JPS6377930A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は半導体対土用エポキシ樹脂組成物に係り、荷に
耐湿性に優れ、アルミ配線変形やバッフベージ冒ンクラ
ック、パッケージクラックなどの原因となる応力を低く
抑えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
耐湿性に優れ、アルミ配線変形やバッフベージ冒ンクラ
ック、パッケージクラックなどの原因となる応力を低く
抑えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
IC,LSIの電子部品を刺止する方法としては熱硬化
性樹脂を用いて封止する方法が主流である。
性樹脂を用いて封止する方法が主流である。
これは、樹脂を用いて封止する方法がガラス、金属、セ
ラミックを用いたハーメチックシール方式に比べて安価
でi産性罠優れているためである。
ラミックを用いたハーメチックシール方式に比べて安価
でi産性罠優れているためである。
半導体封止用樹脂組成物の基材樹脂としては、成形性、
耐湿性、電気特性に優れ、安価なエポキシ樹脂が最も一
般的に用いられている。
耐湿性、電気特性に優れ、安価なエポキシ樹脂が最も一
般的に用いられている。
しかし、LSIの集積度増大に伴うチップの大型化およ
びパターンの微細化、高密度実装に伴5パッケージの小
型化により、従来の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
は対応できない問題が生じ工きた。すなわち、樹脂封止
LSIは、&脂とS1チツプとい5熱膨張係数の異なる
材料でできているために、この材料間に応力が働きLS
Iが損傷するという問題である。この応力はチップが大
型になるほど大きくなり、パターンの微細化が進むほど
損傷を受けやすくなる。応力による樹脂封止LSI0損
傷モードとしては、アルミ配線の変形9M線、 パッジ
ベージ宵ンクラック、パッケージクラックなどがある。
びパターンの微細化、高密度実装に伴5パッケージの小
型化により、従来の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
は対応できない問題が生じ工きた。すなわち、樹脂封止
LSIは、&脂とS1チツプとい5熱膨張係数の異なる
材料でできているために、この材料間に応力が働きLS
Iが損傷するという問題である。この応力はチップが大
型になるほど大きくなり、パターンの微細化が進むほど
損傷を受けやすくなる。応力による樹脂封止LSI0損
傷モードとしては、アルミ配線の変形9M線、 パッジ
ベージ宵ンクラック、パッケージクラックなどがある。
このことから、チップに加わる応力を低く抑えることの
できる半導体封止用樹脂の開発が必要となってぎだ。
できる半導体封止用樹脂の開発が必要となってぎだ。
S1チツプ封止樹脂(硬化物)から受ける応力(σ)は
、荒い近似により次式で表されろ。
、荒い近似により次式で表されろ。
σ=に・α・E@Tg ・・・・・・・・・・・・
°°・・・・(1)k:比例定数 α:封止樹脂の熱膨張係数 E:封止樹脂の弾性率 Tg:封止樹脂のガラス転移温度 応力が(1)式で近似できろことから、従来、半導体制
止用樹脂の応力を低減する方法として次の方法が考えら
れる。すなわち。
°°・・・・(1)k:比例定数 α:封止樹脂の熱膨張係数 E:封止樹脂の弾性率 Tg:封止樹脂のガラス転移温度 応力が(1)式で近似できろことから、従来、半導体制
止用樹脂の応力を低減する方法として次の方法が考えら
れる。すなわち。
(&)熱膨張併数を下げる。
(bl 弾性率を下げろ。
(cl ガラス転移温度を下げろ。
の3種類であシ1゜しかし、このうちで封止樹脂のガラ
ス転移温度を下げると応力は減少するものの、耐湿性、
耐熱性2機械特性などの劣化を来すことから2本質的に
低応力化の手段としては、(a)および(blが考えら
れる。
ス転移温度を下げると応力は減少するものの、耐湿性、
耐熱性2機械特性などの劣化を来すことから2本質的に
低応力化の手段としては、(a)および(blが考えら
れる。
硬化した樹脂の熱膨張係数を下げろ有効な手段としては
、無機質充填材全多量に添加することが考えられろ。し
かし、無機質充填材を多量に添加すると、熱膨張係数は
低下するものの9弾性率も大きくなるので結局のところ
応力にはほとんど変化がない。また、添加量が多すぎる
と樹脂の溶融粘度が上昇し、ボンディングワイヤーの変
形・断線や樹脂が金製内の隅々まで行き届かない未充填
を生ずるなど、成形時の作業性が著しく劣化する。
、無機質充填材全多量に添加することが考えられろ。し
かし、無機質充填材を多量に添加すると、熱膨張係数は
低下するものの9弾性率も大きくなるので結局のところ
応力にはほとんど変化がない。また、添加量が多すぎる
と樹脂の溶融粘度が上昇し、ボンディングワイヤーの変
形・断線や樹脂が金製内の隅々まで行き届かない未充填
を生ずるなど、成形時の作業性が著しく劣化する。
また、封止樹脂の弾性率を低下させろ手段としては、可
撓性付与剤を添加する方法が提案されている。しかしこ
の方法では、硬化した樹脂のガラス転移温度が低下し、
耐湿性、耐熱性2機械特性および高温電気特性が劣化す
るという欠点がある。
撓性付与剤を添加する方法が提案されている。しかしこ
の方法では、硬化した樹脂のガラス転移温度が低下し、
耐湿性、耐熱性2機械特性および高温電気特性が劣化す
るという欠点がある。
また、ガラス転移温度を低下させずに弾性率を低減させ
ろ方法としてシリコーンの添加があるが。
ろ方法としてシリコーンの添加があるが。
シリコーンは透湿性が大きいのでこれを多量に添加する
と耐湿性が劣化したり、捺印用インクをはじ(などの不
良が生じろ。
と耐湿性が劣化したり、捺印用インクをはじ(などの不
良が生じろ。
すなわち、従来技術で条工応力を低減しようとすると、
i4湿性などが劣化するなど、他の特性全劣化させろこ
となく応力を低減させることは極めて困難であった。
i4湿性などが劣化するなど、他の特性全劣化させろこ
となく応力を低減させることは極めて困難であった。
本発明は、ノボラック型エポキシ帖脂を基材樹脂とし無
機質充填材を組成物全体の50〜85wt%含む半導体
刺止用エポキシ樹脂組成物において。
機質充填材を組成物全体の50〜85wt%含む半導体
刺止用エポキシ樹脂組成物において。
基材樹脂100重ftMK対し。
(1) フェノールノボラック25〜75重量部(2
) ホスフィン系硬化促進剤0.5〜51を部(3)
カブプリング剤0.1〜15重i8含むことを必須
とする半導体エポキシ樹脂組成物により達成されろ。さ
らに上記フェノールノボラックが軟化点の異なる221
類以上の7エノールノボラツクの混合物であること′l
t!!#徴とする半導体対土用エポキシ樹脂組成物によ
り達成されろ。
) ホスフィン系硬化促進剤0.5〜51を部(3)
カブプリング剤0.1〜15重i8含むことを必須
とする半導体エポキシ樹脂組成物により達成されろ。さ
らに上記フェノールノボラックが軟化点の異なる221
類以上の7エノールノボラツクの混合物であること′l
t!!#徴とする半導体対土用エポキシ樹脂組成物によ
り達成されろ。
本発明において最も大きな特徴は、硬化剤として軟化点
の異なる2種類以上の7エノールノボラツクを併用する
ことである。本発明は、可撓性付与剤を添加することな
く応力を低減することができるので他の特性(耐湿性、
成形性等)を損なうことがないとい5!#微を有する。
の異なる2種類以上の7エノールノボラツクを併用する
ことである。本発明は、可撓性付与剤を添加することな
く応力を低減することができるので他の特性(耐湿性、
成形性等)を損なうことがないとい5!#微を有する。
従来、&化剤として用いるフェノールノボラックとして
は軟化点80〜100℃のものを単独で用いてきた。し
かし、フェノールノボラックは分子量が小さく9分子量
分布も狭いので、これ全単独で用いろと色々な問題が生
じ℃くろ。たとえば、比較的軟化点が低い(80℃前後
)フェノールノボラックを単独で用いると、レジンの弾
性率およびガラス転移温度は低下するものの、熱膨張係
数は増大し、また耐湿性が劣化するという欠点があった
。また、比較的軟化点の高い(100℃前後)の7エノ
ールノボラツクを単独で用いると、熱膨張係数は低下し
、耐湿性も向上するが2弾性率、ガラス転移温度が増大
し、さらにレジンの流動性が劣化するという問題がある
。しかし、軟化点が低いものと高いものを併用すること
Kより上記の問題が解決することを著者らは見いだした
。すなわち、ls類のフェノールノボラックを単独で用
いた場合に比べて、軟化点の異なる211類全併用した
ほうがレジンの収縮応力が小さい。さら忙、たとえば軟
化点が80,100℃と異なる2fi類のフェノールノ
ボラックを併用した場合、100℃の7エノールノボラ
ツクを単独で用いた場合に比べて耐湿性も向上するとい
うグラスαの効果があることを見いだした。この理由は
明らかではないが、おそらく硬化剤の分子量分布がブロ
ードになったことで未反応のフェノールノボラックが減
少したためと考えられろ。
は軟化点80〜100℃のものを単独で用いてきた。し
かし、フェノールノボラックは分子量が小さく9分子量
分布も狭いので、これ全単独で用いろと色々な問題が生
じ℃くろ。たとえば、比較的軟化点が低い(80℃前後
)フェノールノボラックを単独で用いると、レジンの弾
性率およびガラス転移温度は低下するものの、熱膨張係
数は増大し、また耐湿性が劣化するという欠点があった
。また、比較的軟化点の高い(100℃前後)の7エノ
ールノボラツクを単独で用いると、熱膨張係数は低下し
、耐湿性も向上するが2弾性率、ガラス転移温度が増大
し、さらにレジンの流動性が劣化するという問題がある
。しかし、軟化点が低いものと高いものを併用すること
Kより上記の問題が解決することを著者らは見いだした
。すなわち、ls類のフェノールノボラックを単独で用
いた場合に比べて、軟化点の異なる211類全併用した
ほうがレジンの収縮応力が小さい。さら忙、たとえば軟
化点が80,100℃と異なる2fi類のフェノールノ
ボラックを併用した場合、100℃の7エノールノボラ
ツクを単独で用いた場合に比べて耐湿性も向上するとい
うグラスαの効果があることを見いだした。この理由は
明らかではないが、おそらく硬化剤の分子量分布がブロ
ードになったことで未反応のフェノールノボラックが減
少したためと考えられろ。
フェノールノボラックの添加量はトータルでエポキシ樹
脂100部に対し25〜75!tII添加される。また
、軟化点の異なるフェノールノボラックを同量添加する
とよい。たとえば、軟化点8o。
脂100部に対し25〜75!tII添加される。また
、軟化点の異なるフェノールノボラックを同量添加する
とよい。たとえば、軟化点8o。
100℃の7エノールノボラツクをトータルで50部添
加する場合には、80℃のフェノールノボラックt−2
5B、100℃のフェノールノボラックを25部添加し
た場合が応力が最も低減できろ。
加する場合には、80℃のフェノールノボラックt−2
5B、100℃のフェノールノボラックを25部添加し
た場合が応力が最も低減できろ。
また1本発明において使用されるエポキシ樹脂としては
、ノボラック型エポキシ樹脂であれば。
、ノボラック型エポキシ樹脂であれば。
その他特K11lil限はないが、耐湿性、耐熱性およ
び機械的強度の点からクレゾールノボクック型のものが
好ましい。
び機械的強度の点からクレゾールノボクック型のものが
好ましい。
また、エポキシ樹脂と硬化剤との反応を促進させるため
にホスフィン系硬化促進剤を用いることが必須である。
にホスフィン系硬化促進剤を用いることが必須である。
エポキシ樹脂とフェノール系硬化剤との反応における硬
化促進剤としては、トリエタノールアミン、ナト2メチ
ルベンクンジアミン等の第3級アミン、セチルトリメチ
ルアンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、トリメチルアンモニウムクロライド等
の第4級アンモニクム塩、2−メチルイミダゾール、2
−ウンデシルイミダゾール、2−メチル−4−エチルイ
ミダゾール、2,4−ジアミノ−6−〔2′−メチルイ
ミダゾリル−(1’) )エチル−S−トリアジン等の
イミダゾール化合物、あるいはトリフェニルホスフィン
、メチルジフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン
、フェニルホスフィン等のホスフィン化合物、トリフェ
ニルホスフィンテトラフェニルボレート、トリエチルア
ミンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボレー
ト塩などが挙げられる。以上の硬化促進剤は。
化促進剤としては、トリエタノールアミン、ナト2メチ
ルベンクンジアミン等の第3級アミン、セチルトリメチ
ルアンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニ
ウムクロライド、トリメチルアンモニウムクロライド等
の第4級アンモニクム塩、2−メチルイミダゾール、2
−ウンデシルイミダゾール、2−メチル−4−エチルイ
ミダゾール、2,4−ジアミノ−6−〔2′−メチルイ
ミダゾリル−(1’) )エチル−S−トリアジン等の
イミダゾール化合物、あるいはトリフェニルホスフィン
、メチルジフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン
、フェニルホスフィン等のホスフィン化合物、トリフェ
ニルホスフィンテトラフェニルボレート、トリエチルア
ミンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボレー
ト塩などが挙げられる。以上の硬化促進剤は。
いずれも親水基を有し、封止脂組の耐湿性を劣化させる
ことが考えられるが、この中で、ホスフィン系硬化促進
剤を用いたときが最も耐湿性に優れていることがわかる
。
ことが考えられるが、この中で、ホスフィン系硬化促進
剤を用いたときが最も耐湿性に優れていることがわかる
。
本発FIAにおいて使用されるホスフィン系硬化促進剤
は、上記に示したもの、すなわち、トリフェニルホスフ
ィン、メチルジフェニルホスフィン。
は、上記に示したもの、すなわち、トリフェニルホスフ
ィン、メチルジフェニルホスフィン。
トリブチルホスフィン、フェニルホスフィン、トリ7エ
=kyt<スフィンテトラフェニルボレートなどがある
が、耐湿性2作業性の点からトリフェニルホスフィンが
好ましい。しかし1本発F!AiCおいては、ホスフィ
ン類であって、エポキシ樹脂と硬化剤との反応管促進さ
せる作用がある物質であれば特に限定しない。
=kyt<スフィンテトラフェニルボレートなどがある
が、耐湿性2作業性の点からトリフェニルホスフィンが
好ましい。しかし1本発F!AiCおいては、ホスフィ
ン類であって、エポキシ樹脂と硬化剤との反応管促進さ
せる作用がある物質であれば特に限定しない。
本発fJi4において用いられるホスフィン系硬化促進
剤の添加量は0.5〜5部である。この理由は。
剤の添加量は0.5〜5部である。この理由は。
0.5部以下では硬化を促進させろ作用が弱く、硬化時
間が長くなる。また、5部以上では刺止樹脂の硬化時間
が短くなりすぎる。すなわち、ホスフィン系硬化促進剤
の添加量が上記範囲外であると作業性が劣化してしまう
おそれがあるからである。
間が長くなる。また、5部以上では刺止樹脂の硬化時間
が短くなりすぎる。すなわち、ホスフィン系硬化促進剤
の添加量が上記範囲外であると作業性が劣化してしまう
おそれがあるからである。
本発明において、無機質充填材の使用が必須である。無
機質充填材としては、シリカ、アルミナ。
機質充填材としては、シリカ、アルミナ。
炭酸カルシウムなどが用いられるが、熱膨張係数を低減
するためにはシリカ粉末が好まし−・。また。
するためにはシリカ粉末が好まし−・。また。
無機質充填材の添加f[は組成物全体の50〜85wt
5 の範囲内にあることが好ましい。この理由は、無機
質充填材の添加量が50wtチより少ないと熱伝導性や
機械特性が低下するばかりか、パリの流出など作業性の
低下も著しく、85wt%以上添加すると流れ性の低下
から、ボンディングワイヤーの変形・断#i!?引き起
こす可能性が生じるからである。
5 の範囲内にあることが好ましい。この理由は、無機
質充填材の添加量が50wtチより少ないと熱伝導性や
機械特性が低下するばかりか、パリの流出など作業性の
低下も著しく、85wt%以上添加すると流れ性の低下
から、ボンディングワイヤーの変形・断#i!?引き起
こす可能性が生じるからである。
また、レジンの耐湿性を向上させるたぬに、カップリン
グ剤として3−グリシドキシプロビルトリメトキシシラ
ン等のシラン系カップリング剤あるいはテトラオクチル
ビス(ホスファイト)チタネート等のチタン系カップリ
ング剤を添加することが必須となる。
グ剤として3−グリシドキシプロビルトリメトキシシラ
ン等のシラン系カップリング剤あるいはテトラオクチル
ビス(ホスファイト)チタネート等のチタン系カップリ
ング剤を添加することが必須となる。
カップリング剤の添加量は使用する無機質充填材の量お
よび比表面積およびカップリング剤の最小被覆面積にも
よるが1本発明においては0.1〜15部が使用される
。
よび比表面積およびカップリング剤の最小被覆面積にも
よるが1本発明においては0.1〜15部が使用される
。
さらに離型剤としてカルナバワックス、ステアリン酸お
よびその金属環、モンクンワックス等を。
よびその金属環、モンクンワックス等を。
難燃剤として臭素化エポキシ樹脂や、二酸化アンチモン
等を、顔料としてカーボンブラックなどを。
等を、顔料としてカーボンブラックなどを。
添加するも差支えない。また可撓性付与剤とじてシリコ
ーン等を少量添加しても差支えな(・。
ーン等を少量添加しても差支えな(・。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は。
上記の成分を、ロール、ニーダ−、エクストル−グー等
の常用の手段音用いて調整することができる。
の常用の手段音用いて調整することができる。
以下、実施の詳細を記す。なお使用した原料は。
・エポキシ樹層、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
エポキシ当i1200.軟化点
70℃
大日本インキ化学工業(株)
エビクロン N−665
・硬化剤 A:フェノールノボラック
軟化点81℃
大日本インキ化学工業(株)
バーカム TD−2131
一硬化剤 Bニアエノールノボラック#≠軟化点102
°C 大日本インキ化学工業C株) バーカム TD−2093 ・硬化剤 C:フェノールノボラックや眸軟化点74℃ 群栄化学(株)PSF−4224 ・N化促進剤A : )リフェニルホスフィン和光純薬
工業(株) ・硬化促進剤B:2「4−ジアミノ−6−(2’−メチ
ルイミダゾリル−(1’ ) )エチル−8−トリアジ
ン 四国化成(株)2MZ−AZINE ・充 填 材ニジリカ 鷺 1森(株)DEP−002 eカップリング剤二3−グリシドキシプロビルトリメト
キシシラン チッソ(株’) S−510 ・離 温 剤:エステルワックス ヘキストジャバン(株)へキス トワックスE ・難 燃 剤:臭素化エボ午シ樹脂 ・難燃助剤:三酸化アンチそン ・顔 料 :カーボンプラック である。
°C 大日本インキ化学工業C株) バーカム TD−2093 ・硬化剤 C:フェノールノボラックや眸軟化点74℃ 群栄化学(株)PSF−4224 ・N化促進剤A : )リフェニルホスフィン和光純薬
工業(株) ・硬化促進剤B:2「4−ジアミノ−6−(2’−メチ
ルイミダゾリル−(1’ ) )エチル−8−トリアジ
ン 四国化成(株)2MZ−AZINE ・充 填 材ニジリカ 鷺 1森(株)DEP−002 eカップリング剤二3−グリシドキシプロビルトリメト
キシシラン チッソ(株’) S−510 ・離 温 剤:エステルワックス ヘキストジャバン(株)へキス トワックスE ・難 燃 剤:臭素化エボ午シ樹脂 ・難燃助剤:三酸化アンチそン ・顔 料 :カーボンプラック である。
実施例および比較例に示される組成物はいずれも加圧双
腕ニーダで混練することKより調整したものである。ま
た試験片の作製は以下のように行った。
腕ニーダで混練することKより調整したものである。ま
た試験片の作製は以下のように行った。
まず、混練により得られた組成物を8メツシ。
バスのパウダーとし2次に2ton/cm”で135n
のタブレットとした。このタブレットをトランスファー
成形(175℃v 60kg/3”* 2.5m1n)
したものを175℃、8hの条件でアフターキュアし
たO 十蝶。
のタブレットとした。このタブレットをトランスファー
成形(175℃v 60kg/3”* 2.5m1n)
したものを175℃、8hの条件でアフターキュアし
たO 十蝶。
このようKして得られた組成物について、 %拝評価を
以セのごとく行った ・曲げ弾性率・・・・・・JIS K 6911
K従った。
以セのごとく行った ・曲げ弾性率・・・・・・JIS K 6911
K従った。
・熱膨張係数・・・・・・TMA (熱機械試験機)法
により測定した。
により測定した。
・ガラス転移温度・・・・・・TMA (熱機械試験機
)法により測定じた。
)法により測定じた。
・吸水基・・・・・・PCT(プレッシャークツカーテ
スト:121℃、2atm、100%RH,168h)
Kよる試験片の重量増加。
スト:121℃、2atm、100%RH,168h)
Kよる試験片の重量増加。
・パイプ応力・・・・・・% 88昭で示される半島体
封止用樹脂の応力測定方法に従った。
封止用樹脂の応力測定方法に従った。
#溶融粘度・・・・・・高化式フローテスタにより測定
した。
した。
本発明における実施例および比較例の結果を第−炙に示
す。
す。
第19によればいずれの実施例にお(・℃も、比較例と
比べて低応力化と耐湿性を共に満足していることがわか
る。
比べて低応力化と耐湿性を共に満足していることがわか
る。
本発明によれば、軟化点の異なる2種類以上の7エノー
ルノボラツクを併用することにより耐湿性を向上させ、
応力を低減することができる。
ルノボラツクを併用することにより耐湿性を向上させ、
応力を低減することができる。
手続補正書(方式)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ノボラック型エポキシ樹脂を基材樹脂として、無機
質充填材を組成物全体の50〜85wt%含む半導体封
止用エポキシ樹脂組成物において、基材樹脂100重量
部に対し、 (1)フェノールノボラック25〜75重量部(2)ホ
スフィン系硬化促進剤0.5〜5重量部(3)カップリ
ング剤0.1〜15重量部 含むことを必須とするエポキシ樹脂組成物。 2、フェノールノボラックが軟化点の異なる2種類似上
のフェノールノボラックの混合物である、特許請求の範
囲第1項記載の組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22246086A JPS6377930A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22246086A JPS6377930A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6377930A true JPS6377930A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16782760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22246086A Pending JPS6377930A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6377930A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02110958A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP22246086A patent/JPS6377930A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02110958A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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