (en) | 2000-09-20 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen |
| US6673637B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Technologies | Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen |
| US7106425B1 (en) | 2000-09-20 | 2006-09-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen |
| US6633831B2 (en) * | 2000-09-20 | 2003-10-14 | Kla Tencor Technologies | Methods and systems for determining a critical dimension and a thin film characteristic of a specimen |
| US6919957B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-07-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen |
| US6812045B1 (en) | 2000-09-20 | 2004-11-02 | Kla-Tencor, Inc. | Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation |
| US6891627B1 (en) | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
| US7349090B2 (en) * | 2000-09-20 | 2008-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography |
| US6694284B1 (en) | 2000-09-20 | 2004-02-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining at least four properties of a specimen |
| US6782337B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen |
| WO2002046713A2 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Cyberoptics Corporation | Automated system with improved height sensing |
| US6731386B2 (en) | 2001-01-04 | 2004-05-04 | Agere Systems Inc. | Measurement technique for ultra-thin oxides |
| US20030002043A1 (en) * | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
| US6677170B1 (en) * | 2001-05-23 | 2004-01-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for determining process layer thickness using scatterometry measurements |
| US6704661B1 (en) * | 2001-07-16 | 2004-03-09 | Therma-Wave, Inc. | Real time analysis of periodic structures on semiconductors |
| US6678046B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-01-13 | Therma-Wave, Inc. | Detector configurations for optical metrology |
| JP4242767B2 (ja) * | 2001-09-21 | 2009-03-25 | ケイマック | ２次元型検出器を用いた薄膜特性測定装置及びその測定方法 |
| WO2003054475A2 (en) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Parametric profiling using optical spectroscopic systems |
| US6813034B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-11-02 | Therma-Wave, Inc. | Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
| US7061627B2 (en) * | 2002-03-13 | 2006-06-13 | Therma-Wave, Inc. | Optical scatterometry of asymmetric lines and structures |
| US7079249B2 (en) * | 2002-06-21 | 2006-07-18 | Therma-Wave, Inc. | Modulated reflectance measurement system with fiber laser technology |
| US7046376B2 (en) * | 2002-07-05 | 2006-05-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay |
| US7869057B2 (en) * | 2002-09-09 | 2011-01-11 | Zygo Corporation | Multiple-angle multiple-wavelength interferometer using high-NA imaging and spectral analysis |
| US7139081B2 (en) * | 2002-09-09 | 2006-11-21 | Zygo Corporation | Interferometry method for ellipsometry, reflectometry, and scatterometry measurements, including characterization of thin film structures |
| US6867862B2 (en) * | 2002-11-20 | 2005-03-15 | Mehrdad Nikoonahad | System and method for characterizing three-dimensional structures |
| US7440105B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
| JP4746987B2 (ja) | 2002-12-05 | 2011-08-10 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
| US6859119B2 (en) * | 2002-12-26 | 2005-02-22 | Motorola, Inc. | Meso-microelectromechanical system package |
| US7116429B1 (en) * | 2003-01-18 | 2006-10-03 | Walecki Wojciech J | Determining thickness of slabs of materials by inventors |
| US7271918B2 (en) * | 2003-03-06 | 2007-09-18 | Zygo Corporation | Profiling complex surface structures using scanning interferometry |
| US7106454B2 (en) * | 2003-03-06 | 2006-09-12 | Zygo Corporation | Profiling complex surface structures using scanning interferometry |
| US7324214B2 (en) * | 2003-03-06 | 2008-01-29 | Zygo Corporation | Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features |
| US7054006B2 (en) * | 2003-05-20 | 2006-05-30 | Therma-Wave, Inc. | Self-calibrating beam profile ellipsometer |
| US7349107B2 (en) * | 2003-07-07 | 2008-03-25 | Lockheed Martin Corporation | System and method for correction for angular spread in determining optical properties of materials |
| US7298494B2 (en) * | 2003-09-15 | 2007-11-20 | Zygo Corporation | Methods and systems for interferometric analysis of surfaces and related applications |
| FR2859781B1 (fr) * | 2003-09-17 | 2007-07-06 | Commissariat Energie Atomique | Utilisation de la transformee de fourier optique pour le controle dimensionnel en microelectronique |
| US7280215B2 (en) * | 2003-09-24 | 2007-10-09 | Therma-Wave, Inc. | Photothermal system with spectroscopic pump and probe |
| FR2860298B1 (fr) * | 2003-09-25 | 2007-06-15 | Robert Andre Marcel Stehle | Ellipsometre spectroscopique a polarisation incidente et analyseur fixes |
| TWI335417B (en) | 2003-10-27 | 2011-01-01 | Zygo Corp | Method and apparatus for thin film measurement |
| US7821655B2 (en) | 2004-02-09 | 2010-10-26 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ absolute measurement process and apparatus for film thickness, film removal rate, and removal endpoint prediction |
| US7215431B2 (en) * | 2004-03-04 | 2007-05-08 | Therma-Wave, Inc. | Systems and methods for immersion metrology |
| US7492463B2 (en) | 2004-04-15 | 2009-02-17 | Davidson Instruments Inc. | Method and apparatus for continuous readout of Fabry-Perot fiber optic sensor |
| US7286243B2 (en) * | 2004-04-19 | 2007-10-23 | Arist Instruments, Inc. | Beam profile complex reflectance system and method for thin film and critical dimension measurements |
| US7349079B2 (en) * | 2004-05-14 | 2008-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for measurement or analysis of a nitrogen concentration of a specimen |
| US7564552B2 (en) * | 2004-05-14 | 2009-07-21 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light |
| US7359052B2 (en) * | 2004-05-14 | 2008-04-15 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light |
| US7067819B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measurement or analysis of a specimen using separated spectral peaks in light |
| US20060012582A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | De Lega Xavier C | Transparent film measurements |
| US20080144036A1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
| US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
| US7489399B1 (en) | 2004-08-20 | 2009-02-10 | Kla-Tencor Corporation | Spectroscopic multi angle ellipsometry |
| US7345761B1 (en) * | 2004-09-20 | 2008-03-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Film measurement |
| US7190453B1 (en) * | 2004-09-20 | 2007-03-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Film measurement |
| US7206070B2 (en) * | 2004-11-15 | 2007-04-17 | Therma-Wave, Inc. | Beam profile ellipsometer with rotating compensator |
| EP1681540A1 (en) | 2004-12-21 | 2006-07-19 | Davidson Instruments, Inc. | Multi-channel array processor |
| US7864329B2 (en) | 2004-12-21 | 2011-01-04 | Halliburton Energy Services, Inc. | Fiber optic sensor system having circulators, Bragg gratings and couplers |
| US7515253B2 (en) | 2005-01-12 | 2009-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System for measuring a sample with a layer containing a periodic diffracting structure |
| US7884947B2 (en) * | 2005-01-20 | 2011-02-08 | Zygo Corporation | Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination |
| US7408641B1 (en) | 2005-02-14 | 2008-08-05 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Measurement systems configured to perform measurements of a specimen and illumination subsystems configured to provide illumination for a measurement system |
| WO2006091859A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Accent Optical Technologies, Inc. | Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry |
| WO2006101923A2 (en) | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Davidson Instruments, Inc | High intensity fabry-perot sensor |
| EP1883781B1 (en) * | 2005-05-19 | 2019-08-07 | Zygo Corporation | Analyzing low-coherence interferometry signals for thin film structures |
| US7742705B2 (en) | 2005-05-23 | 2010-06-22 | Futurewei Technologies, Inc. | System and method for chirped light source |
| WO2007044786A2 (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Zygo Corporation | Interferometry method and system including spectral decomposition |
| US7567351B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-07-28 | Kla-Tencor Corporation | High resolution monitoring of CD variations |
| JP2009532668A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | オーボテック リミテッド | 連続する角度範囲に渡って選択可能な照明を利用する検査システム |
| US7684051B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-03-23 | Halliburton Energy Services, Inc. | Fiber optic seismic sensor based on MEMS cantilever |
| WO2007126475A2 (en) | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Davidson Instruments, Inc. | Fiber optic mems seismic sensor with mass supported by hinged beams |
| US7522288B2 (en) * | 2006-07-21 | 2009-04-21 | Zygo Corporation | Compensation of systematic effects in low coherence interferometry |
| US7502104B2 (en) * | 2006-08-10 | 2009-03-10 | Kla-Tencor Corporation | Probe beam profile modulated optical reflectance system and methods |
| US8115937B2 (en) | 2006-08-16 | 2012-02-14 | Davidson Instruments | Methods and apparatus for measuring multiple Fabry-Perot gaps |
| DE102007043937B4 (de) * | 2006-09-13 | 2010-10-07 | Innovent E.V. | Verfahren zur Bestimmung der Dicke und des Brechungsindex von optisch transparenten Schichten auf optisch transparenten planparallelen Substraten |
| EP2097713A4 (en) * | 2006-12-22 | 2010-09-15 | Zygo Corp | DEVICE AND METHOD FOR MEASURING SURFACE PROPERTIES |
| CA2676246C (en) | 2007-01-24 | 2013-03-19 | Halliburton Energy Services, Inc. | Transducer for measuring environmental parameters |
| US7889355B2 (en) * | 2007-01-31 | 2011-02-15 | Zygo Corporation | Interferometry for lateral metrology |
| GB0706288D0 (en) | 2007-03-30 | 2007-05-09 | Nightingale Eos Ltd | Method for measuring the thickness or curvature of thin films |
| US7619746B2 (en) * | 2007-07-19 | 2009-11-17 | Zygo Corporation | Generating model signals for interferometry |
| US8072611B2 (en) * | 2007-10-12 | 2011-12-06 | Zygo Corporation | Interferometric analysis of under-resolved features |
| US7978337B2 (en) * | 2007-11-13 | 2011-07-12 | Zygo Corporation | Interferometer utilizing polarization scanning |
| WO2009079334A2 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Zygo Corporation | Analyzing surface structure using scanning interferometry |
| NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
| JP2009182046A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板周縁部処理装置の検査方法 |
| WO2010037106A2 (en) | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Kla-Tencor Corporation | Illumination subsystems of a metrology system, metrology systems, and methods for illuminating a specimen for metrology measurements |
| US9080991B2 (en) * | 2008-09-29 | 2015-07-14 | Kla-Tencor Corp. | Illuminating a specimen for metrology or inspection |
| US8004688B2 (en) * | 2008-11-26 | 2011-08-23 | Zygo Corporation | Scan error correction in low coherence scanning interferometry |
| US8125641B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-02-28 | N&K Technology, Inc. | Method and apparatus for phase-compensated sensitivity-enhanced spectroscopy (PCSES) |
| PL2251454T3 (pl) | 2009-05-13 | 2014-12-31 | Sio2 Medical Products Inc | Powlekanie i kontrola pojemnika |
| US7985188B2 (en) * | 2009-05-13 | 2011-07-26 | Cv Holdings Llc | Vessel, coating, inspection and processing apparatus |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| US8441639B2 (en) * | 2009-09-03 | 2013-05-14 | Kla-Tencor Corp. | Metrology systems and methods |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
| GB201009040D0 (en) | 2010-05-28 | 2010-07-14 | Nightingale Eos Ltd | Apparatus and method for locating the centre of a beam profile |
| GB201009039D0 (en) | 2010-05-28 | 2010-07-14 | Nightingale Eos Ltd | Apparatus and method for compensating for sample misalignment |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| US9793673B2 (en) | 2011-06-13 | 2017-10-17 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier |
| TWI414385B (zh) * | 2011-08-05 | 2013-11-11 | Ind Tech Res Inst | 應用於雷射加工之深度即時監控系統及其方法 |
| US10189603B2 (en) | 2011-11-11 | 2019-01-29 | Sio2 Medical Products, Inc. | Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
| US8675188B2 (en) | 2012-01-09 | 2014-03-18 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for determining one or more optical characteristics of structure of a semiconductor wafer |
| US8879073B2 (en) * | 2012-02-24 | 2014-11-04 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology using targets with field enhancement elements |
| DE102012102756A1 (de) | 2012-03-30 | 2013-10-02 | Hseb Dresden Gmbh | Verfahren zur Detektion vergrabener Schichten |
| EP2846755A1 (en) | 2012-05-09 | 2015-03-18 | SiO2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
| KR101383652B1 (ko) * | 2012-10-15 | 2014-04-09 | 한국표준과학연구원 | 분자접합특성 및 완충용액 굴절률 동시 측정장치 및 측정방법 |
| CA2890066C (en) | 2012-11-01 | 2021-11-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
| US9903782B2 (en) | 2012-11-16 | 2018-02-27 | Sio2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
| WO2014085348A2 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like |
| US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| US9151940B2 (en) | 2012-12-05 | 2015-10-06 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier |
| US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
| CN105392916B (zh) | 2013-03-11 | 2019-03-08 | Sio2医药产品公司 | 涂布包装材料 |
| KR20140112230A (ko) * | 2013-03-13 | 2014-09-23 | 삼성전자주식회사 | 막의 불균일도 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| US9863042B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases |
| US9804101B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-10-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser |
| WO2015148471A1 (en) | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
| US9525265B2 (en) | 2014-06-20 | 2016-12-20 | Kla-Tencor Corporation | Laser repetition rate multiplier and flat-top beam profile generators using mirrors and/or prisms |
| US9860466B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems |
| BR112018003051B1 (pt) | 2015-08-18 | 2022-12-06 | Sio2 Medical Products, Inc | Tubo de coleta de sangue submetido a vácuo |
| US9865447B2 (en) | 2016-03-28 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corporation | High brightness laser-sustained plasma broadband source |
| US10313622B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor |
| US10778925B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology |
| US10451412B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-10-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
| RU2641639C2 (ru) * | 2016-05-16 | 2018-01-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) | Способ измерения толщины тонкой пленки и картирования топографии ее поверхности с помощью интерферометра белого света |
| US10495287B1 (en) | 2017-01-03 | 2019-12-03 | Kla-Tencor Corporation | Nanocrystal-based light source for sample characterization |
| US11662646B2 (en) | 2017-02-05 | 2023-05-30 | Kla Corporation | Inspection and metrology using broadband infrared radiation |
| US11067389B2 (en) | 2018-03-13 | 2021-07-20 | Kla Corporation | Overlay metrology system and method |
| CN111912785B (zh) * | 2020-07-22 | 2023-06-23 | 深圳信息职业技术学院 | 一种光学常数测量方法与光学常数测量设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63186130A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-01 | Yokogawa Electric Corp | エリプソメ−タ |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2587282A (en) * | 1951-02-27 | 1952-02-26 | Gen Electric | Step gauge for measuring thickness of thin films |
| US2897371A (en) * | 1956-08-01 | 1959-07-28 | Applied Res Lab Inc | Spectroscopy |
| US2973686A (en) * | 1957-10-11 | 1961-03-07 | Gen Precision Inc | Apparatus for spectrophotometric monitoring of thin film coatings |
| US3017512A (en) * | 1959-06-29 | 1962-01-16 | American Can Co | Coating thickness gauge |
| US3601492A (en) * | 1967-11-20 | 1971-08-24 | Monsanto Co | Apparatus for measuring film thickness |
| FR2076237A5 (ja) * | 1970-01-07 | 1971-10-15 | Thomson Csf | |
| US3737237A (en) * | 1971-11-18 | 1973-06-05 | Nasa | Monitoring deposition of films |
| US3824017A (en) * | 1973-03-26 | 1974-07-16 | Ibm | Method of determining the thickness of contiguous thin films on a substrate |
| JPS533363A (en) * | 1976-06-30 | 1978-01-13 | Canon Inc | Measurement method and measurement device |
| US4293224A (en) * | 1978-12-04 | 1981-10-06 | International Business Machines Corporation | Optical system and technique for unambiguous film thickness monitoring |
| JPS567006A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-24 | Ibm | Method of extending measurement range of interference |
| US4355903A (en) * | 1980-02-08 | 1982-10-26 | Rca Corporation | Thin film thickness monitor |
| US4308586A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-29 | Nanometrics, Incorporated | Method for the precise determination of photoresist exposure time |
| US4367044A (en) * | 1980-12-31 | 1983-01-04 | International Business Machines Corp. | Situ rate and depth monitor for silicon etching |
| US4453828A (en) * | 1981-12-02 | 1984-06-12 | Advanced Semiconductor Products, Inc. | Apparatus and methods for measuring the optical thickness and index of refraction of thin, optical membranes |
| US4555767A (en) * | 1982-05-27 | 1985-11-26 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring thickness of epitaxial layer by infrared reflectance |
| US4582431A (en) * | 1983-10-11 | 1986-04-15 | Honeywell Inc. | Optical monitor for direct thickness control of transparent films |
| JPS60127403A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-08 | Anritsu Corp | 厚み測定装置 |
| US4672196A (en) * | 1984-02-02 | 1987-06-09 | Canino Lawrence S | Method and apparatus for measuring properties of thin materials using polarized light |
| US4611919A (en) * | 1984-03-09 | 1986-09-16 | Tegal Corporation | Process monitor and method thereof |
| US4618262A (en) * | 1984-04-13 | 1986-10-21 | Applied Materials, Inc. | Laser interferometer system and method for monitoring and controlling IC processing |
| US4660979A (en) * | 1984-08-17 | 1987-04-28 | At&T Technologies, Inc. | Method and apparatus for automatically measuring semiconductor etching process parameters |
| JPS6176904A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Oak Seisakusho:Kk | 膜厚測定方法 |
| JPH0654221B2 (ja) * | 1985-04-12 | 1994-07-20 | 株式会社日立製作所 | 段差測定装置およびその方法 |
| US4815856A (en) * | 1986-06-05 | 1989-03-28 | Storage Technology Partners Ii | Method and apparatus for measuring the absolute thickness of dust defocus layers |
| US4873430A (en) * | 1988-10-25 | 1989-10-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for optically measuring characteristics of a thin film by directing a P-polarized beam through an integrating sphere at the brewster's angle of the film |
-
1989
- 1989-05-04 US US07/347,812 patent/US4999014A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-02 EP EP90304800A patent/EP0397388B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-02 DE DE69017947T patent/DE69017947T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-02 JP JP2116410A patent/JP2514099B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63186130A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-01 | Yokogawa Electric Corp | エリプソメ−タ |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19733890C2 (de) * | 1996-08-04 | 2000-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verfahren zum Vermessen eines Mediums und Vorrichtung dazu |
| US6172752B1 (en) | 1996-08-04 | 2001-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for simultaneously interferometrically measuring optical characteristics in a noncontact manner |
| JP2000311334A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体の特性評価方法及び磁気記録媒体 |
| JP2010197398A (ja) * | 2002-09-09 | 2010-09-09 | Zygo Corp | 薄膜構造の特性評価を含む、偏光解析、反射光測定および散乱光測定のための干渉計法 |
| JP2010101898A (ja) * | 2005-01-20 | 2010-05-06 | Zygo Corp | オブジェクト表面の特徴を求める干渉計 |
| JP2007078608A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Technos Kk | 膜厚測定方法及び膜厚測定装置 |
| JP2009541735A (ja) * | 2006-06-22 | 2009-11-26 | コリア リサーチ インスティチュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス | 焦点楕円計測器 |
| US10222199B2 (en) | 2014-12-02 | 2019-03-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Displacement sensor, displacement detection apparatus, and displacement detection method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69017947D1 (de) | 1995-04-27 |
| DE69017947T2 (de) | 1995-11-16 |
| EP0397388A3 (en) | 1992-01-02 |
| JP2514099B2 (ja) | 1996-07-10 |
| EP0397388A2 (en) | 1990-11-14 |
| US4999014A (en) | 1991-03-12 |
| EP0397388B1 (en) | 1995-03-22 |
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