JPS6377131A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents

半導体装置の検査方法

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JPS6377131A
JPS6377131A JP61222619A JP22261986A JPS6377131A JP S6377131 A JPS6377131 A JP S6377131A JP 61222619 A JP61222619 A JP 61222619A JP 22261986 A JP22261986 A JP 22261986A JP S6377131 A JPS6377131 A JP S6377131A
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JP
Japan
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wire
capillary
current
bonding
lead frame
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JP61222619A
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English (en)
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Takeo Morino
森野　武夫
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、ワイヤーボンディング工程に関し、特にリー
ドフレームのボンディング位置とキャビ２リー先端まで
のワイヤの長さｔ電流を用いて検定する半導体装置の検
査方法に関する。
仲）従来技術 一般的な半導体チップとリードフレームのワイヤボンデ
ィング工程を第２図に示す。
第２図について図番及び構成ン説明すると（１）はワイ
ヤ、（２）は前記ワイヤの一端に存在するボール（３）
は前記ワイヤをボンディング位置に供給するキャピラリ
ー、（４）は半導体チップ、（５ａ）（５ｂ）はリード
フレーム、（６）はトーチ、ｄはテール長である。
次に第２図（イ）（ロ）（ハ）に）（ホ）（へ）（ト）
（ト）（男に工程ｊ＠に示したワイヤボンディングの１
サイクルの動作及び状態ン説明する。
第２図（イ）では初期状態を示し、ワイヤ（１）はキャ
ピラリー（３）中を押通され、前記キャピラリー先端に
へボール（２）ン形成し工いてリードフレーム（５ａ）
上の半導体チップ（４）の真上に位置する。
第２９仲）では前記キャピラリー（３）が下降し、前記
半導体チップ（４）上の電標に、前記ワイヤ（１）’＆
前記ワイヤ（１）の一端であるボール（２）位置におい
て超音波ボンディングを行う。
第２図（ハ）に示すように前記キャピラリー（３）ｌ上
昇させると、第２図に）に示すように前記キャビラＩＪ
−（３）は前記半導体チップ（４）の電極に接続子べき
リードフレーム（５ｂ）の真上に移動する。
第２図（ホ）では、前記キャピラリー（３）が下降した
状態で、リードフＶ−ム（５ｂ）に前記ワイヤ（１）Ｙ
超音波ボンディングを行う。
第２図（へ）に示す工うに前記キャピラリー（３）が上
昇すると、第２図（ト）ではワイヤ（１）’！’リード
フレーム（５ｂ）との近辺で切断する。
第２図（力では、前記キャビラＩＪ　−（３）が上昇し
、前記ワイヤ（１１の切断後の先端部の真上にある距離
！もりてトーチ（６）が出てくる。この状態において前
記ワイヤ（１１と前記トーチ（６）の間に高電圧ｌρ）
けスパークさせ、第２図（力罠示すよう罠ワイヤ（１１
の先端部にボー／’ｔ２Ｊ’２形成した状態となる。
以上が一般的なワイヤボンディングの工程の１サイクル
である。上記一般的なワイヤボンディングの工程におい
て、第２図に）に示すように半導体チップ（４）とワイ
ヤ（１）をボンディングにより電気的に接続される訳で
あるが、ワイヤの切断、ボンディングの不良などにより
電気的接続が出来ないことがあり、前記電気的接続の良
否を電流を流子ことにより、検査する方法が特開昭６１
−１２０４０号に示されている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 前述の従来例では、第２図（ホ）の工程においてのり一
部フＶ−ムへのボンディング時のキャピラリーとの接触
あるいは、パウンド等によりワイヤが切断されてし１つ
場合があり、第２図（へ）の状態の工程のキャピラリー
上昇時に、キャピラリー同にスパーク時のカーボンの付
層等の原因によるキャピラリー内部の摩擦増加１ｃより
キャピラリー内Ｚワイヤが通過する際ワイヤがとどこお
り、第２図（力のテール長が短かくなりスパークし又も
十分なボールの大きさを得ることができず、第２図（ロ
）Ｋおけろ半導体チップへのボンディングの不良の原因
となり、また第２図（へ）から第２図（ト）の工程Ｋｋ
いてワイヤを切断する際、キャピラリーの上方に設けろ
ｎたクランプを閉じてワイヤを引張ることにより切断す
るが、クランプの挟持力が不適等に工りクランプとワイ
ヤが滑べるケースがあり、テール長が長くなり能率の低
下ンもたら丁。
に）問題点乞解決するための手段 本発明は前記問題点馨解決するためになさｎたものであ
り、半導体チップ上の電極上に、キャピラリーより供給
さｎたワイヤの一端ンボンディングし、リードフレーム
に前記ワイヤの所望箇所？ポンディングした後に、前記
ワイヤを切断する工程において、前記リードフＶ−ムへ
のボンディング後に前記ワイヤから前記リードフレーム
に電流を供給した状態で前記ワイヤの切断ン行い電流が
遮断さｒｔｙ、一時点の前記Φヤビラリーの位置にて前
記ワイヤの切断箇所から前記キャピラリーの先端までの
前記ワイヤの長さを検査することＺ特徴とする半導体装
置の検査方法により前記問題点を解決する。
（ホ）作用 本発明の方法によりリードフレームのボンティング後所
定の高さｆでキャピラリーは上昇しワイヤの切断７行な
った前記ワイヤの切断箇所からキャピラリーの先端まで
の前記ワイヤの長さｔ検出し、適正な長さρ）否かの検
査７行５゜（（へ）実施例 本発明の検査方法を図に従つ又説明すると、第１図は本
発明の半導体装置の検査方法の一実施例を示し、リード
フレームへのボンディング後キャピラリーは上昇しワイ
ヤン切断し、前記ワイヤの切断箇所からキャピラリーの
先端１でのワイヤの長さｔ検定するための方法である。
第１図は一般的な半導体チップとリードフレームのワイ
ヤボンディング工程とじ又例示した第２図（（ホ）から
第２囚例に移行する間の工程と同一工程を利用している
ため、第１図において、第２図と同一符号は同−又は相
半部分を示す。
第１内について図番及び構成を説明すると、（１）はワ
イヤ、　（３）４丁キャピラリー、（４）は半導体テッ
プ（５ａ）（５ｂ）はリードフレーム、（力はクランプ
、（８）はｔ流オフタイミング検出器、（９）ハ前記キ
ャビラリ−の駆動手段としてのパルスモータ−１（１（
ｌｔ？前記キャピラリービ制御するキャピラリー制御部
、圓は前記キャピラリーの現在位置ン記録するキャピラ
リー現在位置カウンター、■は電流オフタイミング検出
器より供給さｎる電流、ｔはリードフレームのボンディ
ング位置とキャピラリー先端部の間に存在するワイヤの
長さである。
次に第１図に示す本発明の検査方法の一実施例ビ説明す
る。
まずｔの測距方法は、第２囚（ホ）におけるキャピラリ
ー現在位置カウンターαυの値′％：Ｚｌ　とし、第１
図における前記キャピラリー現在位置カウンターαυの
値ＹＺ！　とする。ｔの値は ｔ−４ｔ−Ｚ、となる。
前記ｔが適正な値になった時クランプ（刀を閉じてワイ
ヤ（１）ｙａ’引張つ切断する。この時前記ワイヤ（１
）Ｋ流ｎている電流ＩがＯＩＣなることｙａ−電流オフ
タイミング検出器（８）により検出し、その時点の前記
キャピラリー現在位置カウンターαυの値ヲｚｓと丁ｎ
ば、第２図（ホ）に示すｄの値はｄ：Ｚ、−Ｚ。
となる。どの値が適正であれば、次の工程に進み、不適
であｎばボンデ、イングビ停止する。
ここでｄの値が不適な場合について説明すると適正なｔ
の値ビＬとするとｄ＞ＬとｄくＬの場合が存在する。ま
ずｄ＞Ｌの場合は、クランプ（７）の挾持力が足りない
ためワイヤ（１）とクランプ（力が滑り、キャピラリー
（３）もクランパー（７）と連動して上昇してしまいｄ
の値が太き（なってしまう。ｆたｄくＬの場合は、第２
図（ホ）に示すリードフレームへのボンディング時に、
圧接力が大ぎρ１つｋつ、キャピラリー（３）先端の摩
耗等により鋭利になりワイヤ（１）ヲボンディング時に
切断してしまい、ｄの値は小さくなってし１う。よつ１
前者ｄ＞Ｌの場合はクランプ（７）が摩耗のため押え圧
が低下しているならクランプ（力を交換あるいは、挟持
力を調整、してボンディングビ開始し、後者ｇ＜Ｌの場
合は、キャピラリー（３）が摩耗していｎば交換し、キ
ャピラリー（３）Ｐ’３にスパークによるカーボン等の
付着物があれば取除き、接圧力が強ゆｎば調整しボンデ
ィングを開始する。
（ト）発明の効果 本発明における半導体装置の検査方法によｎば、ワイヤ
の切断位置からキャピラリー先端ｌでのワイヤ長さｔ検
定できるためテール長の長さの不足によりボールの大き
さが小さくなる半導体チップへのボンディング不良の原
因を検査することができ歩留りの上昇に貢献し、テール
長が長子ぎることによる能率の低下もｐｂ　＜”ことが
できる。さらにこの検査はワイヤボンディングの実行時
間内に完了するのでこｎＫ、Ｊｌ、ろ能率の低下もない
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装置の検査方法を示す構成図、
第２図は一般的なワイヤボンディングの工程図を示す。 （１）・・・ワイヤ、　（３）・・・キャピラリー、　
（４）・・・半導体チップ、　　（５ａ）、（５ｂ）・
・・リードフレーム、（８）・・・電流オフタイミング
検出器。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体チップ上の電極上に、キャピラリーより供給
    されたワイヤの一端をボンディングし、リードフレーム
    に前記ワイヤの所望箇所をボンディングした後に、前記
    ワイヤを切断する工程において、前記リードフレームへ
    のボンディング後に前記ワイヤから前記リードフレーム
    に電流を供給した状態で前記ワイヤの切断を行ない電流
    が遮断された時点の前記キャピラリーの位置にて前記ワ
    イヤの切断箇所から前記キャピラリーの先端までの前記
    ワイヤの長さを検査することを特徴とする半導体装置の
    検査方法。
JP61222619A 1986-09-19 1986-09-19 半導体装置の検査方法 Pending JPS6377131A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6041995A (en) * 1997-03-06 2000-03-28 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding method
US20160351537A1 (en) * 2014-02-14 2016-12-01 Shinkawa Ltd. Wire bonding apparatus and method of manufacturing semiconductor device

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