JPS6379329A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6379329A JPS6379329A JP22451886A JP22451886A JPS6379329A JP S6379329 A JPS6379329 A JP S6379329A JP 22451886 A JP22451886 A JP 22451886A JP 22451886 A JP22451886 A JP 22451886A JP S6379329 A JPS6379329 A JP S6379329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- implanted
- manufacturing
- oxygen
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 12
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 4
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 2
- 238000009395 breeding Methods 0.000 abstract 1
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N [Au]=O Chemical compound [Au]=O KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体装置の製造方法に関するもので、特
に製造工程中に発生する転位の防止に係わる。
に製造工程中に発生する転位の防止に係わる。
（従来の技術）
一般に、半導体装置に使用されるウェーハには、その製
造工程中に発生する転位の増殖を防止するために、半導
体装置の特性とは無関保で且つその特性を損なうことの
ない不純物の混入が行なわれている。従来は、このよう
な目的の不純物として酸素が用いられ、ウェーハ中に１
．０〜２．ＯＸ１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ 程度混入
していた。しかしながら、製造工程中に１１００℃以上
の高温の熱処理が行なわれると、表面の酸素濃度が低下
するためウェーハの機械的強度も低下し、転位が発生し
ゃすくなる欠点がある。しかも、半導体基板（ウェーハ
）をエツチングして溝を形成する構造のデバイスにおい
ては、特に溝の開口部や底部に転位が発生しやすくなる
。
造工程中に発生する転位の増殖を防止するために、半導
体装置の特性とは無関保で且つその特性を損なうことの
ない不純物の混入が行なわれている。従来は、このよう
な目的の不純物として酸素が用いられ、ウェーハ中に１
．０〜２．ＯＸ１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ 程度混入
していた。しかしながら、製造工程中に１１００℃以上
の高温の熱処理が行なわれると、表面の酸素濃度が低下
するためウェーハの機械的強度も低下し、転位が発生し
ゃすくなる欠点がある。しかも、半導体基板（ウェーハ
）をエツチングして溝を形成する構造のデバイスにおい
ては、特に溝の開口部や底部に転位が発生しやすくなる
。
第２図（ａ）〜（６）は、１１００℃以上の熱処理と基
板エツチングによる溝堀）工程の含まれる半導体装置の
製造工程の一部を示すウェーハの断面図である。ここに
示す工程は、半導体基板と異なりた導電型の不純物拡散
層と溝堀シ構造を形成する工程を示すもので、まず（ａ
）図に示すように、酸素濃度が１．６ Ｘ １０ 、
ａｔｏｍｓ／ｃ！ｎのＮ型シリコンウェーハＪ１を１０
００℃の乾燥酸素雰囲気中にさらして膜厚が１００ＯＸ
のシリコン酸化膜（ＳＩ０２膜）１２を形成する。その
後、上記５ｉｏ２膜１２上にレジスト１３を塗布し、こ
のレゾスト１３に開孔１３ｍを形成した後、上記レゾス
ト１３をマスクＫ ｔ、テ＋ｖ ｏ ７に加速電圧１５
０ ｋｅＶ”ｔ” １．ＯＸｌ ０１３ａｔｏｍｓ／σ
程度の濃度に選択的にイオン注入する。
板エツチングによる溝堀）工程の含まれる半導体装置の
製造工程の一部を示すウェーハの断面図である。ここに
示す工程は、半導体基板と異なりた導電型の不純物拡散
層と溝堀シ構造を形成する工程を示すもので、まず（ａ
）図に示すように、酸素濃度が１．６ Ｘ １０ 、
ａｔｏｍｓ／ｃ！ｎのＮ型シリコンウェーハＪ１を１０
００℃の乾燥酸素雰囲気中にさらして膜厚が１００ＯＸ
のシリコン酸化膜（ＳＩ０２膜）１２を形成する。その
後、上記５ｉｏ２膜１２上にレジスト１３を塗布し、こ
のレゾスト１３に開孔１３ｍを形成した後、上記レゾス
ト１３をマスクＫ ｔ、テ＋ｖ ｏ ７に加速電圧１５
０ ｋｅＶ”ｔ” １．ＯＸｌ ０１３ａｔｏｍｓ／σ
程度の濃度に選択的にイオン注入する。
次に、上記レジスト１３を剥離し、注入した♂ロンを１
２００℃の窒素雰囲気中で１０時間程度熱処理して拡散
させ、シリコンウェーハ１ノと異なる導電型であるＰ型
のウェル領域（不純物拡散層）１４を形成する。その後
、上記５１０２膜１２上に気相成長によって５１０２膜
１５を５００ＯＸ程度の膜厚に堆積形成し、レジストを
マスクにしてこのＳ ｉ０２ 膜１５をエツチングして
開孔１５．’ｆｉ形成すると（ｂ）図に示すようになる
。
２００℃の窒素雰囲気中で１０時間程度熱処理して拡散
させ、シリコンウェーハ１ノと異なる導電型であるＰ型
のウェル領域（不純物拡散層）１４を形成する。その後
、上記５１０２膜１２上に気相成長によって５１０２膜
１５を５００ＯＸ程度の膜厚に堆積形成し、レジストを
マスクにしてこのＳ ｉ０２ 膜１５をエツチングして
開孔１５．’ｆｉ形成すると（ｂ）図に示すようになる
。
次に、（、）図に示す如く、上記５ＩＯ２膜１５をマス
クにしてシリコンウェー八１１をエツチングし、溝１６
を形成する。
クにしてシリコンウェー八１１をエツチングし、溝１６
を形成する。
その後、１０００℃の乾燥酸素雰囲気中で熱処理を行な
い、上記溝１６内にＳＩＯ□膜１７全１７しく（ｄ）図
）、さらに気相成長によりｓｈｏ２ｍ１ｇ ２５０００
Ｘ程度堆槓形成した後、１０００℃の窒素雰囲気中で３
０分熱処理すると（＠）図に示すようになる。
い、上記溝１６内にＳＩＯ□膜１７全１７しく（ｄ）図
）、さらに気相成長によりｓｈｏ２ｍ１ｇ ２５０００
Ｘ程度堆槓形成した後、１０００℃の窒素雰囲気中で３
０分熱処理すると（＠）図に示すようになる。
ところで、上述したように従来はウェーハの機械的強度
を上げるために、半導体装置の特性に悪影響を与えない
酸素の含有率の多いウェーハを用いていた。しかし、半
導体装置の製造工程中に高温（１１００℃以上）の熱処
理が行なわれるとこの熱処理時にウェーハ表面の酸素が
外拡散して酸素濃度が低下する。このため、その後の工
程においては転位の増殖を妨たげるものがなくなり、ウ
ェーハ表面に転位が発生してしまうことがある。
を上げるために、半導体装置の特性に悪影響を与えない
酸素の含有率の多いウェーハを用いていた。しかし、半
導体装置の製造工程中に高温（１１００℃以上）の熱処
理が行なわれるとこの熱処理時にウェーハ表面の酸素が
外拡散して酸素濃度が低下する。このため、その後の工
程においては転位の増殖を妨たげるものがなくなり、ウ
ェーハ表面に転位が発生してしまうことがある。
特に、０ＭＯ８型のデバイスにおいては、部分的にウェ
ーハと異なった導電型の不純物拡散層であるウェル領域
を必要とし、このウェル領域の形成のための拡散時には
１２００℃程度の高温で数時間もの拡散時間を必要とす
る。この際、ウェーハ表面の酸素は外拡散し、機械的強
度が低下するという問題がおる。
ーハと異なった導電型の不純物拡散層であるウェル領域
を必要とし、このウェル領域の形成のための拡散時には
１２００℃程度の高温で数時間もの拡散時間を必要とす
る。この際、ウェーハ表面の酸素は外拡散し、機械的強
度が低下するという問題がおる。
また、トレンチ構造等のようにウェーハに溝を形成する
デバイスにおいては、応力の集中しやすい溝の開口部付
近や底部で転位が発生しやすく、特にＣＭＯ８型デバ型
入バイス造を有するものでは転位が多発する欠点がある
。
デバイスにおいては、応力の集中しやすい溝の開口部付
近や底部で転位が発生しやすく、特にＣＭＯ８型デバ型
入バイス造を有するものでは転位が多発する欠点がある
。
（発明が解決しようとする問題点）
上述したように従来の半導体装置の製造方法では、１１
００℃以上の熱処理工程とウェーハのエツチング工程を
行なうと転位の増殖が発生してウェーハの機械的強度が
低下する欠点がある。
００℃以上の熱処理工程とウェーハのエツチング工程を
行なうと転位の増殖が発生してウェーハの機械的強度が
低下する欠点がある。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、１１００℃以上の熱処理工程
とウェーハのエツチング工程を有する半導体装置におい
て、転位の増殖を防止してウェーハの機械的強度を向上
できる半導体装置の製造方法を提供することである。
その目的とするところは、１１００℃以上の熱処理工程
とウェーハのエツチング工程を有する半導体装置におい
て、転位の増殖を防止してウェーハの機械的強度を向上
できる半導体装置の製造方法を提供することである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち、この発明にお′いては、上記の目的を達成す
るために、１１００℃以上の熱処理を行なった後に、酸
素あるいは窒素をクエーハ表面にイオン注入するととも
に、ウェーハのエツチング工程の後に溝内に酸素あるい
は窒素をイオン注入している。
るために、１１００℃以上の熱処理を行なった後に、酸
素あるいは窒素をクエーハ表面にイオン注入するととも
に、ウェーハのエツチング工程の後に溝内に酸素あるい
は窒素をイオン注入している。
（作用）
こうすることによシ、１１００℃以上の熱処理によって
ウェーハの光面から外拡散した酸素金補うことができる
ので、ウェーハの塑性変形を防げる（転位の増殖を防止
して機械的強度を向上できる）、また、応力が集中して
転位の増殖が起こシやすい溝の底部にも酸素または窒素
をイオン注入するので、ウェーハの機械的強度をさらに
向上できる。
ウェーハの光面から外拡散した酸素金補うことができる
ので、ウェーハの塑性変形を防げる（転位の増殖を防止
して機械的強度を向上できる）、また、応力が集中して
転位の増殖が起こシやすい溝の底部にも酸素または窒素
をイオン注入するので、ウェーハの機械的強度をさらに
向上できる。
（実施例）
以下、この発明の一冥施例について図面を参照して説明
する。第１図（＆）〜（、）は、前記第２回（ａ）〜（
、）に対応する半導体装置の製造工程の一部を示してい
る。まず、（＆）図に示す如く、酸素濃度が１、６ Ｘ
１０ ａｔｏｍｓ／ｃｙのＮＷシリコンウェーハ１
９ｔ−１０００℃の乾燥酸素雰囲気中にさらして膜厚が
１０００Ｘの５ｉｏ２膜２０を形成する。次に、上記５
１０２膜２０上にレジスト２１を塗布し、このレジスト
２１に開孔２１ｈを形成する。そして、上記レジスト２
１をマスクにしてゾロンを加速電圧１５０ ｋｅＶで１
゜ＯＸ １０ ａｔｏｍｓ／ｃ！ｎ程度の濃度に選択
的にイオン注入する。その後、上記レジスト２ノを剥離
し、注入したボロンを１２００℃の窒素雰囲気中で１０
時間程度熱処理して拡散嘔せる。これによりて、シリコ
ンウェーハ１ノにおける上記レジスト２ノの開孔部２１
ａに対応した部分には、Ｐ型のウェル領域２２が形成さ
れる１次に、窒素（または酸素）を８０ ｋｅＶの加速
電圧で１、４ Ｘ １０ ａｔｏｎｏａ／ｍ程度の濃
度にイオン注入する（（ｂ）図）。
する。第１図（＆）〜（、）は、前記第２回（ａ）〜（
、）に対応する半導体装置の製造工程の一部を示してい
る。まず、（＆）図に示す如く、酸素濃度が１、６ Ｘ
１０ ａｔｏｍｓ／ｃｙのＮＷシリコンウェーハ１
９ｔ−１０００℃の乾燥酸素雰囲気中にさらして膜厚が
１０００Ｘの５ｉｏ２膜２０を形成する。次に、上記５
１０２膜２０上にレジスト２１を塗布し、このレジスト
２１に開孔２１ｈを形成する。そして、上記レジスト２
１をマスクにしてゾロンを加速電圧１５０ ｋｅＶで１
゜ＯＸ １０ ａｔｏｍｓ／ｃ！ｎ程度の濃度に選択
的にイオン注入する。その後、上記レジスト２ノを剥離
し、注入したボロンを１２００℃の窒素雰囲気中で１０
時間程度熱処理して拡散嘔せる。これによりて、シリコ
ンウェーハ１ノにおける上記レジスト２ノの開孔部２１
ａに対応した部分には、Ｐ型のウェル領域２２が形成さ
れる１次に、窒素（または酸素）を８０ ｋｅＶの加速
電圧で１、４ Ｘ １０ ａｔｏｎｏａ／ｍ程度の濃
度にイオン注入する（（ｂ）図）。
次に、上記５１０２膜２０上に気相成長により５１０２
膜、？５ｆ５０００１の膜厚に堆積形成し、レジストを
マスクにして上記Ｓ’ｔＯ２ｇ２３をエツチングするこ
とによシ開孔２３ｈを形成する。その後、上記５ｉｏ２
膜２３をマスクにしてシリコンウェーハ１９をエツチン
グして溝２４を形成すると（、）図に示すようになる。
膜、？５ｆ５０００１の膜厚に堆積形成し、レジストを
マスクにして上記Ｓ’ｔＯ２ｇ２３をエツチングするこ
とによシ開孔２３ｈを形成する。その後、上記５ｉｏ２
膜２３をマスクにしてシリコンウェーハ１９をエツチン
グして溝２４を形成すると（、）図に示すようになる。
次に、（ｄ）図に示すように、上記エツチングによシ形
成された４２４ＦＦ３に、１０００℃の乾燥酸素雰囲気
中で膜厚が５００Ｘの５ｉ０２膜２５を形成する。その
後、上記５１０２膜２３をマスクにして溝２４の底部に
窒素（または酸素）を８０ ｋｅＶの加速電圧で１．４
Ｘ Ｘ Ｏａｔｏｍｓ／ｃｍ程度の磯度にイオン注入
する。
成された４２４ＦＦ３に、１０００℃の乾燥酸素雰囲気
中で膜厚が５００Ｘの５ｉ０２膜２５を形成する。その
後、上記５１０２膜２３をマスクにして溝２４の底部に
窒素（または酸素）を８０ ｋｅＶの加速電圧で１．４
Ｘ Ｘ Ｏａｔｏｍｓ／ｃｍ程度の磯度にイオン注入
する。
そして、（＠）図に示すように上記５１０２膜２３上お
よび溝２４内の８１０２．＋ＩＪｌＳ上に気相成長によ
り５１０２膜２６を５ｏｏｏ１程度形成し、１０００℃
の窒素雰囲気中で３０分間熱処理する。
よび溝２４内の８１０２．＋ＩＪｌＳ上に気相成長によ
り５１０２膜２６を５ｏｏｏ１程度形成し、１０００℃
の窒素雰囲気中で３０分間熱処理する。
なお、上記（ｂ）図および（ｄ）図に示した工程におい
て、窒素をイオン注入する場合、少なくとも５０に＠Ｖ
以上の加速電圧で少なくとも１．４Ｘ１０”ａｔｏｍｓ
／ｃｍ以上の量、酸素をイオン注入する場合には少なく
とも５０ ｋｓＶ以上の加速電圧で少なくとも４．３
Ｘ １０ ａｔｏｒｎａ／ｍ以上の曾イオン注入する
ことにより転位の増殖効果が得られる。
て、窒素をイオン注入する場合、少なくとも５０に＠Ｖ
以上の加速電圧で少なくとも１．４Ｘ１０”ａｔｏｍｓ
／ｃｍ以上の量、酸素をイオン注入する場合には少なく
とも５０ ｋｓＶ以上の加速電圧で少なくとも４．３
Ｘ １０ ａｔｏｒｎａ／ｍ以上の曾イオン注入する
ことにより転位の増殖効果が得られる。
このような製造方法によれば、１１００℃以上の熱処理
工程の後に窒素（′または酸素）のイオン注入を行なう
ので、シリコンウェー八表面の酸素が外拡散しても上記
窒素によって転位の増殖を防ぐことができ、シリコンウ
ェーハの機械的強度の低下を防止できる。また、シリコ
ンウェーハをエツチングして溝を形成した銹、この溝内
に室累（または酸素）ｔ−イオン注入しているので、溝
周辺に転位が発生しないため、機械的強度の低下を防止
できるとともに、上記溝内にキャパシタを形成した場合
にはキャリアのリークが少なく、良好な特性が得られる
。本発明の製造方法を用いた半導体装置は、従来の製造
方法で形成した半導体装置に比べて転位の発生を約１／
１００にできることをＷＬ 実壌により確認した。
工程の後に窒素（′または酸素）のイオン注入を行なう
ので、シリコンウェー八表面の酸素が外拡散しても上記
窒素によって転位の増殖を防ぐことができ、シリコンウ
ェーハの機械的強度の低下を防止できる。また、シリコ
ンウェーハをエツチングして溝を形成した銹、この溝内
に室累（または酸素）ｔ−イオン注入しているので、溝
周辺に転位が発生しないため、機械的強度の低下を防止
できるとともに、上記溝内にキャパシタを形成した場合
にはキャリアのリークが少なく、良好な特性が得られる
。本発明の製造方法を用いた半導体装置は、従来の製造
方法で形成した半導体装置に比べて転位の発生を約１／
１００にできることをＷＬ 実壌により確認した。
なお、上記実施例では１１００℃の熱処理の後とシリコ
ンウェーハのエツチングの後の両方に窒素（または酸素
）のイオン注入を行なったが、エツチング仮に溝の底部
に窒素（または酸素）のイオン注入を行なうだけでも転
位の増殖によるウェーハの機械的強度の低下金大幅に防
止できる。
ンウェーハのエツチングの後の両方に窒素（または酸素
）のイオン注入を行なったが、エツチング仮に溝の底部
に窒素（または酸素）のイオン注入を行なうだけでも転
位の増殖によるウェーハの機械的強度の低下金大幅に防
止できる。
［発明の効果コ
以上説明したようにこの発明によれば、１１００℃以上
の熱処理工程とウェーハのエツチング工程を有する半導
体装置において、転位の増殖を防止してウェーハの機械
的強度を向上できる半導体装置の製造方法が得られる。
の熱処理工程とウェーハのエツチング工程を有する半導
体装置において、転位の増殖を防止してウェーハの機械
的強度を向上できる半導体装置の製造方法が得られる。
第１図はこの発明の一実施例に係わる半導体装置の製造
方法について説明するための図、第２図は従来の半導体
装置の製造方法について説明するための図である。 １９・・・シリコンウェーハ（半導体基板）、２０゜２
３．２５．２６・・・５１０２膜、２２・・・ウェル領
域、２４・・・溝。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第１図
方法について説明するための図、第２図は従来の半導体
装置の製造方法について説明するための図である。 １９・・・シリコンウェーハ（半導体基板）、２０゜２
３．２５．２６・・・５１０２膜、２２・・・ウェル領
域、２４・・・溝。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第１図
Claims (10)
- （１）１１００℃以上の熱処理工程と、半導体基板をエ
ッチングする工程とを有する半導体装置の製造方法にお
いて、上記熱処理工程の後に上記半導体基板の表面領域
に半導体装置の電気的特性に関与しない不純物を電気的
特性に関与しない量イオン注入するとともに、上記基板
エッチング工程の後にエッチング領域内に上記不純物を
上記量だけイオン注入することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - （２）前記不純物は、窒素であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - （３）前記窒素を、少なくとも５０ｋｅＶ以上の加速電
圧で、少なくとも１．４×１０＾１＾１ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ＾２以上の量イオン仕入することを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載の半導体装置の製造方法。 - （４）前記不純物は、酸素であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - （５）前記酸素を、少なくとも５０ｋｅＶ以上の加速電
圧で、少なくとも４．３×１０＾１＾２ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ＾２以上の量イオン注入することを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の半導体装置の製造方法。 - （６）半導体基板をエッチングする工程を有する半導体
装置の製造方法において、上記基板エッチング工程の後
に、上記エッチング領域内に半導体装置の電気的特性に
関与しない不純物を電気的特性に関与しない量イオン注
入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （７）前記不純物は、窒素であることを特徴とする特許
請求の範囲第６項記載の半導体装置の製造方法。 - （８）前記窒素を、少なくとも５０ｋｅＶ以上の加速電
圧で、少なくとも１．４×１０＾１＾１ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ＾２以上の量イオン注入することを特徴とする特許請
求の範囲第７項記載の半導体装置の製造方法。 - （９）前記不純物は、酸素であることを特徴とする特許
請求の範囲第６項記載の半導体装置の製造方法。 - （１０）前記酸素を、少なくとも５０ｋｅＶ以上の加速
電圧で、少なくとも４．３×１０＾１＾２ａｔｏｍｓ／
ｃｍ＾２以上の量イオン注入することを特徴とする特許
請求の範囲第９項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22451886A JPS6379329A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22451886A JPS6379329A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379329A true JPS6379329A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16815050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22451886A Pending JPS6379329A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6379329A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795792A (en) * | 1994-01-20 | 1998-08-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device having a trench structure |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP22451886A patent/JPS6379329A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795792A (en) * | 1994-01-20 | 1998-08-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device having a trench structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940008728B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPS6037775A (ja) | 集積回路構成体の製造方法 | |
| KR19980071514A (ko) | 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
| JPS6379329A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CA1131797A (en) | Fabrication of a semiconductor device in a simulated epitaxial layer | |
| JPS58200554A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2743451B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58138068A (ja) | 相補型ｍｏｓ半導体装置の製造方法 | |
| JPS6331097B2 (ja) | ||
| JPH03231456A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63144567A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0590254A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2576513B2 (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| JPS63273317A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60134469A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6072271A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61222114A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPS60127741A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS63124571A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05121682A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6129537B2 (ja) | ||
| JPS59194431A (ja) | 半導体基板へのイオン注入方法 | |
| JPS6085561A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59152637A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04199637A (ja) | 半導体装置の製造方法 |