JPS6370521A - アライメント装置 - Google Patents

アライメント装置

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Publication number
JPS6370521A
JPS6370521A JP61214092A JP21409286A JPS6370521A JP S6370521 A JPS6370521 A JP S6370521A JP 61214092 A JP61214092 A JP 61214092A JP 21409286 A JP21409286 A JP 21409286A JP S6370521 A JPS6370521 A JP S6370521A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
light
optical system
lights
mark
Prior art date
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Pending
Application number
JP61214092A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Imai
裕二 今井
Nobutaka Umagome
伸貴 馬込
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6370521A publication Critical patent/JPS6370521A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、例えば縮小投影型の露光装置に好適なアライ
メント装置の改良に関するものである。
[従来の技術] マスク手段のパターンをウェハ上に投影露光する露光装
置などでは、一般に、露光波長に該当する光に対しての
み、レチクルないしマスクと、ウェハとが光学的に共役
の位置関係となる構成となっている。
このため、露光波長と異る別の波長の光を用いてレチク
ルとウェハとを観察すると、両者が共役の位置関係とな
らなくなる。
[発明が解決しようとする問題点コ ところで、レチクルとウェハとのアライメントを行う方
法としては、露光波長と同一の波長の光を用いる方法と
、異る波長の光を用いる方法とがある。
前者の方法では、レチクルとウェハとの共役位置の関係
は、露光光とアライメント光の波長が共通のため、露光
時とアライメント時において問題にならないが、アライ
メント時にアライメント光によりウェハ上のレジストが
露光され、またアライメント光をレチクル上方から照射
するためのアライメント光学系を、露光時には投影光学
系の光路中から取り出す必要があり、装置の構成が複雑
になるという不都合がある。
後者の方法では、投影光学系の色収差のため、アライメ
ント時におけるレチクルとウェハとの共役位置の関係が
問題となり、アライメント光に対する光路長を補正する
為の補正光学系を必要とするという不都合がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、補正
手段の出し入れなしに、2波長の光を用いたアライメン
トを、一つのアライメント光学系で可能にするアライメ
ント装置を提供することを、その目的とするものである
[問題点を解決するための手段と作用コ本発明では、二
つの異る波長のアライメント光が用意されるとともに、
これらのアライメント光の光路のうち、マスクと被投影
基板の間に、補正光学系が配置される。
投影光学系によるアライメント光に対する色収差は、補
正光学系によって補正される。アライメント光は、いず
れも補正光学系を透過して被投影基板に照射される。
[実施例] 以下、本発明の実施例を、添付図面を参照しながら詳細
に説明する。
第1図には、本発明の第一実施例が示されている。この
図において、光源10.12は、各々波長λ1.λ2の
アライメント光LA、LBを各々出力する機能を有する
。これらのうち、波長λ1は、例えば露光光の波長と同
一の波長である。従フて、アライメント光LAに対して
は、レチクルRとウェハWとが投影光学系に対して共役
の位置関係となる。
アライメント光LA、LBは、偏光面が各々直交する直
線偏光の光である。例えば、アライメント光LAをP 
(Ji光とし、アライメント光LBをSf扁光とする。
アライメント光LA、LBは、ハーフミラ−14の作用
により、光学系16を介してハーフミラ−18に入射し
、ここで反射されるようになっている。
ハーフミラ−18で反射されたアライメント光LA、L
Bは、いずれも光学系20を通過してミラー22に反射
され、レチクルRのアライメントマークRMの部分を透
過し、補正光学系24に入射するように構成されている
。そしてミラー22と補正光学系24は有効露光領域E
Pの外に配置される。この補正光学系24の詳細につい
ては後述する。
次に、上記補正光学系24を透過したアライメント光L
A、LBは、例えば両側テレセントリックな投影光学系
26を介してステージ上に載置されているウェハWのア
ライメントマークWMに入射するようになっている。な
お、ステージ28上には、端側の適宜位置に、入射光を
良好に反射する基準マークFMが設けられている。この
基準マ−りFMは、その表面位置がウェハWとほぼ同一
となっている。
次に、ウェハWで反射されたアライメント光LA、LB
は、投影光学系26、補正光学系24を各々透過してレ
チクルRに再入射し、更には、ミラー22によって反射
され、光学系20、ハーフミラ−18、光学系30を各
々透過して受光手段32に入射するようになっている。
この受光手段32は、その受光面がアライメント光LA
LBに対して結像位置となフている。
受光手段32として、車−のテレビカメラ等を用いる場
合、撮像面上でレチクルマークRMとウェハマークWM
(又は基準マークFM)の像がともに合焦して結像しな
ければならない。このため光学系(対物レンズ)20と
光学系(リレー系等)30とはアライメント光LA、L
Bの両波長に対して色補正されていることが必要である
。あるいは、ハーフミラ−18の後にさらにダイクロイ
ックミラーを入れて、アライメント光LAによって照明
されたマークRM、WM (FM)からの像光束と、ア
ライメント光LBによって照明されたマークRM、WM
 (FM)からの像光束とを波長によって分離し、各波
長の像光束に対して結像関係になる位置の夫々に受光手
段を配置してもよ配置して正反射光と散乱光(回折光)
とを分離し、例えば散乱光をフォトマル等で光量検出し
てもよい。この方式は光源10.12としてレーザ光源
を用いる場合に好適である。
次に、第2図を参照しながら、上述した補正光学系24
について詳細に説明する。第2図において、補正光学系
24は、入射光のうちP (74先の光を通過させ、S
偏光の光を反射する偏光ビームスプリッタ24Aと、入
射する光の直線偏光を円偏光に変換し、円偏光を直線偏
光に変換する4分の1波長板(以下、「λ/4板」とい
う)24B。
24Cと、ミラー24D、24Eとによって措成されて
いる。
偏光ビームスプリッタ24Aのうち、入射光が反射され
る方向の両側部には、λ/4板24B、24Cを各々介
してミラー24D、24Eが各々配置されている。
次に、上記実施例の全体的作用について説明する。波長
の異るアライメント光LA、LBは、光7原10.12
から各々出力され、ハーフミラ−14、光学系16、ハ
ーフミラ−18、光学系20及びミラー22のアライメ
ント送光系の作用によりレチクルRに入射する。
なお、上述したように、アライメント光LA。
LBは、偏光面が直交する直線偏光であり、アライメン
ト光LAがP (7m光、アライメント光LBがS偏光
である。
レチクルRを透過したアライメント光LA。
LBは、各々偏光ビームスプリッタ24Aに入射する。
ここで、アライメント光LAは、lJi光であるから、
偏光ビームスプリッタ24Aを透過し、そのまま投影光
学系26に入射して、更にはウェハWに達する。
これに対し、アライメント光LBは、S偏光であるから
、偏光ビームスプリッタ24Aで反射され、λ/4板2
4Bに入射し、ここで円偏光に変換される。
円偏光のアライメント光LBは、ミラー24Dで反射さ
れて再びλ/4板24Bに入射し、ここで円偏光からP
偏光に変換される。このため、アライメント光LBは、
偏光ビームスプリッタ24Aを透過して、λ/4板24
Cに入射することとなる。
λ/4板24Cに入射したアライメント光LBは、個々
で円偏光に変換され、ミラー214Eに入射し、ここで
反射されて再びλ/4板24Cに入射する。
λ/4板24Cに入射したアライメント光LBは、ここ
で再びS(混光の光となり、偏光ビームスプリッタ24
Aで反射されることとなる。モし。
て、偏光ビームスプリッタ24Aで反射されたアライメ
ント光LBは、投影光学系26を透過してウェハWに入
射する。
以上のように、補正光学系24に入射したアライメント
光LA、LBのうち、アライメント光LAはそのまま透
過して投影光学系26に入射し、アライメント光LBは
ミラー24D、24E間を往来して投影光学系26に入
射する。
すなわち、アライメント光LAとLBとは、ミラー24
D、24E間の光路要分だけ光路の補正が行われて投影
光学系26に入射することとなる。この光路長の差は、
アライメント光LA。
LBに対する投影光学系26の色収差に対応し、かかる
光路差が生ずることによって、露光波長と異る波長のア
ライメント光LBに対しても、レチクルRとウェハWと
が等測的に光学的共役の配置となる。
次に、ウェハWに入射したアライメント光LA、LBは
、各々入射光時の光路を戻ってハーフミラ−18、光学
系30を各々通過し、受光手段32に入射する。
アライメント光LA、LBは、いずれもレチクルRのア
ライメントマークRMの位置と、ウェハWのアライメン
トマークWMないし基準マークF Mの位置とで合焦す
るので、各マークが受光手段32で重畳して観察され、
レチクルRと、ウェハWとのアライメントが行われる。
以上説明したように、本実施例によれば、いずれのアラ
イメント光が使用されても、補正光学系を装置から取は
ずしたり、あるいは退避させたりする必要がない。この
ため、機振的に安定した装置構成とすることができる。
また、アライメント光の波長の切換が容易にできるので
、二つの波長の光でアライメントを行うことによって、
測定精度の向上、ウェハ上のレジストによる干渉などの
影響の低減等を図ることができる。
更に、いずれの波長のアライメント光に対しても同一の
アライメント用の光学系を使用しているので、一定時間
ごとに系統間の経時変化によるオフセットをとる必要が
ないという利点もある。
次に、第3図を参照しながら、本発明の第二実施例につ
いて説明する。この実施例は、上述した第一実施例と比
較して、光路補正用の補正光学系の構成が異るものの、
基本的な作用は同様である。なお、上述した第一実施例
と同様の部分には、同一の符号を用いることとする。
第3図において、補正光学系34は、アライメント光L
A、LBのうちのいずれか、例えばアライメント光LA
を良く反射し、LBを良く透過して分離するフィルタ3
4Aと、光路長補正用のガラス板34Bと、ミラー34
Cとによって構成されている。
これらのうち、フィルタ34Aとしては、ローパスフィ
ルタ、バイパスフィルタ、バンドパスフィルタのいずれ
でもよく、更に、吸収などの少ない点でダイクロイック
ミラーが適している。また、ガラス板34Bの厚さは、
補正すべき光路長に対応している。
次に、上記実施例の作用について説明すると、レチクル
Rを透過したアライメント光LA、LBのうち、アライ
メント光LAは、フィルタ34Aによって反射されると
ともに、レチクルR上に形成されたパターンのクロム面
で再度反射され、投影光学系26を透過してウェハWに
照射される。
これに対し、アライメント光’LBは、フィルタ34A
を透過してガラス板34Bに入射し、更にはミラー34
Cで反射される。反射されたアライメント光LBは、ガ
ラス板34B、フィルタ34Aを通過し、以後はアライ
メント光LAと同様の光路を通ってウェハWに照射され
る。
以上のように、この第二実施例によれば、アライメント
光の波長の違いによる投影光学系の色収差は、補正光学
系34のガラス板34Bによる光路差によって補正され
る。
なお、上記実施例においては、レチクルRのパターンの
クロムによってアライメント光を反射させているが、別
に折り返し用のミラーを設けるようにしてもよい。
また、この実施例では、ウェハW上のアライメトマーク
が、光軸に向う放射状のバーマークでないと、アライメ
ント光LA、LBとで像シフトが生ずる。
更に、第一実施例では、投影光学系の両flBj、すな
わちレヂクル側及びウェハ側がテレセントリックである
のに対し、第二実施例てはウェハ側のみがテレセンドリ
ンクである。
なお、本発明は珂ら上記実施例に限定されるものではな
く、例えばアライメント光としては、露光波長と非露光
波長の光を′用いる場合の他、いずれも非露光波長の光
を用いるようにしてもよい。
この場合、上記いずれの実施例においても、レチクルと
補正光学系、あるいは補正光学系と投影光学系の間に、
適宜のリレー光学系を付加するようにすれば投影光学系
の色収差を容易に補正することができ、アライメント光
の波長を適宜選択することができる。
また、アライメント光としては、ファイバを用いて導び
いてきた光やレーザビーム等を用いてもよい。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、アライメント光
の波長を変更しても、補正光学系を変更する必要がなく
アライメント用光学系に何ら変更を要しないため、装置
構成を簡素化して小型化を図ることができるとともに、
該アライメント光学系にオフセットが生じないなど操作
性が向上するという効果がある。さらに2波長のアライ
メント光を用いてウェハ上の同一マークを検出できるの
で、マークの検出率が向上する効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一実施例を示す構成図、第2図は第
一実施例の主要部分を示す構成図、第3図は本発明の第
二実施例を示す構成図である。 10.12・・・光源、24.34・・・補正光学系、
24A・・・偏光ビームスプリッタ、24B、24C・
・・4分の1波長板、24D、24E・・・ミラー、3
4A・・・フィルタ、34B・・・ガラス板、34C・
・・ミラー。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マスクに形成されたパターンを、露光光により投
    影光学系を介して被投影基板上に結像する際に、該被投
    影基板上に予め形成されたアライメント用のマークを前
    記投影光学系と前記マスクとを介して光学的に検出する
    アライメント装置において、 互いに異る波長の二つのアライメント光を、前記マスク
    と投影光学系とを介して前記マークに照射する照明手段
    と、 前記アライメント光のうち、露光光と異る波長のアライ
    メント光に対して生ずる前記投影光学系の色収差量とほ
    ぼ等しい光路長差を、該アライメント光に対して与える
    補正光学系とを具備するとともに、 該補正光学系を、前記マスクと被投影基板との間であっ
    て、前記投影光学系における前記マークの結像光路中に
    、前記二つのアライメント光が共に通過するように設け
    たことを特徴とするアライメント装置。
  2. (2)前記補正光学系は、前記マスクと投影光学系との
    間に配置された偏光ビームスプリッタと、該偏光ビーム
    スプリッタのスプリット面で反射された光を透過する4
    分の1波長板と、該4分の1波長板からの光を再び該4
    分の1波長板を介して前記スプリット面に向けて反射さ
    せるミラーとを含む特許請求の範囲第1項記載のアライ
    メント装置。
  3. (3)前記補正光学系は、表面に波長選択性の反射手段
    が形成され、該表面から所定間隔だけ離れた位置には全
    反射面が形成された反射光学部材を含み、前記二つのア
    ライメント光のうち、一方の光は前記反射手段でほぼ全
    反射され、他方の光は前記反射手段を透過して前記全反
    射面で反射して再び前記反射手段から射出するように構
    成されている特許請求の範囲第1項記載のアライメント
    装置。
JP61214092A 1986-09-12 1986-09-12 アライメント装置 Pending JPS6370521A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05217850A (ja) * 1991-10-31 1993-08-27 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 位置合せおよびオーバーレイ測定マークの中心線の推定方法及びそのための装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05217850A (ja) * 1991-10-31 1993-08-27 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 位置合せおよびオーバーレイ測定マークの中心線の推定方法及びそのための装置

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