JPS6373632A - 電子装置の製造方法 - Google Patents

電子装置の製造方法

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JPS6373632A
JPS6373632A JP61217145A JP21714586A JPS6373632A JP S6373632 A JPS6373632 A JP S6373632A JP 61217145 A JP61217145 A JP 61217145A JP 21714586 A JP21714586 A JP 21714586A JP S6373632 A JPS6373632 A JP S6373632A
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bonding
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inner leads
fixed
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Kazuo Shimizu
一男 清水
Akiro Hoshi
星　彰郎
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路の如き電子装置の製造方法に
関し、特にワイヤーボンディングを行う際のボンダビリ
ティ向上に有効な技術に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体集積回路（以下においてＩＣという）は、デバイ
ス技術の向上により小型化が進んでいる。
パッケージが小型になると、インナーリード長が短くな
る。インナーリード長が短くなることは、水分の侵入経
路長が短くなったことを意味し、それゆえ、インナーリ
ードと樹脂封止体との界面を伝達して侵入してくる水分
が半導体チップに到達しやすくなり、ＩＣの耐湿性が低
下する。上山した問題点や他の問題点を解決するため１
本願出願人は、特願昭５９−１５２８８４号に示される
発明を出願している。
特願昭５９−１５２８８４号として出願された発明には
、上記の如きＩＣの耐湿性の向上方法が開示されている
。その概要は、ＩＣのインナーリードの先端部をパッケ
ージ内で迂回せしめて延長し、その迂回したインナーリ
ードの先端部と半導体チップのパッドとをワイヤーボン
ディングするものである、この方法によれば、アウター
リードとインナーリードの境界部からボンディングワイ
ヤーの接続点までの距離が長くできるので、水分の伝達
距離が大きくなり、耐湿性を向上させることができる。
尚、アウターリードとは封止体外部に露出するリード部
であり、インナーリードとは。
エポキシ樹脂などの封止体にそのまわりが封止されたリ
ード部である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明者らは、上記のようなインナーリード形状を有す
るリードフレームを用いてＩＣを組立てる場合、上記イ
ンナーリードの迂回部（先端部）を除くインナーリード
部を固定して上記インナーリードの先端部と半導体チッ
プ上のポンディングパッドとをワイヤーで電気的に接続
する方法について検討した。その結果、下記に示す問題
点があきらかとなった。
すなわち、上述のようなワイヤーボンディング方法を採
用した場合、インナーリードは先端部を除く他の部分の
みが固定されている。そのため、インナーリードの固定
部からインナーリードの先端部までの距離が長くなる。
これは、インナーリードの非固定部の低剛性化を招く。
一方、ワイヤーボンディング技術が向上し、ボンディン
グワイヤーとして金やアルミニウムや銅の細線を使用し
、超音波を印加して高信頼のボンディングを行い得るよ
うになってきた。しかし。
インナーリードの先端部が開放状態であると、上記のよ
うに低剛性であるからボンディングワイヤーとインナー
リードの結合部とに超音波が充分に伝達されず、電気的
結合の信頼度が低下しやすい。
という問題が発生する。さらに、ボンディング時にワイ
ヤー固定部を加熱する場合には、インナーリードとボン
ディング装置のヒートブロックとの間に隙間ができ、イ
ンナーリード先端部の温度低下がおこり、良好なボンデ
ィング性が得られることがわかった。
本発明の目的は、インナーリードの先端部を迂回状態に
して耐湿性を向上させるとともに、高信頼度のワイヤー
ボンディングが可能になる電子装置の製造方法を提供す
ることにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書および添付図面から明らかになるであろう。
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなりち、先端部を迂回せしめて延長されたインナーリ
ードの先端部とインナーリードの一部と、　すなわち、
インナーリードの２箇所を固定次具によって固定し、イ
ンナーリードの先端部の剛性を高めるものである。
〔作用〕
上記した手段によれば、インナーリードの先端部の剛性
が高められるため、インナーリードのボンディング位置
に超音波が充分に伝達されるようになる６そしてインナ
ーリードの迂回延長により電子装置の耐湿性を向上させ
ることができ、しかもボンディング時の信頼性を向上さ
せることができる。さらに、高剛性化されたインナーリ
ード先端はヒートブロックに密着しているため、インナ
ーリード先端部の温度は所望の温度にでき、ボンディン
グ性が向上される。
〔実施例〕
以下、第１図および第２図を参照して本発明を適用した
電子装置の製造方法の一実施例を説明する。
なお、第１図はインナーリードの迂回した形状を示す電
子装置の要部の平面図であり、第２図はインナーリード
の固定状況を示す要部の断面図である。
本実施例の特徴は、インナーリードの先端部を固定して
ボンディング作業を行うことにある。
ｌはタブであり、そのほぼ中央部には半導体チップ２が
固定されている。
ここで注目すべきは、インナーリード３の形状である。
すなわち、各インナーリード３は、一旦半導体チツブ２
に近接し、次いで先端部３ａがインナーリード３の根元
方向に迂回し延長した形状になされている。したがって
、インナーリード３は、上記迂回分に応じて長さが大に
なり、インナーリード３を伝達して侵入しようとする水
分の伝達径路が大になる。
なお、先端部３ａは後述する固定次具１１によって固定
されるので、その延長はワイヤーボンディングに使用さ
れるキャピラリが運動できる面積を勘案して決定される
。
ワイヤーボンディングに際し、上記タブ２、インナーリ
ード３はヒータ１０上に載置され、上記インナーリード
３と先端部３ａとが、第２図に示すように固定次具１１
によって固定される。上記固定位置は、第１図の斜線Ａ
で示す位置から封止体（図示せず）によって封止される
位置Ｂまでの間であってよい、したがってインナーリー
ド３は先端部３ａを含む複数位置が固定されることにな
る。
この結果、第１図に示す点、ｍＡから半導体チップ２に
近接した部分が、ポンディグ可能に露出することになる
。しかもこの部分は、両端部が固定治具１１によって固
定されているので、保持力が向上し剛性が高くなり、超
音波が伝達しゃすくなる。さらに、ヒータ１０と確実に
接しているため、所望の温度に保持され、その結果、さ
らに確実にボンディングが行えるようになる。
ワイヤーボンディングを行う場合、キャピラリはパッド
４について最初の結合を行い、次いでインナーリード３
の結合部分についてボンディング作業を行う、この際、
結合部分に超音波が充分に伝達されるので、電気的結合
の信頼度が向上する。
なお、上記超音波によるボンディングについては。
ｒＮＩＫＫＥＩ　　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ　　ＭＩＣ
ＲＯＤＥＶＩＣＥＳＪ　（１９８４年、６．１１号、発
行所日経マグロウヒル社、ｐｐ９５〜１０２）に詳細に
記載されている。
上記電子装置の製造方法は、下記の効果を奏するもので
ある。
（１）、インナーリードの先端部を迂回せしめて延長し
、インナーリードの一部と上記先端部との複数位置を固
定してワイヤーボンディングすることにより、インナー
リードのボンディング位置の保持力と剛性とが大になり
、確実なボンディングを行い得る、という効果が得られ
る。
（２）、上記（１）により、インナーリードのボンディ
ング位置に超音波が伝達されやすくなり、超音波印加に
よるワイヤーボンディングを高信頼度で行う、という効
果が得られる。
（３）、上記（１）により、インナーリードの長さが延
長されるので、インナーリードを介して侵入する水分の
伝達径路が大になり、電子装置の耐湿性が向上する、と
いう効果が得られる。
（４）、上記（１）により、インナーリードの形状を細
くすることができるので、小型パッケージであっても多
数のインナーリードを形成することができ、電子装置の
集積度を向上し得る、という効果が得られる。
以上に１本発明者等によってなされた発明を実施例にも
とづき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。
例えば、上記インナーリードの形状と固定治具による固
定は、小型パッケージのＩＣ全般に適用してよく、ＤＩ
ＰタイプのＩＣにも適用してよい。
以上の説明では、主として本発明者等によってなされた
発明をその背景となった利用分野である超音波ボンディ
ングに適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、加熱ボンディングに利用することが
できる。
〔発明の効果〕
本願において、開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば。
下記の通りである。
すなわち、インナーリードの先端部を迂回して上記イン
ナーリードの根元方向に延長し、インナーリードの一部
と先端部とを固定治具によって固定した状態でワイヤー
ボンディングするものである。この結果、インナーリー
ドのボンディング位置の保持力が大になり、ボンディン
グ位置の剛性も大になってボンディングが確実になると
ともに、上記迂回構造により水分の侵入径路が長くなり
、電子装置の耐湿性と信頼性が向上する、という効果が
得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明を適用した電子装置の製造
方法の一例を示すものであり。 第１図はインナーリードの形状と固定位置とを説明する
電子装置の要部の平面図、 第２図はインナーリードの固定方法を示す要部の断面図
を示すものである。 １・・・タブ、２・・・半導体チップ、３・・・インナ
ーリード、３ａ・・・インナーリードの先端部、４・・
・パッド、１１・・・固定次具、Ａ・・・インナーリー
ドの固定位置。 第　　１　　図 第　　２　　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、インナーリードの少なくとも２箇所を固定して、上
    記インナーリードの非固定部と半導体チップ上に形成さ
    れたパッドとの間をワイヤーによって電気的に接続する
    ことを特徴とする電子装置の製造方法。 ２、インナーリードの先端部を迂回して延長し、上記先
    端部を含む上記インナーリードの複数位置を固定次具に
    より固定し、上記インナーリードの上記固定されていな
    い部分と半導体チップに形成されたパッドとの間をボン
    ディングワイヤーによって接続することを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の電子装置の製造方法。
JP61217145A 1986-09-17 1986-09-17 電子装置の製造方法 Pending JPS6373632A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590356A (ja) * 1991-09-26 1993-04-09 Kaijo Corp ボンデイング装置
JP2010080914A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、リードフレーム
JP2019007441A (ja) * 2017-06-27 2019-01-17 日立オートモティブシステムズ阪神株式会社 イグナイタ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590356A (ja) * 1991-09-26 1993-04-09 Kaijo Corp ボンデイング装置
JP2010080914A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、リードフレーム
US8704342B2 (en) 2008-08-29 2014-04-22 Semiconductor Components Industries, Llc Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame
US9171761B2 (en) 2008-08-29 2015-10-27 Semiconductor Components Industries, Llc Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame
US9905497B2 (en) 2008-08-29 2018-02-27 Semiconductor Components Industries, Llc Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame
JP2019007441A (ja) * 2017-06-27 2019-01-17 日立オートモティブシステムズ阪神株式会社 イグナイタ

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