JPS6211149A - 異物検査装置 - Google Patents

異物検査装置

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JPS6211149A
JPS6211149A JP14015285A JP14015285A JPS6211149A JP S6211149 A JPS6211149 A JP S6211149A JP 14015285 A JP14015285 A JP 14015285A JP 14015285 A JP14015285 A JP 14015285A JP S6211149 A JPS6211149 A JP S6211149A
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JP
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JP14015285A
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English (en)
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Takahiro Ninomiya
二宮 孝浩
Toshiaki Taniuchi
谷内 俊明
Takuro Hosoe
細江 卓朗
Yuzo Tanaka
田中 雄三
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6211149A publication Critical patent/JPS6211149A/ja
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業、I:、の利用分!I11コ この発明は、LSI用ウェハなどの被検査物の表面]二
の質物検出などを自動的に行う異物検査装置に関する。
[従来の技術] ウェハの異物検査を行う装置として、ウェハの表面に光
ビームを照射する手段と、ウェハ而からの反射光に基づ
きウェハ而1−の異物を検出する手段とを備え、ウェハ
而を走査しなからウニ/%の異物検査を行う異物検査装
置がある。
[解決しようとする問題点コ 近年、そのようなウェハの異物検査装置は、検査精度が
飛躍的に向上し、それまで問題にならなかったような、
装置内部で発生する塵埃の影響、走査の安定度などが無
視できなくなりつつある。
装置内部での塵埃の発生酸が多く、それが検査中のウェ
ハに付着し検査結果に影響を与えるようだと、いくら公
称検査精度が高くても無意味であるばかりか、ウェハ而
を汚染するために異物検査するようなものであり、非常
な不利益である。また、走査が不安定で、それが異物検
査の結果に大きく影響するのでは、ウェハ相互の検査結
果の比較分析などに支障を来す。
、したがっ4て、異物検査検査装置の使用者側では、装
置内部で発生する異物の影響や走査の安定度も含めた性
能を把握し、装置を選定するとともに、必要な性能を維
持するように装置の保守を適切に行う必要がある。
しかし、従来の異物検査装置は、そのような装置内部で
発生する塵埃の影響や走査の安定度などを簡単にチェッ
クするための機能が装備されておらず、そのようなチェ
ックを用意に行うことができなかった。
[発明の1−1的] この発明は、そのような従来の異物検査装置の問題点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、装置内部で発
生する塵埃の影響などのチェックを容易化した異物検査
装置を提供することにある。
[問題点、を解決するための手段] この[」的を達成するために、この発明による異物検査
装置は、同一・の被検査物に対する異物検査を同・条件
下で複数回繰り返し、各回の異物検査の結果データを記
憶手段に記憶させる再検査モードを有する。
[作用コ 再検査モードを指定することにより、同一の被検査物に
ついて同一条件下で異物検査を複数回行わせ、各回の検
査結果データを記憶手段に得ることができる。
ここで、装置内部での塵埃の発生量が多いと、各回の異
物検査で検出される異物数のばらつきが大きくなる。走
査が不安定であると、同様にその影響が検査結果に現れ
る。したがって、再検査モードにより得られた各回の検
査結果データを比較することにより、つまり検査結果の
再現性をチェックすることにより、装置内部の塵埃発生
量や走査の安定度などを容易に評価できる。
[実施例] 以下、図面を参照し、この発明の一実施例について詳細
に説明する。
第1図は、この発明によるウェハ異物検査装置の光学系
部分などの構成を簡略化して示す概要図である。この図
において、lOはX方向に摺動可能にベース12に支持
されたXステージである。
このXステージlOには、ステッピングモータ14の回
転軸に直結されたスクリュー16が螺合しており、ステ
ッピングモータ14を作動させることにより、Xステー
ジ10をX方向に進退させることができる。18はXス
テージ10のX方向位置Xに対応したコード信号を発生
するりニアエンコーダである。
Xステージ10には、2ステージ20がZ方向に移動可
能に取り付けられている。その移動手段は図中省略され
ている。Zステージ20には、被検査物としてのウェハ
30が載置される回転ステージ22が回転rif能に支
持されている。ここで、ウェハ30としては、ブランク
膜付きウェハ、鏡面ウェハ、またはパターン付きウェハ
をセットして検査可能である。
この回転ステージ22は、ステッピングモータ24が連
結されており、それにより特定の向きに回転駆動される
ようになっている。このステッピングモータ24には、
回転ステージ22の回転方向位置θに対応したコード信
号を出力するロータリエンコーダが内蔵されている。
なお、ウェハ30は、回転ステージ22に負圧吸着によ
り位置決め固定されるが、そのための手段は図中省かれ
ている。
このウェハ異物検査装置は、偏光レーザ光を利用してウ
ェハ30上の異物を自動的に検査するものであり、ウェ
ハ30の上面(被検査面)に、S偏光レーザ光が照射さ
れる。そのために、S偏光レーザ発振器36.38が設
けられている。各S偏光レーザ発振器38.38は、あ
る波長のS偏光レーザ光を発生するもので、例えば波長
が8300オングストロームの半導体レーザ発振器であ
る。
そのS偏光レーザ光は、Y方向よりウェハ30の上面に
約2度の照射角度φで11(1射される。このように照
射角度が小さいため、円形断面のS偏光レーザ光のビー
ムを照射した場合、ウェハ而におけるスポットが長く延
びてしまい、I・分な照射密度を得られない。そこでS
偏光レーザ発振器36゜38の前方にシリンドリカルレ
ンズ44.48を配置し、S偏光レーザ発振器36.3
8から出たほぼ円形断面のS偏光レーザ光ビームを、Z
方向につぶれた扁平な断面形状のビームに絞ってからウ
ェハ而に照射するようにしている。
ここで、パターンなしのブランク膜付きウェハ(または
鏡面ウェハ)の場合、S偏光レーザ光は、その照射スポ
ット内に異物が存在しなければ、はぼ正反射されZ方向
には反射されないが、異物が存在すれば、それにより乱
反射されてZ方向にも反射される。
他方、パターン付きウェハの場合、ウェハ而に照射され
たS偏光レーザ光の反射レーザ光は、その照射スポット
内にパターンが存在すれば、Z方向にも反射されるが、
そのパターンの而は微視的に\V、/fIであるため、
反射レーザ光はほとんどS偏光成分だけである。これに
対し、異物の表面には一般に微小な凹凸があるため、照
射スポット内に異物が存在すると、照射されたS偏光レ
ーザ光は散乱して偏光方向が変化し、反射レーザ光には
、S偏光成分の外に、P偏光成分をかなり含まれること
になる。
このような現象に着目し、このウェハ異物検査装置にお
いては、パターン付きウェハの場合には、ウェハ而から
のZ方向への反射レーザ光に含まれるP偏光成分のレベ
ルに基づき、異物の有無と異物のサイズを検出する。
他方、ブランク膜付きウェハ(鏡面ウェハも含む)の場
合には、検出感度を増大させるために、Z方向へのS偏
光反射レーザ光およびP偏光反射レーザ光のレベルに基
づき、異物の存否およびサイズを検出する。
再び第1図を参照する。ウェハ而からの反射レーザ光は
、前記原理に従い異物を検出する検出系50と、ウェハ
の目視観察のための顕微鏡52とに共通の光学系に入射
する。すなわち、反射レーザ光は、対物レンズ54、ハ
ーフミラ−56、プリズム58を経由して45度プリズ
ム60に達する。
また、L1視観察のためにランプ70が設けられている
。このランプ70から出たlJ視光により、ハーフミラ
−56および対物レンズ54を介してウェハ而が照明さ
れる。その反射光も、反射レーザ光と同様に45度プリ
ズム60に達する。
プリズム60を経由して顕微鏡52側に入射した可視反
射光は、60度プリズム62、フィールドレンズ64、
リレーレンズ66を順に通過して接眼レンズ68に入射
する。したがって、接眼レンズ68より、ウェハ30を
十分大きな倍率で目視観察することができる。この場合
、視野の中心に、ウェハ而−LのS偏光レーザ光スポッ
トの範囲が位置する(但し、Ll視観察中はS偏光レー
ザ光は照射されない)。また、プリズム58を通してウ
ェハ30を低倍率で観察することもできる。
プリズム60を経由して検出系側に入射した反射レーザ
光は、スリット72に設けられたアパーチャア4を通過
し、ホトマルチプライヤ90へ送られる。
ここで、ウェハ30がパターン付きウェハの場合には、
S偏光カットフィルタ86(偏光板)が符号86゛によ
り示す位置に移動せしめられるため、反射レーザ光のP
偏光成分だけが抽出されてホトマルチプライヤ90に入
射する。ウェハ30がブランク膜付きウェハ(または鏡
面ウェハ)の場合、S偏光カットフィルタ88は実線で
示す位置に移動せしめられるため、反射レーザ光のS偏
光成分もP偏光成分もホトマルチプライヤ90に入射す
る。後述するように、ホトマルチプライヤ90の出力信
号(検出信号)の検出信号のレベルに基づき、ウェハ面
上のアパーチャア4の視野内における異物の存否と、異
物の粒径が判定される。
87はS偏光カットフィルタ86を移動させるためのソ
レノイドである。
ここで、異物検査は、前述のようにウェハを回転させつ
つX方向(半径方向)に送りながら行われる。そのよう
なウェハ30の移動に従い、第3図に示すように、S偏
光レーザ光のスポット30Aはウェハ30の1−而を外
側より中心へ向かって螺旋状に移動する。検出系50と
顕微鏡52は静+t、 しており、アパーチャア4の視
野は常にスポット30A内に含まれ、スポット30Aに
追従して移動する。すなわち、ウェハ而は螺旋走査され
ながら検査される。
ここで、照射角度φについて説明する。従来のウェハ異
物検査装置においては、ホトレジスト膜、アルミニウム
蒸着膜などのパターンのないブランク膜が表面に被着さ
れたウェハの異物検査を行う場合、かなり大きな照射角
度、例えば30度で光ビームがウェハ而に照射されるよ
うになっている。
発明者の研究によれば、そのような従来装置における検
出信号のバックグラウンドノイズには、ウェハ表面(ブ
ランク膜の表面)の状態により決まるノイズ成分だけで
はなく、ブランク膜内部の状態に関係するノイズ成分と
、ブランク膜の下のウェハ素地面の状態に関係するノイ
ズ成分とが含まれている。ウェハ表面からの反射光を利
用するという原理−h1最初のノイズ成分を完全に除去
することは不1+J能であり、また、その影響も致命的
なものではない。しかし、後の2つのノイズ成分は、ウ
ェハ内部の状態に影響されるものであり、直接誤検出の
原因となるため、除去すべきものである。
発明者の研究によれば、従来装置においてはビームの1
16射角度が大きいため、ウェハ表面に入射した光ビー
ムの一部がブランク膜の内部に侵入し、ウェハ素地面で
反射され、再びブランク膜を通過しウェハ表面に出て充
電素子に入射するために、前述の好ましくないノイズ成
分が生じていたことが判明した。
そこで、この実施例においては、ウェハ而で光ビームが
実質的に全反射するように、光ビームの照射角度を前述
のように1−分小さく選び、ウェハ内部への光ビームの
侵入を防止している。
次に、このウェハ異物検査装置の信号処理および制御系
について、第2図を参照して説明する。
前記ホトマルチプライヤ90から出力される検出信号は
、増幅器100により増幅されてからレベル比較回路1
02に人力される。
ここで、ウエバ1−の異物の粒径と、検出信号のレベル
との間には、第4図に示すような関係がある。この図に
おいて、L、、L2.L3はレベル比較回路102の閾
値である。
レベル比較回路102は、検出信号のレベルを各閾値と
比較し、各閾値との比較結果を示す2進コードを出力す
る。例えば、検出信号レベルが閾値り、未満ならば、(
000)2を出力し、検出信号レベルが閾値し2以上で
閾値し3未満ならば、(Ol l) 2を出力し、検出
信号レベルが閾値し3以上ならば(111) 2を出力
する。
レベル比較回路102の出力コードは、データ処理シス
テム104とのインターフェイスを司るインターフェイ
ス回路108に入力される。
また、インターフェイス回路108には、前記ロータリ
エンコーダおよびリニアエンコーダから、各時点におけ
る回転方向位置0およびX方向(゛11径方向)位置X
の情報を示す信号(2進コード)が、バッファ回路11
0.112を介し人力される。
前記インターフェイス回路108への各人力コードは、
一定の周期でインターフェイス回路108内部のあるレ
ジスタに取り込まれ、そこに一時的に保持される。
さらに、インターフェイス回路108の内部には、デー
タ処理システム104よりステッピングモータ14.2
4およびソレノイド87の制御情報がセットされるレジ
スタもある。このレジスタにセットされた制御情報に従
い、モータコントローラ116によりステッピングモー
タ14.24の駆動制御が行われ、またソレノイドドラ
イバ117によりソレノイド87の駆動制御が行われる
データ処理システム104は、マイクロプロセッサ12
0.ROM122、RAM124、フロッピーディスク
装置126、X−Yプロッタ127、CRTディスプレ
イ装置128、キーボード130などからなる。132
はシステムバスであり、マイクロプロセッサ120、R
OM122、RAM124、前記インターフェイス回路
108が直接的に接続されている。
キーボード130は、オペレータが各種指令やデータを
人力するためのもので、インターフェイス回路134を
介してシステムバス132にt1続されている。フロン
ピーディスク装置126は、オペレーティングシステム
や各種処理プログラム、検査結果データなどを格納する
ものであり、フロッピーディスクコントローラ13Bを
介しシステムバス132に接続されている。
このウェハ異物検査装置が起動されると、オペレーティ
ングシステムがフロッピーディスク装置126からRA
M124のシステム領域124Aヘロードされる。その
後、フロッピーディスク装置126に格納されている各
種処理プログラムのうち、必要な1つ以1−の処理プロ
グラムがRAM124のプログラム領域124Bヘロー
ドされ、マイクロプロセッサ120により実行される。
処理途中のデータなどはRAM124の作業領域に一時
的に記憶される。処理結果データは、最終的にフロッピ
ーディスク装置126へ転送され格納される。ROM1
22には、文字、数字、記号などのドツトパターンが格
納されている。
CRTディスプレイ装置128は、オペレータとの対話
のための各種メツセージの表示、異物マツプやその他の
データの表示などに利用されるものであり、その表示デ
ータはビデオRAM 138にビットマツプ展開される
。140はビデオコントローラであり、ビデオRAM1
38の書込み、読出しなどの制御の外に、ドツトパター
ンに応じたビデオ信号の発生などを行う。このビデオコ
ントローラ140はインターフェイス回路142を介し
てシステムバス132に接続されている。
X−Yプロッタ127は異物マツプなどの印刷出力に使
用されるものであり、ブロックコントローラ137を介
してシステムバス132に接続されている。
このウェハ異物検査装置は、1つのウェハについて1回
検査する通常の検査モードの他に、装置の再現性を検証
するなどの目的に利用する再検査モード、検査結果デー
タおよび異物マツプを表示または印刷させるモード、目
視観察のモードなどを有する。このようなモードは、キ
ーボード130より指定できる。
この発明に直接関係するl’T検査モードの場合の作動
について、第6図のフローチャートを参照し説明する。
この1写検査モードは、同一・ウェハを同一条件で2回
検査して各回の検査結果を記憶し、各回の検査結果を比
較するモードである。
回転ステージ22にウェハ30をセットした状態で、オ
ペレータがキーボード130より検査開始を指令すると
、フロッピーディスク装置12BからRAM124のプ
ログラム領域124Bヘロードされた再検査モード処理
プログラムが走り始める。
まず、マイクロプロセッサ120は、後述のテーブル、
カウンタ、検査データのバッファなどのための記憶領域
(第2図参照)をRAM1201−に確保する(ステッ
プ200)。
」二足テーブル(テーブル領域124Dに作成される)
の概念図を第5図に示す。このテーブル150の各エン
トリは、異物の番号(検出された順番)、異物の位置、
サイズ、および異物の性質または種類(目視観察により
調べられる)の情報から構成されている。
次にマイクロプロセッサ120は、検査対象のウェハの
種類に応じてS偏光カットフィルタ86の位置を制御す
るためのソレノイド制御情報をソレノイドドライバ11
7へ与える(ステップ202)。ソレノイドドライバ1
17は、そのソレノイド制御情報に従い、ソレノイド8
7を付勢または消勢する。
次にマイクロプロセッサ120は、回転ステージ22を
検査開始位置に位置決めさせるためのモータ制御情報を
インターフェイス回路lO8の内部レジスタにセットす
る(ステップ205)。このモータ制御情報に従い、モ
ータコントローラ116がステッピングモータ14.2
4を制御し、各ステージを初期位置に移動させる。
次にマイクロプロセッサ120は、インターフェイス回
路108を通じモータコントローラ116に対し走査開
始を指示する(ステップ215)。
この指示を受けたモータコントローラ11Bは、前述の
ような螺旋走査を一定速度で行わせるように、ステッピ
ングモータ14.24を駆動する。
マイクロプロセ、す120は、位置0.Xおよびレベル
比較回路102の比較結果コード(Lコード)をインタ
ーフェイス回路108より取り込み、大カバノフ712
4cに−1き込む(ステップ220)。
マイクロプロセッサ120は、読み込んだX方向位置X
を検査開始位置と比較し、走査の終丁判定行う(ステッ
プ225)。この判定の結果がNO(Ml査途中)なら
ば、マイクロプロセッサ120は、取り込んだしコード
のゼロ判定を行う(ステップ230)。L=000なら
ば、その走査位置には異物が存在しない。L≠000な
らば、異物が存在する。
ステップ230の判定結果がYESならばステップ22
0に戻る。ステップ230の判定結果がN Oすらば、
マイクロプロセッサ120は、人力バッファ124Cに
記憶されている位置情報(X。
0)と、テーブル150に記憶されている既検出の他の
異物の位置情+V(回転方向位置は補市済み)とを比較
する(ステップ235)。
この位置比較で一致がとれた場合、現在の異物は既検出
の他の異物と同一・とみなせるので、ステップ220に
戻る。
位置比較が不−・致の場合、新しい異物が検出されたと
みなせる。そこで、マイクロプロセッサ120は、RA
M124上のNカウンタ124Eを1だけインクリメン
トする(ステップ290)。
そして、テーブル150のN番目のエントリに、大力バ
ッファ124Cにある当該異物の位置情報およびLコー
ド(サイズ情報)を書き込む(ステップ240)。
ウェハ30の走査が終了するまで、同様の処理が繰り返
し実行される。
ステップ225で走査終了と判定されると、マイクロプ
ロセッサ120は、インターフェイス回路108を通じ
て、モータコントローラ116に対し走査停市指示を送
る(ステップ245)。この指示に応答して、モータコ
ントローラ116はステッピングモータ14.24の駆
動を停+f・、する。
次にマイクロプロセ、す120は、モータコントローラ
116へ検査開始位置への位置決めのためのモータ制御
情報を与え、前述のような検査開始位置に位置決めさせ
る(ステージ246)。
そのような位置決め指示を発行した後、マイクロプロセ
ッサ120は、テーブル150を参照し、Lコードが1
2の異物の合計数TL/1コードLが32の異物の合計
数TL2、コードLが72の異物の合計数TLJを計算
し、その異物合計数データを、RAM124上のレジス
タ124F’、124G、124Hに書き込む(ステッ
プ250)。
そして、テーブル150の記憶内容、異物合計データ及
びNカウンタ124Eの値(異物の総合計数)を、ウェ
ハ化けおよび検査回数(ここでは1)を付加してフロッ
ピーディスク装置12 e3へ転送し、格納させる(ス
テップ255)。
次にRAM 124の領域124C〜124Hをクリア
しくステージ260)、Pカウンタ124に1を書き込
み(ステージ265)、ステップ215以降の処理をF
i)開する。以ド、同一ウェハについて同一条件にて、
2回「1の異物検査(11f検査)が実行される。
この再検査が進行し、ステージ225で終了と判定され
ると、ステップ245〜255が順次実行され、ステッ
プ257でPカウンタ124にのゼロ判定が行われる。
再検査では、この判定結果はNoであるため、ステップ
270以降の処理に進む。
まずマイクロプロセッサ120は、フロッピーディスク
装置126より1回口の検査結果データのうち、異物総
合計数N1サイズ別異物合計数TLt 、TL2.TL
Jを読み出し、大カバソファ124Cに書き込む(ステ
ップ124C)。そして、その1回口の検査結果の6値
と2回[1の検査結果の6値との差を計算しくステップ
275)、その計算結果のドツトパターンデータをビデ
オコントローラ140へ転送する(ステップ280)。
このドツトパターンデータはビデオコントローラ140
によりビデオRAM138にMき込まれ、また随時読み
出されて読み出されてビデオ信号に変換され、CRTデ
ィスプレイ装置128へ転送され、表示される。これで
、処理を終rする。
作業者は、表示された1回目と2回目の検査の異物数の
差、換言すれば、各回の検査結果の比較結果から、ウェ
ハ異物検査装置の再現性をチェックできる。例えば、装
置内部で発生してウェハ而に付着する異物量か多い場合
、各回の異物数の差が大きくなるため、再現性チェック
により異物発生量の多いことが判明する。
なお、詳細は説明しないが、フロッピーディスク装置1
26から各回の異物検査結果データを読み出し、それと
異物マツプとをX−Yプロッタ127により印刷出力さ
せたり、CRTディスプレイ装置128に表示出力させ
ることができる。これは、14現性の詳細チェックなど
に便利である。
また、自動検査済みのウェハを回転ステージ22にセッ
トし、そのウェハに対するテーブル150をフロッピー
ディスク装置12BからRAMI24ヘロードし、ウェ
ハの各異物の11視観察を行って異物の種類または性質
などを調べ、その観察結果をテーブル150に登録し、
目視観察を終了した時点で、テーブル150をフロッピ
ーディスク装置126へ格納するような処理もできる。
以−Llこの発明の一実施例について説明したが、この
発明はそれだけに限定されるものではな(、適宜変形し
て実施し得るものである。
例えば、前述の検査処理の流れは飽くまで一例であり、
適宜変更し得ることは言うまでもない。
また、再検査モードとおける検査回数は3回以上でもよ
く、任意に指定できるようにしてもよい。
ホトマルチプライヤは他の光電素子で置換してもよい。
また、この発明は、偏光レーザ光以外の光ビームを利用
する同様なウェハ異物検査装置にも適用可能であり、さ
らに、ウェハ以外の被検査物を対象とした異物検査装置
にも、同様に適用できる。
[発明の効果] 以I−説明したように、この発明によれば、rfF検査
モードにおいて同一の被検査物について同・条件下で行
われた複数回の異物検査の検査結果データを記憶P段に
得られるため、その各回の検査結果データを比較するこ
とにより、つまり検査結果の再現性をチェックすること
により、装置内部の塵埃発生晴や走査の安定度などを容
易に評価でき、したがって異物検査装置の適切な選定や
保守を確実に行うことかできるなどの効果を達成できる
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明によるW物面上装置の光学系などの概
要図、第2図は同異物検査装置の信号処理および制御系
を示す概略ブロック図、第3図はウェハ而走査の説明図
、第4図は異物の粒径とホトマルチプライヤの出力信号
との関係、およびレベル比較の閾値との関係を示すグラ
フ、第5図は検査処理に関連するテーブルの概念図、第
6図はrlf検査モードの処理のフローチャートである
。 10・・・Xステージ、14.24・・・ステッピング
モータ、22・・・回転ステージ、30・・・ウェハ、
36.38・・・S偏光レーザ発振器、44.4p・・
・シリンドリカルレンズ、50・・・検出系、52・・
・顕m#L72・・・スリット、74・・・アパーチャ
、86・・・S偏光カントフィルタ、90・・・ホトマ
ルチプライヤ、lOO・・・増幅器、102,103・
・・レベル比較回路、104・・・データ処理システム
、108・・・インターフェイス回路、116・・・モ
ータコントローラ、117・・・ソレノイドコントロー
ラ、120・・・マイクロプロセッサ、122・・・R
OM1124・・・RAM、12B・・・フロンピーデ
ィスク装置、127・・・X−Yプロッタ、128・・
・CRTディスプレイ装置、130・・・キーボード、
138・・・ビデオRAM、150・・・テーブル。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被検査物の表面に光ビームを照射する手段と、前
    記被検査物の表面からの反射光に基づき前記被検査物の
    表面における異物を検出する手段とを備え、前記被検査
    物の表面を走査しながら前記被検査物に対する異物検査
    を行う異物検査装置であって、同一の被検査物に対する
    異物検査を同一条件下で複数回繰り返し、各回の異物検
    査の結果データを記憶手段に記憶させる再検査モードを
    有することを特徴とする異物検査装置。
  2. (2)再検査モードにおいては、各回の異物検査の結果
    データの比較が行われることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の異物検査装置。
  3. (3)被検査物はウェハであり、光ビームは偏光レーザ
    光ビームであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    または第2項記載の異物検査装置。
JP14015285A 1985-06-28 1985-06-28 異物検査装置 Pending JPS6211149A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01137641A (ja) * 1987-11-25 1989-05-30 Hitachi Ltd 欠陥検査方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4910787A (ja) * 1972-05-26 1974-01-30

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