JPS6363629B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6363629B2 JPS6363629B2 JP19918383A JP19918383A JPS6363629B2 JP S6363629 B2 JPS6363629 B2 JP S6363629B2 JP 19918383 A JP19918383 A JP 19918383A JP 19918383 A JP19918383 A JP 19918383A JP S6363629 B2 JPS6363629 B2 JP S6363629B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- tip
- molten metal
- vapor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 37
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着に使用される蒸発蒸気を斜め
方向に指向性を有するように蒸発させるに適した
蒸発源装置に関する。
方向に指向性を有するように蒸発させるに適した
蒸発源装置に関する。
従来蒸発源装置として例えば第１図示のように
水冷銅ハースａに蒸発材料ｂを入れ、電子ビーム
ｃを該蒸発材料ｂに投入してこれを溶解させる式
のものが知られているが、この式のものではハー
スａ内の溶解面を水平に保つように蒸発源装置を
配置すると共にその上方に基板ｄを配置し、該溶
解面から蒸発する蒸気を該基板上に凝縮させるを
一般とするもので斜め方向に配置された基板には
蒸気を凝縮させ難い欠点がある。即ちこうした水
平に配置された蒸発源装置から蒸発する蒸気は鉛
直方向に最も密度が高く近似的に余弦則（cosn
θ：ｎは１より大きい実数）で表わされる密度分
布を有し、傾斜方向にはさして大きな密度分布を
得ることが出来ないものであり、基板の配置や形
状が制約されて好ましくない。これを更に説明す
ると、従来の電子ビームｃで蒸発を行なう場合、
融湯をハースａ内に溜める必要から鉛直方向に蒸
発ビームを指向させるように蒸発源の配置をとら
ざるを得なかつた。それは蒸発の物性上から融湯
の溶解面の上に立つ球面上に蒸発速度（単位表面
積あたりの蒸発量）の分布があるからである。そ
こで堆積速度の点から考えて、基板は蒸発源の上
方に水平に置くことが通常行なわれている。しか
し乍ら蒸着される基板の形状は必ずしも平坦では
なく、蒸発源に対して例えば45゜の傾きを有する
面が蒸着面である場合、従来の蒸発源では蒸着膜
の堆積速度を均一化して均等な厚さの膜を形成す
ることが出来ない不都合がある。また水平な溶湯
面に対して基板の配置が制約されるので装置設計
の自由度がない。
水冷銅ハースａに蒸発材料ｂを入れ、電子ビーム
ｃを該蒸発材料ｂに投入してこれを溶解させる式
のものが知られているが、この式のものではハー
スａ内の溶解面を水平に保つように蒸発源装置を
配置すると共にその上方に基板ｄを配置し、該溶
解面から蒸発する蒸気を該基板上に凝縮させるを
一般とするもので斜め方向に配置された基板には
蒸気を凝縮させ難い欠点がある。即ちこうした水
平に配置された蒸発源装置から蒸発する蒸気は鉛
直方向に最も密度が高く近似的に余弦則（cosn
θ：ｎは１より大きい実数）で表わされる密度分
布を有し、傾斜方向にはさして大きな密度分布を
得ることが出来ないものであり、基板の配置や形
状が制約されて好ましくない。これを更に説明す
ると、従来の電子ビームｃで蒸発を行なう場合、
融湯をハースａ内に溜める必要から鉛直方向に蒸
発ビームを指向させるように蒸発源の配置をとら
ざるを得なかつた。それは蒸発の物性上から融湯
の溶解面の上に立つ球面上に蒸発速度（単位表面
積あたりの蒸発量）の分布があるからである。そ
こで堆積速度の点から考えて、基板は蒸発源の上
方に水平に置くことが通常行なわれている。しか
し乍ら蒸着される基板の形状は必ずしも平坦では
なく、蒸発源に対して例えば45゜の傾きを有する
面が蒸着面である場合、従来の蒸発源では蒸着膜
の堆積速度を均一化して均等な厚さの膜を形成す
ることが出来ない不都合がある。また水平な溶湯
面に対して基板の配置が制約されるので装置設計
の自由度がない。
本発明は斜め方向に高い密度分布が得られる蒸
発源装置を提供することを目的としたもので、ロ
ツド状の蒸発材料の先端を斜め上方に向けて回転
自在に設け、該蒸発材料の先端部外周を耐熱性筒
体で覆い、該先端を電子ビームを当てて溶解する
ことを特徴とする。
発源装置を提供することを目的としたもので、ロ
ツド状の蒸発材料の先端を斜め上方に向けて回転
自在に設け、該蒸発材料の先端部外周を耐熱性筒
体で覆い、該先端を電子ビームを当てて溶解する
ことを特徴とする。
本発明の実施例を図面につき説明するに、その
第２図に於て１は真空の蒸着室、２は該室１内に
設けた蒸発源装置、３は蒸着処理されるべき基板
を示し、該蒸発源装置２は先端４ａを斜め上方に
向けたロツド状の蒸発材料４と、該蒸発材料４の
先端部外周を覆つた水冷銅ハース等の耐熱性筒体
５を備え、該先端４ａにはフイラメント６から磁
界で偏向された電子ビーム７が当てられるものと
する。また蒸発材料４は電動機により固定の耐熱
性筒体５内で回転され、好ましくは該材料４をさ
らにその軸方向にも出没可能に設けられる。
第２図に於て１は真空の蒸着室、２は該室１内に
設けた蒸発源装置、３は蒸着処理されるべき基板
を示し、該蒸発源装置２は先端４ａを斜め上方に
向けたロツド状の蒸発材料４と、該蒸発材料４の
先端部外周を覆つた水冷銅ハース等の耐熱性筒体
５を備え、該先端４ａにはフイラメント６から磁
界で偏向された電子ビーム７が当てられるものと
する。また蒸発材料４は電動機により固定の耐熱
性筒体５内で回転され、好ましくは該材料４をさ
らにその軸方向にも出没可能に設けられる。
その作動は次の通りである。
蒸発材料４を回転させその先端４ａに電子ビー
ム７を当てると表面が融解して放物線状に窪み、
溶けた溶湯は重力に従つて水平な溶解面を形成す
べく流動する。回転が比較的遅いと溶湯は窪み８
の下面に溜り勝ちであるが、回転速度が適切であ
ると溶湯の動粘性と遠心力及び表面張力の相乗作
用によつて放物面状の窪み８の表面にほぼ均一な
厚さに溶湯が分布し、放物面の全面からほぼ一様
に溶湯が蒸発する。こうした条件で蒸発を行なう
と傾斜回転軸９方向に最も密度の高い密度分布を
もつた蒸気ビーム１０が得られ、例えば図示のよ
うに傾斜して設けられた基板３に高い密度の蒸気
を当てることが出来、迅速な蒸着を行なうことが
出来る。該窪み８は蒸発の進行に伴ない深まる
が、ワイヤ状の蒸発材の先端を該窪み８に挿入し
て溶解蒸発した分を補給するか、或は図示の如く
ロツド状の蒸発材料４を押し上げることにより適
切な高さの溶解面を維持出来る。傾斜回転軸９を
水平に対して45゜傾け、蒸発材料４を10r.p.mで回
転し乍ら溶湯面から25cm離れた基板３上にシリコ
ン膜を形成した。この場合、シリコン膜は750ナ
ノメートル毎分の堆積速度で堆積し、電子ビーム
投入電力は10KV×4mAであつた。この堆積速度
は溶湯面が水平である従来の蒸発源装置の場合と
ほぼ同じである。またこの45゜の傾斜位置で蒸発
材料４の回転を止めると融湯が耐熱性筒体５の外
部へ流れ出し、蒸発作業を持続することが出来な
かつた。蒸発材料４の回転速度の下限は溶湯の粘
性と傾斜角及び筒体５の筒径と密接な関係がある
が、融湯がシリコンで筒体５の径が３cmの場合、
7r.p.m程度は必要であつた。
ム７を当てると表面が融解して放物線状に窪み、
溶けた溶湯は重力に従つて水平な溶解面を形成す
べく流動する。回転が比較的遅いと溶湯は窪み８
の下面に溜り勝ちであるが、回転速度が適切であ
ると溶湯の動粘性と遠心力及び表面張力の相乗作
用によつて放物面状の窪み８の表面にほぼ均一な
厚さに溶湯が分布し、放物面の全面からほぼ一様
に溶湯が蒸発する。こうした条件で蒸発を行なう
と傾斜回転軸９方向に最も密度の高い密度分布を
もつた蒸気ビーム１０が得られ、例えば図示のよ
うに傾斜して設けられた基板３に高い密度の蒸気
を当てることが出来、迅速な蒸着を行なうことが
出来る。該窪み８は蒸発の進行に伴ない深まる
が、ワイヤ状の蒸発材の先端を該窪み８に挿入し
て溶解蒸発した分を補給するか、或は図示の如く
ロツド状の蒸発材料４を押し上げることにより適
切な高さの溶解面を維持出来る。傾斜回転軸９を
水平に対して45゜傾け、蒸発材料４を10r.p.mで回
転し乍ら溶湯面から25cm離れた基板３上にシリコ
ン膜を形成した。この場合、シリコン膜は750ナ
ノメートル毎分の堆積速度で堆積し、電子ビーム
投入電力は10KV×4mAであつた。この堆積速度
は溶湯面が水平である従来の蒸発源装置の場合と
ほぼ同じである。またこの45゜の傾斜位置で蒸発
材料４の回転を止めると融湯が耐熱性筒体５の外
部へ流れ出し、蒸発作業を持続することが出来な
かつた。蒸発材料４の回転速度の下限は溶湯の粘
性と傾斜角及び筒体５の筒径と密接な関係がある
が、融湯がシリコンで筒体５の径が３cmの場合、
7r.p.m程度は必要であつた。
このように本発明によるときは傾斜して設けた
回転自在のロツド状の蒸発材料の先端部外周を耐
熱性の筒体で覆い、該材料の先端から電子ビーム
で溶解するようにしたので斜め方向に高い密度分
布の指向性を有する蒸発蒸気を得ることが出来、
基板の配置や形状に制約されることなく蒸着を行
なえる効果がある。
回転自在のロツド状の蒸発材料の先端部外周を耐
熱性の筒体で覆い、該材料の先端から電子ビーム
で溶解するようにしたので斜め方向に高い密度分
布の指向性を有する蒸発蒸気を得ることが出来、
基板の配置や形状に制約されることなく蒸着を行
なえる効果がある。
第１図は従来例の截断側面図、第２図は本発明
の実施例の截断側面図である。 ４……蒸発材料、４ａ……先端、５……耐熱性
筒体、７……電子ビーム。
の実施例の截断側面図である。 ４……蒸発材料、４ａ……先端、５……耐熱性
筒体、７……電子ビーム。
Claims (1)
- １ ロツド状の蒸発材料の先端を斜め上方に向け
て回転自在に設け、該蒸発材料の先端部外周を耐
熱性筒体で覆い、該先端を電子ビームを当てて溶
解することを特徴とする斜め方向に指向性を有す
る蒸発源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19918383A JPS6092470A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 斜め方向に指向性を有する蒸発源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19918383A JPS6092470A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 斜め方向に指向性を有する蒸発源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092470A JPS6092470A (ja) | 1985-05-24 |
| JPS6363629B2 true JPS6363629B2 (ja) | 1988-12-08 |
Family
ID=16403517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19918383A Granted JPS6092470A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 斜め方向に指向性を有する蒸発源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092470A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130129937A1 (en) * | 2011-11-23 | 2013-05-23 | United Technologies Corporation | Vapor Deposition of Ceramic Coatings |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP19918383A patent/JPS6092470A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6092470A (ja) | 1985-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4511593A (en) | Vapor deposition apparatus and method | |
| JPS59208069A (ja) | 多くの物質を蒸着させるための放射加熱部を有する蒸発装置 | |
| US4866239A (en) | Vapor source assembly with crucible | |
| JP6017799B2 (ja) | 電子ビーム蒸着装置 | |
| JPS6363629B2 (ja) | ||
| JP2004256843A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| US3684557A (en) | Method for vacuum evaporation of high melting point non-metallic materials | |
| JPH0360913B2 (ja) | ||
| US3695217A (en) | Vapor deposition apparatus | |
| JP2002164303A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| US4048462A (en) | Compact rotary evaporation source | |
| US3485997A (en) | Process and apparatus for the thermal vaporization of mixtures of substances in a vacuum | |
| KR102005555B1 (ko) | 복수의 타겟 구조체를 이용한 진공증착장치 | |
| JP2590438B2 (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
| JPS6263669A (ja) | 電子ビ−ム蒸着装置 | |
| JPH069009Y2 (ja) | 遠心式蒸発源 | |
| JPH01159370A (ja) | 蒸着装置及びその蒸発源装置、及び原料物質を蒸発させる方法 | |
| JPH07316791A (ja) | 昇華性材料の蒸着方法 | |
| JPS63149369A (ja) | 蒸着方法 | |
| JPS5814876B2 (ja) | 電子ビ−ム蒸着方法 | |
| JP2790654B2 (ja) | プラスチックレンズ基板への二酸化チタン膜の形成方法 | |
| JPS5815491Y2 (ja) | 電子銃式蒸発源 | |
| GB2175015A (en) | Depositing vaporized material uniformly | |
| JPS63290265A (ja) | 電子銃装置 | |
| JPH0232683Y2 (ja) |