JPS61278739A - 異物検査装置 - Google Patents

異物検査装置

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JPS61278739A
JPS61278739A JP12030785A JP12030785A JPS61278739A JP S61278739 A JPS61278739 A JP S61278739A JP 12030785 A JP12030785 A JP 12030785A JP 12030785 A JP12030785 A JP 12030785A JP S61278739 A JPS61278739 A JP S61278739A
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JP
Japan
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wafer
range
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foreign matter
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Application number
JP12030785A
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English (en)
Inventor
Takuro Hosoe
細江 卓朗
Takahiro Ninomiya
二宮 孝浩
Toshiaki Taniuchi
谷内 俊明
Yuzo Tanaka
田中 雄三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP12030785A priority Critical patent/JPS61278739A/ja
Publication of JPS61278739A publication Critical patent/JPS61278739A/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、LSI用ウェハなどの被検査物の表面にお
ける異物の有無などの検査を自動的に行う異物検査装置
に関する。
[従来の技術] ウェハの異物検査装置として、光ビームをウェハ面に照
射し、ウェハ面からの反射光を光学系を通じて光電素子
に入射させ、この光電素子の出力信号に基づきウェハ面
における異物の存否などを判定する異物検査動作を、検
査点を順次移動させながら実行する型式のものがある。
従来のこのような異物検査装置は、ウェハのほぼ全域を
検査し、検出した異物の位置情報などをメモリに保存す
るように構成されている。
[解決しようとする問題点] ウェハが大型化するに従い、検出される異物数が著しく
増加し、異物の位置情報などを格納するために大容量の
メモリが必要となり、装置価格上昇の−・囚となってい
る。
また、ウェハの外周近傍部分は異物や結晶欠陥などが本
来多く、LSIチップとしては利用されない無駄エリア
であるが、従来は、そのようなつエバの力爬駄エリアも
検査範囲に含めており、その分だけ検査時間が無用に増
加し、検査効率の低下を招いている。とくに、ウェハが
大型化すると、そのようなウェハ外周の無駄エリアが増
大しており、その検査による無駄時間は無視できな(な
っている。
ウェハの特定領域の異物数(#ti位面積当たりの異物
数)だけを調べ、標準ウェハの異物数と比較することに
よりウェハの品質評価などを行うことも多い。その場合
、ウェハの特定領域だけを検査すれば間に合うにも拘わ
らず、従来装置では、ウェハのほぼ全域が検査されてし
まい、必要な特定領域だけを短時間に検査することはで
きない。
[発明の■的コ この発明の目的は、そのような従来の問題点を解決する
ために、検査範囲を任意に指定し、その範囲内を効率的
に検査できるようにしたウェハなどの異物検査装置を提
供することにある。
[問題点を解決するための手段] そのような目的を達成するために、この発明によれば、
被検査物の表面に光ビームを照射し、該表面からの反射
光を充電素子で受けて電気信号に変換し、該電気信号に
基づき前記被検査物の表面における異物の存否などを判
定する異物検査動作を、検査点を順次移動させなが実1
テする異物検査装置において、前記被検査物の表面]二
の検査範囲を指定するための範囲指定情報を入力する情
報手段と、該情報入力手段により入力された範囲指定情
報を記憶するメモリと、該メモリに記憶されている範囲
指定情報に従い、該範囲指定情報により指定された検査
範囲内だけに前記検査点の移動範囲を制御する制御手段
とを設ける。
[作用] 入力された範囲指定情報により指定される検査範囲内だ
けが検査されるように制御され、その佃査範囲を任意に
指定できる。したがって、ウェハ外周などの被検査物表
面の無駄エリアの検査を禁止させたり、前記ウェハの品
質評価などに必要な特定領域だけを検査させることがで
き、従来よりも検査時間を短縮して検査効率を大幅に改
善できる。
また、人物が極めて多いウェハ外周部分などを検査範囲
から排除できるため、異物の位置情報などを格納するた
めのメモリの容量を削減できる。
[実施例コ 以ド、図面を参照し、この発明の一実施例について詳細
に説明する。
第1図は、この発明によるウェハ用異物検査装置の光学
系部分などの構成を簡略化して示すI!要図である。第
2図は、同装置の信号系および処理制御系の概要図であ
る。
まず第1図において、10.はX方向に摺動可能にベー
ス12に支持されたXステージである。このXステージ
lOには、ステッピングモータ14の回転軸に直結され
たスクリュー18が螺合しており、ステッピングモータ
14を作動させることにより、Xステージ10をX方向
に進退させることができる。18はXステージ1oのX
方向位置Xに対応したコード信号を発生するリニアエン
コーダである。
・Xステージ10には、Zステージ20がZ方向に移動
可能に取り付けられている。19は2ステージ20をZ
方向に移動させるためのステッピングモータであり、X
ステージ10に固定されている。図中省略されているが
、このステッピングモータ19の回転軸には偏心カムが
取り付けられ、このカムに係合するカムフォロアが2ス
テージ20側に設けられている。しかして、ステッピン
グモータ19を作動させると、その回転が前記偏心カム
およびカムフォロアを介して2ステージ20に伝達され
、2ステージ20が上下する。
また、2ステージ20には、被検査物としてのウェハ3
0が載置される回転ステージ22が回転可能に支持され
ている。ここで、ウェハ30としては、ブランク膜付き
ウェハ、鏡面ウニ/1、またはパターン付きウェハをセ
ットして検査可能である。
この回転ステージ22は、ステッピングモータ24が連
結されており、これを作動させることにより回転される
ようになっている。このステツビングモータ24には、
その回転角度位置Oに対応したコード信号を出力するロ
ータリエンコーダが内蔵されている。
なお、ウェハ30は、回転ステージ22に負圧吸着によ
り位置決め固定されるが、そのための手段は図中省かれ
ている。
このウェハ異物検査装置は、偏光レーザ光を利用してウ
ェハ30ヒの異物を自動的に検査するものであり、ウェ
ハ30の上面(被検査面)に、S偏光レーザ光が照射さ
れる。そのために、S偏光レーザ発振336.38が設
けられている。各S偏光レーザ発振′a36.38は、
ある波長のS偏光レーザ光を発生するもので、例えば波
長が8300オングストロームの半導体レーザ発振器で
ある。
そのS偏光レーザ光は、X方向よりウエノX30の1−
而に約2度の照射角度φで照射される。この′ように照
射角度が小さいため、円形断面のS偏光レーザ光のビー
ムを照射した場合、ウェハ面におけるスポットが長く延
びてしまい、十分な照射密度を得られない。そこでS偏
光レーザ発振器36゜38の前方にシリンドリカルレン
ズ44.48を配置しS偏光レーザ発振W38.38か
ら出たほぼ円形断面のS偏光レーザ光ビームを、Z方向
につぶれた扁平な断面形吠のビームに絞ってからウェハ
面に照射するようにしている。
ここで、パターンなしのブランク膜付きウェハ(または
鏡面ウェハ)の場合、S偏光レーザ光は、その照射スポ
ット内に異物が存在しなければ、はぼ正反射されZ方向
には反射されないが、異物が存在すれば、それにより乱
反射されてZ方向にも反射される。
他方、パターン付きウェハの場合、ウェハ面に照射され
たS偏光レーザ光の反射レーザ光は、その照射スポット
内にパターンが存在すれば、2方向にも反射されるが、
そのパターンの面は微視的に平滑であるため、反射レー
ザ光はほとんどS偏光成分だけである。これに対し、異
物の表面には一般に微小な凹凸があるため、照射スポッ
ト内に異物が存在すると、照射されたS偏光レーザ光は
散乱して偏光方向が変化し、反射レーザ光には、S偏光
成分の外に、P偏光成分をかなり含まれることになる。
このような現象に着目し、このウェハ異物検査装置にお
いては、パターン付きウエノ1の場合には、ウェハ面か
らのZ方向への反射レーザ光に含まれるP偏光成分のレ
ベルに基づき、異物の有無と異物のサイズを検出する。
他方、ブランク膜付きウエノ為(鏡面ウエノ1も含む)
の場合には、検出感度を増大させるために、Z方向への
S偏光反射レーザ光およびP偏光反射レーザ光のレベル
に基づき、異物の存否およびサイズを検出する。
再び第1図を参照する。ウェハ面からの反射レーザ光は
、前記原理に従い異物を検出する検出系50と、ウェハ
の目視観察のための顕微鏡52とに共通の光学系に入射
する。すなわち、反射レーザ光は、対物レンズ54、ハ
ーフミラ−56、プリズム58を経由して45度プリズ
ム60に達する。
また、目視観察のためにランプ70が設けられている。
このランプ70から出た可視光により、ハーフミラ−5
6および対物レンズ54を介してウェハ面が照明される
。その反射光も、反射レーザ光と同様に45度プリズム
60に達する。
プリズム60を経由して顕微鏡2側に入射した可視反射
光は、60度プリズム62、フィールドレンズ64、リ
レーレンズ66を順に通過して接眼レンズ68に入射す
る。したがって、接眼レンズ68より、ウェハ30を十
分大きな倍率で目視観察することができる。この場合、
視野の中心に、ウェハ面」二のS偏光レーザ光スポット
の範囲が位置する。また、プリズム58を通してウェハ
30を低倍率で観察することもできる。
プリズム60を経由して検出系側に入射した反射レーザ
光は、スリット72に設けられた4つのアパーチャア4
を通過し、分離ミラー88に入射する。
ここで、ウェハ30がパターン付きウェハの場合には、
S偏光カットフィルタ88(偏光板)が符号86°によ
り示す位置に移動せしめられるため、アパーチャア4を
通過した反射レーザ光のP偏光成分だけが抽出され、分
離ミラー88に入射する。ウェハ30がブランク膜付き
ウェハ(または鏡面ウェハ)の場合、S偏光カットフィ
ルタ88は実線で示す位置に移動せしめられるため、反
射レーザ光のS偏光成分もP偏光成分も分離ミラー88
に入射する。
87はS偏光カットフィルタ86を移動させるためのソ
レノイドである。
スリット72の4つのアパーチャア4は千鳥状に配置さ
れており、分離ミラー88は四角錐状の四面鏡である。
分離ミラー88の入射面上における各アパーチャア4の
視野74Aは、第3図に示すように、分離ミラー88の
特定の鏡面88A上に入るような位置関係におかれてい
る。したがって、各アパーチャア4を通過した反射レー
ザ光は、対応する鏡面88Aに入射し、互いにほぼ直交
する方向に分離されて反射される。分離ミラー88の上
下左右には、各アパーチャア4と対応したホトマルチプ
ライヤ90(光電素子)が設けられている。各鏡面88
Aにより反射されたレーザ光は、対応したホトマルチプ
ライヤ90にそれぞれ人射し、充電変換される。
このように、アパーチャア4を千几状に配置したため、
簡単な分離ミラー88(光分離手段)により、4つのア
パーチャア4の通過レーザ光を一度に分離して対応した
ホトマルチプライヤ90に入射させることができる。
ここで、例えば、4つのアパーチャア4を第9図に示す
ように直線的に配置した場合、ミラーまたはプリズムな
どにより、一度に分離することは困難である。何故なら
ば、アパーチャア4とミラーまたはプリズムとの相対位
置の誤差を著しく小さく抑えないと、不適当な位置で分
離されてしまうし、また、その誤差条件を滴定できると
仮定しても、後述するように、各アパーチャア4を図示
のようにある方向(走査方向に対し直交する方向)に部
分的に重ねる必要があるため、分離境界が直線的でなく
1、異形のミラーまたはプリズムが必要となるからであ
る。
そこで、このような直線的配列の場合には、第9図にお
ける■の位置を境にして1回目の光分離を11′−い、
さらに■の位置を境にして2回目の光分離を行う必要が
ある。これでは、ミラーまたはプリズムが3側辺1を必
要になるとともに、2回の反射または屈折によるボケが
生じやすい。また、各回の分離に関して、一度に分離す
る場合と同様に位置誤差による影響を受けやすいため、
分離が不完全になりやすい。
これに対して、千鳥配列の場合、第3図から明らかなよ
うに、隣接した各アパーチャの間隔が直交する各方向と
も十分大きくなるため、前記のような簡単な分離ミラー
88により光分離を−・度に行うことができる。また、
アパーチャア4と分離ミラー88との相対位置誤差をそ
れほど厳密に制限しな(でも、完全な分離が可能である
また、ホトマルチプライヤ90はかなり大型であ・るが
、分離ミラー88の上下左右に配置されるため、最少の
スペースですむ。
さて、各ホトマルチプライヤ90から、それぞれの入射
光量に比例した値の検出信号が出力される。後述のよう
に、各ホトマルチプライヤ90の出力信号は加算され、
その加算された信号のレベルに基づき、ウェハ而の検査
点各アパーチャア4の視野内の部分)における異物の有
無が判定され、また異物が存在する場合は、その信号の
レベルから異物の粒径が判定される。
ここで、異物検査は、前述のようにウェハを回転させつ
つX方向(半径方向)に送りながら行われる。そのよう
なウェハ30の移動に従い、第4図に示すように、S偏
光レーザ光のスポット30Aはウェハ30の−1−面を
外側より中心へ向かって螺旋状に移動する。検出系50
と顕微鏡52は静止しており、アパーチャア4の視野は
スポット30A内に含まれ、またスポット30Aの全体
または中心部分は顕微鏡52の視野内に入る。すなわち
、ウェハ而は螺旋走査される。
スリット72の各アパーチャア4のウェハ而における視
野74Bは、第5図に示すごとく千鳥配置となる。図示
のように、隣合うアパーチャの視野74 Bは、走査方
向(O方向)に対して垂直な方向、すなわちX方向にα
だけ重なっている。そして、βはウェハのX方向(半径
方向)への送りピッチより大きい。したがって、ウェハ
面は一部重複して走査されることになる。
さて、前記ホトマルチプライヤから出力される信号には
、異物に関係した信号成分の外に、被検清面の状態など
によって決まるバックグラウンドノイズも含まれている
。その信号のS/Nを上げ、微小な異物の検出を可能と
するためには、スリットのアパーチャを小さくする必要
がある。しかし、従来のウェハ異物検査装置のようにア
パーチャが1つの場合、アパーチャが小さいと、走査線
(アパーチャ視野の軌跡)のピッチを小さくしなければ
ならず、ウェハ面全体を走査して検査するための時間が
増加する。
そこで、本実施例では、アパーチャを4つ設け、全アパ
ーチャの総合視野の走査方向と垂直な方向の幅βを拡げ
ることにより、アパーチャを小さくした場合における走
査線ピッチを増加させ、以て検出能の向上と走査検査時
間の短縮を達成している。
なお、アパーチャを小さくしたことによる各ホトマルチ
プライヤの出力信号レベルの低下を補うために、後述の
ように、全ホトマルチプライヤの出力信号を加算するよ
うにしている。
ここで、照射角度φについて説明する。従来のウェハ異
物検査装置においては、ホトレジスト膜、アルミニウム
蒸着膜などのパターンのないブランク膜が表面に被着さ
れたウェハの異物検査を行う場合、かなり大きな照射角
度、例えば30度で光ビームがウェハ面に照射されるよ
うになっている。
発明者の研究によれば、そのような従来装置におけるバ
ックグラウンドノイズには、ウェハ表面(ブランク膜の
表面)の状態により決まるノイズ成分だけではなく、ブ
ランク膜内部の状態に関係するノイズ成分と、ブランク
膜の下のウェハ素地面の状態に関係するノイズ成分とが
含まれている。
ウェハ表面からの反射光を利用するという原理上、最初
のノイズ成分を完全に除去することは不可能であり、ま
た、その影響も致命的なものではない。
しかし、後の2つのノイズ成分は、ウェハ内部の状態に
影響されるものであり、直接誤検出の原因となるため、
除去すべきものである。 発明者の研究によれば、従来
装置においてはビームの照射角度が大きいため、ウェハ
表面に入射した光ビームの一部がブランク膜の内部に侵
入し、ウェハ素地面で反射され、再びブランク膜を通過
しウェハ表面に出て光電素子に入射するために、°前述
の好ましくないノイズ成分が生じていたことが判明した
そこで、この実施例においては、ウェハ面で光ビームが
実質的に全反射するように、光ビームの照射角度を前述
のように1″分小さく選び、ウェハ内部への光ビームの
侵入を防止している。
再び第1図を参照する。対物レンズ54の近傍に、ウェ
ハ面と対向させて静電容量変位計53が設けられている
。この静電容量変位計53は、ウェハ面と光学系の対物
レンズとの距離検出のための手段であり、ウェハ面との
間の静電容量に従い、基を距離からの変位に比例した信
号を出力する。
基準距離ならば、つまり基準位置からの変位量がゼロな
らば、対物レンズ54の焦点がウェハ面に正しく合って
いる。
次に、このウェハ異物検査装置の信号系および処理制御
系について、第2図を参照して説明する。
まず、信号系について説明する。前記各ホトマルチプラ
イヤ90の出力信号は加算増幅器lOOにより加算増幅
され、レベル比較回路102に入力される。
ここで、ウェハ上の異物の粒径と、ホトマルチプライヤ
90の出力信号レベルとの間には、第6図に示すような
関係がある。この図において、L/ l L2+ La
はレベル比較回路102の閾値である。
レベル比較回路102は、入力信号のレベルを各閾値と
比較し、その比較結果に応じた論理レベルの閾値対応の
出力信号を送出する。すなわち、閾値Lz、L2* L
Jに対応する出力信号Ore     ・02 t O
aの論理レベルは、その閾値以上のレベルの信号が入力
した場合に“l”となり、入力信号レベルが閾値未満の
ときに“0”となる。したがって、例えば、入力信号レ
ベルが閾値L/未満ならば、出力信号はすべて“0”と
なり、入力信号レベルが閾値L2以ヒで閾値L3未填な
らば、出力信号はOlと02が“l”、o3が“0”と
なる。
このように、出力信号Ot 、0210aは、入力信号
のレベル比較結果を示す2進コードである。
レベル比較回路102の出力信号は、コードL(Olを
最ド位ビットとした2進コード)として、処理制御系と
信号系とのインターフェイスを司るインターフェイス回
路10gに入力される。
静電容量変位計53の出方信号はアナログ/デジタル変
換器103に入力され、2進コード(距離コード)に変
換されてインターフェイス回路108に入力される。
また、インターフェイス回路108には、前記ロータリ
エンコーダおよびリニアエンコーダから、各時点におけ
る回転角度位置θおよびX方向(半径方向)位置Xの情
報を示す信号(2進コード)が、3171回路110,
112を介し入力される。
前記インターフェイス回路108への各入力コードは、
一定の周期でインターフェイス回路l。
8内部のあるレジスタに取り込まれ、そこに一時的に保
持される。
さらに、インターフェイス回路108の内部には、処理
制御系よりステッピングモータ14,19.20および
ソレノイド87の制御情報がセットされるレジスタもあ
る。このレジスタにセットされた制御情報に従い、モー
タコントローラ116によりステッピングモータ14,
19.24の駆動制御が行われ、またソレノイドドライ
バ117によりソレノイド87の駆動制御が行われる。
つぎに、処理制御系について説明する。この処理制御系
はマイクロプロセッサ120.ROMI22、RAM1
24、フロッピーディスク装置12B、X−Yフo −
t 9127、CRTディスプレイ装置128、キーボ
ード130などからなる。
132はシステムバスであり、マイクロプロセッサ12
0、ROM122、RAM124、前記インターフェイ
ス回路lO8が直接的に接続されている。
キーボード130は、オペレータが各種指令、範囲指定
情報、その他のデータを入力するためのもので、インタ
ーフェイス回路134を介してシステムバス132に接
続されている。フロッピーディスク装置f126は、オ
ペレーティングシステムや各種処理プログラム、検査結
果データなどを格納するものであり、フロッピーディス
クコントローラ136を介しシステムバス132に接続
されている。
このウェハ異物検査装置が起動されると、オペレーティ
ングシステムがフロッピーディスク装置126からRA
M124のシステム領域124Aヘロードされる。その
後、フロッピーディスク装置t2eに格納されている各
種処理プログラムのうち、必要な1つ以上の処理プログ
ラムがRAM124のプログラム領域124Bヘロード
され、マイクロプロセッサ120により実行される。処
理途中のデータなどはRAM124の作業領域に一時的
に記憶される。処理結果データは、最終的にフロッピー
ディスク装置12Bへ転送され格納される ROM12
2には、文字、数字、記号などのドツトパターンが格納
されている。
CRTディスプレイW置装28は、オペレータとの対話
のための各種メツセージの表示、異物マツプやその他の
データの表示などに利用されるものであり、その表示デ
ータはビデオRAM 138にビットマツプ展開される
。140はビデオコントローラであり、ビデオRAM1
38の書込み、読出しなどの制御の外に、ドツトパター
ンに応じたビデオ信号の発生、カーソルパターンの発生
などを杼う。このビデオコントローラ140はインター
フェイス回路142を介してシステムバス132に接続
されている。カーソルのアドレスヲ制御するためのカー
ソルアドレスポインタ140Aがビデオコントローラ1
40に設けられているが、このポインタはキーボード1
30からのカーソル制御信号に従いインクリメントまた
はデクリメントされ、またマイクロプロセッサ120に
よりアクセス可能である。
X−Yプロッタ127は異物マツプなどの印刷出力に使
用されるものであり、プロッタコントローラ137を介
してシステムバス132に接続すれている。
次に、異物検査処理について、第8図のフローチャート
を参照しながら説明する。ここでは、異物の自動検査、
目視観察、印刷などのジョブをオペレータが指定する型
式としているが、これは飽くまで一例である。
回転ステージ22の所定位置にウェハ30をセットした
1大態で、オペレータがキーボード130より検査開始
を指令すると、検査処理プログラムがフロッピーディス
ク装置126からRAM124のプログラム領域124
Bヘロードされ、走り始める。
まず、マイクロプロセッサ120は、第8図(A)のフ
ローチャートに示す初期化処理行う。最初に、マイクロ
プロセッサ120は、後述のテーブル、カウンタ、検査
データのバッファなどのための記憶領域(第2図参照)
をRAM120上に確保する(それらの記憶領域はクリ
アされる)。
(ステップ500) L記テーブル(テーブル領域124Dに作成される)の
概念図を第7図に示す。このテーブル150の各エント
リは、異物の番号(検出された順番)、異物の位置(検
出された走査位置X、θ)、その種類ないし性質(目視
観察によって調べられる)、および粒径から構成されて
いる。
次に、マイクロプロセッサ120は、Xステージ10、
zステージ20および回転ステージ22を初期位置に位
置決めさせるためのモータ制御情報、および、ウェハ3
0がパターン付きウェハの場合にはS偏光カットフィル
タ86を符号86gの位置に移動させ、ウェハ30がブ
ランク膜付きウェハ(または鏡面ウェハ)の場合にはS
偏光力?)フィルタ86を実線位置へ移動させるための
ソレノイド制御情報が、インターフェイス回路108の
内部レジスタにセットされる(ステップ502)。この
モータ制御情報に従い、モータコントローラ116がス
テッピングモータ14,19.24を制御し、各ステー
ジを初期位置に移動させる。同様に、ソレノイドドライ
バ117は、ソレノイド制御情報に従い、ソレノイド8
7を付勢または消勢する。
、ついでマイクロプロセッサ120は、インターフェイ
ス回路108を介してステッピングモータ24を起動さ
せる(ステップ504)。
マイクロプロセッサ120は、インターフェイス回路1
08の内部レジスタから、−・定の時間間隔で4回(一
般的には複数回)、距離コードを読み込み、それをRA
M124の入力バッファ領域124Cに順次書き込む(
ステップ506)。これで、ウェハ30の外周近傍の4
箇所(一般的には複数箇所)についての距離コードが入
力バッファ領域124Cに得られる。なお、その距離検
出箇所がウェハ30の円周方向にほぼ均等に配されるよ
うに、距離コードの読み込み時間間隔が選定される。
マイクロプロセッサ120は、読み込んだ4つの距離コ
ード(基準距離位置からの変位)の平均値を算出する(
ステップ508)。
マイクロプロセッサ120は、その平均変位を打ち消す
ような距離および方向にZステージ2゜を移動させるた
めの制御情報を、インターフェイス回路108を介して
モータコントローラ116に与える(ステップ510)
。これで、ウェハ毎のほぼ全域について対物レンズ54
の焦点が合わせられ、初期化処理が終了する。
このように、この実施例においては、検査に先立って、
ウェハ毎に自動的に焦点合わせが行われるため、ウェハ
の厚みのばらつき、反りなどによる影響が除去され、検
査精度がIi+1−hする。
前記初期化の後に、ジョブメニューがCRTディスフレ
イBit128に表示され、オペレータがらのジロブ指
定を待つ状態になる。
「自動検査」のジョブが指定された場合の処理の流れを
、第8図(B)のフローチャートを参照して説明する。
自動検査のコードがキーボード130を通じてマイクロ
プロセッサ120に入力されると、マイクロプロセッサ
120は、自動検査処理を開始する。まず、マイクロプ
ロセッサ120は、CRTディスプレイ装置128の画
面に、範囲指定情報入力のガイダンスを表示し、キーボ
ード130からの範囲指定情報の入力を待つ。この範囲
指定情報は、検査範囲の開始位置(その範囲の゛ウェハ
外周側端)のX座標xlと、検査範囲の終r位置(内周
側端)のX座標X2とからなる。この範囲指定情報がキ
ーボード130から入力されると、マイクロプロセッサ
120は、その範囲指定情報をRAM124の特定領域
124Lに書き込む。(ステップ200) 次にマイクロプロセッサ120は、検査点が検査開始位
置に一致する位置までXステージ10を移動させるため
のモータ制御情報を、インターフェイス回路108を介
してモータコントローラ116へ与える(ステップ20
2)。このモータ制御情報に従い、モータコントローラ
116はステッピングモータ14を駆動し、Xステージ
10を指定位置まで移動させる。
検査開始位置への位置決めが完了すると、マイクロプロ
セッサ120は、インターフェイス1ril 路108
を通じモータコントローラ116に対し走査開始を指示
する(ステップ210)。この指示ヲ受けたモータコン
トローラtteは、検査開始位置から前述のような螺旋
走査を一定速度で行わせるように、ステッピングモータ
14.24を駆動する。
マイクロプロセッサ120は、インターフェイス回路1
08の特定の内部レジスタの内容、すなわち、ウェハ3
0の走査位置X、0のコードと、レベル比較回路102
によるレベル比較結果であるコードLとからなる入力デ
ータを取り込み、RAM124上の大力バッフy124
cに書き込む(ステップ215)。
マイクロプロセッサ120は、取り込んだ走査位置のX
座標情報を記憶領域124Lに記憶されている検査終了
位置の位置情報と比較することにより、走査の終r判定
を行う(ステップ220)。
この判定の結果がNo(検査途中)ならば、マイクロプ
ロセッサ120は、取り込んだコードLのゼロ判定を行
う(ステップ225)。L=000ならば、その走査位
置には異物が存在しない。
L≠000ならば、異物が存在する。
ステップ225の判定結果がYESならばステップ21
5に戻る。ステップ225の判定結果がNoならば、マ
イクロプロセッサ120は、取り込んだ位置情報(x、
0)と、テーブル150に記憶されている既検出の他の
異物の位置情報(X +θ)とを比較する(ステップ2
30)。
位置情報の一致がとれた場合、現在の異物は他の異物と
同一とみなせるので、ステップ215に戻る。
位置情報の比較が不一・致の場合、新しい異物が検出さ
れたとみなせる。そこで、マイクロプロセッサ120は
、RAM124上に確保された領域124Eであるカウ
ンタNを1だけインクリメントする(ステップ235)
。そして、テーブル150のN番目のエントリに、当該
異物の位置情報(X、θ)およびコードL(粒径情報と
して)を書き込む(ステップ240)。
ウェハ30の走査が終了するまで、同様の処理が繰り返
し実行される。
ステップ220で検査終了と判定されると、マスク12
0は、インターフェイス回路108を通じて、モータコ
ントローラ116に対し走査停止指示を送る(ステップ
250)。この指示に応答して、モータコントローラ1
18はステッピングモータ14.20の駆動を停止上す
る。
次にマイクロプロセッサ120は、テーブル150を参
照し、コードLが12の異物の合計数TL11コードL
が32の異物の合計数TL2、コードLが72の異物の
合計数TLaを計算し、その異物合計数データを、RA
M124上の特定領域124F、124G、124Hに
書き込む(ステップ251)。そして、テーブル150
の記憶内容、異物合計データおよび範囲指定情報を、ウ
ェハ番号を付加してフロ・ソピーディスク装置126へ
転送し、格納させる(ステップ252)。
これで、自動検査のジョブが終了し、CRTディスプレ
イ装置128の画面にジョブメニューが表示される。
このように、範囲指定情報により、検査範囲を任意に指
定し、ウニノ1上の必要な領域だけを効率的に検査する
ことができる。また、異物が極めて多いウニ/1周辺部
を検査範囲から除外できるため、ウェハ外周部の異物の
情報を記憶する必要がな(なり、異物の情報を格納する
ためのメモリ(テーブル150)の容量を削減できる。
なお、検査終了位置としてウニノーのセンタを指定すれ
ば、検査開始位置より内側の円形領域全体が検査される
。検査終了位置としてウニ11のセンタより外側の位置
を指定すれば、検査開始位置と検査路1泣置のドーナツ
ツ状領域を検査することができる。
目視観察、検査結果の印刷などの処理の説明書こついて
は、その説明を省略する。
以−1−1この発明の一実施例について説明したが、こ
の発明はそれだけに限定されるものではなく、適宜変形
して実施し得るものである。
例えば、範囲指定情報をキーボード130から入力する
代わりに、CRTディスプレイ装置128と協動するラ
イトペンなどによって範囲指定情報を入力するようにし
てもよい。
前記実施例においては、範囲指定情報に基づく検査点の
移動(走査)の制御を、ソフトウェアにより行ったが、
例えば走査位置と範囲指定情報とを比較する比較回路を
設け、検査開始位置と検査終了位置で比較回路から出力
される一致信号を割込み信号としてマイクロプロセッサ
120に与えるような構成など、ハードウェアだけで実
行させるも容易に実現できる。
距離検出手段は前記静電容量変位計に限られるものでは
なく、距離を高精度に検出可能な他の手段と置換し得る
前記実施例では2ステージ20と一体的に回転ステージ
22を移動して焦点調節をおこなっているが、光学系側
または/および回転ステージ22を移動するように偏光
してもよ(、要はウェハ面と光学系(対物レンズ54)
との相対距離を変化させればよい。
距離検出箇所はウェハの外周近傍に限らない。
検出系50の走査位置が常に顕微鏡52の視野内に入る
ようになっている必要は必ずしもな(、走査位置と視野
とが一定の位置関係を維持できればよい。但し、前記実
施例のようにすれば、目視観察中の異物の識別などの処
理が容易である。
前記ホトマルチプライヤの代わりに、他の適当な光電素
子を用い得る。
検査のための走査は螺旋走査に限らず、例えば直線走査
としてもよい。但し、直線走査は走査端で停止するため
、走査時間が増加する傾向があり、また、ウェハのよう
な円形などの被検脊面を走査する場合、走査端の位置制
御が複雑になる傾向がある。したがって、ウェハなどの
異物検査の場合、螺旋走査が一般に有利である。
また、偏光レーザ光以外の光ビームを利用する同様なウ
ェハ異物検査装置にも、この発明は適用11■能である
さらに、この発明は、ウェハ以外の被検査物を対象とし
た同様の異物検査装置にも適用できることは当然である
[発明の効果コ 以に説明したように、この発明によれば、被検査物の表
面に光ビームを照射し、該表面]−からの反射光を光電
素子で受けて電気信号に変換し、該電気信号に基づき前
記被検査物表面における異物の存否などを判定する異物
検査動作を、検査点を順次移動させなが実行する異物検
査装置において、前記被検査物の表面上の検査範囲を指
定するための範囲指定情報を入力する情報手段と、該情
報入力手段により入力された範囲指定情報を記憶するメ
モリと、該メモリに記憶されている範囲指定情報に従い
、該範囲指定情報により指定された検査範囲内だけに前
記検査点の移動範囲を制御する制御手段とが設けられ、
範囲指定情報により指定される検査範囲内だけが検査さ
れるように制御され、その検査範囲を任意に指定できる
。したがって、ウェハ外周などの被検査物表面の無駄エ
リアの検査をWll−させたり、前記ウェハの品質評価
などに必要な特定領域だけを検査させることができ、従
来よりも検査時間を短縮して検査効率を大幅に改善でき
るとともに、異物が極めて多いウェハ外周部分などを検
査範囲から排除できるため、異物の、位置情報などを格
納するためのメモリの容瞳を削減でき、装置を安価に実
現できる、などの効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による異物検査装置の光学系などの概
要図、第2図は同異物検査装置の信号系および処理制御
系を示す概略ブロック・図、第3図はスリットのアパー
チャの配置と分離ミラーの鏡面との対応関係の説明図、
第4図は被検査面走査の説明図、第5図はスリットのア
パーチャの被検査面上における視野に関する説明図、第
6図は異物の粒径とホトマルチプライヤの出力信号との
関係、およびレベル比較の閾値との関係を示すグラフ、
第7図は検査処理に関連するテーブルの概念図、第8図
(A)ないしくB)は検査処理に関すルフローチャート
、第9図はスリットのアパーチャを直線的に配列した場
合の光分離に関する説明図である。 10・・・Xステージ、14,19.24・・・ステッ
ピングモータ、22−・・回転ステージ、30・・・ウ
ェハ、38.38・・・S偏光レーザ発振器、44.4
6・・・シリンドリカルレンズ、50・・・検出系、5
2・・・顕微鏡、53・・・静電容鑞変位計、72−・
・スリット、74・・・アパーチャ、86・・・S偏光
カットフィルタ、87・・・ソレノイド、88・・・分
離ミラー、90・・・ホトマルチプライヤ、100・・
・加算増幅器、102・・・レベル比較回路、103・
・・アナログ/デジタル変換器、108・・・インター
フェイス回路、116・・・モータコントローラ、11
6・・・ソレノイドドライバ、120・・・マイクロプ
ロセッサ122・・・ROM1124・−RAM112
B・・・フロッピーディスク装置、127・−X −Y
プロッタ、128・・・CRTディスプレイ装置、13
o・・・キーボード、13g・・・ビデオRAM、15
0・・・テーブル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被検査物の表面に光ビームを照射し、該被検査物
    の表面からの反射光を光電素子で受けて電気信号に変換
    し、該電気信号に基づき前記検査物の表面における異物
    の存否などを判定する異物検査動作を、検査点を順次移
    動させなが実行する異物検査装置において、前記被検査
    物の表面上の検査範囲を指定するための範囲指定情報を
    入力する情報手段と、該情報入力手段により入力された
    範囲指定情報を記憶するメモリと、該メモリに記憶され
    ている範囲指定情報に従い、該範囲指定情報により指定
    された検査範囲内だけに前記検査点の移動範囲を制御す
    る手段とを備えることを特徴とする異物検査装置。
JP12030785A 1985-06-03 1985-06-03 異物検査装置 Pending JPS61278739A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009239057A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Toray Eng Co Ltd 半導体ウェハの外観検査方法およびそれを備えた装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS55112502A (en) * 1979-02-23 1980-08-30 Hitachi Ltd Plate automatic examination unit

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