JPS6373240A - レジスト - Google Patents
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- JPS6373240A JPS6373240A JP21716486A JP21716486A JPS6373240A JP S6373240 A JPS6373240 A JP S6373240A JP 21716486 A JP21716486 A JP 21716486A JP 21716486 A JP21716486 A JP 21716486A JP S6373240 A JPS6373240 A JP S6373240A
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- 239000000975 dye Substances 0.000 abstract description 49
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- KCDCNGXPPGQERR-UHFFFAOYSA-N coumarin 343 Chemical group C1CCC2=C(OC(C(C(=O)O)=C3)=O)C3=CC3=C2N1CCC3 KCDCNGXPPGQERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VMJKUPWQKZFFCX-UHFFFAOYSA-N coumarin 504 Chemical compound C1CCC2=C(OC(C(C(=O)OCC)=C3)=O)C3=CC3=C2N1CCC3 VMJKUPWQKZFFCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Structural Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レジストの性能向上に適用して有効な技術に
関する。
関する。
半導体装置の製造工程である、いわゆるウニハエ程では
、シリコン（Ｓｉ）単結晶等からなる半導体基板の表面
にレジスト膜を被着形成し、該レジスト膜にいわゆるマ
スクパターンを転写して形成したレジストパターンをマ
スクとして、エツチングや蒸着等の処理がおこなわれて
いる。この技術については、昭和５８年１１月２８日、
株式会社サイエンスフォーラム発行「超ＬＳＩデバイス
ハンドブックＪＰ１３４に説明がある。
、シリコン（Ｓｉ）単結晶等からなる半導体基板の表面
にレジスト膜を被着形成し、該レジスト膜にいわゆるマ
スクパターンを転写して形成したレジストパターンをマ
スクとして、エツチングや蒸着等の処理がおこなわれて
いる。この技術については、昭和５８年１１月２８日、
株式会社サイエンスフォーラム発行「超ＬＳＩデバイス
ハンドブックＪＰ１３４に説明がある。
上記レジスト膜は、たとえばノボラック系樹脂および感
光剤（例：ナフトキノンジアジド）等をＥ Ｇ Ｍ Ｅ
Ａ （ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｅ
ｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）等の溶剤に溶解
して調製したポジ形レジストを、半導体基板の表面に塗
布し、さらにベークする等により形成することができる
。
光剤（例：ナフトキノンジアジド）等をＥ Ｇ Ｍ Ｅ
Ａ （ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｅ
ｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）等の溶剤に溶解
して調製したポジ形レジストを、半導体基板の表面に塗
布し、さらにベークする等により形成することができる
。
ところで、上記レジスト膜をアルミニウム（Ａｌ）等か
らなる高反射性の薄膜上に塗布形成し、該レジスト膜を
露光・現像してレジストパターンを形成する場合は、露
光時にレジスト膜に入射した露光光が上記薄膜の表面で
反射されることになる。この時、上記薄膜の表面が平坦
であれば、入射光が該表面に対して垂直に入射するため
入射角はゼロであり、反射光は露光光の入射方向と完全
に反対の方向に進むことになる。したがって、反射光に
直接起因する露光むらは生じることはない。
らなる高反射性の薄膜上に塗布形成し、該レジスト膜を
露光・現像してレジストパターンを形成する場合は、露
光時にレジスト膜に入射した露光光が上記薄膜の表面で
反射されることになる。この時、上記薄膜の表面が平坦
であれば、入射光が該表面に対して垂直に入射するため
入射角はゼロであり、反射光は露光光の入射方向と完全
に反対の方向に進むことになる。したがって、反射光に
直接起因する露光むらは生じることはない。
ところが、上記の如く薄膜の表面が平坦でない場合には
、該表面における入射角がゼロではないため、その時の
反射光の進行方向が入射方向と完全に反対の方向からは
ずれる、いわゆる迷光の現象を呈することになる。
、該表面における入射角がゼロではないため、その時の
反射光の進行方向が入射方向と完全に反対の方向からは
ずれる、いわゆる迷光の現象を呈することになる。
上記迷光は、本来露光すべき場所以外のレジスト膜に生
じるため、予定した露光パターンより露光範囲が拡がる
結果となり、レジストパターンの精度低下を来すことに
なる。
じるため、予定した露光パターンより露光範囲が拡がる
結果となり、レジストパターンの精度低下を来すことに
なる。
そこで、上記迷光の影響を排除するために、レジスト膜
の中に反射光を吸収する染料を溶解含有させてお（こと
が考えられる。この場合、レジスト膜の形成材料は親油
性が強いため、含有する染料に十分な光の吸収能を発揮
させるためには、十分な量の溶解が可能な油性染料を用
いることが考えられる。
の中に反射光を吸収する染料を溶解含有させてお（こと
が考えられる。この場合、レジスト膜の形成材料は親油
性が強いため、含有する染料に十分な光の吸収能を発揮
させるためには、十分な量の溶解が可能な油性染料を用
いることが考えられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、ポジ形レジストは、その現像を、一般にアル
カリ性水溶液からなる現像液で行う。この現像液には油
性染料が溶は難い性質がある。したがって、上記油性染
料の含有量が多い場合には、該染料の除去が困難になる
ために現像速度が遅くなったり、上記染料が残渣として
残るためにレジスト膜を正確に現像することができなく
なったりするという問題のあることが本発明者により見
出された。
カリ性水溶液からなる現像液で行う。この現像液には油
性染料が溶は難い性質がある。したがって、上記油性染
料の含有量が多い場合には、該染料の除去が困難になる
ために現像速度が遅くなったり、上記染料が残渣として
残るためにレジスト膜を正確に現像することができなく
なったりするという問題のあることが本発明者により見
出された。
一方、油性染料の替わりに、アルカリ可溶性染料を用い
ることは、十分な光の吸収能を発揮させるだけの溶解が
困難であるのみならず、溶解限界量以下であっても、ポ
ジ形レジストの現像性を損なうこと、すなわち、現像時
にパターン形成部の溶解が促進されること、が本発明者
により見出された。
ることは、十分な光の吸収能を発揮させるだけの溶解が
困難であるのみならず、溶解限界量以下であっても、ポ
ジ形レジストの現像性を損なうこと、すなわち、現像時
にパターン形成部の溶解が促進されること、が本発明者
により見出された。
なお、親油性の強いレジストに、上記のようなアルカリ
可溶性染料を混合することができるのは、親油性が強い
といっても、ある程度の量のアルカリ可溶性染料を溶解
することができるからである。
可溶性染料を混合することができるのは、親油性が強い
といっても、ある程度の量のアルカリ可溶性染料を溶解
することができるからである。
これは、ノボラック系樹脂やＥＧＭＥＡ等のレジストを
構成する素材原料が有している性質であり、またそれら
が相乗的に作用して発現する性質でもある。したがって
、アルカリ可溶性染料を溶解できる許容範囲は、レジス
ト構成材料の相違、添加する油性染料の相違、およびこ
れらの添加量の相違等により、それぞれ異なるものであ
る。
構成する素材原料が有している性質であり、またそれら
が相乗的に作用して発現する性質でもある。したがって
、アルカリ可溶性染料を溶解できる許容範囲は、レジス
ト構成材料の相違、添加する油性染料の相違、およびこ
れらの添加量の相違等により、それぞれ異なるものであ
る。
本発明の目的は、迷光対策を十分に施した上で、現像の
精度および速度等の性能を向上できる技術を提供するこ
とにある。
精度および速度等の性能を向上できる技術を提供するこ
とにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかｊこなるであろ
う。
明細書の記述および添付図面から明らかｊこなるであろ
う。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、レジスト膜の形成材料であるレジストを、そ
の基本配合に油性染料とアルカリ性水溶液に可溶な染料
であるアルカリ可溶性染料とを混合溶解させて調製する
ものである。
の基本配合に油性染料とアルカリ性水溶液に可溶な染料
であるアルカリ可溶性染料とを混合溶解させて調製する
ものである。
上記した手段によれば、レジスト膜の現像性能を阻害し
ない量の油性染料を添加し、該油性染料の添加量では足
りない光吸収能を、現像液に容易に溶解するアルカリ可
溶性染料を添加することにより補充することができるた
め、迷光対策を確保し、かつ現像性能をも向上すること
ができるものである。
ない量の油性染料を添加し、該油性染料の添加量では足
りない光吸収能を、現像液に容易に溶解するアルカリ可
溶性染料を添加することにより補充することができるた
め、迷光対策を確保し、かつ現像性能をも向上すること
ができるものである。
本実施例は、精度の高いレジストパターンが容易に露光
・現像可能なレジスト膜を形成できるレジストに関する
。
・現像可能なレジスト膜を形成できるレジストに関する
。
本実施例のレジストは、いわゆるポジ形レジストである
。その基本配合は、固形成分としてノボラック系樹脂、
感光剤としてナフトキノンジアジド、主溶剤としてＥＧ
ＭＥＡおよびその他通常使用される材料を添加して構成
されてなるものである。そして、本実施例のレジストは
、上記基本配合に所定量の油性染料とアルカリ可溶性染
料とを混合溶解して調製されるものである。
。その基本配合は、固形成分としてノボラック系樹脂、
感光剤としてナフトキノンジアジド、主溶剤としてＥＧ
ＭＥＡおよびその他通常使用される材料を添加して構成
されてなるものである。そして、本実施例のレジストは
、上記基本配合に所定量の油性染料とアルカリ可溶性染
料とを混合溶解して調製されるものである。
上記油性染料は、いわゆるクマリン３１４を、そしてア
ルカリ可溶性染料はクマリン３４３であり、その添加量
はいずれもレジストの固形成分に対してそれぞれ５％以
下である。
ルカリ可溶性染料はクマリン３４３であり、その添加量
はいずれもレジストの固形成分に対してそれぞれ５％以
下である。
上北クマリン３１４は、その正式名称が２．３．６．７
−テトラヒドロー４８．５Ｈ，ＩＩＨ−（１）−ベンゾ
ピラノ−（６，７，８−ｉｊ）−キノリジン−１１−オ
ン−１０−カルボキシリックアシド エチルエステルで
あり、その構造式を次に示す。
−テトラヒドロー４８．５Ｈ，ＩＩＨ−（１）−ベンゾ
ピラノ−（６，７，８−ｉｊ）−キノリジン−１１−オ
ン−１０−カルボキシリックアシド エチルエステルで
あり、その構造式を次に示す。
また、上記クマリン３４３の正式名称は、２．３．６゜
７−テトラヒドロー４８．５Ｈ，ＩＩＨ−（１）−ベン
ゾピラノ−（６，７，８−ｉｊ）−手ノリジンー１１−
オンー１〇−カルボキシリックアシドであり、その構造
式もこのように、本実施例によれば以下の効果を得るこ
とができる。
７−テトラヒドロー４８．５Ｈ，ＩＩＨ−（１）−ベン
ゾピラノ−（６，７，８−ｉｊ）−手ノリジンー１１−
オンー１〇−カルボキシリックアシドであり、その構造
式もこのように、本実施例によれば以下の効果を得るこ
とができる。
（１）、上記ポジ形レジストの基本配合に、油性染料で
あるクマリン３１４とアルカリ可溶性染料であるクマリ
ン３４３とを混合溶解してレジストをｍ製することによ
り、該レジストを用いてレジスト膜を形成する場合、油
性染料だけでは足りないｇ線に対する光吸収能をアルカ
リ可溶性染料で補うことができると同時に、該両染料の
添加量を調整することにより露光レジスト膜の現像液へ
の溶解性を調節することができるので、ｇ線の迷光対策
を確保し、その上なおレジスト膜に対する現像性能を向
上することができる。
あるクマリン３１４とアルカリ可溶性染料であるクマリ
ン３４３とを混合溶解してレジストをｍ製することによ
り、該レジストを用いてレジスト膜を形成する場合、油
性染料だけでは足りないｇ線に対する光吸収能をアルカ
リ可溶性染料で補うことができると同時に、該両染料の
添加量を調整することにより露光レジスト膜の現像液へ
の溶解性を調節することができるので、ｇ線の迷光対策
を確保し、その上なおレジスト膜に対する現像性能を向
上することができる。
（２）、 （１）により、高精度のレジストパターンを
形成することができため、半導体装置の精度、性能の向
上を達成できる。
形成することができため、半導体装置の精度、性能の向
上を達成できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、前記実施例では、油性染料としてクマリン３
１４を、アルカリ可溶性染料としてクマリン３４３をそ
れぞれ使用する場合について説明してきたが、この組み
合わせに限るものでないことはいうまでもない。
１４を、アルカリ可溶性染料としてクマリン３４３をそ
れぞれ使用する場合について説明してきたが、この組み
合わせに限るものでないことはいうまでもない。
油性染料としては、他に次のものをも例示できる。
（ａ） 、 ２．３．６．７−テトラヒト０−４１（、
５Ｎ、 １ｉｆｔ −（１） −ベンゾピラノ−（６，
７，８−ｉｊ：ｌ−キノリジン−１１−オン−１０−カ
ルボキシリックアシド ｔ−ブチ（ｂ）、７−ダニチル
アミノ−３−ベンズイミダゾロ（Ｃ）、４−ニトロ−４
″−ジメチルアミノスチルベン （ｄ）、Ｎ−（４″−ジメチルアミノベンザル）−４−
ニトロソアニリン （ｅ）、３．６−ジアミツアクリデイニウム塩酸塩り また、アルカリ可溶性染料としては、他につぎのちのを
も例示できる。
５Ｎ、 １ｉｆｔ −（１） −ベンゾピラノ−（６，
７，８−ｉｊ：ｌ−キノリジン−１１−オン−１０−カ
ルボキシリックアシド ｔ−ブチ（ｂ）、７−ダニチル
アミノ−３−ベンズイミダゾロ（Ｃ）、４−ニトロ−４
″−ジメチルアミノスチルベン （ｄ）、Ｎ−（４″−ジメチルアミノベンザル）−４−
ニトロソアニリン （ｅ）、３．６−ジアミツアクリデイニウム塩酸塩り また、アルカリ可溶性染料としては、他につぎのちのを
も例示できる。
（ａ）、１．２−ジヒドロキシ−９，１０−アントラキ
さらに、染料の添加量は、レジストの固形成分に対して
５％以下としたが、これに限るものでなく、その基本配
合によっても、またレジスト膜の形成条件や露光・現像
条件等によっても種々変更されるものである。いずれに
せよ、上記諸条件を考慮して適切な添加量が決定される
ものである。
さらに、染料の添加量は、レジストの固形成分に対して
５％以下としたが、これに限るものでなく、その基本配
合によっても、またレジスト膜の形成条件や露光・現像
条件等によっても種々変更されるものである。いずれに
せよ、上記諸条件を考慮して適切な添加量が決定される
ものである。
なお、レジストの基本配合が、ノボラック系樹脂等で構
成されている例について説明したが、これに限るもので
なく、アルカリ水溶液で現像が可能なレジスト膜を形成
できるレジストであれば、その基本配合はいかなるもの
であってもよい。
成されている例について説明したが、これに限るもので
なく、アルカリ水溶液で現像が可能なレジスト膜を形成
できるレジストであれば、その基本配合はいかなるもの
であってもよい。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、レジスト膜の形成材料であるレジストを、そ
の基本配合に油性染料とアルカリ性水溶液に可溶な染料
であるアルカリ可溶性染料とを混合溶解させて縮装する
ことにより、形成されたレジスト膜の現像性能を阻害し
ない量の油性染料を添加し、該油性染料の添加量では足
りない光吸収能を、現像液に容易に溶解する性質のある
アルカリ可溶性染料を添加することにより補充すること
ができるので、迷光対策を確保し、かつ現像性能をも向
上することができるものである。
の基本配合に油性染料とアルカリ性水溶液に可溶な染料
であるアルカリ可溶性染料とを混合溶解させて縮装する
ことにより、形成されたレジスト膜の現像性能を阻害し
ない量の油性染料を添加し、該油性染料の添加量では足
りない光吸収能を、現像液に容易に溶解する性質のある
アルカリ可溶性染料を添加することにより補充すること
ができるので、迷光対策を確保し、かつ現像性能をも向
上することができるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、油性染料とアルカリ可溶性染料とが含有されてなる
レジスト。 ２、上記油性染料およびアルカリ可溶性染料が、ｇ線に
対する吸収能を有していることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21716486A JPS6373240A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21716486A JPS6373240A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373240A true JPS6373240A (ja) | 1988-04-02 |
Family
ID=16699859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21716486A Pending JPS6373240A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373240A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433544A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-03 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| JP2007086597A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP21716486A patent/JPS6373240A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433544A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-03 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| JP2007086597A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JP4578369B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2010-11-10 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
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