JPS6364844B2

JPS6364844B2 -

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Publication number: JPS6364844B2
Application number: JP9008682A
Authority: JP
Priority date: 1982-05-27
Filing date: 1982-05-27
Publication date: 1988-12-13
Also published as: JPS58195A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、導電ペーストに関し、更に詳細に
は、磁器コンデンサ、磁器バリスタ等を形成する
ための磁器に、焼成即ち焼付で電極導電層を形成
するのに好適な導電ペーストに関するものであ
る。従来は磁器に電極を形成するために、主として
銀粉末とガラスフリツトとビヒクルとから成る銀
ペーストを使用していた。このような銀ペースト
を使用して例えば磁器コンデンサ電極を作ると、
所望の静電容量、誘電正接（tanδ）、及び電極の
引張り強度を有する磁器コンデンサを比較的容易
に得ることが出来る。しかし、銀は貴金属であつ
て高価であり、必然的に磁器電気部品のコストも
高くなつた。そこで、本発明の目的は、実用可能な性質を有
した比較的低コストの磁器に使用するための導電
ペーストを提供することにある。本発明の別の目的は、磁器に対して十分な接着
強度を有する導電層を形成することが可能な導電
ペーストを提供することにある。上記目的を達成するための本発明は、100重量
部の亜鉛（Zn）粉末と、0.01重量部〜15重量部の
有機チタン化合物と、ペースト状態にするために
要求される適当量のビヒクルと、から成る磁器に
焼成で導電層を形成するための導電ペーストに係
わるものである。本発明の好ましい具体例では亜鉛（Zn）粉末
として、0.1μm〜15μmの球状Zn粉末が使用され
ている。しかし、平均粒径が0.1μm〜30μmの球
状亜鉛粉末を使用することが可能である。本発明の好ましい具体例では有機チタン化合物
が100重量部の亜鉛粉末に対して0.01〜15重量部
とされている。有機チタン化合物が0.01重量部よ
りも少なくなると、無機結合剤及び酸化防止剤と
しての効果が得られなくなり、且つ量産時の特性
のバラツキが生じる。また有機チタン化合物が15
重量部よりも多くなると、電気抵抗及びtanδが大
きくなり導電層として不適になる。本発明の好ましい具体例では、有機チタン化合
物としてテトラキスステアロキシチタンTi（Ｏ―
C₁₇H₃₅）₄の粉末が使用されている。しかし、テト
ラブトキシチタニウムTi（Ｏ―C₄H₉）₄液等を使用
することが可能である。即ち、約500℃〜900℃の
範囲の焼成で有機物が分解し、チタン酸化物が生
じるものであれば、どのような有機チタン化合物
であつても使用可能であり、例えば一般式Ti
（OR）₄（但しＲはアルキル基又はアリール基）で
表わされるチタン酸エステル等から選択された
種々の物質を使用することができる。尚粉末の有
機チタン化合物を使用する場合は、粒径が30μm
以下であることが望ましい。また液状の有機チタ
ン化合物を使用する場合には、溶剤中の有機チタ
ン化合物の量が0.01〜15重量部となるようにし、
この溶剤の分だけビヒクルの溶剤を少なくする。本発明に使用することが可能なビヒクルは、好
ましくは、有機結合剤としての機能を有するエチ
ルセルロースを２〜20重量％の範囲で含むα―タ
ーピネオール液、又はニトロセルロース又はポリ
ビニルアルコールを２〜20重量％の範囲で含むα
―ターピネオール液等である。尚溶剤として、α
―ターピネオールの代りに、ブチルカルビトー
ル、ブチルカルビトールアセテート、フタル酸ジ
オクチル等を使用することも可能である。要する
に、ビヒクルは焼成によつて消失し、導電層には
実質的に残存しないので、公知の種々の有機ビヒ
クルを使用することが可能である。このビヒクル
の量は、ペースト状態にするために要求される適
当量であつて、亜鉛粉末と有機チタン化合物と必
要に応じて付加する付加物質との合計重量（100
重量％）に対して10〜50重量％の範囲、好ましく
は15〜25重量％の範囲、最も好ましくは約19〜21
重量％である。なおビヒクルが10重量％より少な
くなるとペーストの粘度が高くなり過ぎ、50重量
％を超えるとペーストの粘度が低くなり過ぎる。ところで、本発明に於いては、従来の銀ペース
トの銀粉末の代りに亜鉛粉末を使用している。こ
のように亜鉛粉末を使用することは、亜鉛粉末の
焼成状態の研究の結果決定された。これを第１図
を参照して説明すると、磁器基板１に亜鉛粉末を
含むペーストを塗布して亜鉛粉末の融点（419.5
℃）以上の温度で数十分間焼成した場合、亜鉛粒
子２の表面には酸化膜４が生じるが、チタン化合
物５によつて粒子２が覆われるので、粒子２の内
部３に深く酸化が進行しないこと、及び酸化膜４
で覆われた亜鉛粒子２の内部３が溶融し、内部３
の体膨張率が焼成時間の経過と共に酸化膜４の体
膨張率よりも大きくなり、粒子２の内部３から溶
融亜鉛が酸化膜４を破つて飛び出し、隣りの亜鉛
粒子２と溶融結合（完全な焼結反応とは異なる）
し、導電層６が形成されることに着目して本発明
が完成した。本発明に従う亜鉛粉末を使用した導電ペースト
（以下亜鉛ペーストと呼ぶ）のコストは、亜鉛粉
末のコストが銀粉末のコストの約1/200であるの
で、銀ペーストに比較して大幅に安くなる。また、本発明に係わる導電ペーストで導電層を
形成する際の焼成を大気中で行うことが可能であ
るので、導電ペーストの使用方法が特別に難しく
ならず、量産に適したものとなる。また好ましい実施例に示すように、本発明の導
電ペーストでSrTiO₃系磁器半導体コンデンサの
電極を形成すると、銀ペーストを使用した磁器コ
ンデンサよりも、静電容量が大きくなる。従つて
コンデンサの小型化が可能になる。また本発明の
好ましい実施例で示すように、TiO₂系磁器バリ
スタの電極を本発明に従う亜鉛ペーストで形成し
た場合に於いても、電気的及び機械的特性の優れ
たバリスタを得ることが出来る。本願の第２番目の発明では、更に、Pb、Pb化
合物、Bi、Bi化合物、Pr、Pr化合物、Cu、Cu化
合物、Cd、及びCd化合物からなる群から選択さ
れた少なくとも１種の付加物質を0.01〜５重量部
の範囲で含む導電ペーストを提供している。この
ような付加物質を混入すると、導電層と磁器基板
との結合状態が良くなり、引張り強度が大きくな
る。またコンデンサの場合には、静電容量が大き
くなり、tanδが小さくなる。尚、好ましい具体例では、上記付加物質とし
て、粒径が約0.1μm〜15μmのPb₃O₄（四三酸化
鉛）、Bi₂O₃（酸化ビスマス）、Pr₆O₁₁（11酸化６プ
ラセオジム）、CuO（酸化銅）、CdO（酸化カドミニ
ウム）から成る群から選択された少なくとも１種
の金属酸化物を使用している。しかし、これに限
ることなく金属の単体であつてもよい。金属の単
体の場合は、磁器に導電層を形成する際の焼成に
よつて酸化物に変換される。また、上記金属酸化
物の代りに、PbO、PbO₂、Pb（CH₃COO）₄、Pr₂
（C₂O₄）₃（シユウ酸プラセオジム）、Cu₂O、
BiC₆H₅O₇（クエン酸ビスマス）、更に各金属の水
酸化物、炭酸塩や蓚酸塩等の塩、過酸化物等を使
用することが出来る。要するに、導電層を形成す
る時の例えば500℃〜900℃、10〜50分の焼成によ
つて最終的に金属酸化物になるものであれば、ど
のようなものでも使用可能である。金属酸化物等の付加物質が0.01重量部未満であ
ると、静電容量、tanδ、引張り強さ等の改良効果
が実質的に現われなくなると共に、量産時にバラ
ツキが生じる。また５重量部よりも多くすると、
引張り強度が小さくなり、またtanδ等が悪くな
る。以下、本発明の実施例について述べる。実施例１亜鉛粉末100重量部に対して有機チタン化合物
を第１表に示すように0.01〜15重量部を加え、更
にビヒクルを亜鉛粉末と有機チタン化合物との和
に対して約20重量％加えて15時間撹拌混合し、試
料番号１〜５の亜鉛ペーストを作つた。但し、上記亜鉛粉末には、粒径が0.1〜15μmの
球状粉末を使用した。またこの亜鉛粉末には、カ
ドミニウム（Cd）、鉄（Fe）等の不純物が約0.01
重量％含まれている純度のものを使用した。尚こ
の後に述べる各実施例に於いても同一のものを使
用した。また有機チタン化合物として、粒径30μm以下
のテトラキスステアロキシチタンTi（OC₁₇H₃₅）₄
の粉末を使用した。ビヒクルは有機バインダとしてのエチルセルロ
ースを５重量％添加したα―ターピネオール液を
使用した。尚この後に述べる各実施例に於いても
同一のものを使用した。上述の如き組成の亜鉛ペーストの良否を判断す
るために、SrTiO₃系半導体磁器基板に、上記亜
鉛ペーストを塗布し、焼成することによつて、第
２図に示すように、円板状磁器基板１にコンデン
サ電極としての導電層６を作り、この磁器コンデ
ンサの静電容量Ｃ（nF）、誘電正接tanδ、及び引
張り強度（Kg）を測定した。磁器コンデンサ、及びその製造方法及び特性測
定方法を更に詳細に説明すると次の通りである。
上記SrTiO₃系半導体磁器基板１は、98.8モル％
のSrTiO₃と、0.8モル％のGeO₂と、0.4モル％の
Nb₂O₅とから成る磁器材料に、有機バインダとし
てポリビニールアルコールを付加して混合したも
のを約１トン／cm²の圧力で成形し、この成形品を
N₂（98容積％）＋H₂（２容積％）のガス雰囲気炉
で1420℃、約３時間焼成し、直径８mm、肉厚0.4
mmの円板状半導体磁器を形成し、更にこの磁器の
主面にPbO―B₂O₃―Bi₂O₃系ガラスペーストを塗
布して1200℃、３時間の熱処理で上記ガラス成分
を磁器中に拡散させて粒子間の絶縁化を図つたも
のである。この半導体磁器基板１に亜鉛ペーストで導電層
６を形成する際には、まず、200メツシユのテフ
ロン（米国デユポン社の商標）製スクリーンを使
用して磁器基板１の一方の主面に亜鉛ペーストを
印刷した。次に、これを乾燥炉に入れて150℃、
10分間の乾燥処理を施した。次に、一方の主面と
同様に磁器基板１の他方の主面にも亜鉛ペースト
を印刷し、乾燥させた。次に、鉄製の網に載せて
トンネル型加熱炉に入れ、亜鉛ペースト塗布層を
大気雰囲気中で、亜鉛の融点（419.5℃）以上の
約700℃の温度で10分間焼成した。この際、昇温
及び降温時間を含めて合計で約40分間トンネル炉
の中に磁器基板１を入れた。これにより、磁器基
板１に第２図に示す如く直径約7.8mm、厚さ約
15μmの導電層６が完成した。ところで、大気雰
囲気中で昇温を開始すると、第１図に示す如く亜
鉛粒子２の表面に酸化膜４が形成される。しか
し、粒子２がチタン化合物５に囲まれているの
で、亜鉛粒子２の酸化の進行が制限される。本実
施例では、銀ペーストのように銀の融点以下の焼
成ではなく、亜鉛の融点（419.5℃）以上に加熱
するので、酸化膜４で囲まれた内部３が溶融し、
ついには隣接する粒子と溶融結合される。即ち、
第１図に模式的に示すように、粒子２の一部が溶
融結合した状態となる。尚磁器基板１との接触領
域及び露出面に酸化膜４が存在するが、薄いため
に実質的に問題とならない。また半田付け等で問
題となる場合には表面の酸化膜４を除去し、この
上に酸化しにくい金属層を設ければよい。上述の
如き焼成時に、ビヒクルは消失し、また有機チタ
ン化合物は分解してその全部又は一部が酸化チタ
ン（TiO₂）になる。従つて、有機チタン化合物
は無機結合材及び酸化防止剤として利用されてい
る。完成した磁器コンデンサの静電容量Ｃ及び誘電
正接tanδの測定は1kHzで行つた。従つて第１表
及びその後に述べる各実施例のＣ（nF）で示す欄
の値は、測定周波数1kHzによる静電容量値を単
位nFで示し、またtanδで示す欄の値は誘電正接
×100で示されている。従つて実際のtanδは10^-2
を掛けた値である。Ｔ（Kg）で示す欄は、引張り
強度を単位Kgで示すものである。尚引張り強度Ｔ
の測定は次の方法で行つた。第３図に示す如く、
上下の導電層６の上に、直径0.6mm、長さ35mmの
軟銅線７，８をその先端約４mmの所でくの字形に
折り曲げて当接させ、超音波半田ごてを使用して
約50mgの半田で軟銅線７，８を導電層６に夫々固
着し、一方の軟銅線７を保持した状態で他方の軟
銅線８をバネ計りで矢印９で示す方向にゆつくり
引張つて軟銅線７又は８と共に導電層６が磁器基
板１から剥離する時の力を測定し、これを引張り
強度Ｔ（Kg）とした。尚第１表及びその他の表に
於けるＣ、tanδ、Ｔの測定値は、10個の試料の平
均値を示す。比較のために、0.1〜3μmの球状銀粉末60重量
％と、軟化点550℃のPbO―B₂O₃―SiO₂ガラスフ
リツト２重量％と、ビヒクル20重量％とから成る
銀ペーストを使用して、本発明の実施例と同一の
SrTiO₃系半導体磁器基板に直径7.8mm、厚み3μm
の銀導電層を銀粉末の融点以下で焼成する公知の
方法で作り、実施例と同一条件でＣ、tanδ、Ｔを
測定したところ、Ｃは47（nF）、tanδは0.56×
10^-2、Ｔは1.5Kgであつた。尚この銀導電層を有
するSrTiO₃系半導体磁器コンデンサ（以下単に
従来のコンデンサと呼ぶ）の特性等を考慮し、Ｃ
が47（nF）以上、tanδが1.5×10^-2以下、Ｔが0.5
Kg以上の特性を有するSrTiO₃系半導体磁器コン
デンサを良品の基準とした。第１表から明らかなように、100重量部の亜鉛
粉末に有機チタン化合物を0.01〜15重量部の範囲
で添加してコンデンサを作ると、上記の良品基準
を上回る特性が得られる。特に、試料番号２で示
す有機チタン化合物を１重量部付加したものに於
いては、Ｃが59（nF）、tanδが１×10^-2、Ｔが1.7
Kgとなり、従来のコンデンサと比較すると、tanδ
は少し悪いが、引張り強度Ｔは良くなり、またＣ
は10nF程度高くなる。従つて、磁器コンデンサ
の小形化が可能になる。また、従来のコンデンサに使用する銀粉末に比
較し、亜鉛粉末のコストは約1/200であるので、
導電ペースト及び磁器コンデンサのコストダウン
が可能になる。また亜鉛粉末の融点以上に加熱する焼成時に、
有機チタン化合物が亜鉛粒子の表面を覆つて酸化
の進行を制限するので、大気中で焼成することが
可能になり、コンデンサの量産が容易である。尚有機チタン化合物の好ましい量は0.01〜15重
量部であり、より好ましい量は１〜５重量部であ
る。

【表】実施例２ 100重量部の亜鉛粉末に、第2a表及び第2b表に
示すように、0.01〜15重量部の有機チタン化合物
（実施例１と同一）と、0.01〜５重量部のPb₃O₄
粉末（粒径0.1〜15μm）とを付加し、これ等の総
和に対して約20重量％のビヒクル（実施例１と同
一）を加えて実施例１と同一方法で亜鉛ペースト
を作り、更に実施例１と同一方法でコンデンサを
作つて同一方法で特性を測定したところ、第2a
表及び第2b表の結果が得られた。この結果から
明らかなように、Pb₃O₄を付加することによつ
て、Ｃ、tanδ及びＴの総てに於いて添加効果が認
められ、特にtanδ及びＴが良くなる。これは、磁
器基板１と導電層６との境界領域の状態がPb₃O₄
によつて良くなつたためと思われる。このPb₃O₄
の好ましい範囲は0.01〜５重量部であり、より好
ましい範囲は0.1〜１重量部である。0.01重量部
未満及び５重量部を超えると、tanδが良品基準値
以上となる。

【表】

【表】実施例３ 100重量部の亜鉛粉末に、第3a表及び第3b表に
示すように、0.01〜15重量部の有機チタン化合物
（実施例１と同一）と、0.01〜５重量部のBi₂O₃粉
末（粒径0.1〜15μm）とを付加し、これ等の総和
に対して約20重量％のビヒクル（実施例１と同
一）を加えて実施例１と同一方法で亜鉛ペースト
を作り、更に実施例１と同一方法でコンデンサを
作つて同一方法で特性を測定したところ、第3a
表及び第3b表の結果が得られた。この結果から
明らかなように、実施例２のPb₃O₄と同様な付加
効果が得られる。尚このBi₂O₃の好ましい範囲
は、0.01〜５重量部であり、より好ましい範囲は
0.1〜１重量部である。0.01重量部未満及び５重
量部を超えると、tanδが良品基準値以上となる。

【表】

【表】実施例４ 100重量部の亜鉛粉末に、第4a表及び第4b表に
示すように、0.01〜15重量部の有機チタン化合物
（実施例１と同一）と、0.01〜５重量部のPb₆O₁₁
粉末（粒径0.1〜15μm）とを付加し、これ等の総
和に対して約20重量％のビヒクル（実施例１と同
一）を加えて実施例１と同一方法で亜鉛ペースト
を作り、更に実施例１と同一方法でコンデンサを
作つて同一方法で特性を測定したところ、第4a
表及び第4b表の結果が得られた。この結果から
明らかなように、実施例２のPb₃O₄と同様な付加
効果が得られる。尚このPb₆O₁₁の好ましい範囲
は、0.1〜５重量部であり、より好ましい範囲は
0.1〜１重量部である。0.01重量部未満及び５重
量部を超えると、tanδが良品基準値以上となる。

【表】

【表】実施例５ 100重量部の亜鉛粉末に、第5a表及び第5b表に
示すように、0.01〜15重量部の有機チタン化合物
（実施例１と同じ）と、夫々が0.1重量部のPb₃O₄
粉末、Bi₂O₃粉末、Pb₆O₁₁粉末、CuO粉末、CdO
粉末からなる群から選択された１種以上の金属酸
化物粉末とを混合し、この混合物の合計重量に対
して約20重量％となるようにビヒクル（実施例１
と同じ）を加えて実施例１と同一方法で亜鉛ペー
ストを作り、更に実施例１と同一方法でコンデン
サを作つて特性を同一方法で測定したところ、第
5a表及び第5b表に示す結果が得られた。この結
果から明らかな如く、付加物質を複数の金属酸化
物にしても実施例２〜４と同様な効果が得られ
た。尚この実施例では付加物質が0.2〜0.5重量部
の範囲で付加されているが、付加物質の総量が
0.01〜５重量部の範囲であることが好ましいこと
は、実験により確められている。

【表】

【表】以上、実施例１〜５によつて、本発明に係わる
種々の導電ペースト及びこれを使用した磁器コン
デンサについて述べたが、亜鉛粉末と有機チタン
化合物とCuO粉末又はCdO粉末とを含む亜鉛ペー
ストについては述べなかつた。しかし、CuO又は
CdO粉末の場合も、Pb₃O₄、Bi₂O₃、Pb₆O₁₁粉末
の添加効果と同様な効果が得られることが確認さ
れている。即ち、亜鉛粉末100重量部、有機チタ
ン化合物0.01〜15重量部、CuO粉末0.01〜５重量
部から成る混合物に、ビヒクルを約20重量％付加
して実施例１と同様な方法で作つた亜鉛ペースト
を使用して、実施例１と同様な方法でコンデンサ
を作り、特性を測定したところ、Ｃは55nF〜
63nF、tanδは0.63×10^-2〜1.47×10^-2、Ｔは1.1Kg
〜1.8Kgの範囲であつた。また、亜鉛粉末100重量
部、有機チタン化合物0.01〜15重量部、CdO粉末
0.01〜５重量部から成る混合物に、ビヒクルを約
20重量％付加してペーストを作り、更に実施例と
同様にコンデンサを作つて特性を測定したとこ
ろ、Ｃは55nF〜63nF、tanδは0.63×1.46×10^-2、
Ｔは1.1Kg〜1.8Kgの範囲であつた。尚、亜鉛ペーストを使用して形成した導電層６
に対する半田付け性は、銀ペーストで作つた導電
層に比較して劣るが、亜鉛のイオン化傾向は大き
いので、この亜鉛よりもイオン化傾向の小さい金
属例えば銅又はニツケル等を無電解メツキによつ
て付着させて第４図に示すように金属層１０を導
電層６の上に形成し、半田付け性を良くしても良
い。勿論、銅、ニツケルに限ることなく、金、銀
等をメツキ、蒸着、塗布することによつて金属層
１０を形成しても差支えない。貴金属を金属層１
０に使用しても、金属層１０を極めて薄くしても
差支えないので、コストの上昇は少ない。実施例６磁器バリスタの電極として使用可能であるか、
否かを調べるために、TiO₂ 99.6モル％、Nb₂O₅
0.2モル％、MnO₂ 0.2モル％とから混合物に有機
結合剤としてのポリビニルアルコール溶液を付加
したものを用意し、これを円板状に成形し、還元
雰囲気中で焼成し、外径８mm、肉厚0.8mmのTiO₂
系磁器バリスタ基板を複数個作り、実施例１及び
３の亜鉛ペーストを夫々塗布し、トンネル式加熱
炉に入れて大気雰囲気中で750℃、10分間の焼成
を行つた。尚昇温、降温時間を含めてトンネル炉
に合計40分間磁器基板を置いて焼成を行つて電極
を形成した。そしてバリスタの一対の電極に電圧
を加えて10mAの電流が流れる時の電圧（以下
E₁₀値と呼ぶ）を測定した。またバリスタに1mA
の電流が流れる時の電圧（以下E₁値と呼ぶ）を
測定した。またバリスタの一方の電極の中央に長
さ60mm、径0.6mmの銅線を垂直に約50mgの半田で
超音波半田ボンデイングし、バリスタ磁器基板を
固定して、銅線をバネ計りでゆつくり垂直方向に
引張り、磁器基板が導電層即ち電極が剥離する時
の力Ｔ（Kg）を測定した。またE₁₀とE₁とから、α
＝１／logE₁₀／E₁を計算し、非直線係数αを求めた。第６表は上記測定結果を実施例１及び３の群で示
すものである。即ち各実施例に於ける多数のペー
ストで作つた多数のバリスタ特性をまとめて示す
ものである。比較のために、実施例１で示した従来の銀ペー
ストを使用して同一のバリスタ磁器基板に電極を
作り、同一の測定を行つたところ、E₁₀は10.5V、
αは3.3、Ｔは1.8Kgであつた。この銀ペーストを
使用した従来のバリスタの値と第６表との比較か
ら明らかなように、従来のバリスタとほぼ同一の
特性を得ることが出来る。更に、亜鉛ペースト電
極の磁器基板に対するオーミツク接触性を調べる
ために、バリスタ磁器基板の一方の主面に実施例
１の試料番号１の亜鉛ペーストで一方の電極を作
り、他の主面にInGaの電極を作つてＶ―Ｉ特性
を求めたところ、第５図の曲線Ａとなつた。比較
のために、バリスタ磁器基板の両面にInGaの電
極を形成してＶ―Ｉ特性を求めたところ、第５図
の曲線Ｂとなつた。またバリスタ磁器基板の一方
の面に銀ペーストで電極を作り、他方の面に
InGa電極を作つて、Ｖ―Ｉ特性を求めたところ、
第５図の曲線Ｃとなつた。この第５図の曲線Ａと
Ｃとの比較から明らかなように、銀ペーストで電
極を形成したものよりも、亜鉛ペーストで電極を
形成したものがオーミツク接触性が良くなる。

【表】以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、更に変形可
能なものである。例えば、本発明に係わる亜鉛ペ
ーストは、TiO₂系磁器コンデンサ、BaTiO₃系磁
器コンデンサ、BaTiO₃系磁器サーミスタ、
BaTiO₃系磁器圧電素子等の電極としても充分利
用出来ることが確認されている。またバリスタに
於いても、第４図に示すような導電層１０を形成
してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係わる磁器コンデン
サの一部を模式的に示す断面図、第２図は本発明
の実施例に係わる磁器コンデンサの断面図、第３
図は第２図の磁器コンデンサに軟銅線を固着し引
張り強度を測定する状態を示す平面図である。第
４図は磁器コンデンサの変形例を示す断面図であ
る。第５図は本発明に係わる磁器バリスタ及び従
来のバリスタの電圧―電流特性を示す特性図であ
る。尚図面に用いられている符号に於いて、１は磁
器基板、２は亜鉛粒子、３は内部、４は酸化膜、
５はチタン化合物、６は導電層である。

Claims

【特許請求の範囲】１亜鉛粉末100重量部、有機チタン化合物0.01〜15重量部、前記亜鉛粉末と前記有機チタン化合物との合計
重量に対して10〜50重量％の範囲のビヒクル、を含むことを特徴とする磁器に焼成で導電層を形
成するための導電ペースト。２亜鉛粉末100重量部、有機チタン化合物0.01〜15重量部、 Pb、Pb化合物、Bi、Bi化合物、Pr、Pr化合
物、Cu、Cu化合物、Cd、及びCd化合物の内の１
種又は複数種の付加物質0.01〜５重量部、前記亜鉛粉末と前記有機チタン化合物と前記付
加物質との合計重量に対して10〜50重量％の範囲
のビヒクル、を含むことを特徴とする磁器に焼成で導電層を形
成するための導電ペースト。３前記付加物質は金属酸化物である特許請求の
範囲第２項記載の導電ペースト。４前記金属酸化物は、Pb₃O₄、Bi₂O₃、Pr₆O₁₁、
CuO、CdOから選択された少なくとも１種の金属
酸化物である特許請求の範囲第３項記載の導電ペ
ースト。