JPH0360913B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0360913B2
JPH0360913B2 JP24220783A JP24220783A JPH0360913B2 JP H0360913 B2 JPH0360913 B2 JP H0360913B2 JP 24220783 A JP24220783 A JP 24220783A JP 24220783 A JP24220783 A JP 24220783A JP H0360913 B2 JPH0360913 B2 JP H0360913B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaporation
heat
resistant container
source device
vapor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP24220783A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60135566A (ja
Inventor
Muneharu Komya
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
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Publication of JPS60135566A publication Critical patent/JPS60135566A/ja
Publication of JPH0360913B2 publication Critical patent/JPH0360913B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は真空蒸着に使用される蒸発蒸気を斜め
方向に指向性を有するように蒸発させるに適した
蒸発源装置に関する。
従来蒸発源装置として例えば第1図示のように
水冷銅ハースからなる耐熱性容器aに蒸発材料b
を入れ、電子ビームcを該蒸発材料bに投入して
これを溶解させる式のものが知られているが、こ
の式のものでは容器a内の溶解面を水平に保つよ
うに蒸発源装置を配置すると共にその上方に基板
dを配置し、該溶解面から蒸発する蒸気を基板d
上に凝縮させるを一般とするもので、斜め方向に
配置された基板には蒸気を凝縮させ難い欠点があ
る。例えば多数板の基板に蒸着を施す場合、蒸発
容器の上方に球殻状の回転治具を設け、その内面
に基板を並べて行なうが、多くの基板は斜めに配
置されるので、前記した欠点を生ずる。
即ちこうした水平に配置された蒸発源装置から
蒸発する蒸気は鉛直方向に最も密度が高く近似的
に余弦則(cosnθ:nは1より大きい実数)で表
わされる密度分布を有し、傾斜方向にはさして大
きな密度分布を得ることが出来ないものであり、
基板の配置や形状が制約されて好ましくない。
本発明は斜め方向に高い密度分布が得られる蒸
発源装置を提供することを目的としたもので、蒸
発材料を入れた耐熱性容器を、蒸発口を斜め上方
に向けると共に傾斜した回転軸を中心として回転
自在に真空室内に設け、電子ビームその他の加熱
手段により溶解した蒸発材料を該蒸発口を介して
斜め上方に蒸発させることを特徴とする。
本発明の実施例を図面につき説明するに、その
第2図に於て1は真空室、2は該室1内に設けた
蒸発源装置、3は蒸着処理されるべき基板を示
し、該蒸発源装置2は蒸発口4を斜め上方に向け
駆動軸5により傾斜した回転軸6を中心として回
転される水冷銅ハース等の耐熱性容器7を備え、
該容器7内に入れた蒸発材料8はフイラメント9
から磁界で偏向された電子ビーム10による加熱
手段11で溶解される。
その作動を説明するに耐熱性容器7を回転させ
内部の蒸発材料8に電子ビーム10を当ててこれ
を溶解すると溶湯は重力に従つて水平な溶解面を
形成すべく流動する。この場合回転が比較的遅い
と溶湯は容器7内で水平化するが回転速度が適切
であると溶湯の動粘性と遠心力及び表面張力の相
乗作用によつて放物面状に壁面に沿つて分布し、
放物面の全面からほぼ一様に溶湯が蒸発する。こ
うした条件で蒸発を行なうと傾斜回転軸6方向に
最も高い密度分布をもつた蒸気ビームが得られ、
例えば図示のように傾斜して設けられた基板3に
高い密度の蒸気を当てることが出来、迅速な蒸着
を行なうことが出来る。蒸発材料8はワイヤ状の
蒸発材を蒸発口4から挿入する等の方法により蒸
発した分の補充を行ない適切な高さの溶解面を維
持する。回転軸6を水平に対して45゜傾け、耐熱
性容器7を10r.p.mで回転しながら溶湯面から25
cm離れた基板3上にシリコン膜を形成した。この
場合、シリコン膜は750ナノメール毎分の堆積速
度で堆積し、電子ビーム投入電力は10KV×4mA
であつた。この堆積速度は溶湯面が水平である従
来の蒸発源装置の場合とほぼ同じである。またこ
の45゜の傾斜位置で耐熱性容器7の回転を止める
と、溶湯が外部へ流れ出し、蒸発作業を持続する
ことが出来なかつた。耐熱性容器7の回転速度の
下限は溶湯の粘性と傾斜角及び耐熱性容器7の内
径と密接な関係があるが、溶湯がシリコンで該耐
熱性容器7の内径が3cmの場合、7r.p.m程度は必
要であつた。
このように本発明によるときは傾斜して耐熱性
容器を回転させ斜め上方を向く蒸発口から蒸発材
料を蒸発させるようにしたので斜め方向に高い密
度分布の指向性を有する蒸発蒸気を得ることが出
来、基板の配置や形状に制約されることなく蒸着
を行なえる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の截断側面図、第2図は本発明
の実施例の截断側面図である。 1……真空室、4……蒸発口、6……回転軸、
7……耐熱性容器、8……蒸発材料、11……加
熱手段。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 蒸発材料を入れた耐熱性容器を、蒸発口を斜
    め上方に向けると共に傾斜した回転軸を中心とし
    て回転自在に真空室内に設け、電子ビームその他
    の加熱手段により溶解した蒸発材料を該蒸発口を
    介して斜め上方に蒸発させることを特徴とする斜
    め方向に指向性を有する蒸発源装置。
JP24220783A 1983-12-23 1983-12-23 斜め方向に指向性を有する蒸発源装置 Granted JPS60135566A (ja)

Priority Applications (1)

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JP24220783A JPS60135566A (ja) 1983-12-23 1983-12-23 斜め方向に指向性を有する蒸発源装置

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JP24220783A JPS60135566A (ja) 1983-12-23 1983-12-23 斜め方向に指向性を有する蒸発源装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60135566A JPS60135566A (ja) 1985-07-18
JPH0360913B2 true JPH0360913B2 (ja) 1991-09-18

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JP24220783A Granted JPS60135566A (ja) 1983-12-23 1983-12-23 斜め方向に指向性を有する蒸発源装置

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JP2618516B2 (ja) * 1990-04-18 1997-06-11 シャープ株式会社 薄膜el素子の製造方法
JPH0449668U (ja) * 1990-08-31 1992-04-27
KR101076227B1 (ko) * 2008-12-23 2011-10-26 주식회사 테스 진공증착장치

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JPS60135566A (ja) 1985-07-18

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