JPS6369244A - ウエハ異物検査装置 - Google Patents

ウエハ異物検査装置

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JPS6369244A
JPS6369244A JP21342486A JP21342486A JPS6369244A JP S6369244 A JPS6369244 A JP S6369244A JP 21342486 A JP21342486 A JP 21342486A JP 21342486 A JP21342486 A JP 21342486A JP S6369244 A JPS6369244 A JP S6369244A
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JP
Japan
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foreign
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pattern
semiconductor wafer
foreign matter
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JP21342486A
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Toshiaki Taniuchi
谷内 俊明
Ryoji Nemoto
亮二 根本
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Hitachi High Tech Corp
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Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は %t11.導体ウェハなどの表面の異物を
検出する異物検査装置に関する。
[従来の技術] 従来、半導体ウェハ表面の異物検査を行う異物検査装置
においては、11′導体ウェハの輪郭パターン重ねて、
検出した異物をプロットした異物マツプをディスプレイ
画面に表示したり、またはプリントアウトするようにな
っている。
[解決しようとする問題点コ 半導体ウェハの表面は、複数のチップ領域に区画されて
おり、異物管理が真に必要な部分は各チップ領域の周辺
部を除いた領域(有効領域)である。
換言すれば、半導体ウェハの周辺部や、チップ領域の周
辺部に存在する異物は重要ではなく、真に重要なことは
、各チップ領域の有効領域内における最大異物サイズな
どを把握して、各チップ領域が利用可能か否かを知るこ
とである。
しかるに、従来の異物検査装置によって得られる異物マ
ツプからは、半導体ウェハ表面全体における異物の分布
などを把握することはできても、各チップ領域を使用可
能であるか否かを容易に判断することはできない。
[発明の目的コ したがって、この発明の目的は、そのような問題点を解
消し、半導体ウェハ表面の各チップ領域の利用可否など
を容易に判断できるようにした異物検査装置を提供する
ことにある。
[問題点を解決するための手段コ この目的を達成するために、この発明による異物検査装
置は、被検査面上の異物を検出する手段と、被検査面内
の区画を示すパターンをディスプレイ画面またはプリン
ト紙に出力させる手段と、検出された異物のうち区画の
有効領域内の異物だけを有効異物として抽出する手段と
、区画毎に有効異物の最大サイズを検出する手段と、各
区画毎の有効異物の最大サイズを示すパターンをディス
プレイ画面またはプリント紙に前記区画のパターンと重
ねて出力させる手段とを0゛する構成とされる。
[作用] このような構成であるから、例えば゛1′、導体ウェハ
の表面を被検査面とし、区画をチップ領域とした場合、
各チップ領域の有効領域内の最大異物サイズのパターン
と、チップ領域の輪郭パターンとを干ねたソ4物マツプ
が得られる。
このような異物マツプによれば、半導体ウェハl−の各
チップ領域の真に問題となる異物の最大サイズをチップ
領域対応に把握できるから、各チップ領域が利用可能で
あるか否かを容易に判断できる。
[実施例コ 以下、図面を参照し、この発明の一実施例について詳細
に説明する。
第1図は、この発明による半導体ウェハ用異物検査装置
の概要図である。
この図において、10は半導体ウェハ表面を光学的にW
JにIIするための観測部である。この観測部10につ
いて説明すれば、12は゛1′導体ウェハ14を移動さ
せるための移動ステージ機構である。
16および18はS偏光レーザビームを゛i導体ウェハ
14の表面に斜めに照射するためのS偏光レーザ発振器
である。
移動ステージ機構12によって゛1′、導体ウェハ14
をX方向およびY方向に移動させることにより、半導体
ウェハ14の表面はS偏光レーザビームによってXY走
査される。移動ステージ機構12は、その走査位置を検
出するための位置エンコーダを内蔵しており、その位置
情報を外部に出力されるようになっている。
20は対物レンズ、22はS偏光カットフィルタ、24
はホトマルチプライヤである。半導体ウェハ表面からの
ほぼ垂直方向への散乱光は、対物レンズ20を介してS
偏光カットフィルタ22に入射し、そのP偏光成分だけ
が抽出されてホトマルチプライヤ24に入射し、電気信
号に変換される。
走査点に異物が存在する場合、異物表面は微小な凹凸が
あるため、散乱光のP偏光成分が多くなるが、異物が存
在しない場合は散乱光のP偏光成分は充分に少ない。な
お、パターンのエツジ部においても、垂直方向の散乱光
が増加するが、そのエツジ部はミクロ的に見ると=P、
 i’l’?であるから、散乱光のP偏光成分は充分に
少ない。
その結果、ホトマルチプライヤ24の出力信号レベルか
ら、゛11導体ウェハ表面のパターンと弁別して異物の
有無を判定できる。
また、ホトマルチプライヤ24の出力信号レベルは、そ
の視野内における散乱光のP光成分の平均レベルに比例
するから、ホトマルチプライヤ24の出力レベルから異
物のサイズも判定できる。
26はそのような判定を行うためのレベル比較回路であ
る。このレベル比較回路26は、ホトマルチプライヤ2
4の出力信号を異物サイズ対応の複数の閾値とレベル比
較を行い、サイズ対応の異物データを出力する。
28は移動ステージ12の駆動用モータなどの駆動制御
を行う駆動制御回路である。
30は処理制御部である。この処理制御部3゜は、マイ
クロプロセッサ32、メモリ34、インターフェイス回
路38をバス46で相1j−,に接続した構成である。
レベル比較回路26から出力される異物データは、イン
ターフェイス回路38を通じて処理制御部30に人力さ
れる。
駆動制御回路28に対する制御指令は、インターフェイ
ス回路38を介して処理制御部30から出力される。ま
た、このインターフェイス回路38を介して、移動ステ
ージ機構12から位置情報が入力される。
48はキーボードであり、このキーボード48からイン
ターフェイス回路38を介して処理制御部30に情報を
入力できる。
50は異物マツプなどの表示のためのディスプレイユニ
ットである。52はそのコントローラであり、バス46
に接続される。このコントローラ52は、ディスプレイ
画面の表示データをビットマツプの形で記憶するための
画像メモリ54を内蔵している。この画像メモリ54は
マイクロプロセッサ32によってアクセス可能であり、
コントローラ52は、画像メモリ54の記憶データをビ
デオ信号に変換してディスプレイユニット50へ送出し
、そのディスプレイ画面に表示させる。
第2図は、処理制御部30の処理の流れを示す概略フロ
ーチャートである。以下、このフローチャートを参照し
ながら、この異物検査装置の動作を説明する。
半導体ウェハ14が移動ステージ機構12に位置決め固
定された状態で、キーボード48の特定キーが押下され
ると、処理制御部30のマイクロプロセッサ32は第2
図に示すような処理および制御のためのプログラム(メ
モリ34に格納されている)の実行を開始する。
なお、予め検査対象の半導体ウェハ14のサイズ情報、
チップ配列定義情報がキーボード48から処理制御部3
0に入力され、その入力情報から、走査終了座標と、各
チップ領域の輪郭座標、および各チップ領域の有効領域
の輪郭座標が計算され、メモリ34にの座標テーブル3
4bに記憶されている。
まず、メモリ341−の一群の異物サイズカウンタ34
aなどのクリア、画像メモリ52のクリアなどの初期化
が行われる(ステップ100)。
ステップ102において、移動ステージ機構12を走査
開始位置に移動させるように、駆動制御回路28に制御
指令が送られる。
この走査開始位置への位置決めが完了すると、ステップ
104において、走査開始指令が駆動制御回路28へ送
られる。これにより、移動ステージ機構12がX方向お
よびY方向に移動し、半導体ウェハ表面のS偏光レーザ
ビームによるXY定走査始まる。
この走査開始後、一定の周期で、レベル比較回路26に
よる判定データおよび移動ステージ機構12から送出さ
れる走査位置情報がサンプリングされ、マイクロプロセ
ッサ32内部レジスタに保持される(ステップ10θ)
マイクロプロセッサ32において、サンプリングした判
定データがいずれかのサイズの異物を示すコードである
か判定される(ステップ108)。
異物のコードであれば、ステップ110において、サン
プリングした走査位置情報(走査位置の座標)と、座標
テーブル34bに記憶されている各チップ領域の有効領
域の輪郭座標との比較が行われ、走査位置がいずれかの
チップ領域の有効領域内であるか調べられる。
有効領域内であれば、ステップ112において、その異
物が属するチップ領域に対応した異物サイズレジスタ3
4aに保持されている異物サイズ(判定コード)と、現
在検出された有効異物のサイズ(判定コード)との大小
比較が行われる。現在検出された有効異物のサイズのほ
うが大きければ、そのサイズ(判定コード)が、その異
物サイズレジスタ32aに改めて設定され(ステップ1
13)、ステップ106に戻る。そうでなければ、この
ステップはスキップされる。
ステップ108において異物のコードでないと判定され
た場合、または、ステップ110においてチップ領域の
有効領域でないと判定された場合、ステップ114に進
む。このステップにおいては、走査位置情報と座標テー
ブル34bに記憶されている走査終了座標とが比較され
、走査終了の判定が1fわれる。終了でなければ、ステ
ップ106に戻るが、終了ならばステップ116に進む
このように、検出された異物のうち、チップ領域の有効
領域内の異物だけが抽出され、その最大サイズがチップ
領域毎に検出される。換言すれば、チップ領域の有効領
域外で検出された異物、つまりチップ領域の周辺部およ
び半導体ウェハの周辺部で検出された異物はマスキング
され、サイズ判定の対象から除外される。
ステップ116において、駆動制御回路28に対して走
査停止指令が送られ、移動ステージ機構12は停止させ
られる。
次のステップ118において、マイクロプロセッサ32
は、座標テーブル34bに記憶されている座標情報に従
い、半導体ウェハの輪郭パターンと各チップ領域の輪郭
パターンを画像メモリ52Lに生成する。
この処理が終わると、チップ領域毎の有効異物の最大サ
イズを示すパターンの表示処理が開始する。
ステップ120において、一群の異物サイズレジスタ3
4aの最初のレジスタから、有効異物の最大サイズがマ
イクロプロセッサ32に読み込まれ、そのサイズを示す
数字パターンが生成されて画像メモリ54の対応チップ
領域位置に書き込まれる。ただし、異物サイズレジスタ
の値がゼロの場合、つまり対応のチップ領域に有効異物
が検出されない場合、そのパターンは生成されない。
最後の異物サイズレジスタ34aまで同様の処理が実行
されると、ステップ122で終了と判定され、処理を終
了する。
このようにして、ディスプレイユニット50の画面には
、第3図に示すような異物マツプが表示される。この図
において、60は半導体ウェハの輪郭パターン、62は
チップ領域の輪郭パターンである。64はチップ領域に
おける有効異物の最大サイズをtJ<す数字パターンで
ある。
このような異物マツプによれば、各チップ領域に対応し
て、その有効領域内の最大異物サイズを把握し、各チッ
プ領域を利用可能であるか否かを容易に判断できる。
以−1−1一実施例について説明したが、この発明はそ
れだけに限定されるものではな(、その要旨を逸脱しな
い範囲内で様々に変形して実施できるものである。
例えば、前記実施例においては、異物マツプをディスプ
レイ画面に表示したが、プリントアウトしてもよい。
前記実施例においては、半導体ウェハの輪郭パターンも
表示したが、必ずしも表示しなくともよい。
前記実施例においては、異物の判定データの読込みの都
度、チップ有効領域内の異物の抽出(それ以外の異物の
マスキング)を行っている。しかし、検出された異物を
無条件に記憶し、後に有効異物の抽出処理を−・括して
行うこともできる。
前記実施例においては、゛11導体ウェハ表面のXY定
走査行ったが、螺旋走査を行ってもよい。
さらに、前記実施例においては、半導体ウェハのX、Y
方向および回転方向の位置ずれがないとして説明したが
、そのような位置ずれを考慮する7認がある場合は、適
当な処理段階で光物検出位置の補iE処理を行えばよい
また、この発明は >l/、導体ウェハ以外の被検査物
の表面の異物検査を行うための装置にも同様に適用でき
るものである。
[発明の効果コ 以−に説明したように、この発明によれば、異物検査装
置は、被検査面上の異物を検出する手段と、被検査面内
の区画を示すパターンをディスプレイ画面またはプリン
ト紙に出力させる手段と、検出された異物のうち区画の
有効領域内の異物だけを有効異物として抽出する手段と
、区画毎に有効異物の最大サイズを検出する手段と、各
区画毎の有効異物の最大サイズを示すパターンをディス
プレイ画面またはプリント紙に前記区画のパターンと重
ねて出力させる手段とを有する構成とされるから、その
異物マツプから、例えば゛ト導体ウェハの各チップ領域
の有効領域内の異物の゛i導体ウェハ上の各チップ領域
の11に問題となる異物の最大サイズをチップ領域対応
に把握でき、各チップ領域が利用可能であるか否かを容
易に判断できるなど、従来装置の問題点を解消した異物
検査装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明による異物検査装置の概要図、第2
図は処理制御部の処理および制御を説明するための概略
フローチャート、第3図は異物マツプの説明図である。 10・・・B測部、14・・・ゝi導体ウェハ、12・
・・移動ステージ機構、18.18・・・S偏光レーザ
発振器、24・・・ホトマルチプライヤ、26・・・レ
ベル比較回路、30・・・処理制御部、32・・・マイ
クロプロセッサ、34・・・メモリ、34a・・・異物
サイズレジスタ、34b・・・座標テーブル、50・・
・ディスプレイユニット、52・・・コントローラ、5
4・・・画像メモリ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被検査面上の異物を検出する手段と、被検査面内
    の区画を示すパターンをディスプレイ画面またはプリン
    ト紙に出力させる手段と、検出された異物のうち区画の
    有効領域内の異物だけを有効異物として抽出する手段と
    、区画毎に有効異物の最大サイズを検出する手段と、各
    区画毎の有効異物の最大サイズを示すパターンをディス
    プレイ画面またはプリント紙に前記区画のパターンと重
    ねて出力させる手段とを有することを特徴とする異物検
    査装置。
  2. (2)被検査面はウェハの表面であり、区画はチップ領
    域であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
    の異物検査装置。
JP21342486A 1986-09-10 1986-09-10 ウエハ異物検査装置 Granted JPS6369244A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21342486A JPS6369244A (ja) 1986-09-10 1986-09-10 ウエハ異物検査装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP21342486A JPS6369244A (ja) 1986-09-10 1986-09-10 ウエハ異物検査装置

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Publication Number Publication Date
JPS6369244A true JPS6369244A (ja) 1988-03-29
JPH0347736B2 JPH0347736B2 (ja) 1991-07-22

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ID=16638994

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JP21342486A Granted JPS6369244A (ja) 1986-09-10 1986-09-10 ウエハ異物検査装置

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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108426541A (zh) * 2017-02-13 2018-08-21 发那科株式会社 生成检查系统的动作程序的装置及方法

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JPH0347736B2 (ja) 1991-07-22

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