JPH07106365A - ワイヤボンダのワイヤ尾部長さを監視する装置および方法 - Google Patents

ワイヤボンダのワイヤ尾部長さを監視する装置および方法

Info

Publication number
JPH07106365A
JPH07106365A JP6059248A JP5924894A JPH07106365A JP H07106365 A JPH07106365 A JP H07106365A JP 6059248 A JP6059248 A JP 6059248A JP 5924894 A JP5924894 A JP 5924894A JP H07106365 A JPH07106365 A JP H07106365A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
bond
length
tail
bonding tool
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6059248A
Other languages
English (en)
Inventor
James M Weaver
ジェームズ、マイケル、ウィーバー
Ehud Efrat
エハード、エフラト
Daniel J Muldoon
ダニエル、ジョウジフ、マルドゥーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kiyuuritsuku & Sofuaa Investme
Kiyuuritsuku & Sofuaa Investments Inc
Kulicke and Soffa Investments Inc
Original Assignee
Kiyuuritsuku & Sofuaa Investme
Kiyuuritsuku & Sofuaa Investments Inc
Kulicke and Soffa Investments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kiyuuritsuku & Sofuaa Investme, Kiyuuritsuku & Sofuaa Investments Inc, Kulicke and Soffa Investments Inc filed Critical Kiyuuritsuku & Sofuaa Investme
Publication of JPH07106365A publication Critical patent/JPH07106365A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • B23K20/005Capillary welding
    • B23K20/007Ball bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワイヤボンダが第2ボンドを形成した後に、
ワイヤ尾部長さを監視し、正確に測定し、またボンディ
ング工具の縦軸線上の複数位置を監視、検知し、これに
基づいて尾部長さを算出し、また第2ボンド形成後、ワ
イヤ、関連パラメータを監視して、次の球状ボンド形成
のため手順を再開させ、あるいはボンダを停止させるこ
と。 【構成】 自動ワイヤボンダにおいて、ワイヤボンドモ
ニタリングシステム(WBMS)と回路を具備する、第
2ボンド19形成後におけるワイヤ尾部17長さの監視
装置。ボンディング工具16の縦軸位置を検知して、第
2ボンド上のボンディング高さを決定し、同時にワイヤ
をこのボンドから切断する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は、ワイヤボンディングによる相互
接続の状態を監視するシステム、ことに適正な相互接続
をもたらすための球状ボンドに使用されるべきワイヤ尾
部の存在および長さを検知する監視システムに関するも
のである。
【0002】
【従来技術】コンピュータ制御装置を使用する自動ワイ
ヤボンダは、本出願人に譲渡された米国特許42667
10号、同4239144号の各明細書に記載されてお
り、公知である。このような高速自動ボンダは、毎秒8
個所の完全なワイヤによる相互接続をなし得る。しかし
ながら、このような相互接続の形成に使用されるワイヤ
が不適当に切断され、かつ/もしくはボンディング工具
から不適正に給送されると、適当な長さのワイヤ尾部が
ボンディング工具の作業面下方に残されず、次の相互接
続のための適正な球状ボンドが形成され得ない。ウエッ
ジボンダも球状ボンダも、適正なボンド形成を継続する
ためには適正な長さのワイヤ尾部を必要とする。エレク
トロニックフレームオフ(EFO)装置(無焔エレクト
ロニック装置)により形成される球状ボンドの寸法に影
響を及ぼすべきワイヤ尾部の不存在、著しく短いもしく
は著しく長いワイヤ尾部をもたらす可能性のある多くの
問題が存在する。
【0003】超大規模集積回路(VLSI)は、ますま
す高密度となり、キャリヤないしパッケージの導線にボ
ンディング接続されるべき導電性パッド(電極)をます
ます多く使用するようになっている。さらに高密度とな
る結果、導電性パッドはさらに小さく、脆弱となり、従
ってVLSIはさらに高価になりつつある。自動ワイヤ
ボンダが、導電性パッドにワイヤを結合しようとして、
給送されるべきワイヤが存在せず、あるいはボンディン
グ工具作業面下に球状体が存在しない場合、ボンディン
グ工具はパッドと直接接触し、次のワイヤボンド相互接
続を形成しようとして、パッドおよび極めて高価なVL
SIデバイスを破損する。
【0004】従って、ワイヤによる相互接続の第2ボン
ド形成後、自動ワイヤボンダにより形成されるボンディ
ングワイヤ尾部の長さ及び存在を監視し、ボンディング
工具がその作業面下に適正寸法の球状体が存在しないに
もかかわらず、次の第1球状ボンドを形成しようとする
ことを阻止するための装置、方法を提供することがいよ
いよ重大になりつつある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的な
いしこの分野において解決されるべき技術的課題は、ワ
イヤボンダの尾部長さを監視する新規な方法ないし装置
を提供することである。
【0006】これはまた第2ボンド形成後に形成される
ワイヤ尾部の長さを正確に測定するめたの装置ないし方
法を提供することである。
【0007】これはさらに第2ボンド形成後のボンディ
ング工具の複数縦軸位置を検知し、この各位置における
ワイヤ連続性を監視し、検知位置にもとづいてワイヤ尾
部長さを算出し得る装置、方法を提供することである。
【0008】さらにこれはワイヤ状態と、ワイヤ相互接
続を形成するための準備として、ワイヤ尾部に容認され
得る球状体を形成するに必要な前提条件となるパラメー
タとを監視することである。
【0009】これはまた適正な寸法の球状体の形成を監
視、検証するために金の球状体を形成している間に、ワ
イヤに流れる電流および時間を監視することである。
【0010】さらにこれは、球状体形成作業再開のた
め、第2ボンドにおけるワイヤパラメータを監視するこ
とである。ワイヤ尾部における良好な球状体の形成が不
可能であることがパラメータにより示された場合には、
再開手続きが執られる。
【0011】さらにこれは、第2ボンド形成後、ワイヤ
パラメータを監視して、良好な球状体形成ないし再スタ
ートのために充分な長さのワイヤ尾部が存在しない場合
に、自動ワイヤボンダを停止させることである。
【0012】さらに他の目的ないし課題は、既存の自動
ワイヤボンダに受けいれられる新規な監視回路、監視方
法であって、これが既存であると新規であるとを問わず
自動ワイヤボンダにおいて、少なくともわずかな改変に
より使用可能である回路、方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、位置セ
ンサと、半導体デバイス上のワイヤボンディング工具の
正確な高さないしZ軸位置を所定の時間間隔で検知し得
る中央処理装置(CPU)を有する自動ワイヤボンダが
提供される。ワイヤ連続性センサとモニタがワイヤに接
続される。ボンディング工具のZ軸位置は、最低のボン
ド位置、ワイヤランプ挾持位置およびワイヤ切断時のZ
軸位置である。この最低ボンド位置とワイヤ切断時Z軸
位置との差が、球状体形成に使用されるワイヤ尾部長さ
である。所定の閾値範囲内に良好な球状体形成を保証す
るワイヤ尾部が存在することを確認し、適正尾部不存在
時には半導体デバイスに対する傷害を回避するためにこ
の長さを測定するために論理回路が使用される。
【0014】
【実施例】以下において添付図面を参照して本発明をさ
らに具体的に説明する。まず本発明の理解を容易にする
ため、図12から図14を参照して、細線ないしワイヤ
相互接続を完了し、第2ボンドにおいてワイヤ尾部を切
断する毛管ボンディング工具の運動について説明する。
半導体装置10は電極パッド11を有し、この上にはす
でに球状ボンド12が形成されている。毛管ボンディン
グ工具16は第1の球状ボンド12上方に揚挙され、図
示の位置まで移動し、ここでワイヤ相互接続を形成する
一定長さのワイヤ13をすでに繰出している。第2ボン
ドがリードフレーム14上に形成される。このフレーム
14上には、導電性をもたらし、これを保護し、また第
2ボンドにおける結合性を増大させるために被覆ないし
鍍金15が施されている。毛管ボンディング工具16
は、図12においてその運動X軸の比較的低い位置に示
されており、ワイヤ13はすでに圧潰され、リードフレ
ーム14、15に結合され、第2ボンド19を形成し、
従って半導体装置10とリードないしリードフレーム1
4との相互接続を果たしている。図13において自動ワ
イヤボンダのワイヤクランプ(図示せず)が開放状態に
在り、毛管ボンディング工具16がワイヤ尾部高さまで
揚挙されて、ワイヤが工具毛管から給送され、ワイヤク
ランプ閉鎖前、適当な長さのワイヤ尾部17を形成して
いる。図14において、ワイヤクランプは閉鎖されてか
らワイヤボンディング工具16と共に揚挙され、ワイヤ
尾部17を第2ボンド19において切断させる。図14
はワイヤ尾部17にボンドが形成される時点におけるE
FO電極18の相対的位置を略図的に示すものであっ
て、寸法割合は実際的ではない。自動ワイヤボンダのた
めの適当なワイヤ尾部長さないし高さおよびフレーム離
脱高さについては本出願人に譲渡された米国特許426
6710号および5111986号の明細書に詳述され
ている。
【0015】図1はワイヤ尾部17Aが形成されたかさ
れない状態の、フレーム離脱位置まで揚挙された毛管ボ
ンディング工具16を示している。この状態は、以下の
条件下において、すなわちボンディング工具16の力
が、ワイヤ13を第2ボンド19において完全に切断す
る超音波装置に関連して充分に強力であり、ワイヤを切
断してワイヤ尾部17Aをボンディング工具の揚挙と同
時に立上がらせるに充分なワイヤのたるみがワイヤクラ
ンプ内に存在する場合に、容易に生起せしめられる。こ
の状態において、ワイヤ尾部17Aは、毛管ボンディン
グ工具16内の凹陥部内に完全に引込まれており、これ
から延び出ることはない。EPO電極18が励起されて
も、通常、電孤は生起しない。しかしながら、ワイヤ尾
部17Aに鮮鋭な縁辺が存在する場合には、特別の電孤
が形成され得る。電孤が生起した場合にはボンドは適当
な球状に形成されない。ワイヤは毛管部分16に極めて
近接しており、従って熱の低下をもたらし、適当な溶融
と球状形成を妨げるからである。部分的球状体が形成さ
れ、これが毛管に詰まる最悪事態が生起しかねない。従
来からの自動ワイヤボンダは、球状体の形成を検知して
ワイヤボンド相互接続を行うことを意図しているが、こ
れは何百ドルもする半導体装置10のボンドパッド11
を破壊するおそれがある。
【0016】図2はフレーム離脱位置まで揚挙され、E
FO電極18の励起により球状ボンドを形成するに充分
な長さの短いワイヤ尾部17Bを有する毛管ボンディン
グ工具を示す。この状態においてワイヤ尾部17Bは、
球状体ボンドを形成するに充分な長さであるが、この球
状体は、適当で信頼し得る相互接続をもたらすべき適当
な強度の第1球状ボンド12を形成するには小さ過ぎ
る。この状態が検知されると、後に詳述されるように、
自動ワイヤボンダに指示して、不適当な寸法球状体を半
導体デバイスあるいはリードフレームの例外位置、さら
にワイヤボンダの例外位置に形成させる。不適当な寸法
の球状体によりボンド形成した後、適当なワイヤ尾部長
さを繰出し、これを使用して適当な寸法の球状体ボンド
12を高コストの半導体デバイス10上に形成し、その
後の常態的処理を続行するようになされる。図2に示さ
れる長さのワイヤ尾部17Bが、上述した例外位置ボン
ドを形成させ、次いで適正長さのワイヤ尾部、適正寸法
の球状体を形成させ、特別の管理をすることなく、自動
ワイヤボンダがその自動モードで作業を続行し得るよう
にするために最適であることが見出された。
【0017】上述した偽似ボンド形成と同様の態様で、
短か過ぎる図1のワイヤ尾部17Aの再繰出しを行わせ
得る。ボンディング処理位置もしくはその近傍において
パッド上に、複数個の金球状体を形成して置き、ワイヤ
を球状体直上で切断する。図1に示される状態が生じ、
適当な球状ボンド形成が不可能な場合、この短か過ぎる
ワンヤ尾部17Aを毛管からあるいは毛管内凹陥部から
繰出させて、パッド上の前記金球状体のいずれかと結合
させることができる。このようにして短い相互接続を形
成し、これにより適当な長さのワイヤ尾部17Bの繰出
しが可能となり、これにより適当な寸法の第2ボンド1
2が形成され、自動ワイヤボンダは上述したように事後
の作業を続行することが可能となる。
【0018】次いで図3は、まだ相互接続ワイヤ13に
連接したままのワイヤ尾部17Cを有する毛管ボンディ
ング工具を示している。この第2ボンドがリードフレー
ム14、15から引離されている状態は、「ノースティ
ックオンリード」として知られている。この状態が生起
すると、自動ワイヤボンダは停止されねばならない。相
互接続は行われておらず、さらにボンディング処理を続
行すれば、半導体デバイス10の損傷をもたらすからで
ある。
【0019】第2ボンドにおいて半導体デバイスがこの
ように不適当にボンディングされた場合の対処について
は若干の方法がある。自動ワイヤボンダは停止され、ワ
イヤを切断してワイヤボンダを稼働させ、半導体デバイ
スは処理ラインから脱され、再加工される。若干のデバ
イスは、適当に再加工できないので、この状態が生起す
ると、不適当なボンディングを行ったデバイスは自動ワ
イヤボンダから除去して処理を続行するほかはない。従
業員にはこの旨が通告され、これにつきさらにボンディ
ングが行われないようにする。さらに、ボンディング処
理を中止し、従業員に通告し、かつ/もしくは以下のい
ずれかの欠陥が検知された場合、補正処理が指示され
る。
【0020】1.ワイヤ尾部の長さが不充分である、
2.ワイヤ尾部が長すぎる、3.ワイヤ尾部がリードフ
ィンガーの相互接続から分離されていない、4.EFO
電極が励起されずワイヤに作用していない。
【0021】次に図4はワイヤ尾部17Dが未だ第2ボ
ンド19に装着されたままで毛管ボンディング工具がフ
レーム離脱位置まで揚挙されている状態を示す。この状
態は、ワイヤクランプが毛管上でワイヤを適確に把持せ
ず、毛管およびワイヤクランプが閉じられ、フレーム離
脱位置に示されるワイヤ尾部位置まで揚挙された場合に
生ずる。ワイヤが滑って第2ボンドで切断されなかった
尾部17Dが形成される。自動ワイヤボンダがその自動
ワイヤボンディング処理を続行することは可能である
が、この長過ぎるワイヤ尾部をもたらしたワイヤクラン
プは補正されねばならず、従って自動ワイヤボンダは直
ちに停止され、従業員は残された長いワイヤ尾部17D
と自動ワイヤボンダのディスプレイにおけるモニタに留
意するのが望ましい。これにより従業員が、ワイヤクラ
ンプを調整し、若干のボンディング中止処理をなし、自
動ボンディング処理続行前に、ワイヤクランプが適当に
調整され、適当な作業状態に在ることを確認することが
可能ならしめられる。
【0022】図5はワイヤ尾部の長さを監視し、テスト
するために使用される論理回路を示す。第2ボンド19
は、リードフレーム14の導電性被覆15に形成されて
おり、相互接続ワイヤ13が未だ残されている。毛管ボ
ンディング工具16は、ワイヤ21切断後のフレーム離
脱位置まで揚挙されており、適当な長さのワイヤ尾部1
7を残し、EFO電極18が誇張して図示されている。
ワイヤクランプ22は、閉じた状態で示されているが、
導電性のワイヤ21が導電電極に係合すれば、たとえ開
いた状態でも、ワイヤ21を経て導線23への連続電路
が形成される。導線23はテスト継続の間常態的に開い
ているアナログスイッチ24に接続される。継続テスト
のための電流、電圧はワイヤ21を経てD、C、電源2
6により供与され、この電源はその陰極例が、アース帰
路31に接続され、2個のレジスタ27、28により示
される分圧器に接続されている。レジスタ27は検知回
路の応答時間を減少させるために使用されるコンデンサ
29により分路されている。レジスタ28における電圧
は、検知の継続あるいは非継続を検知するためのコンパ
レータを給送する隔離増巾器32に供与される。検知さ
れた導線33における出力は、検知回路34に供与さ
れ、これは切断論理信号を導線35を経てZ軸プロセッ
サ36に供与する。Z軸プロセッサ36には、ワイヤボ
ンダのモニタリングシステム回路(WBMS)37とし
て示されるソフトウエアおよび/あるいはハードウエア
が設けられている。主ボンダプロセッサ36が、第2ボ
ンド19においてワイヤ21が切断され、適当なワイヤ
尾部17が残された事実を検知する、信号が導線38を
経てEFO制御装置39に供与され、これは適当なEF
O電圧を電極18にもたらし、電孤を生起させ、これに
よりワイヤ尾部は溶融されて、第1球状ボンド12のた
めの球状体を形成する。Z軸プロセッサ36を含む自動
ワイヤボンダ実施例は、ボンディング工具のZ軸運動駆
動装置43に至る導線42を有する。このZ軸駆動装置
43は、Z位置エンコーダ44に直接結合されており、
このエンコーダ44はディジタル情報を、導線45を経
てZ軸プロセッサ36に供与し、これによりプロセッサ
36は、自動ワイヤボンダの論理操作の間のいずれの時
点においてもボンディング毛管16の正確な位置を認識
する。
【0023】次に図6は、導線33における電圧波形4
6を示す。この図6に重ね合わせて、ワイヤクランプ2
2がワイヤボンダプロセッサ36により閉じるように指
示される時点を示す波形47が示されている。時間波形
47が高くなって3ミリ秒以内に、通常、ワイヤクラン
プは閉じられる。ワイヤ21がワイヤクランプに挾持さ
れ、ボンディング工具毛管16が垂直軸線方向に揚挙さ
れた後、ワイヤ21は時点48で切断される。電圧は時
点49に示されるアース基準電圧まで降下する。時点4
8でワイヤ切断が検知されると、主プロセッサ36は図
示されていない導線に信号をもたらし、これはアナログ
スイッチ24を閉じる。これは波形46の時点49で示
される。アナログスイッチ24を閉じられると、正電圧
が帰路アース31に接続されているアース帰路51にも
たらされる。この帰路アース31に供与される電圧は、
レジスタ28に印加され、これがコンパレータ幅巾器3
2において検知される。この電圧は高レベル出力を導線
33にもたらし、これはEFO制御装置39がEFO電
極を励起する時点52まで、高レベルを維持する。EF
O電極18における電圧は、導線33における電圧を、
電極18により生起せしめられる電孤形成の間、低レベ
ル50まで降下させる。この電圧は電孤が消減すると、
時点53における高レベル基準まで再び上昇する。この
時点52、53における電圧変化は、ワイヤ監視システ
ムとワイヤを経て検知され、従って電極18からの電孤
がワイヤ21に到達し、ワイヤ21以外のいずれかの遠
隔地点でアーク放電したのではないことが結論され、確
認され得る。
【0024】図6に示され、WBMS論理37を使用す
るプロセッサ36に供与されるタイミングと情報から、
ワイヤ22が閉じられ、ワイヤ21が第2ボンド19に
おいて、波形46の時点48、49で実証される適当な
長さのワイヤ尾部を残して、切断されたことが結論され
得る。
【0025】さらにまた、電極18が励起されて電孤を
もたらし、これがワイヤ尾部17に作用して球状体を形
成したことが、時点52、53間の形成された電孤の適
当な継続時間にかんがみて、球状体が形成されているワ
イヤ尾部端を物理的に検査する必要なく、結論され、確
認され得る。従って、図6は図14、図5に示される適
当なワイヤ尾部条件に対応する。
【0026】次に図7は、図5の導線33においてもた
らされる波形54を示す。ワイヤクランプ22が閉じら
れたことを示す信号が波形47で示されいてる。波形5
4は、図6における波形48、49を持っていないか、
これは尾部17をもたらすようにワイヤ13が第2ボン
ドで切断されていないことを示す。波形54は終始高レ
ベルに在り、ボンディング工具16はフレーム離脱位置
まで揚挙されているから、ワイヤが切断されるべき点に
おいて非切断状態が依然として継続していることを示
す。しかしながら、EFO電極が波形54の点52、5
3により示されるように適当に励起されているのである
から、アナログスイッチ24が閉じられた後もワイヤが
切断されなかったと結論することができる。切断されて
いれば、波形54上に時点48、49で示される不連続
が生ずる筈であるからである。この状態は、作業員が関
与すべき、前述した「ノースティックオンリード」状態
を示す。
【0027】次に図8は球状体が形成されていない波形
55を示す。前述した信号47は、ワイヤクランプ22
が閉じられるべき時点を示すが、この時点で波形55が
すでに時点56で示されるように低電圧状態になってい
る。この状態は、ワイヤクランプが閉じるように指示さ
れる前に、時点48が示すようにすでにワイヤが切断さ
れていることを意味する。プロセッサ36は、波形55
の時点48でボンディング工具16のZ位置を検知して
おり、従ってワイヤ尾部が緊張装置によりボンデイグ工
具毛管中に巻取られていないならば、ワイヤ尾部長さは
適正に算出され得る。このような状態でワイヤ切断が検
知されると、ワイヤクランプ22は直ちに指示を受けて
閉じ、ワイヤ尾部が毛管16内に巻込まれないようにこ
れを挾持する。本発明の好ましい実施態様では、ワイヤ
クランプ機構がこのように作動されるだけでなく、緊張
装置が不作動化され、コンピュータ36がワイヤ尾部の
充分な長さを検知すると、第2ボンドを形成するための
その後の通常の処理に入る。本図の波形55は、EFO
電極が時点52、53で励起されたと想定される時点で
電圧降下を示しており、従って球状体は存在しない。ワ
イヤ尾部が短いとすれば、前述した例外位置球状体に結
合させる。
【0028】次の図9は短か過ぎるワイヤ尾部、従って
小さ過ぎる球状ボンドが形成された場合の波形57を示
す。この波形57は、ワイヤクランプが閉じられ得る前
に時点48でワイヤ切断が行われている点で図8の波形
55に類似するが、この場合には短いワイヤ尾部が形成
されている。通常は、プロセッサはサイクルを停止し、
EFOを励起しないようにする。しかしながら、短いワ
イヤ尾部から、適当な相互接続をもたらすには不適当な
過小球状ボンドが形成されることがある。時点52、5
3に示されるようにEFO励起後、例外ボンド位置で過
小球状ボンドを形成させ、偽似相互接続を形成し、あら
ためて適正長さのワイヤ尾部を繰出させ、適正な球状ボ
ンド、従って適正な相互接続をもたらし、作業員の手を
わずらわすことなくその後の処理を自動的に続行するこ
とができる。この9図はの波形58は、ワイヤ尾部が第
2ボンドに弱い力で付着され、従って毛管の移動による
ワイヤの緊張に対抗する力を持たないときに生ずる典型
的な状態であって、ボンダの準備中ないし調整中の状態
とは区別される状態である。
【0029】次の図10は時点48において、ワイヤク
ランプ22の完全な閉鎖前にワイヤが切断され、その直
後にワイヤクランプ信号47がワイヤクランプを閉じよ
うとしている状態の波形58を示している。このような
状態は、ワイヤクランプがギリギリのタイミングでしか
も過度に強く閉じる場合に生ずるものであって、ワイヤ
クランプの再調整を必要とする。時点52、53で示さ
れるように、たとえ短いワイヤ尾部で球状体が形成され
るにしても、この状態では作業員によるワイヤクランプ
の再調整を必要とし、従って自動ワイヤボンダは停止せ
しめられ、この状態の信号がボンダのモニタパネルに表
示される。
【0030】次に図11を参照しつつ、図1から図10
による、種々の異なるワイヤ尾部状態に対応する第2ボ
ンド形成後の、本発明の好ましい実施態様において採ら
れるべきステップを説明する。ブロック59は第2ボン
ド形成後のワイヤボンド監視操作の開始を意味する。こ
のブロック59において、第2ボンドにおけるボンディ
ング工具の縦軸零高さZO が記録されている。WBMS
論理は、ブロック61において、アナログスイッチ24
が開いているかを、またワイヤ切断が行われたかを検知
する。ワイヤクランプが閉じられる前にワイヤ切断が行
われた場合には、この信号がライン62で検知され、何
等かの誤操作が生じたのであるからワイヤボンディング
処理停止が指示される(ブロック63)。スイッチ24
が開いていれば、センサがこれを検知する。ブロック6
4において、ワイヤクランプはワイヤ尾部高さで閉じら
れる。ワイヤクランプは閉鎖後、毛管ボンディング工具
16が揚挙され、ワイヤを切断する(ブロック65)
が、切断の検知はそのまま継続される(ブロック6
6)。ボンディング工具がワイヤを切断するに充分な高
さまで揚挙されてもなお切断が行われない場合には、こ
れはライン67において検知され、ワイヤボンダ論理3
7は操作停止を指示される(ブロック63)。切断が所
定の高さレベル範囲で行われると、ボンディング工具1
6のZ軸高さが検知され、これによりマイクロプロセッ
サおよびコンピュータ論理36、37にワイヤ尾部長さ
の計算を行わせ(ブロック68)、これは切断点ZB
イナス元の第2ボンド高さZO に等しい。尾部長さLT
算出後、この長さの適当な球状体がワイヤ尾部で形成さ
れることを保証するプリセット閾値内であるか否かの判
断が可能となる(ブロック69)。これが長過ぎるかあ
るいは短か過ぎると、この状態がライン71で検知され
る。ボンディング尾部の存否がブロック72で切断さ
れ、論理37により例外地点ないし域外ボンディングを
行わせる(ブロック73)。ここにおいて充分な長さの
新規尾部が形成されれば、これはライン74を経て処理
を反覆し、操作がうまく行くかテストされる。ワイヤ尾
部長さがプリセット閾値内であることがライン75で検
知されると、適当な球状体を形成するEFOパラメータ
が、ブロック76においてセットされ、次いで球状体形
成のためのEFO電極励起が、ブロック77において行
われる。次いでEFO励起か否かが、後述するように、
ブロック77において検知可能になされる。EFO励起
であり、尾部長さが適正であり、その他諸条件が整え
ば、これはライン79で検知され、ブロック89におい
て、球状体形成および自動ワイヤボンダは次の相互接続
のための新たな第1ボンド形成準備が推定される。しか
しながら、EFO非励起がライン82で検知されれば、
ブロック83において自動ワイヤボンダは停止される。
【0031】以上、現存のワイヤボンダにも組込まれ、
もちろん新規のワイヤボンダに組込まれ得るワイヤボン
ディング論理系(WBMS)および回路を使用する、本
発明の好ましい実施態様を説明したが、これにより長年
にわたり存在し続け、高価な半導体デバイスの損傷を招
いたこの分野の技術的課題が解決され得ることが理解さ
れる筈である。
【図面の簡単な説明】
【図1】脱フレーム位置まで揚挙された、ワイヤ尾部を
持たない毛管ボンディング工具の略図である。
【図2】短いワイヤ尾部を有する、脱フレーム位置まで
揚挙された毛管ボンディング工具の略図である。
【図3】第2ボンドがリードフィンガーから離脱し、ワ
イヤ尾部が未だ相互接続ワイヤに結合された状態で、フ
レーム離脱位置まで揚挙された毛管ボンディング工具の
略図である。
【図4】 ワイヤ尾部が未だリードフィンガー上で相互
接続ワイヤに結合された状態で、フレーム離脱位置まで
揚挙された毛管ボンディング工具の略図である。
【図5】 ワイヤ尾部の長さを監視し、テストするため
に好ましい導電性論理回路の略図である。
【図6】 良好なワイヤ尾部が形成された場合に、図5
の論理回路により形成される電圧対時間の波形図であ
る。
【図7】 縦軸位置の適正な範囲においてワイヤ尾部が
切断されない場合に、図5の論理回路により形成される
電圧対時間の波形図である。
【図8】 ワイヤ尾部が充分な長さを持たない場合に、
図5の論理回路により形成される電圧対時間の波形図で
ある。
【図9】 ワイヤ尾部が短か過ぎ、しかもEFOが球状
ボンドを形成しようとする場合に、図5の論理回路によ
り形成される電圧対時間の波形図である。
【図10】 ワイヤクランプの不適当な挾持によりワイ
ヤ尾部が形成された場合に、図5の論理回路により形成
される電圧対時間の波形図である。
【図11】 第2ボンド形成後、好ましい実施態様にお
いて行われるべき手順を示す論理ブロック図である。
【図12】 第2ボンド位置に在る毛管ボンディング工
具を示す略図である。
【図13】 第2ボンド上において望ましいワイヤ尾部
高さまで揚挙された毛管ボンディング工具を示す略図で
ある。
【図14】 適当な長さのワイヤ尾部を有し、第2ボン
ド上において望ましいフレーム離脱位置まで揚挙された
ボンディング工具を示す略図である。
【符号の説明】
10‥‥半導体デバイス 11‥‥(電極)パッド 12‥‥球状ボンド 13‥‥(相互接続)ワイヤ 14‥‥リードフレーム 15‥‥被覆ないし電鍍 16‥‥毛管ボンディング工具 17‥‥ワイヤ尾部 18‥‥EFO電極 19‥‥第2ボンド 21‥‥ワイヤ 22‥‥ワイヤクランプ 23‥‥導線 24‥‥アナログスイッチ 26‥‥DC電源 27,28‥‥レジスタ(分圧器) 29‥‥コンデンサ 31‥‥アース 32‥‥増巾器 33‥‥導線 34‥‥切断検知回路 35‥‥導線 36‥‥ボンダプロセッサ 37‥‥WBMS(ワイヤボンダモニタリングシステム
回路) 38‥‥導線 39‥‥EFO制御装置 43‥‥(ボンディング工具運動の縦軸)Z軸駆動装置 44‥‥エンコーダ 46‥‥(導線33における)電圧波形 47‥‥(ワイヤクランプ22の閉鎖指令時点を示す)
時間波形 48‥‥ワイヤ切断検知時点 49‥‥アース基準電圧までの電圧低下時点 50‥‥(電孤形成時)電圧低レベル 51‥‥帰路アース 52‥‥EFO制御装置励起時点 53‥‥電孤消失時点 54‥‥(導線33にかける)電圧波形 55‥‥(球状体非形成時の)電圧波形 56‥‥低電圧状態 57‥‥(短尾部で球状体形成時の)電圧波形 58‥‥(ワイヤクランプ完全閉鎖前におけるワイヤ切
断時の)電圧波形
フロントページの続き (72)発明者 ジェームズ、マイケル、ウィーバー アメリカ合衆国、ペンシルヴェニア州、 19002、アンブラー、ウィロウ アヴェニ ュー、510 (72)発明者 エハード、エフラト アメリカ合衆国、ペンシルヴェニア州、 19044、ホーシャム、バレル ステイブ サークル、13 (72)発明者 ダニエル、ジョウジフ、マルドゥーン アメリカ合衆国、ペンシルヴェニア州、 19040、ハットボロ、ボネット レーン、 130

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第2ボンドにおけるボンディング工具の
    縦軸当初高さ位置ZO を検知する手段、 ワイヤが上記第2ボンドから電気的に切断された時にお
    ける、上方に運動しているボンディング工具の高さ位置
    B を検知する手段、 適正な長さのワイヤ尾部が形成されたか否かを決定する
    ための論理回路および上記論理回路に接続されている、
    球状ボンド形成のためのフレームオフ電子電極を監視、
    制御して適正長さのワイヤ尾部を形成するEFO監視装
    置を具備する、第2ボンド形成後に形成されるワイヤ尾
    部長さを監視する装置。
  2. 【請求項2】 上記論理回路が、ワイヤ尾部長さLT
    測定する手段を具備する、請求項(1)による装置。
  3. 【請求項3】 上記論理回路が、所定の尾部長さ閾値を
    設定するための入力を有するボンダプロセッサを具備す
    る、請求項(1)あるいは(2)による装置。
  4. 【請求項4】 上記論理回路が、実際の尾部長さLT
    上記尾部長さ閾値とを比較する手段を具備する、請求項
    (1)から(3)のいずれかによる装置。
  5. 【請求項5】 上記論理回路が、制御値を上記EFO監
    視装置に設定し、ワイヤ尾部で球状ボンド形成を開始さ
    せるための手段を具備する、請求項(1)から(4)の
    いずれかによる装置。
  6. 【請求項6】 上記の適正な長さのワイヤが形成された
    か否かを決定する論理回路が、ワイヤと回路帰路の間に
    接続された継続センサ回路を具備する、請求項(1)か
    ら(5)のいずれかによる装置。
  7. 【請求項7】 上記継続センサ回路が、ワイヤと係合状
    態に維持された接触体に接続された直流電源を具備す
    る、請求項(6)による装置。
  8. 【請求項8】 上記継続センサ回路が、これを作動する
    ための常態的に開状態のスイッチを具備する、請求項
    (7)による装置。
  9. 【請求項9】 上記継続センサ回路が、ワイヤ切断を検
    知し、上記EFO監視装置を作動して球状ボンドを形成
    する前に上記スイッチを閉じる手段を具備する、請求項
    (8)による装置。
  10. 【請求項10】 さらに統計的なワイヤ尾部長さデータ
    を記録する手段を具備する、請求項(7)による装置。
  11. 【請求項11】 上記論理回路が、第2ボンドがボンデ
    ィングされた半導体デバイスに接続しない場合を判断す
    る手段を具備する、請求項(1)による装置。
  12. 【請求項12】 上記論理回路が、不適正な長さのワイ
    ヤ尾部形成の原因を判断する手段を具備する、請求項
    (1)による装置。
  13. 【請求項13】 上記論理回路が、例外位置にボンディ
    ングし、次いで適正な大きさの球状ボンドを形成して、
    不適正な長さのワイヤ尾部を補正する、請求項(12)
    による装置。
  14. 【請求項14】 上記論理回路が、自動ワイヤボンディ
    ング処理を休止させ、半導体デバイスの損傷を防止する
    手段を具備する、請求項(12)による装置。
  15. 【請求項15】 ボンディング工具中のワイヤで第2ボ
    ンドを形成し、 ワイヤが未だ第2ボンドに付着している間に、ボンディ
    ング工具を所定の尾部長さ高さまで揚挙し、 上記ワイヤ尾部長さ高さにおいてワイヤを挾持し、 上記ワイヤ挾持後に上記ボンディング工具をフレーム離
    脱高さまで揚挙して、ワイヤを第2ボンドにおいて切断
    し、 第2ボンドにおけるボンディング工具のZ軸高さと、ワ
    イヤ切断時のZ軸高さを検知し、 ボンディング工具から延びているワイヤ尾部長さを決定
    し、かつワイヤ尾部長さが、これで球状ボンドを形成す
    るに適当な長さか否かを、球状ボンド形成前に決定する
    各工程を有する、ワイヤ相互接続のための第2ワイヤボ
    ンド形成後における、ワイヤ尾部形成を監視する方法。
  16. 【請求項16】 さらに、ワイヤ尾部長さLT を、所望
    の尾部長さと対比して、適正な球状ボンドを形成し得る
    か否かを決定する工程を有する、請求項(15)による
    方法。
  17. 【請求項17】 上記ワイヤ尾部端部の近傍においてフ
    レームオフエレクトロニック電圧を生起させて、このワ
    イヤ尾部端部に球状ボンドを形成する工程をさらに有す
    る、請求項(16)による方法。
  18. 【請求項18】 ワイヤ尾部長さLT が適正な球状ボン
    ドを形成するには短か過ぎることを決定し、 一連の例外位置ボンディングを行って、これにより長さ
    T の第2ワイヤ尾部をもたらし、 この新規尾部長さLT を、所望の尾部長さと比較して、
    適正な球状ボンドが形成され得るか否かを決定する各工
    程をさらに有する、請求項(17)による方法。
  19. 【請求項19】 上記の適正な球状ボンドが形成され得
    るか否かを決定する工程が、半導体デバイスを損傷する
    前にその後のボンディング操作を中止しなければならな
    いか否かを決定する工程を有する、請求項(15)によ
    る方法。
JP6059248A 1993-03-29 1994-03-29 ワイヤボンダのワイヤ尾部長さを監視する装置および方法 Pending JPH07106365A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/038843 1993-03-29
US08/038,843 US5326015A (en) 1993-03-29 1993-03-29 Wire bonder tail length monitor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07106365A true JPH07106365A (ja) 1995-04-21

Family

ID=21902223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6059248A Pending JPH07106365A (ja) 1993-03-29 1994-03-29 ワイヤボンダのワイヤ尾部長さを監視する装置および方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5326015A (ja)
JP (1) JPH07106365A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8231046B2 (en) 2006-10-26 2012-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Wire bonding apparatus and wire bonding method

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100309135B1 (ko) * 1995-11-02 2001-12-17 박종섭 와이어본더의와이어테일제어방법
US5591920A (en) * 1995-11-17 1997-01-07 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Diagnostic wire bond pull tester
KR100309129B1 (ko) * 1995-12-01 2001-12-17 박종섭 와이어본딩장치및그를이용한본딩방법
US5894981A (en) * 1996-11-27 1999-04-20 Orthodyne Electronics Corporation Integrated pull tester with an ultrasonic wire bonder
JP3370556B2 (ja) * 1997-05-14 2003-01-27 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びその制御方法
US6098868A (en) * 1997-05-23 2000-08-08 Masushita Electric Industrial Co., Ltd. Bump forming method and bump bonder
US6062462A (en) * 1997-08-12 2000-05-16 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Apparatus and method for making predetermined fine wire ball sizes
US6085962A (en) * 1997-09-08 2000-07-11 Micron Technology, Inc. Wire bond monitoring system for layered packages
JP2001189340A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法及びその装置
US7481351B2 (en) * 2003-12-23 2009-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Wire bonding apparatus and method for clamping a wire
JP4530984B2 (ja) * 2005-12-28 2010-08-25 株式会社新川 ワイヤボンディング装置、ボンディング制御プログラム及びボンディング方法
US8919632B2 (en) * 2012-11-09 2014-12-30 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method of detecting wire bonding failures
SG11201503764YA (en) * 2012-11-16 2015-06-29 Shinkawa Kk Wire-bonding apparatus and method of wire bonding
TWI587416B (zh) * 2013-01-25 2017-06-11 先進科技新加坡有限公司 導線鍵合機和校準導線鍵合機的方法
TWI518816B (zh) * 2013-07-04 2016-01-21 先進科技新加坡有限公司 用於在導線鍵合過程中測量無空氣球尺寸的方法和裝置
US9165842B2 (en) * 2014-01-15 2015-10-20 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Short tail recovery techniques in wire bonding operations
CN107124904B (zh) 2015-12-25 2020-04-21 华祥股份有限公司 打线接合装置
EP3603826B1 (en) * 2018-07-31 2023-05-10 Infineon Technologies AG Method for calibrating an ultrasonic bonding machine

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4586642A (en) * 1985-05-13 1986-05-06 Kulicke And Soffa Industries Inc. Wire bond monitoring system
DE3703694A1 (de) * 1987-02-06 1988-08-18 Dynapert Delvotec Gmbh Ball-bondverfahren und vorrichtung zur durchfuehrung derselben
US5037023A (en) * 1988-11-28 1991-08-06 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for wire bonding
JP2617351B2 (ja) * 1989-05-15 1997-06-04 株式会社新川 ワイヤ接続不良検出方法
US5238173A (en) * 1991-12-04 1993-08-24 Kaijo Corporation Wire bonding misattachment detection apparatus and that detection method in a wire bonder

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8231046B2 (en) 2006-10-26 2012-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Wire bonding apparatus and wire bonding method

Also Published As

Publication number Publication date
US5326015A (en) 1994-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07106365A (ja) ワイヤボンダのワイヤ尾部長さを監視する装置および方法
US4771930A (en) Apparatus for supplying uniform tail lengths
US4213556A (en) Method and apparatus to detect automatic wire bonder failure
US4586642A (en) Wire bond monitoring system
US6247629B1 (en) Wire bond monitoring system for layered packages
US5591920A (en) Diagnostic wire bond pull tester
JP5008014B2 (ja) ワイヤクランピング用のワイヤボンディング装置及び方法、ボールの自動的形成方法、並びにワイヤボンディング部
US9314869B2 (en) Method of recovering a bonding apparatus from a bonding failure
JP2007180349A (ja) ワイヤボンディング装置、ボンディング制御プログラム及びボンディング方法
US5836071A (en) Method to produce known good die using temporary wire bond, die attach and packaging
US20130125390A1 (en) Wire loops, methods of forming wire loops, and related processes
JP2617351B2 (ja) ワイヤ接続不良検出方法
US4998664A (en) Bond signature analyzer
JP3600954B2 (ja) 二重ワイヤーボンディング検出システム及びその方法
JP2005251919A (ja) バンプボンディング装置及びバンプ不着検出方法
KR100548008B1 (ko) 와이어 본딩 기기의 자동 볼 형성방법
US4707579A (en) Real-time tail length monitor for wire bonding flame-off apparatus
JPH11243119A (ja) ワイヤボンディング方法および装置
CN113939901A (zh) 焊线机上的焊接线材与焊接位置之间的焊接的检测方法
KR100273694B1 (ko) 반도체패키지용와이어본딩기의와이어본딩감지방법및그장치
JP3201371B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPS6351652A (ja) ワイアボンド管理装置
KR100526060B1 (ko) 자기 복구형 와이어 본딩 장치 및 그를 이용한 자동 볼형성 방법
US6660956B1 (en) Method of and apparatus for monitoring a ball forming process
KR20040110983A (ko) 웨지본드의 품질 확인 방법