JP5008014B2 - ワイヤクランピング用のワイヤボンディング装置及び方法、ボールの自動的形成方法、並びにワイヤボンディング部 - Google Patents

ワイヤクランピング用のワイヤボンディング装置及び方法、ボールの自動的形成方法、並びにワイヤボンディング部 Download PDF

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Description

本発明は、ワイヤボンディング装置及びボンディング方法に関するもので、詳細には、ワイヤ断線が発生した場合、自己復旧が可能なワイヤボンディング装置及びそれを用いたボールの自動的形成方法に関するものである。
半導体パッケージの組み立ての際、半導体チップの機能を外部へと繋げる電気的接続方法としては、ワイヤボンディング方法、フリップチップ(flip chip)ボンディング方法、タブ(TAB)方法などがよく用いられる。
その中でも、現在最も一般的に用いられている電気的接続方法が、ゴールド(Au)ワイヤを用いたボンディング方法で、半導体パッケージ製造技術によく用いられている。ゴールドワイヤは、アルミニウム(Al)ワイヤや銅(Cu)ワイヤに比べて結合力は弱いものの、酸化や汚染の発生が少なく細く加工できるため幾何学的に円に近いボールを形成できるなどのメリットがある。
図1は、従来の技術によるワイヤボンディング装置50を概略的に示すブロック図である。図1が示すように、ワイヤスプール39(wire pool)から引き出されたワイヤ41がワイヤクランプ33(wire clamp)を介してキャピラリ32(capillary)に挿入される。キャピラリ32(capillary)には、トランスデューサー31(transducer)が設置されており、トランスデューサー31(transducer)に超音波発生部(図示せず)から発生するエネルギーをキャピラリ32(capillary)に伝達する。その際、ワイヤクランプ33は、キャピラリ32の上方に設置され、キャピラリ32を通して引き出されるワイヤ41をクランピングする。また、ワイヤボンディングが施される前にワイヤボンディング・モニタリングシステム38(Wire Bonding Monitoring System WBMS)を通して配線基板20と半導体チップ24の位置及び整列状態を正確に認識しワイヤボンディングを行なう。さらに、WBMS38は、ワイヤボンディングのうち、電流をトランスデューサー31に流して電流の流れをチェックする。ワイヤボンディングの途中でワイヤ41が切れた場合は、トランスデューサー31に流れる電流値の変化を感知し、ワイヤの断線情報をホストコンピューター37(HOST Computer)に伝送する。
一方、ワイヤクランプ33は、ホストコンピューター37によって制御され、固定板セットを有する固定板タイプ(plate type)がよく用いられる。ホストコンピューター37は、複数のワイヤボンディング装置50を総括するが、デジタル・アナログ変換機(Digital Analog Converter DAC)のような通信ボード35を通して、ワイヤクランプ33の開閉を制御するためのプロファイル(profile)をドライバー34(driver)に伝送する。その際、プロファイルは、複数の時間セグメント(segment)を有する制御信号で、時間セグメントごとにドライバー34によってワイヤクランプ33が開閉される。セグメントが小さければ小さいほどより精密なプロファイルを作ることができるが、ホストコンピューター37の特徴から500μs以下にするのは難しい。すなわち、ホストコンピューター37を通して、500μs以下で(開放モードから閉鎖モードへ、またはその反対)ワイヤクランプ33の状態を転換させるのは容易ではない。
このようなワイヤボンディング装置50を用いたボンディング工程を見てみると、ワイヤスプール39を通して供給されたワイヤ41は、エアテンション部40(air tension part)で提供するエア42によって一定の張力を保ったまま、トランスデューサー31とキャピラリ32を通して抜け出るようになる。エアテンション部40(air tension part)は、ワイヤ41にエア42を吹き込み、一定の張力を保たせる。キャピラリ32から外に出されたワイヤ41のテールに高電圧放電ブレード(図示せず)によるEFO(Electric Frame Off)放電によりボールを形成する。そして、半導体チップの電極パット26にボールボンディング(ball bonding)を行ない、一定のトレースのループを形成し配線基板20の基板パットにステッチボンディング(stitch bonding)を行なう。ボールボンディング及びステッチボンディングをスムーズに進行させるために、トランスデューサー31を通してキャピラリ32に超音波エネルギーを加えると同時に、ボンディングする部分に熱を加える。
しかし、ワイヤボンディングの途中でワイヤ41が切れることがある。それは主に、ステッチボンディングの際、キャピラリ32に加えられる過度な力や物理的な弾み(material bouncing)などによってワイヤの断線不良が生じるためである。この場合、ワイヤボンディング装置は動作を中断し、作業者は手作業でワイヤ41の端を再びキャピラリ32に挿入しなければならない。作業者の熟練度によって再挿入にかかる時間に差はあっても相当の時間がかかるうえ、一連の作業が手作業になるため、設備の生産性が低下する要因となる。
このような問題点を克服するために、ワイヤの断線が発生した際自動的にワイヤのテール及びボールを形成することによって、作業者の介入がなくても、ワイヤボンディングの作業がスムーズに進行できるボンディング装置が従来から提示されている。しかし、ワイヤ断線の際、ホストコンピューター37がワイヤボンディング装置のワイヤクランプの開閉を制御するため、ワイヤクランプ33がクランピングの動作を行なってもほとんど実効性がない。特に、ワイヤボンディングの途中でワイヤが切れた場合、トランスデューサー31に流れる電流値の変化をWBMSが感知し、ホストコンピューター37に伝送し、再びホストコンピューター37μsから伝送されてきた信号によりワイヤ41をクランピングする。そこで、ワイヤの断線からクランピングの作業までの時間は、約1000μs以上かかる。そのため、ワイヤ41がキャピラリ32の外へ離脱する問題がある。したがって、従来の自己復旧型ワイヤボンディング装置は、ワイヤ断線の際、外れたワイヤ41を再びキャピラリ32の中に挿入する手作業が必要となる。
また、ワイヤ断線不良が発生したワイヤテールは、正常なワイヤボンディング工程でのテールと比べて変形の可能性が高いため、ワイヤ断線不良が発生したワイヤテールをそのまま使用する場合、ボールが正常に形成できず、ワイヤボンディング不良につながるおそれがある。
本発明の目的は、ワイヤ断線の発生とほぼ同時にワイヤをクランピングし、ワイヤがキャピラリの外に外れる(離脱する)ことを防止することにある。
本発明の他の目的は、ワイヤ断線が発生したワイヤの端を除去し、正常なボールを形成するワイヤテール及びボールを自動的に形成できるようにすることにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、自己復旧型ワイヤボンディング装置であって、半導体チップが内蔵された配線基板を移送する移送レールと、上記移送レールに隣接して設置され上記半導体チップと配線基板をワイヤとで電気的に接続するワイヤボンディング部と、を有する
上記ワイヤボンディング部は、ワイヤを受容するキャピラリを有するトランスデューサーと、上記キャピラリと一緒に移動するワイヤクランプと、上記トランスデューサーでの電気の流れをチェックするワイヤボンディング・モニタリングシステムと、そして上記ワイヤクランプの開閉を制御し、上記WBMSが提供するワイヤの断線信号にしたがって上記ワイヤクランプを閉じて、断線されたワイヤを固定する専用制御機とを有する。
さらに、上記自己復旧型ワイヤボンディング装置は、上記移送レールに設置され、上記断線されたワイヤの端を切断してボールを形成するためのワイヤテールが形成されるプリボンディングステージをさらに有する。
本発明は、前述した自己復旧型ワイヤボンディング装置を用いたボールの自動的形成方法を提示する。ボールの自動的形成方法は、ワイヤボンディング・モニタリングシステムが提供するワイヤ断線信号にしたがって専用の制御部がワイヤクランプを閉じて断線されたワイヤをクランピングする段階と、上記ワイヤをワイヤテールを形成する特定の位置に移動する段階と、上記ワイヤクランプを開けて上記キャピラリの下向きに所定の長さのワイヤを引き出す段階と、上記ワイヤテールに高電圧放電を加えてボールを形成する段階と、を有する。
また、本発明におけるボールの自動的形成方法は、上記特定の位置から上記配線基板に移動し、上記半導体チップと配線基板をつなぐ1回のワイヤボンディングの段階と、上記ワイヤボンディングされたオフセット(offset)の有無を検査する段階をさらに有する。
また、本発明は、半導体チップと基板を電気的に接続するワイヤが内部のワイヤ引き出し方向に通過できるよう受容するキャピラリと上記ワイヤ引き出し方向に上記キャピラリの上方に位置するワイヤクランプと上記トランスデューサーでの電気の流れをモニタリングしてワイヤ断線を示す電気の流れの変化を感知し、ワイヤの断線信号を発生させるワイヤボンディング・モニタリングシステム及び上記ワイヤボンディング・モニタリングシステムが提供するワイヤ断線信号に応じて上記ワイヤクランプを閉じる専用制御機を有するワイヤボンディング部とを提供する。
さらに、本発明は、トランスデューサーを振動させてキャピラリの下向きにワイヤを引き出す段階と、上記トランスデューサーでの電気の流れをモニタリングする段階と、ワイヤ断線を示す電気の流れの変化を感知し、ワイヤ断線信号を発生させる段階と、を有するワイヤの固定方法を提供する。ここで、システムは、上記ワイヤ断線信号を発生させ、その信号を、ワイヤクランプを制御する専用制御機に伝送し、ワイヤクランプを閉じて、断線されたワイヤを固定する。
以下、添付の図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
図2及び図3に示すように、ワイヤボンディング装置150は、移送レール110とワイヤボンディング部130を有する。移送レール110は、半導体チップ124が内蔵された配線基板120を移送する。ワイヤボンディング部130は、半導体チップ124と配線基板120をワイヤ141で電気的に接続する。ワイヤボンディング部130は、トランスデューサー131とワイヤクランプ133及びワイヤボンディング・モニタリングシステム(WBMS)138を有する。トランスデューサー131は、先端部にワイヤ141を受容するキャピラリ132を有する。ワイヤクランプ133は、キャピラリ132の上方に設置され、ワイヤ141を固定する。ワイヤクランプ133はキャピラリ132と一緒に移動する。WBMS138はトランスデューサー131での電気の流れをチェックする。ワイヤスプール139はワイヤボンディング部130にワイヤ141を供給する。エアテンション部140は、ワイヤ141が所定の張力を保てるよう、ワイヤ141にエア142を吹き込む。ホストコンピューター137はワイヤボンディング装置150と接続され、ワイヤボンディング装置150を制御する。通信ボード136は、ホストコンピューター137とワイヤボンディング装置150を接続する。
ワイヤボンディング装置150はさらに、専用制御機135とプリボンディングステージ112(pre bonding stage)も有する。専用制御機135は、ワイヤクランプ133の開閉を制御する。特に、専用制御機135は、WBMS138が提供するワイヤ断線信号にしたがって迅速にワイヤクランプ133を閉じ、断線されたワイヤをクランピングする。プリボンディングステージ112は移送レール110に設置される。
WBMS138は配線基板120と半導体チップ124の位置及び整列状態を正確に認識し、ワイヤボンディングの進行をモニタリングする。WBMS138は、ワイヤボンディングが行なわれる間に、トランスデューサー131に電流を流し、電流の流れをチェックする。ワイヤが切れた場合は、WBMS138からトランスデューサー131に流れる電流値の変化を感知し、ワイヤ断線情報(つまり、ワイヤ断線信号)を専用制御機135に伝送する。さらに、複数のワイヤボンディング装置150を総括するホストコンピューター137にもワイヤ断線情報を伝送する。したがって、ホストコンピューター137は、どのワイヤボンディング装置でワイヤ断線が発生したかを把握し、断線が発生したワイヤボンディング装置で自動的にボール形成の工程が行なえるように制御する。
専用制御機135は、ワイヤクランプ133のドライバー134に接続されており、ワイヤクランプ133の開閉を制御するためのプロファイル(profile)を直接ドライバー134に伝送する。その際、プロファイルは複数のタイム・セグメント(time segment)を有する制御信号で、タイム・セグメントごとにドライバー134によってワイヤクランプが開閉される。専用制御機135は、DACのような通信ボード136を通してホストコンピューター137に接続されており、ワイヤ断線信号のようなワイヤクランプ133の開閉に関連する信号(つまり、ワイヤ断線信号)を直接提供してもらえるようにするため、WBMS138とも接続されている。
従来は、複数のワイヤボンディング装置を総括するホストコンピューターがワイヤクランプの開閉を制御していたが、本発明の実施形態では、制御機135がワイヤクランプ133の開閉を制御する。すなわち、ワイヤボンディング装置150ごとにワイヤクランプ133を制御する専用制御機135を使用する。
従来とは違って、本発明では、クランピングの作業を制御する信号に直接的な経路を提供できるようになった。これは、ワイヤ断線信号がWBMS138から制御機135に直接伝送され、制御機135はプロファイルを生成し、ドライバー134に直接供給するということである。専用制御機135は、約100μsのセグメントを有するプロファイルを生成する。このようなプロファイルは、従来の構造では、クランピング作業を制御する信号の間接的な経路のゆえに生成できなかった。図1に示すように、ワイヤ断線信号は、WBMS138から通信ボード35を通してホストコンピューター37に伝送され、ホストコンピューター37でプロファイルを生成し、再び通信ボードを通してドライバー34に伝送される。このように、従来の構造では、ホストコンピューター37の共用性のゆえにクランピング作業に関連した信号の処理に時間がかかっていた。
しかし、本発明では、プロファイルが約100μsのセグメントを有しており、ワイヤクランプ133の開閉の制御がスタートビット(start bit)一つで行なわれるため、ワイヤ断線信号の送信とほぼ同時に断線されたワイヤをクランピングすることができる。したがって、断線されたワイヤがキャピラリ132の上端を通して外に外れることを防止できる。
そして、プリボンディングステージ112では断線されたワイヤの端を除去する。そうすることによって、ワイヤテールやボールがワイヤボンディング(以下、「フリーワイヤボンディング」という)を通して自動的に形成できる。断線されたワイヤの端は、正常なワイヤボンディングで形成されたワイヤテールに比べて形状に変形が生じることがある。断線されたワイヤの端に高電圧放電を加えてボールを形成する場合は、正常な球の形体ではなく他の形体になり、ワイヤボンディングの不良が発生するおそれがあるため、プリボンディングステージ112でフリーワイヤボンディングで断線されたワイヤの端を除去することによって、正常なボール(即ち、不良のないボール)を形成するのに適切なワイヤテールを形成する。一方、フリーワイヤボンディングは、配線基板120の上でも具現可能である。この場合、配線基板120に形成された基板パット122の中のダミー基板パット122a(図3を参照)を用いてワイヤテールを形成することができる。
一方、プリボンディングステージ112は移送レール110に設置されるが、移送レール110の片側あるいは両側に設置することができる。プリボンディングステージ112は、移送レール110が設置された方向に所定の長さで設置されることが好ましい。しかし、フリーワイヤボンディング工程さえ可能であれば、当然様々な形が考えられる。プリボンディングステージ112の素材としては、フリーワイヤボンディングの際にキャピラリ132の損傷を最小化でき、ワイヤ141と接着しやすいものが好ましい。たとえば、プリボンディングステージ112の素材として、配線基板の基板パット122の素材として用いられる鉄系または銅系の合金を使用することができる。プリボンディングステージ112及び配線基板120の基板パット122、122aの素材は、同じでも異なっても良い。
図4は、図2のワイヤボンディング装置を用いたボールの自動的形成方法の流れを示すものである。図5A及び図12は、図4に示したボールの自動的形成方法の各段階を示す図である。
一般に、ワイヤボンディング工程170は、移送レールで半導体チップが内蔵された配線基板が順番に供給されながら、ワイヤボンディング部で行なわれる。そしてワイヤボンディング工程170の途中でワイヤ断線が発生しなければ(171においてNo)、続いてワイヤボンディング工程170が続けられ、ワイヤ断線が発生した場合は(171においてYes)、断線されたワイヤをクランピングする段階173から始まって、ボールを形成する工程183を経て、ワイヤボンディング170が自動的に行なわれるようにする。本実施形態では、配線基板にステッチボンディングをする際、ワイヤ断線が発生した例を提示した。ワイヤ断線はワイヤボンディング工程の際、常に発生の可能性がある。本実施形態では、本発明の自己復旧の特徴を中心に説明する。
ワイヤ断線が発生すると(171においてYes)、断線されたワイヤ141をクランピングする段階が行なわれる(図4の173)。ワイヤクランピングの段階は、図5A及び図6を参照して説明する。ワイヤ断線が発生すると、トランスデューサー131に流れる電流値に変化が生じ、これをWBMS138が感知し、ワイヤ断線情報を専用制御機135に伝送する。専用制御機135は、ワイヤクランプ133を閉じるよう命令のプロファイルをドライバー134に伝送し、ワイヤクランプ133を閉じて、断線されたワイヤ141をクランピングする。
その際、専用制御機135はプロファイルを約100μs(t2)のセグメントで生成できるため、ワイヤクランプ133の開閉の制御がスタートビット(start bit)一つで行なわれる。したがって、WBMS138が提供するワイヤ断線信号の送信とほぼ同時に断線されたワイヤ141をクランピングすることができるため、断線されたワイヤ141がキャピラリ132の上端を通して外に外れる不良を防止できる。図6の図面符号146aは、ワイヤ断線の後、キャピラリ132の下端に露出されたワイヤの端部を示す。
図5Aに示す通り、配線基板120にワイヤ141をキャピラリ132でステッチボンディングした後(I)、ワイヤテールを形成する位置にキャピラリが上昇し(II)、ワイヤクランプ141を閉じてワイヤをクランピングした状態でキャピラリ132が上昇することによって、ワイヤ141のもっとも弱い部分であるステッチボンディングされた部分でワイヤ141が切れてワイヤテール146が形成される(III)。
図5B及び図5Cは、ワイヤクランピングの時間を従来の場合と比較して示している。ここでクランピングの時間は、ワイヤクランピングの開放状態で、A時点でワイヤ断線が発生した際に測定される。また、時点Aは、キャピラリ132がワイヤテール146を形成するための位置に移動する前で、ステッチボンディング工程の後である。
図5B(1)は、ワイヤ断線が発生しないワイヤボンディング工程におけるクランピングの段階を示す。所定の時間でワイヤクランピング133が開放の状態から閉鎖の状態へと転換されてワイヤ141をクランピングする。ワイヤクランプ133を閉じた状態でキャピラリ132はワイヤ141を切断するための高さに上昇し、ワイヤテール146を形成する(図5A(III)参照)。
図5B(2)は、従来のワイヤクランピングの時間を示す。従来のホストコンピューターはワイヤの開閉を制御する。ワイヤ断線の発生時点(A)からワイヤクランプが閉鎖動作を始めるまで、約800μs(t1)を要する。すなわち、ワイヤがキャピラリの上端の外に外れるような不良が発生するおそれがある。
図5B(3)は、本発明の実施形態に基づくワイヤクランピングの時間を示す。本発明の場合、専用制御機135がワイヤクランプ133の開閉を制御するため、ワイヤ断線が発生した時点からワイヤクランプ133が断線されたワイヤ141をクランピングするまで、約100μs(t2)を要する。したがって、WBMS138が提供するワイヤ断線信号の送信とほぼ同時に断線されたワイヤ141をクランピングすることができるため、断線されたワイヤ141がキャピラリ132の上端から外に外れてしまう不良を防止できる。
次に、図6及び図7に示すように、断線されたワイヤを特定の位置に移動する段階が行なわれる(図4の175)。まず、断線されたワイヤ141をクランピングしたワイヤボンディング部130は、ボールを形成するためのワイヤテールを形成する特定の位置に移動する。次に、特定の位置の上端面にトランスデューサー131が下降する。ワイヤテールを形成する位置は、配線基板120の基板パットの高さに対応する位置である。本実施形態において、特定の位置は、プリボンディングステージ112であるが、これに限らない。本実施形態では、プリボンディングステージ112が移送レール110の設置方向に設置され、移送レール110の設置方向にフリーワイヤボンディングが行なわれる例を示すが、これに限らない。当然ながら、プリボンディングステージ112は、移送レール110の設置方向と垂直の方向に設置することも可能で、フリーワイヤボンディングが、プリボンディングステージ112が設置された方向(たとえば、移送レール110の設置方向と垂直方向)に行なわれることもある。
次に、図8及び図9に示すように、ワイヤを引き出す段階が行なわれる(図4の177)。まず、図8に示すように、閉じられたワイヤクランプ133を開けた後、トランスデューサー131に超音波振動を加え、キャピラリ132の下端に所定の長さのワイヤ146aを引き出す。そして、図9に示すように、開いたワイヤクランプ133を閉じることによって、ワイヤ引き出しの工程は完了する。ここで、キャピラリの下端に引き出されたワイヤ146aはフリーワイヤボンディングでワイヤテールとして用いられる。
次に、図10A及び図10Bに示す通り、キャピラリ132の下端に所定の長さのワイヤ146aが引き出されたか否かを検出する段階が行なわれる(図4の179)。ワイヤを検出する段階は、図10Aに示す通り、トランスデューサー131がプリボンディングステージ112に下降し、キャピラリ132の先端の下に引き出されたワイヤ146aとフリープリボンディングステージ112との接触有無に伴うトランスデューサー131での電気の変化をWBMS(図2の138)がチェックしてワイヤを検出する。ワイヤが検出されない場合(すなわち、キャピラリの下端に所定の長さのワイヤが引き出されない場合)、前述したようなワイヤ引き出しの工程(図4の177)を再び行なう。
本発明は、前述したようなワイヤ検出段階に限らない。すなわち、図10Bに示す通り、キャピラリの下に引き出されたワイヤに高電圧放電ブレード143を用いて高電圧放電を加えることによって、トランスデューサー131での電気の流れをWBMS(図2の138)がチェックしてワイヤを検出することも可能である。一方、キャピラリ132の下にワイヤが引き出された場合、ワイヤの端にボール149aが形成される。形成されたボールは球の形である。
その他、センサーのような検出手段を利用してワイヤ引き出しの有無を検出することもできる。
次に、図11A及び11Bに示す通り、ワイヤテール146を形成する段階が行なわれる(図4の181)。すなわち、断線されたワイヤの端をフリーワイヤボンディングで切断し、正常なボールが形成できるワイヤテール146を形成する。このワイヤテールの形成の段階は、フリーワイヤボンディングステージ112(または図3のダミー基板パット)で行なわれる。
フリーワイヤボンディングは、図11Aに示す通り、ウェッジボンディング(wedge bonding)でありうる。すなわち、図10Aに示した方法でワイヤ検出を行なった後、プリボンディングステージ112にウェッジボンディングを行ない、キャピラリの下端にワイヤテール146を形成する。図面符号147aは、プリボンディングステージ112にウェッジボンディングされたワイヤを示す。ウェッジボンディングは、ワイヤボンディング技術の一つであり、よく知られている技術であるため、ここでは詳しい説明は省略する。
また、フリーワイヤボンディングは、図11Bに示す通り、ボールボンディングであってもよい。すなわち、図10Bに提示された方法でワイヤを検出する際に形成されたボール149aを用いて、プリボンディングステージ112にボールボンディングを行ない、キャピラリの下端にワイヤテール146を形成する。図面符号147bは、プリボンディングステージ112にボールボンディングされたワイヤを示す。ボールボンディングは、ワイヤボンディング技術の一つであり、よく知られている技術であるため、ここでは詳しい説明は省略する。
次に、図12に示す通り、ワイヤテールに高電圧放電ブレード143を用いて高電圧放電を加えてボール149を形成する(図4の183)。本実施形態では、プリボンディングステージ112の上方でボールを形成する例を示したが、これに限らず、たとえば、配線基板120の上方でも形成されうる。
また、キャピラリ132をプリボンディングステージ112から配線基板120に移動させた後、半導体チップと配線基板を接続する1回のワイヤボンディングを行なった後(図4の185)、1回のワイヤボンディングされた部分をWBMS138でオフセット(offset)の有無を精密検査し、再びワイヤボンディングを始めるか、エラーを発生させるかを判別する(図4の187)。
精密検査を通して、1回のワイヤボンディングされた部分がオフセットの有無を判別する誤差の範囲内の場合(図4の187においてOK)、再びワイヤボンディングを進行させる。しかし、1回のワイヤボンディングされた部分がオフセットの有無を判別する誤差の範囲を超える場合(図4の187においてNOT OK)は、ワイヤボンディング装置の動作を中断させ、エラーを発生させて作業者に知らせる(図4の189)。ワイヤボンディングの位置がずれる場合は、通常、キャピラリ132が磨耗されているかまたは曲がっているのが原因であるため、キャピラリ132を有するワイヤボンディング部130の定期的な点検が必要である。
前述したようなワイヤ引き出し方法の外にも、図13に示したような引き出し段階を行なうことができる(図4の177)。図7に示す通り、断線されたワイヤ141をクランピングしたワイヤボンディング部130がボール形成のためのワイヤテールを形成するフリーボンディンステージ112に移動する段階から始まる。
次に、図13(a)に示す通り、ワイヤクランプ133を開けてもワイヤ141の現在位置を維持できるように条件を整える。すなわち、ワイヤ141の平衡状態を保てるよう,ワイヤスプールで供給されたワイヤ141にエア142を吹き込む。エア142は、ワイヤクランプ133を中心に上の方向にワイヤに張力を作用させ、トランスデューサー131に超音波振動を加える。また、ワイヤクランプ133の上のワイヤ141に加わった張力に対応する引力をワイヤクランプ133の下のワイヤ141に作用させる。
次に、図13(b)に示した通り、ワイヤクランプ133を開けた後、図13(c)に示す通り、トランスデューサー131が所定の高さに上昇することによって、トランスデューサー131に対して相対的に止まっているワイヤ141はキャピラリ132の下端の外に引き出される。
次に、図13(d)に示す通り、ワイヤクランプ133を閉じてワイヤ141をクランピングした後、図13(e)に示す通り、ボールを形成する位置にトランスデューサー131が下降することによってワイヤ引き出しの工程は完了する。
本発明の実施形態においては、ワイヤクランプの制御を通してワイヤが引き出されたが、これに限定されず、たとえば、ワイヤ引き出しのために補助クランプを設置することもできる。
図14は、本発明のさらに他の実施形態による、補助クランプ244を有するワイヤボンディング装置250を概略的に示すブロック図である。ここでのワイヤボンディング装置250は、補助クランプ244とセンサー245を有する。補助クランプ244は、ワイヤクランプ233とキャピラリ232の間に配置され、ワイヤ241を固定させる。センサー245は、キャピラリ232の下方に設置され、キャピラリ232の下端から引き出されるワイヤ241の長さを測定し、ワイヤテールに形成されるボールの位置を測定する。
センサー245は、キャピラリ232の下端に引き出されたワイヤ241の長さを測定し、キャピラリ232の移動距離を決定する役割を果たす。センサー245としては、光センサーか光カメラなどが用いられる。
補助クランプ244としては、ローラタイプ(roller type)または固定板タイプが用いられる。補助クランプ244も専用制御機235によって開閉が制御される。一方、本実施形態では、補助クランプ244及びセンサー245を用いたワイヤ引き出しの段階を除けば、第1実施形態と構造的・機能的に同一である。
図15は、ローラタイプの補助クランプ244aを用いてワイヤを引き出す段階を示す図である。ワイヤ断線が発生した場合は、図15(A)に示す通り、(図2のワイヤクランプ133と類似した)ワイヤクランプ233を閉じて断線されたワイヤ241をクランピングする。
また、図15(b)に示す通り、センサー245がキャピラリ232の下端に引き出されたワイヤ246aの長さを測定し、その情報を専用制御機(図14の235)に伝送する。次に、補助クランプ244aが閉じられ、ワイヤ241を固定した後、ワイヤクランプ233が開く。
一方、ローラタイプの補助クランプ244aにはモータが付着されており、それによって回転が可能である。またモータで、引き出されたワイヤ246aの位置が調節できる。
図15(c)に示す通り、専用制御機(図14の235)がモータを動作させ、補助クランプ244aのローラを回転させることによって、ワイヤをキャピラリ232の下端に引き出す。センサー245から提供されるワイヤの長さに関する情報に応じて、ワイヤをキャピラリ232の下端に引き出す。
最後に、図15(d)に示す通り、開いたワイヤクランプ233を閉じてワイヤ241を固定した後、補助ワイヤクランプ244aを開く。
このとき、ローラタイプの補助クランプ244aを用いてワイヤを引き出す場合は、トランスデューサー231の上下移動なしでワイヤの引き出しが行なわれる。
図16は、ワイヤクランプ233と同じ固定板セットを有する固定板タイプの補助クランプ244bを用いてワイヤを引き出す各段階を示す図である。
まず、ワイヤ断線が発生すると、図16(a)に示す通り、(図2のワイヤクランプ133と類似した)ワイヤクランプ233を閉じて断線されたワイヤ241をクランピングする。センサー245がキャピラリ232の下端に引き出されたワイヤ246aの長さを測定し、ワイヤの長さに関する情報を専用制御機(図14の235)とホストコンピューター(図14の237)に伝送する。その際、センサー245が示すワイヤの長さに関する情報に応じて、専用制御機(図14の235)はワイヤクランプ233及び補助クランプ244bの開閉を制御し、ホストコンピューター(図14の237)はトランスデューサー231の上下移動を制御する。
次に、図16(b)に示す通り、補助クランプ244bを閉じてワイヤ241を固定した後、ワイヤクランプ233を開く。
次に、図16(c)に示す通り、トランスデューサー231が所定の高さに上昇する。その際、トランスデューサー231の上下移動は、トランスデューサー231の上端が補助クランプ244bの下端に近接するよう上昇し、ワイヤクランプ233の下端が補助クランプ244bの上端に近接するよう下降する。
次に、図16(d)に示す通り、ワイヤクランプ233を閉じてワイヤ241を固定した後、補助クランプ244bを開く。ここまでは、ワイヤ241の位置に変化がない。
最後に、図16(e)に示す通り、トランスデューサー231は補助クランプ244bからボールを形成する位置に下降する。その際、ワイヤ241はトランスデューサー231とワイヤクランプ233と一緒に移動する。
一方、補助クランプ244bによってトランスデューサー231の上下移動の幅が制限されるため、一回のトランスデューサー231の上下移動では、ワイヤ246aが所定の長さでキャピラリ232の下端に引き出しされない場合がある。したがって、センサー245が示すワイヤの長さで、キャピラリ232の下端にワイヤ246aが引き出されるまで、(b)ないし(e)段階を反復的に行なう。たとえば、センサー245からホストコンピューター(図14の237)に伝送された長さの情報がトランスデューサー231の上昇の幅より小さい場合、トランスデューサー231の1回の上昇の工程でワイヤ引き出しが可能である。しかし、センサー245からホストコンピューター(図14の237)に伝送された長さの情報がトランスデューサー231の上昇の幅より大きい場合は、トランスデューサー231の上下移動を反復させ、センサー245が示す情報に相当する長さのワイヤ246aを引き出す。当然、トランスデューサー231の上下移動に合わせて、ワイヤクランプ233及び補助クランプ244bの動作も同時に行なわれる。
したがって、固定板タイプの補助クランプ244bを用いた場合、ワイヤクランプ233と補助クランプ244bが、交代でワイヤ241を固定させる役割をしながら、トランスデューサー231の上下移動を反復すると、センサー245が示す情報に相当する長さで、キャピラリ232の下端にワイヤ246aを引き出すことができる。
また、センサーを利用して(フリーワイヤボンディングで形成された)ボールの位置を補正するのが好ましい。
本発明の構成によれば、ワイヤクランプの開閉を制御する専用制御機を設置することにより、ワイヤ断線とほぼ同時に断線されたワイヤをクランピングすることができるともに断線されたワイヤがキャピラリの上端の外に外れてしまう不良を防ぐことができる。
また、移送レールの部分にプリボンディングステージを形成し、断線されたワイヤの端部を切断する工程を行なうことにより、断線されたワイヤの使用によるワイヤボンディングの不良を抑制できる。
さらに、断線されたワイヤのクランピングからボール形成までの一連の動作を自動にできることから、ワイヤボンディング装置の効率を最大化できる。
一方、本明細書と図面に示した本発明の実施形態は、理解を深めるための特定の例に過ぎず、本発明の範囲を限定するためのものではない。ここに提示した実施形態の他にも本発明の技術的思想に基づいて他の変形例が実施可能であることは、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者には自明である。
従来の技術に基づくワイヤボンディング装置を概略的に示すブロック図である。 本発明の一実施形態によるワイヤボンディング装置を概略的に示すブロック図である。 本発明の一実施形態による、移送レール部分にプリボンディングステージが設置された状態を示す平面図である。 図2のワイヤボンディング装置を用いたボールの自動的形成方法を示す流れ図である。 断線されたワイヤをクランピングする段階を従来のものと比較して示す図である。 断線されたワイヤをクランピングする段階を従来のものと比較して示す図である。 断線されたワイヤをクランピングする段階を従来のものと比較して示す図である。 本発明の一実施形態による特定の位置に移動する段階を示す図である。 本発明の一実施形態による特定の位置に移動する段階を示す図である。 本発明の一実施形態によるワイヤを引き出す段階を示す図である。 本発明の一実施形態によるワイヤを引き出す段階を示す図である。 本発明の一実施形態によるワイヤを検出する段階を示す図である。 本発明の一実施形態によるワイヤを検出する段階を示す図である。 本発明の一実施形態によるワイヤテールを形成する段階を示す図である。 本発明の一実施形態によるワイヤテールを形成する段階を示す図である。 本発明の一実施形態によるボールを形成する段階を示す図である。 図2のワイヤボンディング装置を用いてワイヤを引き出す他の実施形態を示す図である。 本発明の他の実施形態による補助クランプを有するワイヤボンディング装置を概略的に示すブロック図である。 本発明の他の実施形態による、ローラタイプの補助クランプを用いて、ワイヤを引き出す段階を示す図である。 本発明の他の実施形態による、固定板タイプの補助クランプを用いて、ワイヤを引き出す段階を示す図である。
符号の説明
110 移送レール
112 プリボンディングステージ
120 配線基板
122 基板パット
122a ダミー基板パット
124 半導体チップ
126 電極パット
130 ワイヤボンディング部
131 トランスデューサー
132 キャピラリ
133 ワイヤクランプ
134 ドライバー
135 専用制御機
136 通信ボード
137 ホストコンピューター
138 WBMS
139 ワイヤスプール
140 エアテンション部
141 ワイヤ
146 ワイヤテール
149 ボール
150 ワイヤボンディング装置
244 補助クランプ
245 センサー

Claims (27)

  1. 少なくとも一つ以上の半導体チップを有する少なくとも一つ以上の配線基板を移送する移送レールと
    前記半導体チップと配線基板をワイヤで電気的に接続するワイヤボンディング部と、を有し、
    前記ワイヤボンディング部は、ワイヤを受容するキャピラリを有するトランスデューサーと、
    前記キャピラリと一緒に移動するワイヤクランプと、
    前記トランスデューサーでの電気の流れをチェックするワイヤボンディング・モニタリングシステムと、
    前記ワイヤボンディング・モニタリングシステムにて、ワイヤボンディングが行なわれる間に、前記トランスデューサーに電流を流して該電流の流れをチェックするとともに、前記ワイヤが切断された場合は、前記トランスデューサーに流れる電流値の変化を感知し、その電流値の変化により検出されるワイヤ断線信号に基づき、前記断線されたワイヤを固定する専用制御機と、を有し、
    さらに、前記移送レールに設置され、前記断線されたワイヤの端を切断するプリボンディングステージ、を有することを特徴とするワイヤボンディング装置。
  2. 前記プリボンディングステージは、前記移送レールが設置された方向に所定の長さで設置されることを特徴とする請求項1に記載のワイヤボンディング装置。
  3. 前記ワイヤボンディング部は、ワイヤスプールと前記移送レールの間に配置され、前記ワイヤを固定する補助クランプも有することを特徴とする請求項1に記載のワイヤボンディング装置。
  4. 前記補助クランプは、前記キャピラリの下向きにワイヤを引き出し一対のローラであることを特徴とする請求項3に記載のワイヤボンディング装置。
  5. 前記補助クランプは、前記ワイヤクランプと交代でワイヤを固定し、前記トランスデューサーの上下移動でワイヤを前記キャピラリの下向きに引き出し固定板のセットであることを特徴とする請求項3に記載のワイヤボンディング装置。
  6. 前記トランスデューサーは、上端が前記補助クランプの下端に接近するように第1方向に移動し、前記ワイヤクランプの下端が前記補助クランプの上端に接近するように第1方向の逆方向である第2方向に移動することを特徴とする請求項5に記載のワイヤボンディング装置。
  7. 前記キャピラリの下端から引き出されるワイヤのワイヤテールに形成されるボールの位置を測定するために、前記キャピラリの下方に設置されたセンサーをさらに有することを特徴とする請求項3に記載のワイヤボンディング装置。
  8. ワイヤボンディング・モニタリングシステムにて、ワイヤボンディングが行なわれる間に、トランスデューサーに電流を流して該電流の流れをチェックするとともに、ワイヤが切断された場合は、前記トランスデューサーに流れる電流値の変化を感知し、その電流値の変化により検出されるワイヤ断線信号に基づき、ワイヤクランプを閉じて断線されたワイヤを、該ワイヤがキャピラリの外に離脱する前にクランピングする段階と、
    ワイヤテールを形成する特定の位置にワイヤを移動させる段階と、
    前記ワイヤクランプを開けて前記キャピラリの下端に所定の長さのワイヤを引き出す段階と、
    前記引き出されたワイヤを、ワイヤテールを形成する特定の位置にフリーワイヤボンディングする段階と
    前記ワイヤテールに高電圧放電を加えてボールを形成する段階と、を有することを特徴とするボールの自動的形成方法。
  9. 前記ワイヤクランプによって固定された前記ワイヤの端は、前記キャピラリの中に位置することを特徴とする請求項8に記載のボールの自動的形成方法。
  10. 前記ワイヤテールを形成する特定の位置は、プリボンディングステージであることを特徴とする請求項8に記載のボールの自動的形成方法。
  11. 前記ワイヤテールを形成する特定の位置は、配線基板のダミー基板パットであることを特徴とする請求項8に記載のボールの自動的形成方法。
  12. 前記ワイヤを特定の位置に移動させる段階は、
    前記トランスデューサーを前記配線基板上から前記特定の位置に移動させる段階と、
    前記トランスデューサーを前記特定の位置の上端面に移動させる段階と、を有することを特徴とする請求項8に記載のボールの自動的形成方法。
  13. 前記ワイヤ引き出しの段階は、
    前記トランスデューサーに超音波振動を加えて前記キャピラリの下向きに前記ワイヤを引き出す段階と、
    開いた前記ワイヤクランプを閉じる段階と、を有することを特徴とする請求項12に記載のボールの自動的形成方法。
  14. 前記ワイヤ引き出し段階は、
    所定の高さで前記トランスデューサーが上昇し、前記キャピラリの下向きに前記ワイヤを引き出す段階と、
    前記ワイヤクランプを閉じる段階と、
    ボールを形成する位置に前記トランスデューサーが下降する段階と、を有することを特徴とする請求項12に記載のボールの自動的形成方法。
  15. 前記ワイヤクランプ及び前記キャピラリの間に配置される補助クランプにより前記ワイヤを固定することをさらに有する請求項12に記載のボールの自動的形成方法。
  16. 前記補助クランプは、一対のローラで、
    前記ワイヤ引き出しの段階は、
    前記一対のローラが前記ワイヤを固定した後、前記ワイヤクランプを開く段階と、
    前記ローラの回転により前記ワイヤを前記キャピラリの下向きに引き出す段階と、
    前記ワイヤクランプを閉じてワイヤを固定した後、前記ローラを開く段階と、を有することを特徴とする請求項15に記載のボールの自動的形成方法。
  17. 前記補助クランプは一対の固定板で、
    前記ワイヤ引き出しの段階は、
    前記補助クランプによりワイヤをクランピングした後、前記ワイヤクランプを開く段階と、
    所定の高さに前記トランスデューサーが上昇し、前記キャピラリの下向きに所定の長さのワイヤを引き出す段階と、
    前記ワイヤクランプを閉じてワイヤを固定した後、閉じた前記補助クランプを開く段階と、
    ボールを形成する位置に前記トランスデューサーが下降する段階と、を有することを特徴とする請求項15に記載のボールの自動的形成方法。
  18. 前記ワイヤ引き出し段階の後、前記キャピラリの下向きに所定の長さのワイヤが引き出されたか否かを検出する段階をさらに有することを特徴とする請求項8に記載のボールの自動的形成方法。
  19. 前記検出の段階は、
    前記トランスデューサーが前記特定の位置に下降する段階と、
    前記引き出されたワイヤと前記特定の位置との接触有無による前記トランスデューサーでの電気の流れをモニタリングしてワイヤを検出する段階と、を有することを特徴とする請求項18に記載のボールの自動的形成方法。
  20. 前記検出の段階は、
    前記ワイヤで高電圧放電を加える段階と、
    前記トランスデューサーでの電気の流れをモニタリングしてワイヤを検出する段階と、を有することを特徴とする請求項18に記載のボールの自動的形成方法。
  21. 前記フリーワイヤボンディングは、ウェッジ・ボンディングであることを特徴とする請求項8に記載のボールの自動的形成方法。
  22. 前記フリーワイヤボンディングは、ボールボンディングであることを特徴とする請求項8に記載のボールの自動的形成方法。
  23. 前記ワイヤを前記特定の位置から配線基板に移動する段階と、
    半導体チップ及び前記配線基板をつなぐ1回のワイヤボンディングをする段階と、
    ワイヤボンディングされた部分のオフセットの有無を検査する段階と、をさらに有することを特徴とする請求項8に記載のボールの自動的形成方法。
  24. 半導体チップと基板を電気的に接続するワイヤが内部のワイヤ引き出しの方向に通過するように受容するキャピラリを有するトランスデューサーと、
    前記ワイヤ引き出し方向に前記キャピラリの上方に位置するワイヤクランプと、
    前記トランスデューサーでの電気の流れをモニタリングしてワイヤ断線を示す電気の流れの変化を感知し、ワイヤ断線信号を発生するワイヤボンディング・モニタリングシステムと、
    前記ワイヤボンディング・モニタリングシステムにて、ワイヤボンディングが行なわれる間に、前記トランスデューサーに電流を流して該電流の流れをチェックするとともに、前記ワイヤが切断された場合は、前記トランスデューサーに流れる電流値の変化を感知し、その電流値の変化により検出されるワイヤ断線信号に基づき、前記断線されたワイヤを固定する専用制御機と、を有することを特徴とするワイヤボンディング装置
  25. トランスデューサーを振動させてキャピラリの下端にワイヤを引き出す段階と、
    前記トランスデューサーでの電気の流れをモニタリングする段階と、
    ワイヤ断線を示す電気の流れの変化を感知し、ワイヤの断線信号を発生させる段階と、を有するワイヤ固定方法において、
    システムは前記ワイヤの断線信号を発生させ、その信号を、ワイヤクランプを制御する専用制御機に伝送し、
    前記専用制御機では、ワイヤボンディングが行なわれる間に、前記トランスデューサーに電流を流して該電流の流れをチェックするとともに、前記ワイヤが切断された場合は、前記トランスデューサーに流れる電流値の変化を感知し、その電流値の変化により検出されるワイヤ断線信号に基づき、前記断線されたワイヤを、該ワイヤが前記キャピラリの外に離脱する前に固定することを特徴とするワイヤボンディング工程のワイヤを固定する方法。
  26. 請求項8の方法により、ワイヤ断線信号に基づき、断線されたワイヤをキャピラリの外に離脱する前にクランピングし、ワイヤテールを形成する特定の位置に該ワイヤを移動させ、前記ワイヤクランプを開けて前記キャピラリの下端に所定の長さの該ワイヤを引き出し、該引き出されたワイヤを、ワイヤテールを形成する特定の位置にフリーワイヤボンディングするとともに、該ワイヤテールに高電圧放電を加えてボールを自動形成することを特徴とするワイヤボンディング装置。
  27. 請求項25の方法により、ワイヤボンディング工程で断線されたワイヤを、該ワイヤがキャピラリの外に離脱する前にワイヤクランプで固定することを特徴とするワイヤボンディング装置。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7044356B2 (en) * 2003-12-11 2006-05-16 Texas Instruments Incorporated Roller wire brake for wire bonding machine
JP4547330B2 (ja) * 2005-12-28 2010-09-22 株式会社新川 ワイヤボンディング装置、ボンディング制御プログラム及びボンディング方法
JP4530984B2 (ja) * 2005-12-28 2010-08-25 株式会社新川 ワイヤボンディング装置、ボンディング制御プログラム及びボンディング方法
US7896218B2 (en) * 2007-06-28 2011-03-01 Western Digital Technologies, Inc. Apparatus and method for conductive metal ball bonding with electrostatic discharge detection
TWI405278B (zh) * 2010-05-20 2013-08-11 Advanced Semiconductor Eng 固定治具及打線機台
CN102303189B (zh) * 2011-08-15 2014-07-16 佛山市顺德区德芯智能科技有限公司 用于双界面焊接封装机的ic卡焊接装置及其控制方法
CN103107111B (zh) * 2011-11-11 2017-03-01 飞思卡尔半导体公司 用于监测线接合中无空气球(fab)形成的方法和装置
US9314869B2 (en) * 2012-01-13 2016-04-19 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method of recovering a bonding apparatus from a bonding failure
CN103151277B (zh) * 2012-12-31 2016-01-20 气派科技股份有限公司 一种提高集成电路封装中键合机台效率的方法
US9165842B2 (en) * 2014-01-15 2015-10-20 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Short tail recovery techniques in wire bonding operations
TWI517277B (zh) * 2014-02-14 2016-01-11 新川股份有限公司 打線裝置以及半導體裝置的製造方法
JP5950994B2 (ja) * 2014-12-26 2016-07-13 株式会社新川 実装装置
CN105364250A (zh) * 2015-11-20 2016-03-02 中冶南方(武汉)自动化有限公司 一种自动焊锡系统及其控制方法
TWI555601B (zh) * 2015-12-21 2016-11-01 矽品精密工業股份有限公司 打線裝置及排除不良銲線之方法
CN106102441A (zh) * 2016-08-09 2016-11-09 深圳翠涛自动化设备股份有限公司 一种焊线机的断线检测系统及方法
KR101801727B1 (ko) 2016-11-08 2017-11-28 디아이티 주식회사 기판 검사 장치
CN108375998B (zh) * 2018-03-15 2024-05-17 宁波尚进自动化科技有限公司 一种具有摩擦力的线夹开关状态控制方法及系统
EP3603826B1 (en) * 2018-07-31 2023-05-10 Infineon Technologies AG Method for calibrating an ultrasonic bonding machine
CN110270788B (zh) * 2019-05-28 2021-02-12 广东工业大学 一种高速精密焊线平台及其控制方法
KR20210140957A (ko) * 2020-05-14 2021-11-23 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법
WO2023164468A1 (en) * 2022-02-23 2023-08-31 Atieva, Inc. Wire bonding apparatus with active wire feeding for forming wire bonds

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2799770A (en) * 1955-06-01 1957-07-16 Rca Corp Welding apparatus
US4213556A (en) * 1978-10-02 1980-07-22 General Motors Corporation Method and apparatus to detect automatic wire bonder failure
US4266710A (en) * 1978-11-22 1981-05-12 Kulicke And Soffa Industries Inc. Wire bonding apparatus
JPH01241138A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Toshiba Corp 半導体装置のワイヤボンディング方法
JPH0278239A (ja) * 1988-09-14 1990-03-19 Hitachi Ltd ワイヤボンディング方法
US5238173A (en) * 1991-12-04 1993-08-24 Kaijo Corporation Wire bonding misattachment detection apparatus and that detection method in a wire bonder
JPH05259232A (ja) * 1992-03-16 1993-10-08 Fujitsu Ltd ワイヤボンディング装置
US5326015A (en) * 1993-03-29 1994-07-05 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Wire bonder tail length monitor
KR0180671B1 (ko) 1995-12-15 1999-04-15 김주용 와이어오픈 자동제거장치 및 방법
KR100193903B1 (ko) * 1995-12-30 1999-06-15 윤종용 본딩 와이어의 단선 불량을 감지할 수 있는 회로 기판 및 와이어 본딩 장치
JPH10107059A (ja) 1996-09-26 1998-04-24 Nec Kansai Ltd ワイヤボンダ
JPH11233551A (ja) 1998-02-13 1999-08-27 Kaijo Corp ワイヤボンディング装置
US6156990A (en) * 1998-06-22 2000-12-05 Kulicke & Soffa Industries, Inc. Long-wearing impervious conductive wire clamp
JP2003197669A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Seiko Epson Corp ボンディング方法及びボンディング装置
US6667625B1 (en) * 2001-12-31 2003-12-23 Charles F. Miller Method and apparatus for detecting wire in an ultrasonic bonding tool
US7004373B1 (en) * 2003-04-07 2006-02-28 West Bond, Inc. Wire bond fault detection method and apparatus

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