JPH05217850A - 位置合せおよびオーバーレイ測定マークの中心線の推定方法及びそのための装置 - Google Patents
位置合せおよびオーバーレイ測定マークの中心線の推定方法及びそのための装置Info
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- JPH05217850A JPH05217850A JP4261194A JP26119492A JPH05217850A JP H05217850 A JPH05217850 A JP H05217850A JP 4261194 A JP4261194 A JP 4261194A JP 26119492 A JP26119492 A JP 26119492A JP H05217850 A JPH05217850 A JP H05217850A
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、マイクロリソグラフィにお
いて、ウェハ／基板に対するマスク／レクチルの位置合
せ及びオーバーレイ測定目標の中心線を推定するための
新しい方法を提供することである。 【構成】 本発明によれば、調節可能な波長可変な照射
源からの光を目標に投射することによって、位置合せ／
オーバーレイ測定目標の中心線を推定し、次いで測定マ
ークの光学的観察を実施し、観察で測定された量を表す
出力信号を提供し、前記の出力信号から信号の非対称性
の判定基準を計算して、出力結果を提供し、調節可能な
照射源を出力結果の関数として調節する方法と装置が提
供される。この結果、照射波長の調節を使って、観察さ
れる機能構造を露光し、判定基準が最小になるまで照射
源を調節する。
いて、ウェハ／基板に対するマスク／レクチルの位置合
せ及びオーバーレイ測定目標の中心線を推定するための
新しい方法を提供することである。 【構成】 本発明によれば、調節可能な波長可変な照射
源からの光を目標に投射することによって、位置合せ／
オーバーレイ測定目標の中心線を推定し、次いで測定マ
ークの光学的観察を実施し、観察で測定された量を表す
出力信号を提供し、前記の出力信号から信号の非対称性
の判定基準を計算して、出力結果を提供し、調節可能な
照射源を出力結果の関数として調節する方法と装置が提
供される。この結果、照射波長の調節を使って、観察さ
れる機能構造を露光し、判定基準が最小になるまで照射
源を調節する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロリソグラフィ
に関し、さらに詳しくは、ウェハ／基板に対するマスク
／レチクルの位置合せ及びオーバーレイの測定に関す
る。
に関し、さらに詳しくは、ウェハ／基板に対するマスク
／レチクルの位置合せ及びオーバーレイの測定に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】マイクロリソグラフィでは、薄膜構造物
上のパターンの連続する層の間の位置ずれ度を含めてオ
ーバーレイの正確な測定を行い、またこのような層をプ
リントするために使用するマスク／レチクルを前の層に
位置合せするのに、困難がある。やや異なる観点から見
ると、光学的位置合せとオーバーレイ測定において中心
線の正確な推定を行うのに困難がある。オーバーレイの
測定および位置合せの不正確さは、付着（スピンオンが
典型的）の際に、オーバーレイおよび位置合せマスク／
目標の上のレジストの非対称で不均一なコーティングに
よってもたらされる。たとえば、レジストのスピンオン
付着は、レジスト中に、下にある微細構成に関して非対
称な山や谷を発生させる。その結果、下にくるこのよう
なマークのイメージ自体が非対称となり、中心線の推定
があいまいで不正確なものになる。
上のパターンの連続する層の間の位置ずれ度を含めてオ
ーバーレイの正確な測定を行い、またこのような層をプ
リントするために使用するマスク／レチクルを前の層に
位置合せするのに、困難がある。やや異なる観点から見
ると、光学的位置合せとオーバーレイ測定において中心
線の正確な推定を行うのに困難がある。オーバーレイの
測定および位置合せの不正確さは、付着（スピンオンが
典型的）の際に、オーバーレイおよび位置合せマスク／
目標の上のレジストの非対称で不均一なコーティングに
よってもたらされる。たとえば、レジストのスピンオン
付着は、レジスト中に、下にある微細構成に関して非対
称な山や谷を発生させる。その結果、下にくるこのよう
なマークのイメージ自体が非対称となり、中心線の推定
があいまいで不正確なものになる。
【０００３】米国特許第４９０６８５２号は、可変経路
長遅延を使って、ある信号の位相を別の信号に対してず
らせている。第１の位相はウェハ位置合せマークのそれ
であり、第２の位相は近接する平面領域のそれである。
光の空間的及び時間的コヒーレンスは、フォトレジスト
底面からの反射の強い分離を得るのに不可欠である。こ
の反射が最強であるという仮定がなされているが、これ
は動作性にとっても重要である。マッハ・ツェンダー干
渉計の遅延経路の長さを変えるための、機械的動作また
はそれと同等のものが必要である。
長遅延を使って、ある信号の位相を別の信号に対してず
らせている。第１の位相はウェハ位置合せマークのそれ
であり、第２の位相は近接する平面領域のそれである。
光の空間的及び時間的コヒーレンスは、フォトレジスト
底面からの反射の強い分離を得るのに不可欠である。こ
の反射が最強であるという仮定がなされているが、これ
は動作性にとっても重要である。マッハ・ツェンダー干
渉計の遅延経路の長さを変えるための、機械的動作また
はそれと同等のものが必要である。
【０００４】ＩＢＭテクニカル・ディスクロージャ・ブ
ルテン、第３３巻、第５号（１９９０年１０月）、ｐ
ｐ．１１４〜５所載の"Structures for Test of Asymme
try inOptical Imaging Systems"は、光リソグラフィ用
の光学系の非対称性の試験、位置合せ、及びオーバーレ
イとサイズの測定について論じている。
ルテン、第３３巻、第５号（１９９０年１０月）、ｐ
ｐ．１１４〜５所載の"Structures for Test of Asymme
try inOptical Imaging Systems"は、光リソグラフィ用
の光学系の非対称性の試験、位置合せ、及びオーバーレ
イとサイズの測定について論じている。
【０００５】ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．７７２、Optical/Micr
olithography ＶＩ（１９８７年）、ｐｐ．１３４〜１
４１所載の"Theoretical Models for the Optical Alig
nment of Wafer Steppers"など、フォトレジスト被覆領
域における非対称性に対する種々の位置合せシステムの
感度に関する研究があり、いくつかの明視野単色位置合
せシステムについて１μｍまでの誤差を示唆している。
olithography ＶＩ（１９８７年）、ｐｐ．１３４〜１
４１所載の"Theoretical Models for the Optical Alig
nment of Wafer Steppers"など、フォトレジスト被覆領
域における非対称性に対する種々の位置合せシステムの
感度に関する研究があり、いくつかの明視野単色位置合
せシステムについて１μｍまでの誤差を示唆している。
【０００６】このようなシステムの１つについて、かな
りの位置合せ誤差が実際に報告されている。たとえば、
Ｋ・Ａ・シバース（Chivers）の報告"A ModifiedPhotor
esist Spin Process for a Field-by-Field Alignment
System"（コダック・マイクロエレクトロニクス・セミ
ナー報告集、１９８４年１０月２９〜３０日、米国カリ
フォルニア州サンディエゴ、ｐｐ．４４〜５１）。
りの位置合せ誤差が実際に報告されている。たとえば、
Ｋ・Ａ・シバース（Chivers）の報告"A ModifiedPhotor
esist Spin Process for a Field-by-Field Alignment
System"（コダック・マイクロエレクトロニクス・セミ
ナー報告集、１９８４年１０月２９〜３０日、米国カリ
フォルニア州サンディエゴ、ｐｐ．４４〜５１）。
【０００７】いくつかの位置合せシステム・メーカ（Ｍ
・Ｄ・ワンタ（Wanta）他の報告"Characterizing New D
arkfield Alignment Target Designs"、８９年ＫＴＩマ
イクロエレクトロニクス・セミナー、インタフェース報
告集、ＫＴＩケミカルズ・インコーポレイテッド後援、
１９８７年１１月１９〜２０日、米国カリフォルニア州
サンディエゴ、ｐｐ．１６９〜１８１、及びＣ・ラムソ
ン（Lambson）及びＡ・オートレイ（Awtrey）の報告"Al
ignment Mark Optimization for a Multi-Layer-Metal
Process"、９１年ＫＴＩマイクロリソグラフィ・セミナ
ー、インタフェース報告集、ＫＴＩケミカルズ・インコ
ーポレイテッド後援、１９９１年１０月１４〜１５日、
米国カリフォルニア州サンディエゴ、ｐｐ．３７〜５
２）は、非対称性が金属被覆レベルにおけるマーク形成
などのマーク形成の工程によるものであるとき、信号の
対称性を位置合せ目標の良好度の尺度として使用するこ
とを考えた。
・Ｄ・ワンタ（Wanta）他の報告"Characterizing New D
arkfield Alignment Target Designs"、８９年ＫＴＩマ
イクロエレクトロニクス・セミナー、インタフェース報
告集、ＫＴＩケミカルズ・インコーポレイテッド後援、
１９８７年１１月１９〜２０日、米国カリフォルニア州
サンディエゴ、ｐｐ．１６９〜１８１、及びＣ・ラムソ
ン（Lambson）及びＡ・オートレイ（Awtrey）の報告"Al
ignment Mark Optimization for a Multi-Layer-Metal
Process"、９１年ＫＴＩマイクロリソグラフィ・セミナ
ー、インタフェース報告集、ＫＴＩケミカルズ・インコ
ーポレイテッド後援、１９９１年１０月１４〜１５日、
米国カリフォルニア州サンディエゴ、ｐｐ．３７〜５
２）は、非対称性が金属被覆レベルにおけるマーク形成
などのマーク形成の工程によるものであるとき、信号の
対称性を位置合せ目標の良好度の尺度として使用するこ
とを考えた。
【０００８】市販のシステムによる位置合せの場合、そ
の中心線がマスク／レチクル・マークに関して推定され
る、ウェハ位置合せマークに関して困難がある。
の中心線がマスク／レチクル・マークに関して推定され
る、ウェハ位置合せマークに関して困難がある。
【０００９】図１は、ウェハ位置合せマーク１２を備え
るウェハの形の基板１０の断面図である。ここではウェ
ハ位置合せマーク１２は、図面のｘ軸に沿って延びる基
板１０の上面１１に中空空間（あるいは盛り上がったも
のでもよい）の形で示されている。このマーク１２の例
は、幅約１５μｍ、深さ約０．３７μｍであり、ｙ軸に
沿って厚さ約１μｍのフォトレジスト層１４で被覆され
ている。フォトレジストは、スピンオン付着時に、矢線
１３で示すように、ｘ軸に平行に右から左へと流れてい
た。フォトレジスト１４の一部は、マーク１２によって
形成された陥凹部の内部に付着し、フォトレジスト１４
の上面１８に陥凹部１６を残す。フォトレジスト１４の
高さは、マーク１２の前縁１９の真上にある前縁５０で
のレベル１７と、マーク１２の後縁２１の真上にある後
縁５２でのレベル１５（レベル１７より僅かに高い）が
異なっている。その結果生じる、前縁と後縁の上でのマ
ークの反射率の差が、マークの明視野イメージの非対称
性の原因である。
るウェハの形の基板１０の断面図である。ここではウェ
ハ位置合せマーク１２は、図面のｘ軸に沿って延びる基
板１０の上面１１に中空空間（あるいは盛り上がったも
のでもよい）の形で示されている。このマーク１２の例
は、幅約１５μｍ、深さ約０．３７μｍであり、ｙ軸に
沿って厚さ約１μｍのフォトレジスト層１４で被覆され
ている。フォトレジストは、スピンオン付着時に、矢線
１３で示すように、ｘ軸に平行に右から左へと流れてい
た。フォトレジスト１４の一部は、マーク１２によって
形成された陥凹部の内部に付着し、フォトレジスト１４
の上面１８に陥凹部１６を残す。フォトレジスト１４の
高さは、マーク１２の前縁１９の真上にある前縁５０で
のレベル１７と、マーク１２の後縁２１の真上にある後
縁５２でのレベル１５（レベル１７より僅かに高い）が
異なっている。その結果生じる、前縁と後縁の上でのマ
ークの反射率の差が、マークの明視野イメージの非対称
性の原因である。
【００１０】図２は、基板１１０上に異なるマーク１１
２を有する図１の修正例を示す。マーク１１２の幅はわ
ずか１μｍ、レジスト１４の厚さは同じで、マーク１１
２の深さはマーク１２と同じである。マーク１１２を覆
うレジスト１１４の上面１１８の陥凹部１１６は、マー
ク１２の上のものよりずっと小さく、平面性の改善を示
すことに留意されたい。また、マークを覆うレジスト上
面の対称性の明らかな改善にも留意されたい。
２を有する図１の修正例を示す。マーク１１２の幅はわ
ずか１μｍ、レジスト１４の厚さは同じで、マーク１１
２の深さはマーク１２と同じである。マーク１１２を覆
うレジスト１１４の上面１１８の陥凹部１１６は、マー
ク１２の上のものよりずっと小さく、平面性の改善を示
すことに留意されたい。また、マークを覆うレジスト上
面の対称性の明らかな改善にも留意されたい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、マイ
クロリソグラフィにおいて、ウェハ／基板に対するマス
ク／レチクルの位置合せ／オーバーレイ測定目標の中心
線を推定するための新しい方法を提供することである。
クロリソグラフィにおいて、ウェハ／基板に対するマス
ク／レチクルの位置合せ／オーバーレイ測定目標の中心
線を推定するための新しい方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、位置合
せ／オーバーレイ測定目標の中心線を推定する新しい方
法は、 ａ）照射光の波長を調節しながら、目標を照射するステ
ップと、 ｂ）照射光の波長の調節を使って、観察される機能構造
を露光し、位置合せ／オーバーレイ測定マークの光学的
観察を実施するステップと ｃ）信号の非対称性の判定基準を計算し、その結果に応
じて、判定基準が最小になるまで照射源波長を調節する
ステップとを含む。
せ／オーバーレイ測定目標の中心線を推定する新しい方
法は、 ａ）照射光の波長を調節しながら、目標を照射するステ
ップと、 ｂ）照射光の波長の調節を使って、観察される機能構造
を露光し、位置合せ／オーバーレイ測定マークの光学的
観察を実施するステップと ｃ）信号の非対称性の判定基準を計算し、その結果に応
じて、判定基準が最小になるまで照射源波長を調節する
ステップとを含む。
【００１３】さらに本発明によれば、位置合せ／オーバ
ーレイ測定目標の中心線を推定する方法は、 ａ）同調可能な波長可変な照射源からの光を目標に投射
するステップと、 ｂ）測定マークの光学的観察を実施して、観察で測定さ
れた量を表す出力信号を提供するステップと、 ｃ）この出力信号から信号の非対称性の判定基準を計算
して、出力結果を提供するステップと、 ｄ）波長の調節可能な照射源を、出力結果の関数として
同調させるステップとにより、照射光の波長の調節を使
って、観察される機能構造を露光して、判定基準が最小
になるまで照射源波長を調節することによって実施され
る。
ーレイ測定目標の中心線を推定する方法は、 ａ）同調可能な波長可変な照射源からの光を目標に投射
するステップと、 ｂ）測定マークの光学的観察を実施して、観察で測定さ
れた量を表す出力信号を提供するステップと、 ｃ）この出力信号から信号の非対称性の判定基準を計算
して、出力結果を提供するステップと、 ｄ）波長の調節可能な照射源を、出力結果の関数として
同調させるステップとにより、照射光の波長の調節を使
って、観察される機能構造を露光して、判定基準が最小
になるまで照射源波長を調節することによって実施され
る。
【００１４】本発明の別の態様では、加工物上の位置合
せ／オーバーレイ測定目標の中心線を推定するための装
置は、 ａ）入力端子を有する、調節可能な波長可変な照射源
と、 ｂ）この照射源からの光を目標に投射する手段と、 ｃ）測定マークの光学的観察を実施し、出力信号を提供
するための感知手段と、 ｄ）この感知手段から出力信号を受け取るための入力端
子を有する、信号の非対称性の判定基準を計算する手段
と、 ｅ）波長の同調信号を調節可能な照射源の入力端子に提
供する計算手段とを含み、照射光の波長の調節を使っ
て、観察される機能構造を露光し、判定基準が最小にな
るまで照射源波長を調節させる。
せ／オーバーレイ測定目標の中心線を推定するための装
置は、 ａ）入力端子を有する、調節可能な波長可変な照射源
と、 ｂ）この照射源からの光を目標に投射する手段と、 ｃ）測定マークの光学的観察を実施し、出力信号を提供
するための感知手段と、 ｄ）この感知手段から出力信号を受け取るための入力端
子を有する、信号の非対称性の判定基準を計算する手段
と、 ｅ）波長の同調信号を調節可能な照射源の入力端子に提
供する計算手段とを含み、照射光の波長の調節を使っ
て、観察される機能構造を露光し、判定基準が最小にな
るまで照射源波長を調節させる。
【００１５】
【実施例】図３は、本発明による位置合せシステムを示
す。図３のシステムは、明視野照射を用いて、レンズを
通して動作する、全視野結像式の市販の明視野単色位置
合せシステムの修正例である。ウェハ２０は、Ｘステー
ジ及びＹステージをもつテーブル２２で支持された、ウ
ェハ・チャック２１上に支持されている。テーブル２２
は、ＺステージとΘステージも含むことができる。本発
明によれば、コンピュータ３４が制御線３３を介して波
長可変な光源３２を制御して、本発明の新しいフィード
バック・システムを提供する。光源３２は、色素レーザ
などの同調可能なレーザ、または同調可能なモノクロメ
ータによって達成されるような同調可能な白熱光源であ
ることが好ましい。光源３２は、光を発生し、それがレ
ンズ５３を通ってビーム・スプリッタ２９に向かい、ミ
ラー２６で反射されて、レチクル２４における開口２５
の形をしたレチクル位置合せマークを通り、結像レンズ
２３を通過する。結像レンズ２３は、（リダクション・
レンズであることが多く）ウェハ２０表面上のウェハ位
置合せ目標２７を照射する。ウェハ２０上のウェハ位置
合せマーク２７から反射された光は、上方に戻って結像
レンズ２３を通過し、レチクル２４におけるレチクル位
置合せマーク２５を通って、ミラー２６で反射され、リ
レー・レンズ２８を通過し、ビーム・スプリッタ２９を
通過し、リレー・レンズ３０を通過し、ビデオ・カメラ
３１で受け取られて検出される。ビデオ・カメラ３１
は、ＣＣＤなどの技術によるカメラを含む。ビデオ・カ
メラ３１からの線３５は、位置合せマーク２５、２７な
どの存在を示す信号を提供する目的で、コンピュータ３
４に接続されている。この信号は、レチクル・マーク２
５とウェハ・マーク２７の中心線を推定し、最終的に
は、位置合せオフセットと呼ばれる、マーク２７に対す
るマーク２５の中心線の相対的変位を推定するために使
用される。
す。図３のシステムは、明視野照射を用いて、レンズを
通して動作する、全視野結像式の市販の明視野単色位置
合せシステムの修正例である。ウェハ２０は、Ｘステー
ジ及びＹステージをもつテーブル２２で支持された、ウ
ェハ・チャック２１上に支持されている。テーブル２２
は、ＺステージとΘステージも含むことができる。本発
明によれば、コンピュータ３４が制御線３３を介して波
長可変な光源３２を制御して、本発明の新しいフィード
バック・システムを提供する。光源３２は、色素レーザ
などの同調可能なレーザ、または同調可能なモノクロメ
ータによって達成されるような同調可能な白熱光源であ
ることが好ましい。光源３２は、光を発生し、それがレ
ンズ５３を通ってビーム・スプリッタ２９に向かい、ミ
ラー２６で反射されて、レチクル２４における開口２５
の形をしたレチクル位置合せマークを通り、結像レンズ
２３を通過する。結像レンズ２３は、（リダクション・
レンズであることが多く）ウェハ２０表面上のウェハ位
置合せ目標２７を照射する。ウェハ２０上のウェハ位置
合せマーク２７から反射された光は、上方に戻って結像
レンズ２３を通過し、レチクル２４におけるレチクル位
置合せマーク２５を通って、ミラー２６で反射され、リ
レー・レンズ２８を通過し、ビーム・スプリッタ２９を
通過し、リレー・レンズ３０を通過し、ビデオ・カメラ
３１で受け取られて検出される。ビデオ・カメラ３１
は、ＣＣＤなどの技術によるカメラを含む。ビデオ・カ
メラ３１からの線３５は、位置合せマーク２５、２７な
どの存在を示す信号を提供する目的で、コンピュータ３
４に接続されている。この信号は、レチクル・マーク２
５とウェハ・マーク２７の中心線を推定し、最終的に
は、位置合せオフセットと呼ばれる、マーク２７に対す
るマーク２５の中心線の相対的変位を推定するために使
用される。
【００１６】ここで使用する照射線は、（図面に示すよ
うに）空間的にコヒーレントでも非コヒーレントでもよ
い。コヒーレント照射、例えばレーザ照射の場合には、
軸上の光線のみが照射経路に存在する。光はまた、通常
は、単色（一時的にコヒーレント）であり、帯域幅が狭
く、帯域の中心が固定されている（例えば、HeNeまたは
HeCd及び同等のレーザあるいは化学線）。
うに）空間的にコヒーレントでも非コヒーレントでもよ
い。コヒーレント照射、例えばレーザ照射の場合には、
軸上の光線のみが照射経路に存在する。光はまた、通常
は、単色（一時的にコヒーレント）であり、帯域幅が狭
く、帯域の中心が固定されている（例えば、HeNeまたは
HeCd及び同等のレーザあるいは化学線）。
【００１７】ウェハ及びレチクル位置合せマークのイメ
ージの表示は、（図のように）全視野結像を使用する時
は個別に行われ、またｘウェハ・ステージ、ｙウェハ・
ステージ、レチクル・ステージを使って、ウェハ・マー
クを横切る狭いレチクル・マークのイメージを走査する
ことによって、または照射光線の走査によって、合成イ
メージが得られる。
ージの表示は、（図のように）全視野結像を使用する時
は個別に行われ、またｘウェハ・ステージ、ｙウェハ・
ステージ、レチクル・ステージを使って、ウェハ・マー
クを横切る狭いレチクル・マークのイメージを走査する
ことによって、または照射光線の走査によって、合成イ
メージが得られる。
【００１８】図４は、ウェハ表面の照度Ｉ（ｘ）を、図
５に示す試料のｘ軸に沿った座標の関数として示すグラ
フである。図４に示すレチクル位置合せ信号マークを表
すパルス５７は、図３に示すウェハ２０上のレチクル
（マスク）位置合せマーク２５のイメージに応じた電子
信号を表す。図５では、ウェハ位置合せマーク１２は、
ウェハ基板１０の表面に示されている。図６は、ウェハ
位置合せマークに関するレチクル（マスク）の電子イメ
ージの形の位置合せ信号のイメージＩ（ｘ）を示す。基
板１０は、（フォトレジストで被覆されたウェハの断面
図を示す）図１及び図２の装置と類似している。図１、
図２、及び図５は、レジスト１４の下のウェハ位置合せ
マーク１２を示し、レジスト１４の上面にはレジスト１
４の下の位置合せマーク１２の場所の上に陥凹部１６が
ある。図６において、位置合せ信号５８は、マーク１２
からのイメージ輝度（信号Ｉ（ｘ）で表す）を、信号５
５による位置合せマーク１２の表現の関数として表す。
ウェハ位置合せマークのイメージは、レチクル位置合せ
マーク信号から中心近くのピーク信号にわたって変化し
ている。図５のウェハ位置合せマーク１２の縁部は、信
号の部分５５で表されている。レチクル・マーク１２の
縁部のイメージは、図６の信号５６が位置合せ信号５８
のエッジ５６で立ち上がりまた立ち下がる所に示されて
いる。
５に示す試料のｘ軸に沿った座標の関数として示すグラ
フである。図４に示すレチクル位置合せ信号マークを表
すパルス５７は、図３に示すウェハ２０上のレチクル
（マスク）位置合せマーク２５のイメージに応じた電子
信号を表す。図５では、ウェハ位置合せマーク１２は、
ウェハ基板１０の表面に示されている。図６は、ウェハ
位置合せマークに関するレチクル（マスク）の電子イメ
ージの形の位置合せ信号のイメージＩ（ｘ）を示す。基
板１０は、（フォトレジストで被覆されたウェハの断面
図を示す）図１及び図２の装置と類似している。図１、
図２、及び図５は、レジスト１４の下のウェハ位置合せ
マーク１２を示し、レジスト１４の上面にはレジスト１
４の下の位置合せマーク１２の場所の上に陥凹部１６が
ある。図６において、位置合せ信号５８は、マーク１２
からのイメージ輝度（信号Ｉ（ｘ）で表す）を、信号５
５による位置合せマーク１２の表現の関数として表す。
ウェハ位置合せマークのイメージは、レチクル位置合せ
マーク信号から中心近くのピーク信号にわたって変化し
ている。図５のウェハ位置合せマーク１２の縁部は、信
号の部分５５で表されている。レチクル・マーク１２の
縁部のイメージは、図６の信号５６が位置合せ信号５８
のエッジ５６で立ち上がりまた立ち下がる所に示されて
いる。
【００１９】図７ないし図９に示すオーバーレイ測定で
は、通常、図８の以前のレベル（目標）マーク４２の中
心線を、図８のフォトレジスト１４中の矢印で表す、パ
ターン化された１対のバー４３に関して推定するのに困
難がある。図７は、一般的にオーバーレイ測定に使用さ
れるＣＣＤカメラを有する従来型の明視野顕微鏡装置
を、本発明に従ってフィードバック・ループ５３を備え
るように修正したものを示す。図７では、図３と類似の
部品には同じ番号がつけてある。オーバーレイ測定の場
合、その中心線が比較される２つのマークがどちらもウ
ェハ上にあり、したがって装置が簡単になる。図８と図
９は図７の装置に関するもので、図８は、オーバーレイ
測定マークの目標４２（基板）部分を備えた図５と類似
の断面図を示す。フォトレジスト中の矢印４３は、図９
のイメージＩ（ｘ）中の凹み６６で表されるオーバーレ
イ・マークのレジスト部分である。目標マスク４２のイ
メージは、図９の立上り６５で示されている。
は、通常、図８の以前のレベル（目標）マーク４２の中
心線を、図８のフォトレジスト１４中の矢印で表す、パ
ターン化された１対のバー４３に関して推定するのに困
難がある。図７は、一般的にオーバーレイ測定に使用さ
れるＣＣＤカメラを有する従来型の明視野顕微鏡装置
を、本発明に従ってフィードバック・ループ５３を備え
るように修正したものを示す。図７では、図３と類似の
部品には同じ番号がつけてある。オーバーレイ測定の場
合、その中心線が比較される２つのマークがどちらもウ
ェハ上にあり、したがって装置が簡単になる。図８と図
９は図７の装置に関するもので、図８は、オーバーレイ
測定マークの目標４２（基板）部分を備えた図５と類似
の断面図を示す。フォトレジスト中の矢印４３は、図９
のイメージＩ（ｘ）中の凹み６６で表されるオーバーレ
イ・マークのレジスト部分である。目標マスク４２のイ
メージは、図９の立上り６５で示されている。
【００２０】位置合せ及びオーバーレイ測定の不正確さ
は、通常、付着の際に、図５のウェハ位置合せマーク１
２及び図８のオーバーレイ測定マーク４２の上のレジス
ト１４の非対称な被覆によってもたらされる。たとえ
ば、マーク４２の上にスピン・コートされたフォトレジ
ストは、平面でもなく、下の表面形状に対して共形でも
ない被覆断面を生み出し、図１及び図２に示すような非
対称性が、マークの中心線の推定に影響を及ぼす。
は、通常、付着の際に、図５のウェハ位置合せマーク１
２及び図８のオーバーレイ測定マーク４２の上のレジス
ト１４の非対称な被覆によってもたらされる。たとえ
ば、マーク４２の上にスピン・コートされたフォトレジ
ストは、平面でもなく、下の表面形状に対して共形でも
ない被覆断面を生み出し、図１及び図２に示すような非
対称性が、マークの中心線の推定に影響を及ぼす。
【００２１】本発明では、図１０と図１１にその結果を
示すコンピュータ・シミュレーションで例示されるよう
に、フォトレジストの下のイメージの非対称度に関連す
る良度指数の測定値が最小になるまで、照度帯域または
等値物を（単色で、または有限の帯域幅内で）変化させ
る技法を使用する。すなわち、非対称度が最小値に達す
るまで照明波長を変化させる。これは、図７の位置合せ
またはオーバーレイ測定用の図３の線３３上でのフィー
ドバックによって実現され、こうして、非対称フォトレ
ジストを通して見たウェハ（目標）位置合せマークによ
って作られる、カメラ３１上のイメージの非対称性の尺
度が最小になるように照射源の波長調節される。
示すコンピュータ・シミュレーションで例示されるよう
に、フォトレジストの下のイメージの非対称度に関連す
る良度指数の測定値が最小になるまで、照度帯域または
等値物を（単色で、または有限の帯域幅内で）変化させ
る技法を使用する。すなわち、非対称度が最小値に達す
るまで照明波長を変化させる。これは、図７の位置合せ
またはオーバーレイ測定用の図３の線３３上でのフィー
ドバックによって実現され、こうして、非対称フォトレ
ジストを通して見たウェハ（目標）位置合せマークによ
って作られる、カメラ３１上のイメージの非対称性の尺
度が最小になるように照射源の波長調節される。
【００２２】図１０は、５４６ｎｍの波長で非平面フォ
トレジストを通して０．８μｍ幅のマークを見た図であ
る。 しきい値 ２０％ − −０．０１４μｍ オフセット ３０％ − −０．０１９μｍ ４０％ − −０．０２７μｍ ５０％ − −０．０５０μｍ 「変動幅」 ＝ ３６ ｎｍ 中心線の推定値は、マーク・イメージにおける様々な輝
度しきい値で行われる。不正確さは−１４ｎｍから−５
０ｎｍまで変化するが、イメージ非対称性の対応する尺
度、すなわち中心位置の不確実さは、（使用されるしき
い値の範囲が与えられているものとして）３６ｎｍであ
る。
トレジストを通して０．８μｍ幅のマークを見た図であ
る。 しきい値 ２０％ − −０．０１４μｍ オフセット ３０％ − −０．０１９μｍ ４０％ − −０．０２７μｍ ５０％ − −０．０５０μｍ 「変動幅」 ＝ ３６ ｎｍ 中心線の推定値は、マーク・イメージにおける様々な輝
度しきい値で行われる。不正確さは−１４ｎｍから−５
０ｎｍまで変化するが、イメージ非対称性の対応する尺
度、すなわち中心位置の不確実さは、（使用されるしき
い値の範囲が与えられているものとして）３６ｎｍであ
る。
【００２３】図１１では、波長を５４６ｎｍから５６３
ｎｍに調節することによって、同じマークのイメージの
対称性が改善された。すなわち、５０％から９０％まで
のしきい値については、不正確さはわずか−５ｎｍ〜−
４ｎｍであり、また中心線に対する対応する不確実さ、
すなわち中心線の「変動幅」はわずか１ｎｍである。必
要な調節は、５４６ｎｍの初期波長からわずかに１７ｎ
ｍ、すなわち３％であった。 しきい値 ５０％ − −０．００５μｍ オフセット ６０％ − −０．００５μｍ ７０％ − −０．００４μｍ ８０％ − −０．００４μｍ ９０％ − −０．００４μｍ 「変動幅」 ＝ ０．００１ｎｍ
ｎｍに調節することによって、同じマークのイメージの
対称性が改善された。すなわち、５０％から９０％まで
のしきい値については、不正確さはわずか−５ｎｍ〜−
４ｎｍであり、また中心線に対する対応する不確実さ、
すなわち中心線の「変動幅」はわずか１ｎｍである。必
要な調節は、５４６ｎｍの初期波長からわずかに１７ｎ
ｍ、すなわち３％であった。 しきい値 ５０％ − −０．００５μｍ オフセット ６０％ − −０．００５μｍ ７０％ − −０．００４μｍ ８０％ − −０．００４μｍ ９０％ − −０．００４μｍ 「変動幅」 ＝ ０．００１ｎｍ
【００２４】これは、イメージの非対称性が最小になる
まで照射源波長を調節した結果、中心線の推定の正確さ
が改善されたことを示す。同じ原理が、位置合せ測定と
オーバーレイ測定の両方に適用できる。
まで照射源波長を調節した結果、中心線の推定の正確さ
が改善されたことを示す。同じ原理が、位置合せ測定と
オーバーレイ測定の両方に適用できる。
【００２５】次の考察を使用して、イメージの非対称性
を最小にするための最大調節を推定することができる。
完全なイメージ・コントラストの反転（及び干渉じまに
おける対応する非対称性の反転）は、レジストの上面
（図１の１８）で反射した光と底面（図１の１１）で反
射した光の経路長遅延がλ／２の場合に起こる。最小離
調の方向で非対称性を最小にするには、この半分未満し
か必要でない。したがって、初期波長λ0、フォトレジ
ストの厚さｄ、屈折率ｎの場合、Δλの調節は、 １／４ ＝ ２ｄｎ（１／λ0−１／（λ0＋ Δλ） から求めることができる。ただし、Δλはλ0よりずっ
と小さく、 Δλ ＝ （λ0）２し／８ｄｈ であると仮定する。本発明の例では、 λ0 ＝ ０．５４６μｍ ｄ ＝ １μｍ、ｎ ＝ １．６４、 Δλの推定値 ＝ ０．０２３μｍ、 これは、本発明のモデル化された調節である１７ｎｍに
合致する。
を最小にするための最大調節を推定することができる。
完全なイメージ・コントラストの反転（及び干渉じまに
おける対応する非対称性の反転）は、レジストの上面
（図１の１８）で反射した光と底面（図１の１１）で反
射した光の経路長遅延がλ／２の場合に起こる。最小離
調の方向で非対称性を最小にするには、この半分未満し
か必要でない。したがって、初期波長λ0、フォトレジ
ストの厚さｄ、屈折率ｎの場合、Δλの調節は、 １／４ ＝ ２ｄｎ（１／λ0−１／（λ0＋ Δλ） から求めることができる。ただし、Δλはλ0よりずっ
と小さく、 Δλ ＝ （λ0）２し／８ｄｈ であると仮定する。本発明の例では、 λ0 ＝ ０．５４６μｍ ｄ ＝ １μｍ、ｎ ＝ １．６４、 Δλの推定値 ＝ ０．０２３μｍ、 これは、本発明のモデル化された調節である１７ｎｍに
合致する。
【００２６】実際には、調節の量は、フォトレジスト厚
さが増加し、レジストの屈折率が減少し、または照射光
の波長が減少するに従って減少する。例えば、（エキシ
マをベースとするリソグラフィの場合のように）０．２
μｍで位置合せする場合、必要な最大調節量はわずかに
Δλ≒０．００３μｍとなる。
さが増加し、レジストの屈折率が減少し、または照射光
の波長が減少するに従って減少する。例えば、（エキシ
マをベースとするリソグラフィの場合のように）０．２
μｍで位置合せする場合、必要な最大調節量はわずかに
Δλ≒０．００３μｍとなる。
【００２７】実験的証明の例を、図１２ないし図１５に
示す。これらの図は、図２のような１μｍ幅のトレンチ
目標に対する５１５ｎｍ、５４６ｎｍ、５７７ｎｍ、及
び６３３ｎｍの波長での、イメージ輝度とピクセル数の
関係を示すグラフを表す。信号は明らかに、照射光の波
長を調節するときに非対称度が変化することを示してい
るので、波長の調節を使用して、非対称性を最小にする
ことができる。
示す。これらの図は、図２のような１μｍ幅のトレンチ
目標に対する５１５ｎｍ、５４６ｎｍ、５７７ｎｍ、及
び６３３ｎｍの波長での、イメージ輝度とピクセル数の
関係を示すグラフを表す。信号は明らかに、照射光の波
長を調節するときに非対称度が変化することを示してい
るので、波長の調節を使用して、非対称性を最小にする
ことができる。
【００２８】本発明には、位置合せ測定及びオーバーレ
イ測定の正確さを改善するという利点がある。本発明
は、観測波長を調節して、信号の対称性、および原則と
して信号の強度、縁部の鋭さ、イメージ・コントラス
ト、及び信号タイプに基づく良好性の判定基準を使用す
ることによって、検出される信号の対称性をよくする。
イ測定の正確さを改善するという利点がある。本発明
は、観測波長を調節して、信号の対称性、および原則と
して信号の強度、縁部の鋭さ、イメージ・コントラス
ト、及び信号タイプに基づく良好性の判定基準を使用す
ることによって、検出される信号の対称性をよくする。
【００２９】この技法はまた、マークの（組立て及び製
造、または実際の使用時に）非対称性に対する感度に関
してオーバーレイまたは位置合せに使用される光学系を
テストするため、あるいはオーバーレイ目標または位置
合せ目標の非対称性を（目標設計／選択の部分として、
または実際の使用で）テストするために使用することも
できる。
造、または実際の使用時に）非対称性に対する感度に関
してオーバーレイまたは位置合せに使用される光学系を
テストするため、あるいはオーバーレイ目標または位置
合せ目標の非対称性を（目標設計／選択の部分として、
または実際の使用で）テストするために使用することも
できる。
【００３０】さらに、この方法を、測定／位置合せ位置
を訂正し、または良好度判定基準によって過度に劣悪と
見なされた部位をスキップするため、オーバーレイ測定
アルゴリズムまたは位置合せアルゴリズムの実行に組み
込むこともできる。
を訂正し、または良好度判定基準によって過度に劣悪と
見なされた部位をスキップするため、オーバーレイ測定
アルゴリズムまたは位置合せアルゴリズムの実行に組み
込むこともできる。
【００３１】それ自体は結像システムに非対称性を導入
しないパラメータの調節を行うことができる。調節可能
なパラメータとしては、波長、光学素子（レンズ、プリ
ズム、ミラー、軸位置など、ならびに偏光子／検光子、
開口などの他の基本的光学素子）の位置、形状などのパ
ラメータが含まれる。このような調節は、良好度判定基
準の改善をもたらし、光学系と目標イメージの両方の対
称性を改善する結果となり、したがって、非対称目標の
最適結像によってより高い正確さをもたらす。中心線の
変動幅のほかに、本発明で使用するために企図される他
の良好度判定基準として、下記のものがある。 １）そのピークにおける正規化されたイメージ共分散、 ２）推定エッジ位置でのイメージ輝度の比較、 ３）位置合せ目標のいずれかの側に隣接する区域の反射
率。
しないパラメータの調節を行うことができる。調節可能
なパラメータとしては、波長、光学素子（レンズ、プリ
ズム、ミラー、軸位置など、ならびに偏光子／検光子、
開口などの他の基本的光学素子）の位置、形状などのパ
ラメータが含まれる。このような調節は、良好度判定基
準の改善をもたらし、光学系と目標イメージの両方の対
称性を改善する結果となり、したがって、非対称目標の
最適結像によってより高い正確さをもたらす。中心線の
変動幅のほかに、本発明で使用するために企図される他
の良好度判定基準として、下記のものがある。 １）そのピークにおける正規化されたイメージ共分散、 ２）推定エッジ位置でのイメージ輝度の比較、 ３）位置合せ目標のいずれかの側に隣接する区域の反射
率。
【００３２】代替方法とし、レジストのブロックアウト
／アブレーション、すなわち、マークを覆う誘電体の非
対称性がなお残る処理ステップがある。しかし、この方
法はウェハの汚染及び余分な操作、歩留りの点から望ま
しくない。
／アブレーション、すなわち、マークを覆う誘電体の非
対称性がなお残る処理ステップがある。しかし、この方
法はウェハの汚染及び余分な操作、歩留りの点から望ま
しくない。
【００３３】他に、対称性を最高にするためのマークの
設計があるが、実施が困難で、応答時間が遅い。但し、
この方法は、最小の非対称性をもたらす波長でマークを
使用して、信号の非対称性を推定し、基本結像システム
における設計の潜在能力を改善することを通じて、改善
を評価する助けとなる。
設計があるが、実施が困難で、応答時間が遅い。但し、
この方法は、最小の非対称性をもたらす波長でマークを
使用して、信号の非対称性を推定し、基本結像システム
における設計の潜在能力を改善することを通じて、改善
を評価する助けとなる。
【００３４】暗視野一次屈折干渉計結像システムは、図
１、２に示す種類の非対称性に起因する不正確さの影響
をあまり受けない（前記のカークの論文）が、これらの
方法は、それ自体の困難があり、したがって粒状金属な
どある種の応用例では明視野照射システムが望ましいも
のとなる。
１、２に示す種類の非対称性に起因する不正確さの影響
をあまり受けない（前記のカークの論文）が、これらの
方法は、それ自体の困難があり、したがって粒状金属な
どある種の応用例では明視野照射システムが望ましいも
のとなる。
【００３５】多色照射（時間的に非コヒーレントな光）
は、ここに提案するすべてのイメージを複合多色イメー
ジ中で使用することによって、中心線の推定値を平均化
する方法を提供するが、いったん帯域が固定されると、
図１６に示すようにある非対称性が残る。図１６は図１
２ないし図１５と似ているが、図１６は広帯域スペクト
ルに関するものであり、本発明による調節なしには、さ
らに正確さを改善することは不可能である。ここに提案
する調節可能な照射源は、必要な調節が多色システムの
帯域幅よりはるかに少なく、したがって、提案された位
置合せシステムをずっと容易にステッパに組み込むこと
ができる。位置合せ測定の応用例でもオーバーレイ測定
の応用例でも、色収差補正の必要は減少する。広帯域多
色明視野位置合せは、レンズの位置合せや、ＳＮ比を高
めるために固定波長のレーザを使用する方式とは整合性
がない。というのは、レンズ位置合せシステムは、照射
波長が固定され、したがって １）レンズを通る透過があり、かつ ２）その結果得られるシステムの収差が固定され、狭照
射帯域に関して補正され、そのため多色照射と併用でき
ないからである。
は、ここに提案するすべてのイメージを複合多色イメー
ジ中で使用することによって、中心線の推定値を平均化
する方法を提供するが、いったん帯域が固定されると、
図１６に示すようにある非対称性が残る。図１６は図１
２ないし図１５と似ているが、図１６は広帯域スペクト
ルに関するものであり、本発明による調節なしには、さ
らに正確さを改善することは不可能である。ここに提案
する調節可能な照射源は、必要な調節が多色システムの
帯域幅よりはるかに少なく、したがって、提案された位
置合せシステムをずっと容易にステッパに組み込むこと
ができる。位置合せ測定の応用例でもオーバーレイ測定
の応用例でも、色収差補正の必要は減少する。広帯域多
色明視野位置合せは、レンズの位置合せや、ＳＮ比を高
めるために固定波長のレーザを使用する方式とは整合性
がない。というのは、レンズ位置合せシステムは、照射
波長が固定され、したがって １）レンズを通る透過があり、かつ ２）その結果得られるシステムの収差が固定され、狭照
射帯域に関して補正され、そのため多色照射と併用でき
ないからである。
【００３６】本発明は、位置合せの応用例におけるマー
クの選別、位置合せシステム用のマークの設計、及び品
質管理に使用することができる。選別とは、マークを検
査し、マークが不良であるとわかったときは、そのマー
クを飛び越すものである。品質管理に関しては、最小の
非対称性が得られるように、最良のマークの選択を行う
ことができる。マーク設計の場合には、このシステムを
あるマークで動作させ、最小の信号非対称性が得られる
まで次々に他のマークを動作させて、どのマークが最小
の信号非対称性をもたらすかを決定することができる。
クの選別、位置合せシステム用のマークの設計、及び品
質管理に使用することができる。選別とは、マークを検
査し、マークが不良であるとわかったときは、そのマー
クを飛び越すものである。品質管理に関しては、最小の
非対称性が得られるように、最良のマークの選択を行う
ことができる。マーク設計の場合には、このシステムを
あるマークで動作させ、最小の信号非対称性が得られる
まで次々に他のマークを動作させて、どのマークが最小
の信号非対称性をもたらすかを決定することができる。
【００３７】本発明は、重要寸法測定装置やフォトリソ
グラフィ装置の製造者、あるいはステッパやオーバーレ
イ測定システムの製造者が使用できるであろう。
グラフィ装置の製造者、あるいはステッパやオーバーレ
イ測定システムの製造者が使用できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】ウェハ位置合せマークを備える、ウェハの形の
基板の概略断面図である。
基板の概略断面図である。
【図２】狭いウェハ位置合せマークを備える、図１の修
正例を示す概略図である。
正例を示す概略図である。
【図３】本発明による１つの位置合せシステムを示す図
である。
である。
【図４】ウェハ表面の照度Ｉ（ｘ）を、図５に示す試料
のｘ軸に沿った座標の関数として示すグラフである。
のｘ軸に沿った座標の関数として示すグラフである。
【図５】基板表面にウェハ位置合せマークを備える、ウ
ェハのサンプルを示す図である。
ェハのサンプルを示す図である。
【図６】ウェハ位置合せマークに関するレチクル（マス
ク）の電子イメージの形の位置合せ信号のイメージＩ
（ｘ）を示す図である。
ク）の電子イメージの形の位置合せ信号のイメージＩ
（ｘ）を示す図である。
【図７】図３と類似しているが、本発明によって修正さ
れた、オーバーレイ測定用の、ＣＣＤカメラを備えた従
来型の明視野顕微鏡装置を示す図である。
れた、オーバーレイ測定用の、ＣＣＤカメラを備えた従
来型の明視野顕微鏡装置を示す図である。
【図８】図７の装置に関する、オーバーレイ測定マーク
の目標（基板）部分を備える、図５と同様の断面図であ
る。
の目標（基板）部分を備える、図５と同様の断面図であ
る。
【図９】図７の装置に関する、図６と同様の図である。
【図１０】５４６ｎｍの波長で非平面フォトレジストを
通して見た、０．８μｍ幅のマークの結像を示す図であ
る。
通して見た、０．８μｍ幅のマークの結像を示す図であ
る。
【図１１】５６３ｎｍの波長で非平面フォトレジストを
通して見た、０．８μｍ幅のマークの結像を示す図であ
る。
通して見た、０．８μｍ幅のマークの結像を示す図であ
る。
【図１２】図２に示したような１μｍ幅のトレンチ目標
に対する、５１５ｎｍの実質的に単色の波長における、
イメージ輝度とピクセル数の関係を示すグラフである。
に対する、５１５ｎｍの実質的に単色の波長における、
イメージ輝度とピクセル数の関係を示すグラフである。
【図１３】図２に示したような１μｍ幅のトレンチ目標
に対する、５４６ｎｍの実質的に単色の波長における、
イメージ輝度とピクセル数の関係を示すグラフである。
に対する、５４６ｎｍの実質的に単色の波長における、
イメージ輝度とピクセル数の関係を示すグラフである。
【図１４】図２に示したような１μｍ幅のトレンチ目標
に対する、５７７ｎｍの実質的に単色の波長における、
イメージ輝度とピクセル数の関係を示すグラフである。
に対する、５７７ｎｍの実質的に単色の波長における、
イメージ輝度とピクセル数の関係を示すグラフである。
【図１５】図２に示したような１μｍ幅のトレンチ目標
に対する、６３３ｎｍの実質的に単色の波長における、
イメージ輝度とピクセル数の関係を示すグラフである。
に対する、６３３ｎｍの実質的に単色の波長における、
イメージ輝度とピクセル数の関係を示すグラフである。
【図１６】図１２ないし図１５と類似の放射広帯域スペ
クトルのグラフである。
クトルのグラフである。
１０ 基板 １２ ウェハ位置合せマーク １４ フォトレジスト層 １６ 陥凹部 ２０ ウェハ ２２ テーブル ２３ 結像レンズ ２４ レチクル ２５ 開口 ２６ ミラー ２７ 位置合せ目標 ２９ ビーム・スプリッタ ３０ レンズ ３１ ビデオ・カメラ ３２ 光源 ４２ レベル（目標）マーク
Claims (3)
- 【請求項１】位置合せ／オーバーレイ測定目標の中心線
を推定する方法であって、 ａ）照射光の波長を調節しながら、目標を照射するステ
ップと、 ｂ）照射光の波長の調節を使って、観察される機能構造
を露光して、位置合せ／オーバーレイ測定マークの光学
的観察を実施するステップと、 ｃ）信号の非対称性の判定基準を計算し、その結果に応
じて、前記判定基準が最小になるまで照射源波長を調節
するステップとを含む方法。 - 【請求項２】位置合せ／オーバーレイ測定目標の中心線
を推定する方法であって、 ａ）調節可能な波長可変な照射源からの光を前記目標に
投射するステップと、 ｂ）前記目標の光学的観察を実施して、前記観察で測定
された量を表す出力信号を提供するステップと、 ｃ）前記出力信号から信号の非対称性の判定基準を計算
して、出力結果を提供するステップと、 ｄ）前記の調節可能な照射源を、前記の出力結果の関数
として調節するステップとにより、照射光の波長の調節
を使って、観察される機能構造を露光して、前記判定基
準が最小になるまで照射源波長を調節する方法。 - 【請求項３】加工物上の位置合せ／オーバーレイ測定マ
ークの中心線を推定するための装置であって、 ａ）入力端子を有する調節可能な波長可変な照射源と、 ｂ）前記照射源からの光を前記目標に投射する手段と、 ｃ）前記測定マークの光学的観察を実施し、出力信号を
提供するための感知手段と、 ｄ）前記感知手段から前記出力信号を受け取るための入
力端子を有する、信号の非対称性の判定基準を計算する
手段とを含み、 ｅ）前記計算手段が、同調信号を前記の調節可能な照射
源の入力端子に供給する、照射光の波長の調節を使っ
て、観察される機能構造を露光し、前記判定基準が最小
になるまで照射源波長を調節させる装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US785626 | 1985-10-08 | ||
| US07/785,626 US5276337A (en) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | Accuracy of alignment and O/L measurement systems by means of tunable source and handling of signal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217850A true JPH05217850A (ja) | 1993-08-27 |
| JPH0797552B2 JPH0797552B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=25136101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4261194A Expired - Fee Related JPH0797552B2 (ja) | 1991-10-31 | 1992-09-30 | 位置合せおよびオーバーレイ測定マークの中心線の推定方法及びそのための装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5276337A (ja) |
| JP (1) | JPH0797552B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005001552A1 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 眼鏡レンズの製造方法、マーキング装置、マーキングシステム、眼鏡レンズ |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2616676B2 (ja) * | 1993-11-30 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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