JPS636856B2 - - Google Patents

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JPS636856B2
JPS636856B2 JP54091005A JP9100579A JPS636856B2 JP S636856 B2 JPS636856 B2 JP S636856B2 JP 54091005 A JP54091005 A JP 54091005A JP 9100579 A JP9100579 A JP 9100579A JP S636856 B2 JPS636856 B2 JP S636856B2
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    • G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
    • G03G15/04009—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material by forming an intermediate temporary image projected one or more times
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は現像剤及び各帯電器の極性を変えるこ
となくポジ→ポジ像、ネガ←→ポジ像を自在に選択
できる複写方法に関し、さらに詳細には印加電圧
の選択により複写体原画のネガ像、又はポジ像を
自在に選択できる中間記録媒体を使用した画像形
成方法に関するものである。
ポジ→ポジ像またはネガ←→ポジ像を自由に作成
できる従来の複写方法としては、現像剤正、負２
種類の現像剤を用意し、各転写毎に転写極性を変
えて行なう方法及びＰ型半導体とＮ型半導体を接
合した感材又は、いずれかの半導体上に透明誘電
体を接合した感材又はその他の両極性感光体を用
意し、帯電極性を正、負切り換えることにより同
一現像剤を使用して正規像、反転現像を行ない、
ネガ←→ポジ像又はポジ→ポジ像を得る方法があ
る。しかしながら前者の方法では装置を２台必要
とし、後者の方法では、極性の切り換え、正負の
帯電特性、画質、コスト等の面で問題があり何れ
も実用化には至つていない。
また同一出願人に係る特願昭53−041303号に於
ては、鏡面及び光散乱領域にて画像形成する中間
記憶媒体を用いて、鏡面反射パターン又は光拡散
反射パターンを光学的に選択することにより画像
を読み出し、ネガ像又はポジ像を得る複写装置が
開示されているが、この方法では鏡面反射パター
ンと光拡散反射パターンでは光量差が大きく、同
一読み出し光源を用いると、光拡散反射光量に鏡
面反射光量を同一にするために中性濃度フイルタ
ー又は絞り等で鏡面反射光量を下げなければなら
ず、そのため光量の損失が大きくなること、中性
濃度フイルターや絞りを用いない場合は光量を２
段階に変える電圧切り変えが必要になり、この方
法でも大きな光量が得られず、低感度感光材料へ
の画像形成は困難となることなどの欠点があつ
た。
本発明の目的は電子写真法の帯電極性、現像剤
極性、感光材料の帯電特性等を何等変えることな
く、ネガ←→ポジ像、ポジ→ポジ像を簡単に得ら
れ、かつネガ、ポジのいずれの原稿からのもので
あつても所望の合成コピー画像が得られる複写装
置を提供することである。
さらに他の目的は、読み取り光学系の読み取り
方法を変えることなく、一定の光学系にてネガ←→
ポジ像、ポジ→ポジ像の得られる画像再生方法を
提供することである。
これらの目的は、光学系からの光を受けて静電
潜像を形成し、現像する複写装置において、前記
光学系を、結像部位を共通とする第１の光学系と
第２の光学系とに分け、この第１の光学系と第２
の光学系とのいずれか一方及び双方からの光像を
結像し得る中間記録版体を設け、この中間記録媒
体は、液晶層及び光導電層を透明電極基板間に配
置した液晶セルから構成され、さらに前記液晶の
光の照射部と非照射部との状態を変化させるよう
前記透明電極基板間の電圧を変化させる手段を設
けたことを特徴とする複写装置により達成するこ
とができる。即ち、本発明は、ネガ←→ポジ変換自
在な中間記録媒体と２つの光学系を具備した複写
装置であり、画像の合成、修正、削除等のコピー
画像の加工が容易に実施できる装置である。
本発明に用いる中間記録媒体の構成を第１図に
示す。２枚の透明電極基板１０１の間に記憶型の
液晶層１０２と２次元光像書き込みのための光導
電層１０３とをはさんでサンドウイツチ構造とし
た記憶型液晶セル１００が用いられる。ここで用
いる液晶は、例えばネマチツク液晶とコレステリ
ツク液晶を約９：１（この値に限定されるもので
はない。）の割合いで混合した記憶型のネマチツ
ク―コレステリツク相転移型液晶である。この混
合液晶は、ネサガラス表面に適当な垂直配向処理
剤を塗布することにより、第２図に示すようなバ
イアス電圧に対する透過率曲線を示すことが知ら
れている。
本発明はこの電界―透過率特性を利用したもの
であり、その駆動等価回路を第３図に示す。図中
C1とR1は液晶セル容量Ｃ成分と体積抵抗、C2と
R2は感光層の容量Ｃ成分と体積抵抗である。V1，
V2，V3はそれぞれ第２図に示すように液晶が電
気光学効果を起さない電圧、電気光学効果が最大
になる電圧、透過率が最大になる電圧である。
電極１０１間に印加するバイアス電圧をV1，
V2，V3のいずれかに選択することによつて液晶
層１０２は透明又は不透明となる。
従つて本発明によれば、記憶型液晶セルに光像
を照射した後、非露光部と露光部に印加されるバ
イアス電圧がそれぞれV1とV2、又はV2とV3の組
み合せになるように選択することによつてポジ像
（正面像）又はネガ像（反転画像）を得ることが
できる。
本発明の画像形成方法は電圧（電界）―透過率
特性をもつ中間記録液晶セルを用いて複写を行な
うものであり、該方法を実施するための装置は第
５図に示すごとく第１および第２の光学系として
例えば拡大複写系２と等倍複写系３からなり、各
系の光軸上に該液晶セルを配置し、液晶セルに形
成された記録内容を読み取るための光源１６とレ
ンズ１８及び直接反射光を読みとるためのハーフ
ミラー１７を具備したものである。
まず、本発明の基本原理である記憶型液晶の画
像形成法について詳細に説明する。ここで用いる
記憶型液晶は、例えばネマチツク液晶として
MBBA（ｐ―メトキシベンジリデン―p′―ｎ―ブ
チルアニリン）、EBBA（ｐ―エトキシベンジリ
デン―p′―ｎ―ブチルアニリン）、PEBAB（ｐ―
エトキシベンジリデン―p′―アミノベンゾニトリ
ル）を50：35：15の割合で混合したものを使用
し、これにコレステリツク液晶、例えばCOC（コ
レステリルオレイルカーボネート）をネマチツク
液晶対コレステリツク液晶の割合を約９：１とし
て混合した記憶型相転移型混合液晶である。この
型の液晶においては初期（無負荷）状態では電極
を有するガラス、例えばネサガラスの電極近傍の
液晶分子は電極に対して垂直に配列に中間層に於
ては電極に平行かつらせん状にねじれて配列した
プレーナ構造をとつている。この状態ではバイア
ス電圧は第２図のV1以下で光学的透明度は約90
％以上を保つている。次に印加電圧V2が加わる
とプレーナ構造はこわれて液晶分子は電極に対し
て平行に配列し、らせん軸の90゜回転したフオー
カルコニツク構造（コレステリツク液晶のもつ錐
状の特異な組織）が現われ光学的光散乱を起す状
態となる。この状態は印加電圧V2除去後も保た
れている。さらに印加電圧がV3になると分子の
配列は全て一様に電極に対して垂直配向した状態
（ホメオトロピツク構造）に変る。電圧V3を印加
したときはほぼ100％の光透過率を示し、V3を印
加した場合は印加電圧除去後数秒後に初期状態の
透過率（約90％）に戻る。この特性を利用して第
４図に示すごとく、液晶セルの液晶層にかかる電
界をV1〔Ｖ／ｍ〕，V2〔Ｖ／ｍ〕，V3〔Ｖ／ｍ〕と
なるようにＡ，Ｂ，Ｃの光量分布をもつた光学パ
ターンを液晶セルの感光層に照射する。光量分布
Ａ，Ｂ，Ｃに対応した感光層と重なつた部分の液
晶には第２図の曲線から第４図ｃに示すような透
過率分布ができ、V1〜3を除去後もこの状態は保
たれる（点線のように）。一般に文書は白地（又
は黒地）に黒（又は白）の線で構成されており、
例えば白地に黒線で構成されたポジのドキユメン
トを露光し、白地の反射光量が第４図ａのＣ、黒
地部の反射光量Ｂとなつた場合、液晶にかかる電
界は白地にV3の電界がかかり、黒地にV2の電界
がかかるように電源のＶを決めてやると、液晶の
Ｃ部は透明状態となり、Ｂ部は光散乱状態とな
る。つまり液晶セル上にネガ（文字部が光散乱す
る）ができる。
また、ネガフイルム画像のような文字部が透明
（Ｂ部）で背景部が不透明（Ｃ部）のものを第５
図の２のような拡大複写系の透過光で露光してや
り、透明部Ｂの光量により液晶層にかかる電界を
V2、不透明部Ｃの光量により溶晶層にかかる電
界をV1となるように電源のＶ値を決めてやると、
液晶のＢ部（文字部）は光散乱状態となり、Ｃ部
（背景部）は透明状態となり、液晶セル上にネガ
像ができる。
具体例に従つて説明すると、ここで使用するネ
サガラスは厚さ約1000ÅのIn2O3透明電極をガラ
ス薄板に真空スパツタリングし加熱酸化したもの
であり、感光層はAs2Se3を厚さ約2μに真空蒸着
したものであり、液晶層はすでに述べたネマチツ
ク・コレステリツク相転移型液晶を厚さ約12μに
真空吸入し、配向剤レシチンの厚さ約3000Åの薄
膜をデイツプコートして配向処理した記憶型液晶
セルである。この液晶セルを用いて画像の明部が
100ルツクスになるように光量を決め、画像の書
き込みをしたところ約60Vの電源電圧で、前述し
たポジのドキユメントから液晶セル上にネガ像が
得られ、また約45Vの電源電圧で前述したネガフ
イルムから、液晶セル上にネガ像が得られた。
本発明の複写装置は例えばマイクロ拡大ネガ→
ポジ複写機と等倍ポジ→ポジ複写機の機構のう
ち、電子写真機構を共通にして構成した両機能複
写機であつて、両方の複写システムの共通の光軸
上に中間記録媒体として、印加電圧のコントロー
ルにより原画のネガ、ポジにかかわらず、ネガ像
（文字部が光散乱する）が得られるものを配置し、
該記録画像を直接反射光により画像を読み取る読
み取り光学系を配置したものである。
本発明の方法で使用する装置を第５図によつて
説明すると、拡大光学系２に於て被写体フイルム
１２はプロジエクター１１により投影され、その
光像はレンズ１３を通りミラー１４にて反射し
て、記憶型液晶セル１５にフイルム１２の内容が
前述した方法によりネガ像として記録される。記
憶型液晶セルの感光体６の表面は光源１６側から
みて金属表面をもつたものである。記憶型液晶セ
ルに記録された内容は、読み取り光源１６の光に
よりハーフミラー１７に反射して液晶セルを照明
し、その反射光はハーフミラ１７を透過して読み
取りレンズ１８により感光体６上に投影される。
この様に直接反射光により、画像を投影する場合
は、前述したように液晶セル上にネガ像記録され
た画像は、第６図ａに示すごとく画像部は光散乱
を起し、また画像部以外は光電導層１０３の鏡面
により直接反射し、複写機の感光体６上では第６
図ｂに示すような光量分布となる。また、液晶の
ように白濁部（光散乱部）にある程度の方向性が
ある場合は第７図のようなレンズ系で斜め光照射
し、その直接反射光を利用するような方法も当然
採用できる。このときの光照射角度θはセルの基
板、ネサ膜、液晶の散乱異方性などによつて決ま
る角度であるが、45゜以上で良好な結果を得た。
またプラテン上に置かれた不透明原稿２０は光源
１９により照明され、その反射光はミラー５ｃ、
レンズ４、ミラー５ｂ（鎖線）を通つて液晶セル
から成る中間記録媒体１５に不透明原稿の内容を
投影（不透明原稿がネガの場合）記録し、前述の
方法にてその内容はさらに感光体６上に投影さ
れ、次いで現像・転写・定着される。この場合、
中間記録媒体上には被写体のネガ・ポジにかかわ
らず、通常ネガ像（文字部が不透明）として記録
されるが、ポジ像（文字部が透明）として記録す
ることも可能であり、また不透明原稿がポジのと
きには、その反射光はミラー５ｃ、レンズ４、ミ
ラー５ａ（破線）を通つて中間記録媒体を経由し
ないで直接感光体６上に投影され、潜像形成さ
れ、普通のゼログラフイツクプロセスによりハー
ドコピーを得る普通の複写機と同様に操作するこ
ともできる。
また本発明によれば、前記装置において拡大光
学系２及び等倍又は縮小光学系３から中間記録媒
体に書き込みができることから２つ以上の被写体
の重ね合せ複写が可能となり、画像の修正、複合
などの広い用途に応用することができる。
以上述べた様に、本発明によれば、原画のポ
ジ・ネガにかかわらず、中間記録体にネガ像（複
写機構がネガ用の場合はポジ像）が記録できるの
で、鏡面反射光により読み出しが可能となり読み
出し光量が小さく出来る。
更に、ネガフイルム又はポジフイルム又は、ポ
ジオペークドキユメント又はネガオペークドキユ
メントから簡単にポジ像が得られるので、例えば
マイクロプリンターと等倍プリンターを同一シス
テムに組み合せてポジ像を得ることができるよう
なマイクロ／オペークプリンターを設計すること
が出来る。
又、フイルム像とオペークドキユメントの内容
とを重ね合せて記録することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に用いられる中間記録媒体であ
る記憶型液晶セルの構造を示す図であり、第２図
は記憶型液晶セルの印加電圧対透過率曲線を示す
図であり、第３図は液晶セルの駆動等価回路図で
あり、第４図ａ，ｂ，ｃは光量ａに対する液晶セ
ルの電界分布ｂとその光散乱度（透過率）ｃを示
した図であり、第５図は本発明を実施する装置の
例であり、第６図ａは中間記録体上の像を直接反
射光により読みとる状態を示す図であり、第６図
ｂはそのときの光量分布を示す図であり、第７図
は中間記録体上の像の他の読み取り状態を示す図
である。 図中符号：１……複写機、２……拡大複写系、
３……等倍複写系、４……等倍レンズ、５……ミ
ラー、６……感光体、７……帯電コロトロン、８
……現像器、９……転写コロトロン、１０……転
写紙、１１……プロジエクター、１２……フイル
ム、１３……プロジエクトレンズ、１４……ミラ
ー、１５……中間記録媒体、１６……読みとり光
源、１７……ハーフミラー、１８……読みとりレ
ンズ、１９……読みとり光源、２０……オペーク
ドキユメント、２１……コリメートレンズ、２２
……スクリーン、１００……液晶セル、１０１…
…透明電極基板、１０２……液晶層、１０３……
光導電層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 光学系からの光を受けて静電潜像を形成し、
    現像する複写装置において、前記光学系を、結像
    部位を共通とする第１の光学系と第２の光学系と
    に分け、この第１の光学系と第２の光学系とのい
    ずれか一方及び双方からの光像を結像し得る中間
    記録媒体を設け、この中間記録媒体は、液晶層及
    び光導電層を透明電極基板間に配置した液晶セル
    から構成され、さらに前記液晶の光の照射部と非
    照射部との状態を変化させるよう前記透明電極基
    板間の電圧を変化させる手段を設けたことを特徴
    とする複写装置。
JP9100579A 1979-07-19 1979-07-19 Picture forming method Granted JPS5616149A (en)

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