JPS6351652A - ワイアボンド管理装置 - Google Patents

ワイアボンド管理装置

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JPS6351652A
JPS6351652A JP61196046A JP19604686A JPS6351652A JP S6351652 A JPS6351652 A JP S6351652A JP 61196046 A JP61196046 A JP 61196046A JP 19604686 A JP19604686 A JP 19604686A JP S6351652 A JPS6351652 A JP S6351652A
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wire
frame
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capillary
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Hideo Kameda
亀田　英夫
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路の製造工程におけるワイア
ボンドの管理装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のワイアボンドの管理方法としては、ワイアボンド
完了後、顕微鏡を通して人間の目による目視検査によっ
てＩＣパッドとワイアの剥がれ５ワイアとＩＣチップ周
辺部のショート及びワイアとフレームの剥がれを検査し
ている。また抜き取りによってボンディング強度を測定
し、ロフト判定を行っていた。
［発明が解決しようとする問題点〕 以上のように従来のワイアボンドの管理方法は、人間の
目視による管能挾査のため、充分な検査精度が得られな
いという欠点があった。また顕微鏡を用いた目視のため
、その検査に時間がかかり、多くの経費を要するという
問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、？ｆＪ単にかつ精度よくワイアボンドを管理
することのできるワイアボンド管理装置を得ることを目
的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るワイアボンド管理装置は、ワイアボンド
のキャピラリ一部とＩＣチップをマウントしたフレーム
部との間に電圧を印加するための電圧印加手段と、上記
キャピラリー、フレーム間の電圧を測定するための電圧
測定手段とを設け、該電圧測定結果によってワイアボン
ドの異常を検出するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、ワイアボンドのキャピラリーとフ
レーム間の電圧を測定し、該測定結果が正常なワイアボ
ンド時における電圧と異なる場合にこれを異常として判
定し、その態様によりワイアの剥がれやショート等を検
出する。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の概略構成を示すもので、図において、
１はワイアボンド装置のキャピラリーであり、これを上
下、左右に移動することによりワイアを所定の位五にボ
ンディグするものである。２は金線ワイア、３はＩＣチ
ップ、４は該ＩＣチップ３のボンディグバンド、５はＩ
Ｃチップ内のサージ保護ダイオードであり、ＧＮＤ側を
アノード。
バッド側をカソードとして接続されている。６は上記１
ｃチフプ３が搭載されたフレームであり、ワイアボンド
の工程においては、ＩＣのダイパッド部及び各ビンのリ
ード部はタイバーによって接続されている。　また８は
抵抗、９は電圧源、１０は電圧源９とフレーム６との接
点であり、これらにより上記キャピラリー１とフレーム
６との間に電圧を印加するための電圧印加手段が構成さ
れている。なお上記接点１０の電位はＧＮＤに設定され
ている。７はキャピラリー１．フレーム６間の電圧を測
定するための電圧計である。また図示していないが、上
記電圧針の測定結果によりワイアボンドの異常の有無モ
判断するための異常検出手段が設けられている。
第２図はワイアボンドが正常に行われた場合の電圧計７
の測定電圧の時間的変化を示している。
図において、１１，１２，１３．１４はそれぞれ時間０
−ｔｌ、ｔｌ〜ｔ２．ｔ２〜ｔ３．ｔ３〜の測定電圧に
対応し、時刻ｔ１でワイヤ２がＩＣチップ３のボンディ
グバッド４に接触し、ｔ２でワイア２がリードフレーム
６に接触し、ｔ３でワイア２をカットすることを示して
いる。
第３図、第４図、第５図はワイアボンド作業に異常が発
生した場合の例を示し、第３図はｒｃのバッド４とワイ
ア２とが剥がれた場合、第４図はワイア２とＩＣチップ
３もしくはフレーム６とが途中でショートした場合、第
５図はワイア２とリードフレーム６とが剥がれた場合を
示している。
次にり１作について説明する。
まずＩＣチップ３上のＧ　Ｎ　Ｄバッドをワイアボンド
し、その後にワイアボンドの管理を行う。これはＩＣチ
ップのＧＮＤをフレーム６と接続し、各バッド４毎にＧ
ＮＤとの間に設けられたサージ保護用のダイオードのア
ノード（ＩＣチップのＧＮＤ）をフレーム６と接続する
ためであるや次に正常にワイアボンドが行われる場合に
ついて、第２図を用いて説明ず乙。
期間０−ｔｌはワイアボンドを行う前の状態で、金線２
はＩＣチップ３のバッド４に接触していないため、Ｎ流
は流れず電圧計７の測定電圧は電圧源９の開放電位−Ｖ
ｅとなる。この状態を第２図の特性１１で示す。
次に期間ｔ１−ｔ２は、ＩＣチップ３のバッド４にワイ
アボンドされ、金線２がループを描いてフレーム６にワ
イアボンドされるまでの期間で、この状態では、電源９
から流れ出る電流は、接点１０を通り、フレーム６から
ＩＣチップ３０ＧＮＤに流れ込み、さらにサージ保護ダ
イオード５を流れ、パッド４から金線２及びキャピラリ
ー１を通って抵抗８を流れるように回路が構成される。
従って電圧計７の測定電圧は、ダイオード５の順方向電
圧−■ｆにほぼ等しい電圧となる。この状態を特性１２
に示す。ここで、金線２をパッド４にボンディグしてキ
ャピラリー１を引き上げる時に一定の引っ張り力を加え
、ボンディグ強度チェックを行う。
次に期間ｔ２〜ｔ３は、フレーム６にワイアボンドして
このワイア２を切り離すまでの期間である。ここでは金
線２がフレーム６に接触するため電圧計７の測定電圧は
０となる。この状態を特性１３で示す。ここで抵抗８は
この時の過電流防止用に用いている。またこのワイア切
り離しまでの期間において、フレーム６にボンディグし
た後に一定の引っ張り力でキャピラリー１を引き上げ、
これによりフレーム部のボンディグ強度のチェックを行
う。
時刻ｔ３以降はワイアを切り離すため、電流ループが開
放となって電圧計７の測定電圧は−Ｖｅとなる。これを
特性１４に示す。
このようにして１つのパッドのワイアボンドが完了し、
次のバッドも同様にして行う。これらの時間は、ワイア
ボンド装置の動作速度、ＩＣチップのピン数などの条件
によって決まり、予め時間　“と電圧の関係をプログラ
ムしておくことにより、自動的に異常を検出することが
できる。
次に異常の場合の具体例を第３図〜第５図を用いて説明
する。
第３図はＩＣパッド４と金線２が剥がれた場合を示すも
ので、時刻ｔ１とｔ２との間で電流経路が切れるため、
測定電圧が−Ｖｆから−Ｖｅに変化している。
また第４図は金線２のループが垂れて、ＩＣチップ３も
しくはフレーム６にショートした場合を示すもので、時
刻ｔ１とｔ２との間でＩ１１定電位がＯとなり、異常が
検出される。
さらに第５図はフレーム６と金線２が剥がれた場合を示
し、時刻ｔ２とｔ３との間で測定電位がＯから−Ｖｆに
変化する。
以上のようにして、予めプログラムした測定電圧の時間
的変化に対して測定された電圧もしくはタイミングが異
なる場合は、これを異常として検出し、フレーム上に「
不良」であることを示すためのインクを打つ、また同一
モードの不良が続く場合は、ワイアボンド装置の不調も
しくはプログラムミスの可能性があるため、動作を中止
して警告を発する。
このような本実施例では、ワイアボンド工程における検
査をワイアボンド作業と同時に、電気的に行うことがで
き、検査精度を従来に比し著しく向上できるとともに、
その検査時間を短縮することができる。またワイアボン
ドと同時にその管理を行うため、ワイアボンド装置自体
が不調の場合に大量の不良を製造することを未然に防止
することができる。
なお、上記実施例では電圧印加手段に抵抗と電圧源を用
いたが、これは定電流源を用いても同様の効果を奏する
。
また異常検出の例として３例をあげたが、この他にもワ
イアが■ＣＣパッド外れた場合にも異常を検出すること
ができる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、キャピラリーとフレ
ーム間に電圧を印加するとともに、この電圧を測定して
ワイアボンドの異常の有無を検出するようにしたので、
ワイアボンド管理をワイアボンド作業と同時に、電気的
に行うことができ、従来の人間の目による目視工程に比
較して著しく信頼性の高い管理を行うことができ、また
その時間を短縮することができる効果がある。またワイ
アボンドと同時に管理を行うため、装置の不調をいちは
やく検出でき、大量の不良を製造することを未然に防止
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例によるワイアボンド管理装
置の概略構成を示す図、第２図はワイアボンドが正常に
行われた場合の検出電圧の時間的変化を示す図、第３図
、草４図、第５図はそれぞれ異常が起こった場合の検出
電圧の時間的変化を示す図である。 １・・・キャピラリー、２・・・金線、３・・・ＩＣチ
ップ１．１・・・ボンディグバソド、６・・・フレーム
、７・・・電圧計、８・・・抵抗、９・・・電圧源、１
０・・・接点。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体集積回路の製造におけるワイアボンドの異
    常の有無を管理するためのワイアボンド管理装置であっ
    て、 ワイアを半導体集積回路のパッドにボンディグするため
    のキャピラリーと上記半導体集積回路が搭載されたフレ
    ームとの間に電圧を印加するための電圧印加手段と、 ワイアボンド工程における上記キャピラリーとフレーム
    間の電圧を測定するための電圧測定手段と、 該電圧測定結果によりワイアボンドの異常の有無を検出
    する異常検出手段とを備えたことを特徴とするワイアボ
    ンド管理装置。
  2. （２）上記異常検出手段は、上記キャピラリーとフレー
    ム間の測定電圧の時間的変化が、予めプログラムされた
    上記キャピラリーとフレーム間の正常なワイアボンド工
    程における電圧の時間的変化と異なる場合にこれを異常
    として検出するものであることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載のワイアボンド管理装置。
  3. （３）上記異常検出手段は、同一の不良モードを連続し
    て検出した場合にワイアボンド作業を中止し、警告を発
    するものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
    又は第２項記載のワイアボンド管理装置。
JP61196046A 1986-08-20 1986-08-20 ワイアボンド管理装置 Pending JPS6351652A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57177628A (en) * 1981-04-22 1982-11-01 Kansai Paint Co Ltd Breeding promoting paint composition of sea algaes
JP2003059981A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Denso Corp ワイヤボンディング評価方法とそれに用いる評価用治具

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5436030A (en) * 1977-08-26 1979-03-16 Tanto Kk Tile assembly
JPS5472962A (en) * 1977-11-24 1979-06-11 Hitachi Ltd Detecting method for break of wire
JPS576235B2 (ja) * 1977-05-27 1982-02-03

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS576235B2 (ja) * 1977-05-27 1982-02-03
JPS5436030A (en) * 1977-08-26 1979-03-16 Tanto Kk Tile assembly
JPS5472962A (en) * 1977-11-24 1979-06-11 Hitachi Ltd Detecting method for break of wire

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57177628A (en) * 1981-04-22 1982-11-01 Kansai Paint Co Ltd Breeding promoting paint composition of sea algaes
JP2003059981A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Denso Corp ワイヤボンディング評価方法とそれに用いる評価用治具
JP4599776B2 (ja) * 2001-08-09 2010-12-15 株式会社デンソー ワイヤボンディング評価方法とそれに用いる評価用治具

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