JPS6375700A - X線マスク - Google Patents
X線マスクInfo
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- JPS6375700A JPS6375700A JP61219781A JP21978186A JPS6375700A JP S6375700 A JPS6375700 A JP S6375700A JP 61219781 A JP61219781 A JP 61219781A JP 21978186 A JP21978186 A JP 21978186A JP S6375700 A JPS6375700 A JP S6375700A
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- Japan
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- membrane
- ray mask
- ray
- ring
- boron nitride
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- Granted
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はLSIなどの半導体装置を製造するときに使用
するX線マスク、特にそのX線透過性メンブレンに関す
る。
するX線マスク、特にそのX線透過性メンブレンに関す
る。
X線マスクのメンブレンは、厚みを6μm程度と極めて
薄くして位置合わせのための光学的透明度を保持するが
、この薄さであって、しかも回路パターンを形成するた
めのX41吸収体を支持するのに十分な強度を保持する
必要がある。具体的には、メンブレンの内部応力が圧縮
応力であると、メンブレンが縮んでしわを生ずるので、
適当な値の引張応力、すなわち0.5〜1. OX 1
09dyne/cm!を有することが必要である。
薄くして位置合わせのための光学的透明度を保持するが
、この薄さであって、しかも回路パターンを形成するた
めのX41吸収体を支持するのに十分な強度を保持する
必要がある。具体的には、メンブレンの内部応力が圧縮
応力であると、メンブレンが縮んでしわを生ずるので、
適当な値の引張応力、すなわち0.5〜1. OX 1
09dyne/cm!を有することが必要である。
従来、X線マスクのメンブレン材料として開発された典
型的なものとして、例えば非晶質の水素化:窒化ほう素
は光学的透明度が十分でなく、かつ内部応力が圧縮応力
となってしわを生じ易く、強度を保つために厚くすると
、不透明になる欠点がある。
型的なものとして、例えば非晶質の水素化:窒化ほう素
は光学的透明度が十分でなく、かつ内部応力が圧縮応力
となってしわを生じ易く、強度を保つために厚くすると
、不透明になる欠点がある。
X線マスクのメンブレン材料は光学的透明度が十分でな
く、かつ内部応力が適当な引張応力を有しないことが問
題点である。
く、かつ内部応力が適当な引張応力を有しないことが問
題点である。
上記問題点は、炭素濃度が1〜10原子%である非晶質
の水素化:窒化炭化ほう素で形成したX線透過性メンブ
レンを有することを特徴とするX線マスクによって解決
することができる。
の水素化:窒化炭化ほう素で形成したX線透過性メンブ
レンを有することを特徴とするX線マスクによって解決
することができる。
炭素濃度が1原子%より少ないと、第1図に示すように
、メンブレンの内部応力が圧縮応力となって、しわを生
じ、かつ光学的透明度が低下する。
、メンブレンの内部応力が圧縮応力となって、しわを生
じ、かつ光学的透明度が低下する。
炭素量が10原子%より大きいと、有機物質のポリマー
に近似して、メンブレンが塑性変形して、027路パタ
ーンを形成するX線吸収体の位置ずれが生じ易くなる。
に近似して、メンブレンが塑性変形して、027路パタ
ーンを形成するX線吸収体の位置ずれが生じ易くなる。
X線マスクは、第2図に示すように、シリコン基板10
周辺部にアルミナリング2を接着して、このリングと反
対側の基板面に、たとえばプラズマCVDによって、非
晶質の水素化:窒化炭化ほう素の薄膜を形成してメンブ
レン3とした後、リング2によって囲まれる領域のシリ
コン1を除去して、メンブレン3がリング2によって周
囲から引張られた状態とし、その上に回路パターンを形
成するためのX′fjA吸収体4を形成する。
周辺部にアルミナリング2を接着して、このリングと反
対側の基板面に、たとえばプラズマCVDによって、非
晶質の水素化:窒化炭化ほう素の薄膜を形成してメンブ
レン3とした後、リング2によって囲まれる領域のシリ
コン1を除去して、メンブレン3がリング2によって周
囲から引張られた状態とし、その上に回路パターンを形
成するためのX′fjA吸収体4を形成する。
プラズマCVDの条件として、供給ガスはそれぞれアル
ゴンで希釈した濃度4重量%B2H&、4重量%N H
:l 、10重量%CH,を、NH3:B2H6の比を
1.5とし、NH3+Bz Hbの流量を12SCCI
I1% CH4の流量をlO105cとして、これに周
波数13.56MHz、放電密度0.2W/cm2の高
周波を印加してプラズマ化し、450 ”Cに加熱した
シリコン基板に非晶質の水素化:窒化炭化ほう素を75
0人/minの成膜速度で沈着させた。得られたメンブ
レンは厚みが6μm1組成が、原子%で、844%、N
31%、05%、1120%であり、その内部応力は8
X 109dyne/cm”の引張応力を示し、光学
的透明度も良好であった。
ゴンで希釈した濃度4重量%B2H&、4重量%N H
:l 、10重量%CH,を、NH3:B2H6の比を
1.5とし、NH3+Bz Hbの流量を12SCCI
I1% CH4の流量をlO105cとして、これに周
波数13.56MHz、放電密度0.2W/cm2の高
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シリコン基板に非晶質の水素化:窒化炭化ほう素を75
0人/minの成膜速度で沈着させた。得られたメンブ
レンは厚みが6μm1組成が、原子%で、844%、N
31%、05%、1120%であり、その内部応力は8
X 109dyne/cm”の引張応力を示し、光学
的透明度も良好であった。
本発明のX線マスクのメンブレンはしわを生ずることが
なく、光学的透明度が十分であって、しかもX線吸収体
のパターンを長期的に安定して保持することができる。
なく、光学的透明度が十分であって、しかもX線吸収体
のパターンを長期的に安定して保持することができる。
第1図は非晶質の水素化:窒化炭化ほう素膜の炭素濃度
と内部応力との関係を示すグラフであり、第2図はX線
マスクの断面図である。 1・・・基板、 2・・・リング、3・・・メ
ンブレン、 4・・・X線吸収体。
と内部応力との関係を示すグラフであり、第2図はX線
マスクの断面図である。 1・・・基板、 2・・・リング、3・・・メ
ンブレン、 4・・・X線吸収体。
Claims (1)
- 1、炭素濃度が1〜10原子%である非晶質の水素化:
窒化炭化ほう素で形成したX線透過性メンブレンを有す
ることを特徴とするX線マスク。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61219781A JPS6375700A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | X線マスク |
KR1019870010222A KR910004008B1 (ko) | 1986-09-19 | 1987-09-15 | X선 투명 박막과 그의 제조방법 |
US07/098,402 US4820546A (en) | 1986-09-19 | 1987-09-18 | Method for production of X-ray-transparent membrane |
EP87113715A EP0260718B1 (en) | 1986-09-19 | 1987-09-18 | An x-ray-transparent membrane and its production method |
DE8787113715T DE3780889T2 (de) | 1986-09-19 | 1987-09-18 | Roentgenstrahldurchlaessige membran und herstellungsverfahren. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61219781A JPS6375700A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | X線マスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6375700A true JPS6375700A (ja) | 1988-04-06 |
JPH0531817B2 JPH0531817B2 (ja) | 1993-05-13 |
Family
ID=16740903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61219781A Granted JPS6375700A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | X線マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6375700A (ja) |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61219781A patent/JPS6375700A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0531817B2 (ja) | 1993-05-13 |
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