JPS6373620A - 高温処理装置 - Google Patents
高温処理装置Info
- Publication number
- JPS6373620A JPS6373620A JP22023986A JP22023986A JPS6373620A JP S6373620 A JPS6373620 A JP S6373620A JP 22023986 A JP22023986 A JP 22023986A JP 22023986 A JP22023986 A JP 22023986A JP S6373620 A JPS6373620 A JP S6373620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor material
- reaction tube
- tube
- extension tube
- gas
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 23
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体プロセス等において用いられる高温
処理装置に関するものである。
処理装置に関するものである。
第２図は、従来の縦形高温処理装置を示す断面図である
。図において１は反応管、２はヒーター、３はガス供給
装置、４は半導体材料搬送装置、５は半導体材料固定装
置、６は処理対象の半導体材料、７は反応管１内よシ熱
やガスが逃げるのを防止する蓋、８は高温処理装置本体
を支持する本体支持台である。
。図において１は反応管、２はヒーター、３はガス供給
装置、４は半導体材料搬送装置、５は半導体材料固定装
置、６は処理対象の半導体材料、７は反応管１内よシ熱
やガスが逃げるのを防止する蓋、８は高温処理装置本体
を支持する本体支持台である。
上記構成において、ヒーター２によって高温に保たれた
反応管１に、ガス供給装置３より不活性ガスを供給する
。仁の状態で、半導体材料搬送装置ｉｉ４によって半導
体材料６を反応管１に搬入し、蓋７を反応管１に密着さ
せる。搬入後、ガス供給装置３から反応ガス等を供給し
ながら、所望の高温処理が行なわれる。処理完了後、半
導体材料６は、ガス供給装置３から不活性ガスを供給し
ながら、半導体材料搬送装置４により搬出される。
反応管１に、ガス供給装置３より不活性ガスを供給する
。仁の状態で、半導体材料搬送装置ｉｉ４によって半導
体材料６を反応管１に搬入し、蓋７を反応管１に密着さ
せる。搬入後、ガス供給装置３から反応ガス等を供給し
ながら、所望の高温処理が行なわれる。処理完了後、半
導体材料６は、ガス供給装置３から不活性ガスを供給し
ながら、半導体材料搬送装置４により搬出される。
従来の縦形高温処理装置は以上のように構成されている
ので、反応管内へ大気中の活性ガスが入）込んだり、半
導体材料の搬入時に、半導体材料が大気中の活性ガスを
巻き込みながら反応管内へ搬入されたシするため、半導
体材料の搬入当時に半導体材料が活性ガスと反応してし
まう問題点があった。
ので、反応管内へ大気中の活性ガスが入）込んだり、半
導体材料の搬入時に、半導体材料が大気中の活性ガスを
巻き込みながら反応管内へ搬入されたシするため、半導
体材料の搬入当時に半導体材料が活性ガスと反応してし
まう問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半導体材料の搬入用時に、半導体材料と活
性ガスとが反応するのを防止できる縦形高温処理装置を
得ることを目的とする。
れたもので、半導体材料の搬入用時に、半導体材料と活
性ガスとが反応するのを防止できる縦形高温処理装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る高温処理装置は、被処理物の周囲を覆う
ことができ、かつ反応管の被処理物を供給する側の端部
に密着できる延長管と、この延長管を動かす可動装置と
を設けたものである。
ことができ、かつ反応管の被処理物を供給する側の端部
に密着できる延長管と、この延長管を動かす可動装置と
を設けたものである。
被処理物の搬入用時に可動式の延長管を反応管端部に密
着させ、被処理物を覆うことにょシ、ガス供給装置より
供給される不活性ガスで、被処理物周囲のガスが置換で
きる。被処理物の取ｐ付け・取り外し時には延長管は被
処理物の周囲から除かれる。
着させ、被処理物を覆うことにょシ、ガス供給装置より
供給される不活性ガスで、被処理物周囲のガスが置換で
きる。被処理物の取ｐ付け・取り外し時には延長管は被
処理物の周囲から除かれる。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であシ、１〜
７は第３図に示した従来例と同一の部分を示す。９は蓋
７よシ少し大きい内径を持ち、反応管１の半導体材料供
給端から、半導体材料供給前の蓋７の位置まで達する長
さを持った延長管、１０はこの延長管９を動かす延長管
可動装置である。１１は本体支持台であるが、第１図の
本体支持台８と異な９、延長管９を収納する凹部１１Ａ
を有している。つまシ、延長管９は図示の状態では半導
体材料固定装置５に固定された半導体材料６の周囲をす
っぽりと覆っているが、下降した状態では、そのほとん
どが上記本体支持台１１の凹部１１Ａ内に収納される。
７は第３図に示した従来例と同一の部分を示す。９は蓋
７よシ少し大きい内径を持ち、反応管１の半導体材料供
給端から、半導体材料供給前の蓋７の位置まで達する長
さを持った延長管、１０はこの延長管９を動かす延長管
可動装置である。１１は本体支持台であるが、第１図の
本体支持台８と異な９、延長管９を収納する凹部１１Ａ
を有している。つまシ、延長管９は図示の状態では半導
体材料固定装置５に固定された半導体材料６の周囲をす
っぽりと覆っているが、下降した状態では、そのほとん
どが上記本体支持台１１の凹部１１Ａ内に収納される。
上記のように構成された縦形高温処理装置においては、
まず半導体材料６を半導体材料固定装置５に取υ付ける
際には、延長管９は延長管可動装置１０により下降させ
られ、本体支持台の延長管収納位置である凹部１１Ａ内
へ収納される。そして、半導体材料６を反応管１へ搬入
する場合には、延長管９は、図示のように反応管１０半
導体材料供給端へ密着するように延長管可動袋［１０に
二って上昇させられる。この状態でガス供給装置３より
不活性ガスを供給し、反応管１およびこれと一体化した
延長管９内のガスを不活性ガスで置換した後、半導体材
料６を反応管１へ搬入する。搬出する場合も、延長管９
を反応管１０半導体材料供給端へ密着させた状態で不活
性ガスを供給しながら行なうので、半導体材料６を活性
ガスと反応させずに搬入用することが可能である。搬出
後、延長管可動装置１０によシ延長管９を凹部１１Ａｔ
で下降させ、半導体材料６を半導体材料固定装置５よシ
取り外す。
まず半導体材料６を半導体材料固定装置５に取υ付ける
際には、延長管９は延長管可動装置１０により下降させ
られ、本体支持台の延長管収納位置である凹部１１Ａ内
へ収納される。そして、半導体材料６を反応管１へ搬入
する場合には、延長管９は、図示のように反応管１０半
導体材料供給端へ密着するように延長管可動袋［１０に
二って上昇させられる。この状態でガス供給装置３より
不活性ガスを供給し、反応管１およびこれと一体化した
延長管９内のガスを不活性ガスで置換した後、半導体材
料６を反応管１へ搬入する。搬出する場合も、延長管９
を反応管１０半導体材料供給端へ密着させた状態で不活
性ガスを供給しながら行なうので、半導体材料６を活性
ガスと反応させずに搬入用することが可能である。搬出
後、延長管可動装置１０によシ延長管９を凹部１１Ａｔ
で下降させ、半導体材料６を半導体材料固定装置５よシ
取り外す。
上記実施例は、反応管１が半導体材料搬送装置４の上方
にあるものを示したが、本発明は第２図に示すように反
応管１が半導体材料搬送装置４の下刃にあるものでも同
様の効果を奏する。本実施例では、半導体材料６を半導
体材料固定装置５に取り付けたシ取り外したシする際に
は、延長管９を上昇させて凹部１１Ａに収納し、反応管
１に搬入用する際には、延長管９ｔ−下降させてその下
端を反応管１の半導体材料供給端に密着させる。
にあるものを示したが、本発明は第２図に示すように反
応管１が半導体材料搬送装置４の下刃にあるものでも同
様の効果を奏する。本実施例では、半導体材料６を半導
体材料固定装置５に取り付けたシ取り外したシする際に
は、延長管９を上昇させて凹部１１Ａに収納し、反応管
１に搬入用する際には、延長管９ｔ−下降させてその下
端を反応管１の半導体材料供給端に密着させる。
この発明は以上説明した通）、可動式の延長管金偏えた
ことによシ、反応管への搬入用時に被処理物をこの延長
管で覆ってその周囲のガスを不活性ガスで置換すること
によって、搬入用時に被処理物が活性ガスと反応するの
を防ぐ効果がある。
ことによシ、反応管への搬入用時に被処理物をこの延長
管で覆ってその周囲のガスを不活性ガスで置換すること
によって、搬入用時に被処理物が活性ガスと反応するの
を防ぐ効果がある。
第１図は本発明の一実施例金量す断面図、第２図は本発
明の他の実施例を示す断面図、第３図は従来例を示す断
面図である。 １ｅ・―拳反応管、２・・・・ヒーター、３・・・・ガ
ス供給装置、９・・・・延長管、１０・・・・延長管可
動装置。
明の他の実施例を示す断面図、第３図は従来例を示す断
面図である。 １ｅ・―拳反応管、２・・・・ヒーター、３・・・・ガ
ス供給装置、９・・・・延長管、１０・・・・延長管可
動装置。
Claims (1)
- ガス供給装置に接続されかつ１端から被処理物が供給さ
れる反応管およびこの反応管内を加熱するヒーターを備
えた高温処理装置において、被処理物の周囲を覆いかつ
１端を反応管の被処理物供給端に密着可能とした延長管
と、この延長管を被処理物および反応管に対して着脱す
る可動装置とを設けたことを特徴とする高温処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22023986A JPS6373620A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 高温処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22023986A JPS6373620A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 高温処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373620A true JPS6373620A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16748070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22023986A Pending JPS6373620A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 高温処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373620A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4962726A (en) * | 1987-11-10 | 1990-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemical vapor deposition reaction apparatus having isolated reaction and buffer chambers |
| JPH02290490A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型熱処理炉 |
| JPH03241736A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Rohm Co Ltd | 縦型加熱装置 |
| US6539202B1 (en) | 1998-12-08 | 2003-03-25 | Japan Radio Co., Ltd. | Interference canceling device |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP22023986A patent/JPS6373620A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4962726A (en) * | 1987-11-10 | 1990-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemical vapor deposition reaction apparatus having isolated reaction and buffer chambers |
| JPH02290490A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型熱処理炉 |
| JPH03241736A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Rohm Co Ltd | 縦型加熱装置 |
| US6539202B1 (en) | 1998-12-08 | 2003-03-25 | Japan Radio Co., Ltd. | Interference canceling device |
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