JPS6364325A - レジスト▲はく▼離装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明Ｏ目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、半導体集積回路製造過程において使用する
レジスト剥離ｖｅ装置の改良に関する。

（従来の技術） 半導体集積回路製造において、パターンをつ（る九めに
感光性樹脂（レジスト）ヲ使用する。レジストは、薄膜
をエツチング後除去される。除去する手段としでは、近
年酸素ｒラズマが広く使用されている。これは１石英製
の円筒型真空装置とその外側に設けられた金属製の電極
、排気装置および高周波電源から成る装置で、ウェーハ
を石英容器内に入れ、排気後酸素全導入して圧力ｔ−１
ＩＴｏｒｒ程度に保ち、高周波電力を印；ｑｏしてプラ
ズマを起こしレジストｒ灰化する方法である。

（発明が解決しようとする問題点） この方法は、イオン注入工程やドライエッチング工程ｒ
経て硬化したレジストｔも除去しうるが。

２つ難点がある。第１は、ブジズマ内のガス温度が２０
０℃前説に上昇する念め、たとえばＡＩ配線形成後Ｏレ
ジスト剥離に使用するとＡＩが結晶化しはじめ、いわゆ
るビック金主じ、多層配線プロセスにおいては配４０シ
ョートなどｔ起こす、第２は、プラズマ内０ｖＩ１粒子
によるＮｌ０ＳユトランジスタＤゲート、唱橡（Ｄ破泡
でちる。この８容、Ｃつ（ハでは１．２７回ドライプロ
セスシンポジウムに詳しく４告されている（用本、、■
７回ドライプロセスシンポジウム予稿；７．＋Ｐｘ３２
（ｘ３ｓｓ））。

〔発明の講成〕

（問題点を解決するための手段） 本発明は１強力な紫外光特にレーザ光によってレジスト
を分解することを特徴とする。

有機高分子材料に紫外レーザ光を照射して、瞬時のうち
に分解する方法は、既に知られている。

（たとえばＢ　、　Ｊ　、　Ｇａｒｒｉｓｉｏｎ　　ａ
ｎｄ　　Ｒ，５ｒｉｎｉｖａｓａｎＪ、ＶａＣ，５ｃ５
Ｔｅｃｈｎａｌ、　Ａ３　ｔ　７４６　（１９８５）　
）。

この論文では、大気中で、有機高分子材料たとえばレジ
ストなどに照射すると、有機物が分解して気相に蒸発す
ることが述べられている。しかし。

こＶままでは、半導体製造におけるレジストの剥離には
応用できない、なぜならば１分解生成物が再重合して基
板表面に再付着するからである。

このような再重合を防止するために本発明者らは鋭意検
討を厘ねた結果、真空中で有機物にレーザ光を照射する
と再重合が起こることなく除去しうろことを見い出した
。すなわち本発明は、真空容器と排気手段とレーザ光源
を備えることを特徴とする。

（作用） このレーザ光により有機物を分解する過桿は極めて速い
ため、たとえば酸ぶやオゾン′７）雰囲気下で行なって
も酸化ｒｊ、応が追すつかず再重合が起こってしまう、
不発明りとと＜′Ｆｃ空下であれば、平均自由行程が長
いために１分解生成物が互いに衝突することがないため
、再重合が起こらない。

（実施列） 本発明７）′ｆＬ、施例を以丁に図面を用いて説明する
。

第１図は１本発明り一泉し１例茫示す、１は真空容器で
、ウェーハ１１のロード字２．主処皿室３゜アンロード
室４０３つから成る。この容器１はゲートバルブ５を介
して油回転ボンプロで排気される。ウェーハは、カセッ
ト７つままロード室２にセットされ、ベルト８によジ］
ばれる。主処浬室３まで米だ時に、エキシマレーザ９よ
ジ見せられたレーザ光は、石英窓１０’、ｒｍしてラニ
ー／１１上に照射され、レジストが除去される。レーザ
ばたとえば１秒間に１００パルスとか２００パルスＯ速
度で発撮しうるので、ウェーハ１１にレーザ光を開封す
る時間は、０．２〜０．５砂径度である。照射が終了す
るとベルト８によってウェーハ１１は送られ１次のウェ
ーハ１１が石英窓１０ｖ下に送られる仕組みとなってい
る。ウェーハ１０ツトは。

カセット７もろともロード室に入れられており、レジス
ト除去工穆自本はウェーハ１枚につき長くても０．５秒
ウェーハ搬送時間を入れても処理時間はウェーハ１枚に
つき１０秒未満である。したがって、カセット７？セツ
トし、系全体の真空引きからレジスト除去後容器１０１
）−りまで含めても１０分程度で１０ツトＤ処Ｊが終了
してしまう。

こつように、処浬速文が速いことも本発明の特徴でちる
。

〔発明Ｏ効果〕

第２図は、多結晶Ｓｉゲー）７）ＭＯ８型キャパシタを
つくり、多結晶Ｓｉ屯へエツチング後、レジストヲ翫素
プラズマで除去した場合ｔａ＋と本発明の長に−７−除
去した場合（ｂ）のゲート絶縁膜Ｏ耐圧を示す図である
。なお、！ル阪ばｐ型（１（’）Ｏ）、比抵抗６〜只ｆ
”ｌ　−ｒｍでゲート吃（ｋ■劃け１’）ｎＡ、冬洪黒
８ＬＦｆＸ厚は３８００人である。第２ｉ（ａ）では、
ゲート酸化膜の破壊が起こっているのに対し、第２図（
ｂ）では、全く起こっていないことが明らかである。

さらに１本発明の装ｊ産では、４板温度が上杵しないた
めＡノ配・腺形成後にｆ用しても、ピックは形成されな
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明Ｏ爬ｎ（Ａ成を示す要部断面図。 第２図は、ＭＯ８型キャパシタＯレジストヲ酸素プラズ
マまたは本箔明′７）装置で除去した場合のゲート酸化
膜の耐圧を示す図で６る。 １・・・真空容器、２・・・ロード室、３・・・主処浬
室。 ４・・・アンロード室、５・・・ゲートバルブ、６・・
・油回転ポンプ、７・・・カセット、８・・・ベルト、
９・・・エキシマレーザ−０１０・・・石Ｊｉ［，１１
・・・ウェーハ。 代理人　弁哩士　　則　近　恵　信 置　　　　　　　竹　　花　　喜久男 師カロ電３　（ＭＶ／Ｃｍ） 師カロ電界（ＭＶ／ｍ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導入窓を有し、真空に排気しうる容器と、該容
   器を真空に排気する手段と、該容器内に置かれた試料に
   紫外光を照射する手段とを具備したことを特徴とするレ
   ジスト剥離装置。
2. （２）前記紫外光を照射する手段がエキシマレーザであ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジス
   ト剥離装置。