JPS6367954U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6367954U JPS6367954U JP16277786U JP16277786U JPS6367954U JP S6367954 U JPS6367954 U JP S6367954U JP 16277786 U JP16277786 U JP 16277786U JP 16277786 U JP16277786 U JP 16277786U JP S6367954 U JPS6367954 U JP S6367954U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon diaphragm
- pedestal
- electrode
- bonded
- pressure sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical group C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
第1図は、本考案による半導体圧力センサーの
断面図であり、第2図は従来の半導体圧力センサ
ーの断面図である。第3図は、従来の半導体圧力
センサーの実装構造断面図であり、第4図は、本
考案による半導体圧力センサーの実装構造断面図
である。 1……遮光性物質層、2……台座、3……圧力
基準室、4……シリコンダイヤフラム、5……拡
散抵抗、6……電極、10……保護カバー開口部
、11……ゲル状物質、12……保護カバー、1
3……接着層、14……外枠、15……入出力端
子、16……パターン部、17……導体パターン
、18……ハンダ付部、19……テープ基板。
断面図であり、第2図は従来の半導体圧力センサ
ーの断面図である。第3図は、従来の半導体圧力
センサーの実装構造断面図であり、第4図は、本
考案による半導体圧力センサーの実装構造断面図
である。 1……遮光性物質層、2……台座、3……圧力
基準室、4……シリコンダイヤフラム、5……拡
散抵抗、6……電極、10……保護カバー開口部
、11……ゲル状物質、12……保護カバー、1
3……接着層、14……外枠、15……入出力端
子、16……パターン部、17……導体パターン
、18……ハンダ付部、19……テープ基板。
Claims (1)
- 少くともシリコンダイヤフラムと、前記シリコ
ンダイヤフラム中に形成された拡散抵坑と、前記
拡散抵抗上に形成された電極と、上記シリコンダ
イヤフラムの前記電極形成面とは反対の面上に接
合した台座から構成される半導体圧力センサーに
おいて、上記台座の上記シリコンダイヤフラム接
合面とは反対の面上に形成された遮光性物質層を
有することを特徴とする半導体圧力センサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16277786U JPS6367954U (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16277786U JPS6367954U (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6367954U true JPS6367954U (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=31090365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16277786U Pending JPS6367954U (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6367954U (ja) |
-
1986
- 1986-10-23 JP JP16277786U patent/JPS6367954U/ja active Pending