JPS6369029A - チルトセンサ - Google Patents

チルトセンサ

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Publication number
JPS6369029A
JPS6369029A JP21259486A JP21259486A JPS6369029A JP S6369029 A JPS6369029 A JP S6369029A JP 21259486 A JP21259486 A JP 21259486A JP 21259486 A JP21259486 A JP 21259486A JP S6369029 A JPS6369029 A JP S6369029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
housing
tilt sensor
light receiving
lens part
Prior art date
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Pending
Application number
JP21259486A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiji Maruta
丸田 啓二
Akio Yamakawa
明郎 山川
Hiroshi Takigawa
洋志 滝川
Ryoichi Nishino
良一 西野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Sony Corp
Stanley Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sony Corp, Stanley Electric Co Ltd filed Critical Sony Corp
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Publication of JPS6369029A publication Critical patent/JPS6369029A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光学式ビデオディスクやコンパクトディス
クのような光学式ディスク再生装置におけるディスクの
傾きを検出する際等に好適なチルトセンサに関するもの
である。
〔発明の概要〕
この発明のチルトセンサは、拡散光源と、前記拡散光源
と対称的に位置している受光部を、透明の保護体からな
るハウジング内に一体成形によって固着し、その上面を
レンズ部とすると共に、保護体の側面で反射して前記受
光部に入射されるような迷光を吸収するような光吸収層
も前記ハウジングと共に一体成形で形成するようにした
ものである。したがって、チルトセンサの製造コストが
安価になると共に、迷光によって検出感度が低下するこ
とを防止することができる。
〔従来技術及びその問題点〕
光学式ディスク再生装置ではディスク面と光軸とが垂直
になるようにして隣接トラックからのクロストークを防
止する必要があり、そのためディスク面と光軸との傾き
(TILT)を検出するチルトセンサを設ける場合があ
る。
第5図(a) 、 (b)は本出願人が先に特願昭58
−140139号(特開昭60−32142号公報参照
)として提案した光学式ディスク再生装置におけるチル
ト検出用の装置の側面及びx−X線の上面の概要を示す
図である。
この図において、10は図示しない光学ピックアップに
配置されている筒状のハウジングを示し、このハウジン
グ10の上面には光ディスクに対向する位置にレンズ1
1が固定されている。
又、ハウジング10の底面には発光ダイオード等からな
る発光部12及び太陽電池等からなる受光部13が設け
られており、これらは第4図(b)の上面図に示されて
いるように発光部12はハウジング10の底面の半分に
矩形状に形成され、受光部13は中央で分割された2つ
の受光面13A。
13Bとされて発光部と対称的に配置されている。
なお、14は光ディスクの反射面を示す。
このチルトセンサは発光部12からの拡散光源がレンズ
11を介して光ディスク14で反射し、反射光が受光部
13に到達する点で焦点となるようレンズ11の曲率が
設定されているので図示のように仮想レンズ11′によ
って15′の位置に虚像ができる。
したがって1、その実像15は受光面13A。
13Bにメツシュ線で示すように結像される。
このような光学系においては、光ディスク14の面が図
の紙面の方向に傾いているとディスク面への入射光と反
射光との経路の関係が異なったものになり、実像15は
矢印A又はBで示すようにディスク面14の傾きの角度
に対応して変位することになり受光面13A、13Bか
ら出力される電気信号の量に差が生じる。したがって、
この電気信号をそれぞれSa、Sbとした場合、S= 
(S a−S b) / (S a+s b) c7)
演算を行うと第6図に示すように傾き角θを電気信号S
によって検出することができ、この電気信号Sによって
ピックアップのサーボ機構を制御すると、光デイスク面
に対して光ビームを常に直交させることができるのであ
る。
しかし、このようなチルトセンサは複数の部品から組み
立てられており、コストアップを招くと同時に組立精度
によって検出感度にバラツキが発生するという問題があ
る。
そこで、本出願人はさらに改良されたチルトセンサとし
て例えば合成樹脂体で一体化されたチルトセンサ(特願
昭60−208787号)を提案した。このチルトセン
サは拡散光源と受光素子が透明な保護体によって一体成
形によって組み立てられるため、検出精度がよくなり、
コストダウンをはかることができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、このチルトセンサによると、拡散光源か
らの出射光が透明な保護体の周辺側面で反射して受光部
素子で受光されてしまうことがあり、ディスク面からの
反射光と異なる迷光が受光素子に入射される。
そして、この迷光が多いと光ディスク14からの本来の
反射光と区別がつかなくなりS/Nが悪くなるという問
題点があった。
この発明は、かかる問題点を解消するためになされたも
のである。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明のチルトセンサは、透明なハウジング内で発生
する迷光が受光部に入射しないようにするため、レンズ
部を通過する光を遮蔽しないような位置に、例えば、黒
色の光吸収層を設けるようにしたもである。
〔作用〕
拡散光源から出力された光は、透明な保護体で構成され
ているハウジング内から集光レンズ側にのみ放射される
ようになされているので、ハウジング内の迷光を一掃す
ることができ、反射光の検出感度を向上させることがで
きる。
〔実施例〕 第1図(a) (b)は、本発明の一実施例を示すチル
トセンサの側面(断面)図と上面図を示したもので、1
は透明はプラスチック例えばビスノール型エポキシ樹脂
等で形成されている/\ウジング部、2は拡散光源であ
る発光ダイオード3、及び受光素子4A 、4Bが載置
されている基台を示し、5は前記発光ダイオード、及び
受光素子4A、4Bのリード端子である。
6は前記ハウジング1の外周に形成されている光吸収層
を示し、この光吸収層6は、例えばPOM(ポリアセタ
ール)、又はPro(ポリφフェニレン・オキサイド)
樹脂等から形成されている。
なお、IAはハウジングlの上面に形成されているレン
ズ部を示す。
本発明のチルトセンサは上記したような構造とされてい
るので、前述した従来のチルトセンサ(第4図)と同様
に発光ダイオード3から放出された光はレンズ部IAで
集束されて、例えば、光ディスク等の記録面に照射され
、その反射光が2個の受光素子4A 、4Bに入射され
る。そして光ディスクの傾きに応じて各受光素子4A 
、4Bから出力される電気信号が変化するから、ディス
クの傾きを検出することができるものである。
ところで、本発明の場合は、ハウジング1の外周辺が、
レンズ部IAを除いて光吸収層6によって覆われている
ので、例えば発光ダイオード3から放出された光PSが
ハウジング1の側辺に照射されたときも、このような光
は黒色に染められている光吸収層6によって吸収され、
一点鎖線で示すように受光素子4A又は、4Bに迷光と
して入射されることがない。
したがって、受光素子4A 、4Bはレンズ部IAから
入射された反射光のみに応答して電気信号を出力するた
め検出光のS/N比が向上する。
ちなみに、光吸収層6がないものに比較して、本発明の
チルトセンサは検出感度を10〜15%向上させること
が実験によって確められた。
第2図は本発明の他の実施例を示すチルトセンサの側面
図を示しており、第1図と同一部分は同一記号とされて
いる。
この実施例の場合は、光吸収層6Bがスリバチ状に形成
され、ハウジング1の内部に載置される構成とされてい
る。
したがって、第1図の場合と同様に発光ダイオード3か
ら放出された迷光は受光素子4A 、 4Bに入射され
ないようにすることができるが、この実施例の場合は、
光吸収層6Bの下方がレンズ部IAを通過する光りに対
して障害とならない程度の開ロア(アパーチャ)とされ
ているので、光吸収層6Bで吸収されなかった迷光が生
じていても、その迷光が受光素子4A 、4Bに入射さ
れることをアパーチャアによって効果的に低減させるこ
とができる。
第3図は本発明の更に異なる実施例を示したもので、光
吸収層6Bはアパーチャアを有するドーナツ板で形成さ
れており、ノ\ウジングlの迷光対策としたものである
この場合は上記実施例より迷光の低減効果は少なくなる
が、光吸収層6Cの構造を簡易化することができるとい
う効果がある。
第4図は1本発明のチルトセンサを製造する際の概要を
簡単に示したもので、8は上金型、9はレンズ部IAが
形成されている筒状の下金型である。
下金型9には筒状の側壁に前記した光吸収層6が載置さ
れ、その上方に発光ダイオード、受光素子等が固定され
ている基台2が重ねて置かれる。
そして上金型8から前述したような透明なエボシキ系の
樹脂等を基台2の流入孔2Aから流し込み、ハウジング
1と光吸収層6及び基台2を一体化する。そして樹脂が
硬化したのち、上、下の金型から取り出すとチルトセン
サが完成する。
なお、上記実施例のチルトセンサは円筒状に形成され、
その中心部に対して対称的に拡散光源、及び受光部が配
置されているが、ハウジングは円筒に限らずレンズ部を
中心にして左右を非対象にしてもよい、この場合は拡散
光源からの迷光が受光部に集中しないという効果がある
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明のチルトセンサは透明な保
護体によってハウジングを形成し、このハウジングによ
って拡散光源、及び受光部を維持すると共に、ハウジン
グ内に発生し易い迷光の対策として光吸収層をハウジン
グと一体的に形成するようにしたので、傾き検出感度を
向上させることができると共に、精度よく組み立てるこ
とが容易になり、製造原価のコストダウンもはかること
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) (b)は本発明のチルトセンサの側面図
と上面図、第2図、第3図は本発明の他の実施例を示す
チルトセンサの側面図、第4図はチルトセンサの製造す
る際の説明図、第5図(a) (b)は従来のチルトの
センサの側面図と上面図、第6図は傾き検出信号の特性
図である。 図中、1はハウジング、2は基台、3は発光ダイオード
(拡散光源)、4A、4Bは受光素子、6.6A 、6
Bは光吸収層である。 本み明へ6の矢施4μ妬1求し藷〉す 第2図 〉ト撥ト明の請乞つ捉雇矛湾倣ゴナルfi>ヅ第3図 卆ルト乞〉ブn製止カヌ支り之を明2 第4図 す 臆表屏し簗縛、従1 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 拡散光源と、前記拡散光源と対称的な位置に置かれてい
    る一対の受光素子と、前記拡散光源及び受光素子を固定
    している基台と、前記基台の上面にモールド成形され、
    頂部にレンズ部が形成されている透明体からなるハウジ
    ングを備え、前記ハウジングの外周側面又は内面には、
    前記レンズ部を通過する光を遮蔽しないような位置に光
    吸収層が前記ハウジングとともに一体成形によって形成
    されていることを特徴とするチルトセンサ。
JP21259486A 1986-09-11 1986-09-11 チルトセンサ Pending JPS6369029A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0509389A2 (en) * 1991-04-15 1992-10-21 Bayer Corporation Encapsulated light emitting diode
EP0709834A2 (en) 1994-10-31 1996-05-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Tilt sensor, optical disk, and tilt compensating method for performing a stable tilt compensating control, and apparatus utilizing the same
US20090116209A1 (en) * 2005-07-21 2009-05-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optoelectronic component emitting electromagnetic radiation, component emitting electromagnetic radiation, and method for the production of a housing or a component

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0509389A2 (en) * 1991-04-15 1992-10-21 Bayer Corporation Encapsulated light emitting diode
EP0709834A2 (en) 1994-10-31 1996-05-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Tilt sensor, optical disk, and tilt compensating method for performing a stable tilt compensating control, and apparatus utilizing the same
EP0709834A3 (en) * 1994-10-31 1997-04-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Tilt sensor, optical plate, and tilt compensation method for performing stable tilt compensation control, and apparatus for using the same
US20090116209A1 (en) * 2005-07-21 2009-05-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optoelectronic component emitting electromagnetic radiation, component emitting electromagnetic radiation, and method for the production of a housing or a component
US8344263B2 (en) * 2005-07-21 2013-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optoelectronic component emitting electromagnetic radiation, component emitting electromagnetic radiation, and method for the production of a housing or a component

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